KR970005335Y1 - Wafer chuck - Google Patents
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Abstract
내용없음.None.
Description
제1도는 종래 진공장치의 구성도1 is a block diagram of a conventional vacuum apparatus
제2도 내지 제4도는 종래 진공장치의 결함을 나타낸 도면으로서,2 to 4 is a view showing a defect of a conventional vacuum device,
제2도는 진공 라인내 파우더 형성 과정도 이고,2 is a process of forming powder in a vacuum line,
제3도는 진공라인 연결도이며,3 is a vacuum line connection diagram,
제4도의 (a), (b), (c)는 웨이퍼로부터의 이물 흡착 설명도이다.(A), (b), (c) of FIG. 4 are explanatory drawing of the foreign material adsorption | suction from a wafer.
제5도는 본 고안에 의한 진공장치의 구성도5 is a block diagram of a vacuum apparatus according to the present invention
제6도는 본 고안 진공장치에 사용되는 연결구의 가스 흐름 상태도6 is a gas flow state diagram of the connector used in the vacuum device of the present invention
제7도의 (a), (b)는 종래 장치와 본 고안 장치의 분말 오염 부위 비교도(A), (b) of FIG. 7 is a comparison diagram of powder contamination sites of the conventional device and the device of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 웨이퍼 2 : 웨이퍼 척1: wafer 2: wafer chuck
4 : 진공라인 5 : 질소 퍼지 라인4: vacuum line 5: nitrogen purge line
6, 7 : 오염 방지용 필터 8, 9, 40 : 마그네틱 밸브6, 7: pollution prevention filter 8, 9, 40: magnetic valve
20 : T형 연결관 30 : 질소 벤트 라인20: T-type connector 30: nitrogen vent line
본 고안은 반도체 웨이퍼의 표면에 질화막, 산화막, 규소막 및 고유전막등의 화합물은 박막 형태로 증착시키는 저압 화학 기상 증착 장비등과 같은 반도체 제조 장비의 웨이퍼 고정용 진공장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 백면의 분말(POWDER) 오염을 억제하여 공정의 안정성을 기하고, 분말 오염 부위의 청소를 용이하게 할 수 있도록 한 반도체 제조 장비의 웨이퍼 고정용 진공장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum apparatus for fixing wafers in semiconductor manufacturing equipment, such as low pressure chemical vapor deposition equipment, in which compounds such as nitride films, oxide films, silicon films, and high dielectric films are deposited on the surface of a semiconductor wafer in a thin film form. The present invention relates to a vacuum device for fixing wafers in semiconductor manufacturing equipment, which can suppress powder contamination to improve process stability and facilitate cleaning of powder contamination sites.
일반적으로 저압 화학 기상 증착 장비등과 같은 반도체 제조장비에 있어서, 웨이퍼의 고정은 그 컨트롤이 용이하다는 잇점 과이물 발생 효과를 가지고 있는 진공장치를 이용하여 흡착, 고정하고 있다.In general, in semiconductor manufacturing equipment such as low pressure chemical vapor deposition equipment, the fixing of wafers is easily adsorbed and fixed using a vacuum device having an effect of generating foreign substances.
상기와 같은 일반적인 반도체 제조장비의 웨이퍼 고정용 진공장치가 제1도에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 살펴보면 다음과 같다.The wafer fixing vacuum apparatus of the general semiconductor manufacturing equipment as described above is shown in FIG. 1, which is briefly described as follows.
첨부한 제1도는 종래 진공장치를 개략적으로 보인 구성도로서, 도면에서 1은 웨이퍼를 보인 것이고, 2는 웨이퍼 척을 보인 것으로, 상기 웨이퍼(1)는 웨이퍼 척(2)에 흡착, 고정되도록 되어 있다.1 is a schematic view showing a conventional vacuum apparatus, in which 1 shows a wafer, 2 shows a wafer chuck, and the wafer 1 is attracted and fixed to the wafer chuck 2. have.
상기 웨이퍼 척(2)에는 수직하게 짧은 연결구(3)가 연결, 설치되어 외부에서 발생되는 진공을 전달하기 위한 진공 라인(4)이 연결, 설치되어 있고, 상기 진공 라인(4)의 중간부에는 그 라인을 퍼지시키기 위한 질소 퍼지라인(5)이 연결, 설치되어 있다.The wafer chuck 2 is connected to and installed with a vertically short connector 3, and a vacuum line 4 for transferring a vacuum generated from the outside is connected and installed, and in the middle of the vacuum line 4, A nitrogen purge line 5 is connected and provided to purge the line.
상기 진공 라인(4)과 질소 퍼지 라인(5)에는 공급되는 진공 및 질소량을 제어함과 아울러 여과시키기 위한 오염 방지용 필터(6), (7)와, 진공 및 질소를 단속하는 마그네틱 밸브(8), (9)가 각각 착설되어 있고, 상기 마그네틱 밸브(8), (9)는 밸브 컨트롤러(10)에 연결되어 온/오프 동작되도록 구성되어 있다.The vacuum line (4) and the nitrogen purge line (5) to control the amount of vacuum and nitrogen supplied, and to filter the pollution prevention filter (6), (7), and the magnetic valve (8) to control the vacuum and nitrogen And (9) are installed respectively, and the magnetic valves (8) and (9) are connected to the valve controller 10 so as to be configured to be turned on / off.
상기와 같이 구성된 일반적인 웨이퍼 고정용 진공장치는 장비 대기 상태에서는 마그네틱 밸브(8), (9)가 클로우즈 되어 웨이퍼 척(2)에서의 공기 흡입 및 웨이퍼 흡착이 일어나지 않게 되며, 장비 가동으로 훼이퍼 흡착시에는 마그네틱 밸브 8은 오픈되고 9는 클로우즈 되어 웨이퍼 척(2)으로 공기가 흡입되는데, 상기 공기가 오염 방지용 필터(6) 및 마그네틱 밸브(8)를 거치면서 빠져나가는 것으로 발생된 진공력에 의해 웨이퍼(1)가 흡착, 고정되게 된다. 이때 이물도 같이 흡착되게 된다.In the general wafer holding vacuum apparatus configured as described above, the magnetic valves 8 and 9 are closed in the equipment standby state, so that air suction and wafer suction from the wafer chuck 2 do not occur. At the time, the magnetic valve 8 is opened and the 9 is closed and air is sucked into the wafer chuck 2, which is caused by the vacuum force generated as the air escapes through the antifouling filter 6 and the magnetic valve 8. The wafer 1 is attracted and fixed. At this time, foreign matter is also adsorbed.
한편, 공정후 웨이퍼를 웨이퍼 척(2)으로부터 분리함에 있어서는 마그네틱 밸브 8이 클로우즈 됨과 동시에 9는 오픈되어 진공 라인(4)으로 질소가 공급되어 웨이퍼 척(2)에 고정되어 있던 웨이퍼(1)를 밀어내어 분리시키는 것이다.On the other hand, in separating the wafer from the wafer chuck 2 after the process, the magnetic valve 8 is closed and 9 is opened to supply nitrogen to the vacuum line 4 to fix the wafer 1 fixed to the wafer chuck 2. To push it apart.
그러나, 상기한 바와 같은 일반적인 웨이퍼 고정용 진공장치에 있어서는 제2도에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 척(2)과 그에 흡착된 웨이퍼(1)사이에 웨이퍼 척(2) 불량 및 이물등에 의해 미세한 틈이 발생하게 되면, 진공라인(4)으로 반응 가스들이 흡입되어 진공 라인(4)의 내벽에 분말 오염을 발생시키는 문제가 있었고, 웨이퍼 분리를 위한 질소 퍼지시 진공 라인(4)에 존재하고 있는 오염물질을 질소 가스가 밀어내어 웨이퍼의 백면에 떨어뜨림으로써 웨이퍼 오염을 발생시키는 문제가 있었다.However, in the general wafer fixing vacuum apparatus as described above, as shown in FIG. 2, minute gaps between the wafer chuck 2 and the wafer 1 adsorbed thereon are caused by defects and defects of the wafer chuck 2. When this occurs, the reaction gases are sucked into the vacuum line 4 to cause powder contamination on the inner wall of the vacuum line 4, and the contamination present in the vacuum line 4 during nitrogen purge for wafer separation. There was a problem in that wafer contamination occurred by nitrogen gas being pushed out and dropped on the back surface of the wafer.
또 종래의 진공장치에 있어서는 제3도에 도시한 바와 같이, 각각의 진공 라인(4)이 하나의 메닌 진공 라인(11)에 연결되어 있어 웨이퍼를 반송하는 모든 웨이퍼 척(2)으로 분말이 전달되는 문제가 있었다.In the conventional vacuum apparatus, as shown in FIG. 3, each vacuum line 4 is connected to one menin vacuum line 11 so that powder is transferred to all the wafer chucks 2 carrying the wafers. There was a problem.
또 종래의 진공장치는 제4도에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 척(2)에서 웨이퍼 (1) 착탈을 여러번 반복하면서 웨이퍼(1) 백면에 묻어있는 이물이 진공 라인(4)을 오염시키는 문제가 있었고, 상기와 같은 진공 라인(4)이 오염되었을 경우 국부적인 라인 및 필터의 클리닝으로는 제거되지 않아 모든 라인을 분해하여 클리닝하든가 아니면 필터를 교환하여야 하므로 장비 보수유지의 불편함이 따르는 문제도 있었다.In addition, in the conventional vacuum apparatus, as shown in FIG. 4, the foreign matter on the back surface of the wafer 1 contaminates the vacuum line 4 while repeatedly removing the wafer 1 from the wafer chuck 2. If the vacuum line 4 is contaminated as described above, it is not removed by the cleaning of the local line and the filter, so all the lines must be disassembled and cleaned or the filter must be replaced. .
이를 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 웨이퍼 척 및 진공라인 내부의 분말 오염 발생을 억제하여 공정의 안정성을 기할 수 있도록 한 반도체 제조 장비의 웨이퍼 고정용 진공장치를 제공함에 있다.In view of this, an object of the present invention is to provide a vacuum device for fixing wafers in semiconductor manufacturing equipment to reduce the generation of powder contamination in the wafer chuck and the vacuum line to ensure the stability of the process.
본 고안의 다른 목적은 진공 라인 내부의 오염 제거 작업을 보다 용이하게 할 수 있도록 한 반도체 제조 장비의 웨이퍼 고정용 진공장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a vacuum device for fixing wafers in semiconductor manufacturing equipment to facilitate the decontamination work in the vacuum line.
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼가 놓이는 척에 웨이퍼 고정을 위한 진공라인과 웨이퍼 분리를 위한 질소 퍼지 라인을 연결하여 구성하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 고정용 진공장치에 있어서, 상기 웨이퍼 척에 T형 연결관을 설치하여 이 연결관의 중간 포트에 진공 라인을 연결함과 아울러 웨이퍼 척의 반대측 포트에 질소 퍼지 라인을 연결하여 퍼지시 질소 가스가 웨이퍼 척 및 진공라인으로 동시에 공급되게 하고, 상기 진공 라인에 질소 벤트 라인을 연결, 설치하여 라인내 파우더 발생부위를 감소시키도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 웨이퍼 고정용 진공장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in the wafer fixing vacuum device of the semiconductor manufacturing equipment configured to connect the vacuum line for wafer fixing and the nitrogen purge line for wafer separation to the chuck on which the wafer is placed, the wafer T-type connecting pipe is installed in the chuck to connect the vacuum line to the middle port of the connecting pipe and nitrogen purge line to the opposite port of the wafer chuck so that nitrogen gas can be supplied to the wafer chuck and vacuum line at the same time. Provided is a vacuum device for fixing a wafer of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that to connect and install a nitrogen vent line to the vacuum line to reduce the powder generation portion in the line.
상기와 같이 된 본 고안에 의한 진공장치는 질소 퍼지 라인이 웨이퍼 척의 연결구에 직접 연결되어 있고 웨이퍼 척과 질소 퍼지라인 사이에 진공 라인이 연결되어 있으므로 라인내의 파우더 발생부위가 감소함으로써 종래 150-200cm이었던 파우더 발생부위가 본 고안에서는 0-20cm로 감소하게 된다-웨이퍼 백면 및 웨이퍼 척의 분말 오염을 방지할 수 있는 효과가 있고, 라인내 오염 부위가 작고 연결구를 분리하여 오염부위만을 청소하면 되므로, 파우더 오염부위 클리닝이 용이하다는 효과도 있으며, 또한 연결구에서의 질소 가스 흐름을 진공 라인으로 분리시켜 흘려 줌으로써 웨이퍼를 척으로 분리시, 진공 라인내의 파우더들이 척으로 역류하는 것을 방지할 수 있어 이물로 인한 다음 공정 불안정을 해소할 수 있다는 효과등이 있다.In the vacuum device according to the present invention, the nitrogen purge line is directly connected to the connector of the wafer chuck, and the vacuum line is connected between the wafer chuck and the nitrogen purge line. The area of occurrence is reduced to 0-20cm in this design-it has the effect of preventing powder contamination of the wafer back surface and wafer chuck, and the contamination of the powder is small because the area of contamination in the line is small and only the contamination is cleaned by separating the connector. It also has the effect of easy cleaning. Also, by separating and flowing the nitrogen gas flow in the connector to the vacuum line, it is possible to prevent the powders in the vacuum line from flowing back to the chuck when the wafer is separated into the chuck. There is an effect that can be solved.
이하, 상기한 바와 같은 본 고안에 의한 반도체 제조 장비의 웨이퍼 공정용 진공장치를 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a vacuum apparatus for a wafer process of a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention as described above will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
첨부한 제5도는 본 고안 장치의 구조도이고, 제6도는 본 고안 장치의 T형 연결구 상세도이고, 이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조 장비의 웨이퍼 고정용 진공장치는 웨이퍼(1)가 놓이는 척(2)에 웨이퍼 고정을 위한 진공 라인(4)과, 웨이퍼 분리를 위한 질소 퍼지 라이(5)을 연결하여 웨이퍼(1)를 진공을 이용하여 흡착, 고정하는 장치를 구성함에 있어서, 상기 웨이퍼 척(2)에 T형 연결관(20)을 설치하여 이 연결관(20)의 중간 포트에 진공 라인(4)을 연결함과 아울러 반대측 포트에 질소 퍼지 라인(5)을 연결하여 퍼지시 질소 가스가 웨이퍼 척(2) 및 진공 라인(4)으로 동시에 공급되게 하고, 상기 진공 라인(4)에 별도의 질소 벤트 라인(30)을 연결, 설치하여 구성함으로써 라인내 파우더 발생부위를 감소시키도록 구성한 것을 특징으로 하고 있다.FIG. 5 is a structural diagram of the device of the present invention, and FIG. 6 is a detailed view of a T-shaped connector of the device of the present invention. In connecting the vacuum line (4) for fixing the wafer and the nitrogen purge lie (5) for the wafer separation to the chuck (2) to be placed in the configuration of the device for adsorbing and fixing the wafer 1 using a vacuum, T-type connecting tube 20 is installed on the wafer chuck 2 to connect the vacuum line 4 to the middle port of the connecting tube 20 and the nitrogen purge line 5 to the opposite port to purge. Nitrogen gas is simultaneously supplied to the wafer chuck 2 and the vacuum line 4, and a separate nitrogen vent line 30 is connected to and installed in the vacuum line 4 to reduce powder generation in the line. It is characterized in that it is configured to be.
부연하면 상기 T형 연결관(20)의 일측 포트는 웨이퍼 척(2)에 연결되어 있고, 중간 포트에는 진공 라인(4)이 연결되어 있으며, 타측 포트에는 질소 퍼지 라인(5)이 각각 연결되어 퍼지시, 질소 가스가 T형 연결관(20)을 통하여 웨이퍼 척(2)으로 직접 공급됨과 아울러 일부는 진공 라인(4)으로 공급되게 함으로써 제7도의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 파우더 발생 부위가 종래(a)에 비해 현저하게 감소(b)되도록 구성되어 있는 것이다.In other words, one port of the T-type connector 20 is connected to the wafer chuck 2, a vacuum line 4 is connected to the middle port, and a nitrogen purge line 5 is connected to the other port. At the time of purge, nitrogen gas is directly supplied to the wafer chuck 2 through the T-type connecting pipe 20 and a part of the nitrogen gas is supplied to the vacuum line 4 as shown in FIGS. 7A and 7B. Likewise, the powder generating part is configured to be significantly reduced (b) as compared with the conventional (a).
즉, 종래에는 (a)에서와 같이, 질소 퍼지 라인(5)이 진공 라인(4)의 중간부에 연결되어 퍼지시 질소 가스가 진공 라인(4)을 통하여 웨이퍼 척(2)에 공급됨으로써 진공 라인(4) 내부에 존재하는(도면에서 섹션한 부분) 분말 상태의 오염 물질들이 웨이퍼 척(2)으로 이동하여 웨이퍼(1) 백면 및 웨이퍼 척(2)의 오염을 초래하였으나, 본 고안은 (나)에 도시한 바와 같이, 질소 퍼지 라인(5)이 T형 연결관(20)에 직접 연결되어 질소 가스가 공급되므로 웨이퍼 척(2)과 진공 라인(4) 사이의 작은 공간(섹션부분)에 있는 분말만이 질소 가스에 의해 웨이퍼 척(2)쪽으로 이동하게 되어 그 만큼 웨이퍼(1) 및 웨이퍼 척(2)의 오염을 억제시킬 수 있고, 또 질소 가스가 웨이퍼 척(2)으로 공급됨과 동시에 진공 라인(4)으로도 공급되므로 진공 라인(4)내의 파우더들이 웨이퍼 척(2)으로 역류하지 않게 되는 것이다.That is, conventionally, as in (a), the nitrogen purge line 5 is connected to the intermediate portion of the vacuum line 4 so that when purging, nitrogen gas is supplied to the wafer chuck 2 through the vacuum line 4 to vacuum. The powdered contaminants present in the line 4 (sectioned in the figure) moved to the wafer chuck 2 resulting in contamination of the wafer 1 back surface and the wafer chuck 2, but the present invention ( B) As the nitrogen purge line 5 is directly connected to the T-type connecting pipe 20 to supply nitrogen gas, a small space (section) between the wafer chuck 2 and the vacuum line 4 is shown. Only the powder in is moved to the wafer chuck 2 by the nitrogen gas, so that contamination of the wafer 1 and the wafer chuck 2 can be suppressed, and nitrogen gas is supplied to the wafer chuck 2. At the same time, it is also supplied to the vacuum line 4 so that the powders in the vacuum line 4 are transferred to the wafer chuck 2. Which will not flow.
한편, 상기와 같은 본 고안 장치의 구성에서 진공 라인(4) 및 질소 퍼지 라인(5)에는 종래와 같이, 오염 방지용 필터(6), (7)와 마그네틱 밸브(8), (9)가 각각 착설되어 있다.On the other hand, in the configuration of the device of the present invention as described above, the vacuum filter (4) and the nitrogen purge line (5), as in the prior art, pollution prevention filter (6), (7) and magnetic valve (8), (9), respectively It is installed.
그리고, 상기 질소 벤트 라인(30)은 진공 라인(4)의 중간부에 연결되어 퍼지시, 진공 라인(4)으로 배출되는 질소 가스를 벤트시키기 위한 것으로, 중간부에는 벤트량을 조절하기 위한 마그네틱 밸브(40)가 착설되어 있다. 여기서, 상기 마그네틱 밸브(40)는 진공 라인(4) 및 질소 퍼지 라인(5)에 각각 착설되어 있는 마그네틱 밸브(8), (9)와 같이 밸브 컨트롤러(10)에 연결되어 제어 되도록 되어 있다.In addition, the nitrogen vent line 30 is connected to the middle portion of the vacuum line 4 to purge the nitrogen gas discharged to the vacuum line 4 when purged, and the middle portion of the magnetic for adjusting the vent amount The valve 40 is installed. Here, the magnetic valve 40 is connected to and controlled by the valve controller 10 like the magnetic valves 8 and 9 installed on the vacuum line 4 and the nitrogen purge line 5, respectively.
한편, 본 고안 장치에서 퍼지시, 질소 가스의 흐름 및 세기는 T형 연결관(20)의 관경에 의해 컨트롤 되는 바, 상기 T형 연결관(20)의 각 포트간 관경을 상세하게 살펴보면 제6도에 도시한 바와 같다.On the other hand, when purging in the present device, the flow and intensity of nitrogen gas is controlled by the diameter of the T-type connecting pipe 20, looking at the diameter between each port of the T-type connecting pipe 20 in detail sixth As shown in FIG.
즉, T형 연결관(20)의 질소 퍼지 라인 (5) 연결용 포트의 관경을 a라 하고, 웨이퍼 척(2) 연결용 포트 및 진공 라인(4)의 연결용 포트를 각각 b 및 c라 할 때, 이들 사이에 a=2b=2c라는 등식이 성립하도록 형성되어 질소 퍼지 라인(5) 포트로 공급되는 질소 가스가 2분되어 진공 라인(4) 및 웨이퍼 척(2)으로 분리되어 공급되도록 되어 있다.Namely, the diameter of the port for connecting the nitrogen purge line 5 of the T-shaped connector 20 is a, and the port for connecting the wafer chuck 2 and the port for connecting the vacuum line 4 are b and c, respectively. In this case, the equation a = 2b = 2c is formed between them so that the nitrogen gas supplied to the nitrogen purge line 5 port is divided into two parts and supplied to the vacuum line 4 and the wafer chuck 2. It is.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 진공장치의 작용은 근본적으로 종래와 같이하고 있다.즉, 공정대기 상태에서는 마그네틱 밸브 8, 9 및 40이 모두 클로우즈되어 웨이퍼 척(2)에서의 공기 흡입 및 웨이퍼(1) 흡착은 일어나지 않게 된다.The operation of the vacuum apparatus according to the present invention configured as described above is basically the same. In other words, in the process standby state, the magnetic valves 8, 9, and 40 are all closed so that the air suction and the wafer ( 1) Adsorption does not occur.
이와 같은 상태에서 웨이퍼(1)가 웨이퍼 척(2)으로 로딩되면, 진공 라인(4)의 마그네틱 밸브(8)가 오픈되면서[이때 질소 퍼지 라인(5) 및 질소 벤트 라인(30)의 마그네틱 밸브(9), (40)는 클로우즈 상태임] 웨이퍼 척(2)으로 공기가 흡입되는데, 오염 방지용 필터(6)와 마그네틱 밸브(8)를 거쳐 공기가 흡입되어 웨이퍼(1)를 웨이퍼 척(2)에 흡착, 고정시키는 것이다.In this state, when the wafer 1 is loaded into the wafer chuck 2, the magnetic valve 8 of the vacuum line 4 is opened (at this time, the magnetic valve of the nitrogen purge line 5 and the nitrogen vent line 30). (9) and (40) are in a closed state.] The air is sucked into the wafer chuck 2, and the air is sucked through the anti-fouling filter 6 and the magnetic valve 8, thereby bringing the wafer 1 into the wafer chuck 2 ) Is fixed and adsorbed.
한편, 상기와 같은 웨이퍼 고정 상태로 공정을 진행하다가 공정이 완료되어 웨이퍼(1)를 척(2)으로부터 분리할 때는 진공라인(4)의 마그네틱 밸브(8)를 클로우즈시키고, 질소 퍼지 라인(5) 및 질소 벤트 라인(30)의 마그네틱 밸브(9), (40)를 각각 오픈시켜 질소 가스를 공급하여 그 질소 가스로 하여금 웨이퍼 척(20)위의 웨이퍼(1)를 밀어내어 분리되도록 하는 것이다.On the other hand, when the process is performed while the wafer is fixed as described above and the process is completed and the wafer 1 is separated from the chuck 2, the magnetic valve 8 of the vacuum line 4 is closed and the nitrogen purge line 5 is removed. ) And the magnetic valves 9 and 40 of the nitrogen vent line 30 are opened to supply nitrogen gas so that the nitrogen gas is pushed out of the wafer 1 on the wafer chuck 20 to be separated. .
이때 종래에는 질소 가스가 진공 라인(4)을 통하여 웨이퍼 척(2)으로 공급됨으로써 진공 라인(4)에 존재하는 다량의 파우더가 그대로 웨이퍼 척(2)에 전달되어 분말 오염을 발생시켰으나, 본 고안에 의하면 질소 가스가 질소 퍼지 라인(5)을 통하여 웨이퍼 척(2)으로 직접 공급됨과 동시에 일부가 진공 라인(4)으로도 공급되므로 진공 라인(4)내의 파우더 발생부위가 현저하게 감소하게 되고, 이에 따라 웨이퍼(1) 백면의 분말 오염 및 웨이퍼 척(2)의 오염을 방지할 수 있는 것이다.In this case, conventionally, since nitrogen gas is supplied to the wafer chuck 2 through the vacuum line 4, a large amount of powder present in the vacuum line 4 is transferred to the wafer chuck 2 as it is, resulting in powder contamination. According to the present invention, since nitrogen gas is directly supplied to the wafer chuck 2 through the nitrogen purge line 5, and part of the nitrogen gas is also supplied to the vacuum line 4, the powder generation part in the vacuum line 4 is significantly reduced. As a result, powder contamination of the back surface of the wafer 1 and contamination of the wafer chuck 2 can be prevented.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 제조 장비의 웨이퍼 고정용 진공장치에 의하면, 질소 퍼지 라인이 웨이퍼 척의 연결구에 직접 연결되어 있고 웨이퍼 척과 질소 퍼지 라인 사이에 진공 라인이 연결되어 있으므로 라인내의 파우더 발생부위가 감소됨으로써 -종래 150-200cm 이었던 파우더 발생부위가 본 고안에서는 0-20cm로 감소하게 된다-웨이퍼 백면 및 웨이퍼 척의 분말 오염을 방지할 수 있는 효과가 있고, 라인내 오염 부위가 작고 연결구를 분리하여 오염 부위만을 청소하면 되므로 파우더 오염부위 클리닝이 용이하다는 효과도 있으며, 또한 연결구에서의 질소 가스 흐름을 진공 라인으로 분리시켜 흘려줌으로써 웨이퍼를 척으로부터 분리시, 진공 라인내의 파우더들이 척으로 역류하는 것을 방지할 수 있어 이물로 인한 다음 공정의 공정 불안정을 해소할 수 있다는 효과등이 있다.As described above in detail, according to the wafer fixing vacuum apparatus of the inventive semiconductor manufacturing equipment, the nitrogen purge line is directly connected to the connector of the wafer chuck, and the vacuum line is connected between the wafer chuck and the nitrogen purge line, so that powder in the line is generated. As the area is reduced-the powder generation area, which was 150-200cm, is reduced to 0-20cm in the present design-It is effective to prevent powder contamination of the wafer back surface and wafer chuck, and the contamination area in the line is small, and the connector is separated. Therefore, it is easy to clean the powder contaminated part by cleaning only the contaminated part. Also, when the wafer is separated from the chuck by flowing the nitrogen gas flow in the connector into the vacuum line, the powder in the vacuum line flows back to the chuck. Of the next process due to foreign matter This has the effect of eliminating process instability.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940002509U KR970005335Y1 (en) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Wafer chuck |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940002509U KR970005335Y1 (en) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Wafer chuck |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025911U KR950025911U (en) | 1995-09-18 |
| KR970005335Y1 true KR970005335Y1 (en) | 1997-05-29 |
Family
ID=19377106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019940002509U KR970005335Y1 (en) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Wafer chuck |
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970005335Y1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375744B1 (en) * | 2000-11-10 | 2003-03-10 | (주)케이.씨.텍 | Device for supporting substrate having purge function in a substrate processing apparatus |
-
1994
- 1994-02-08 KR KR2019940002509U patent/KR970005335Y1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375744B1 (en) * | 2000-11-10 | 2003-03-10 | (주)케이.씨.텍 | Device for supporting substrate having purge function in a substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950025911U (en) | 1995-09-18 |
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