Claims (18)
절연막과 자기기록 매체의 트랙폭과 일치하는 폭으로 상기 절연막 상부에 증착된 다층구조의 자기저항막과 상기 자기저항막 내부에 단자구가 형성되도록 상기 자기저항막의 측면에 마련된 영구자석막과 상기 영구자석막의 상부에 일부가 적충된 전극막이 구비된 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드.The permanent magnet film provided on the side of the magnetoresistive film and the permanent magnet film formed on the side of the magnetoresistive film such that a terminal hole is formed inside the magnetoresistive film and the multilayered magnetoresistive film deposited on the insulating film at a width corresponding to the track width of the insulating film and the magnetic recording medium A magnetoresistive thin film magnetic head, characterized in that an electrode film with a portion partially stacked on top of the magnet film is provided.
제1항에 있어서, 상기 영구자석막과 상기 자기저항막이 상호 마주하는 측면이 상기 절연막과 직교하는 방향에 대해 경사지도록 형성되어 상기 영구자석막과 자기저항막 사이의 접촉면을 넓힌 것을 특징으로 하는 박막자기헤드.2. The thin film according to claim 1, wherein the side surfaces of the permanent magnet film and the magnetoresistive film which are mutually inclined are inclined with respect to the direction orthogonal to the insulating film to widen the contact surface between the permanent magnet film and the magnetoresistive film. Magnetic head.
제2항에 있어서, 상기 영구자석막과 자기저항막이 상호 마주하는 면의 경사각이 상기 절연막과 직교하는 방향에 대해 10°이하가 되도록 상기 자기저항막의 상면이 좁고 하면이 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 박막자기헤드.The thin film according to claim 2, wherein the top surface of the magnetoresistive film is narrow and the bottom surface is wide such that the inclination angle of the surfaces where the permanent magnet film and the magnetoresistive film face each other is 10 ° or less with respect to the direction orthogonal to the insulating film. Magnetic head.
제1항에 있어서, 상기 자기저항막은 NiFeRh등의 소재로 된 제1연자성막과, Ta등의 소재로 된 비자성금속막과, NiFe등의 소재로 된 제2연자성막이 순차로 중착 구비된 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드.2. The magnetoresistive film according to claim 1, wherein the magnetoresistive film is formed by sequentially depositing a first soft magnetic film made of NiFeRh or the like, a nonmagnetic metal film made of Ta or the like, and a second soft magnetic film made of NiFe or the like. Magnetoresistive thin film magnetic head, characterized in that.
제1항에 있어서, 상기 절연막과 상기 영구자석막 사이에 일정한 결정 구조를 가지는 크롬(Cr)등의 소재로 된 씨앗층을 형성한 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드.The magnetoresistive thin film magnetic head according to claim 1, wherein a seed layer made of a material such as chromium (Cr) having a predetermined crystal structure is formed between the insulating film and the permanent magnet film.
제5항에 있어서, 직류 스퍼터링법에 의해 상기 씨앗층은 그 두께가 300A의 두께로 형성되고, 상기 영구자석막은 CoNiPt 소재로 500A의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드.6. The magnetoresistive thin film magnetic head according to claim 5, wherein the seed layer is formed to have a thickness of 300 A by DC sputtering, and the permanent magnet film has a thickness of 500 A made of CoNiPt material.
제1항에 있어서, 상기 전극막은 Ta/Au의 2층 구조 또는 Ta/Au/Ta의 3층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드.The magnetoresistive thin film magnetic head according to claim 1, wherein the electrode film has a two-layer structure of Ta / Au or a three-layer structure of Ta / Au / Ta.
절연막 위에 다층구조의 자기저항막을 형성하는 단계와; 사진 식각 공정에 의해 미세 패턴을 형성한 후, 상기 자기저항막을 자기 기록매체의 트랙폭과 동일 폭으로 식각하는 단계와; 상기 절연막 상부 소정 위치와 자기정항막 상부에 포토레지스터로 패턴을 형성한 후, 스퍼터링법으로 영구자석막을 증착하고, 화학용액으로 상기 포토레지스터 및 그 상부에 증착된 영구자석막을 제거하여 상기 자기저항막의 측면에 영구자석막을 형성하는 단계와; 상기 절연막 상부 소정 위치와 자기저항막 상부에 포토레지스터로 패턴을 형성한 후, 스퍼터링법으로 전극막을 증착하고, 화학용액으로 상기 포토레지스터 및 그 상부에 증착된 전극막을 제거하여 상기 영구 자석막의 상부에 전극막의 일부가 위치되도록 형성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.Forming a magnetoresistive film of a multilayer structure on the insulating film; Forming a fine pattern by a photolithography process, and then etching the magnetoresistive film with a width equal to a track width of a magnetic recording medium; After forming a pattern with a photoresist on a predetermined position on the insulating film and on the magnetoresistive film, a permanent magnet film is deposited by sputtering, and the photoresist and the permanent magnet film deposited thereon are removed by chemical solution to remove the magnetoresistive film. Forming a permanent magnet film on the side surface; After forming a pattern with a photoresist on a predetermined position on the insulating film and an upper portion of the magnetoresistive film, an electrode film is deposited by sputtering, and the photoresist and the electrode film deposited thereon are removed with a chemical solution, and the upper portion of the permanent magnet film is removed. And forming a part of the electrode film so as to be positioned.
제8항에 있어서, 상기 자기저항막을 식각시 자기저항막의 적층방향에 대하여 소정 각도 기울어진 각으로 이온 빔이 입사되어 상기 자기저항막의 측면이 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.The magnetoresistive thin film magnetic head according to claim 8, wherein when the magnetoresistive film is etched, an ion beam is incident at an angle inclined with respect to the stacking direction of the magnetoresistive film to incline the side surface of the magnetoresistive film. Manufacturing method.
제8항에 있어서, 측면이 경사진 상기 자기저항막은 그 상면이 좁고 하면이 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.The magnetoresistive thin film magnetic head manufacturing method according to claim 8, wherein the magnetoresistive film having an inclined side surface has a narrow upper surface and a wider lower surface.
제8항에 있어서, 상기 자기저항막의 식각 단계는 진공조 내부에 주입된 아르곤 가스 압력 4×10-4torr, 이온빔 전류 500mA, 이온 빔 전압 500V 그리고 상기 자기저항막의 적층면에 대하여 이온 빔 입사각이 63°인 분위기에서 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.The method of claim 8, wherein the etching step of the magnetoresistive film has an argon gas pressure 4 × 10 -4 torr injected into the vacuum chamber, an ion beam current of 500 mA, an ion beam voltage of 500V, and an ion beam incident angle with respect to the lamination surface of the magnetoresistive film. Magnetoresistive thin-film magnetic head manufacturing method characterized in that made in an atmosphere of 63 °.
제8항에 있어서, 상기 절연막 위에 다층구조의 자기저항막을 형성하는 단계에서, NiFeRh, Ta 및 NiFe 박막을 진공조에서 연속 형성한는 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.The magnetoresistive thin film magnetic head manufacturing method according to claim 8, wherein in the step of forming a magnetoresistive film having a multilayer structure on the insulating film, NiFeRh, Ta and NiFe thin films are continuously formed in a vacuum chamber.
제8항에 있어서, 상기 절연막 위에 다층구조의 자기저항막을 형성하는 단계에서, CoZrMo, Ta 및 NiFe 박막을 진공조에서 연속 형성하는 것을 특징으로 하는 저항형 박막자기헤드 제조방법.The method of claim 8, wherein in the forming of the magnetoresistive film having a multi-layer structure on the insulating film, the CoZrMo, Ta, and NiFe thin films are continuously formed in a vacuum chamber.
제8항에 있어서, 상기 자기저항막 식각 단계와, 영구자석막 형성단계 사이에, 상기 절연막 상부 소정 위치와 자기저항막 상부에 포토레지스터로 패턴을 형성한후, 스퍼터링법으로 씨앗층을 증착하고, 화학용액으로 상기 포토레지스터 및 그 상부에 증착된 씨앗층을 제거하여 상기 자가저항막의 측면에 씨앗층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.The method of claim 8, wherein a pattern is formed between the magnetoresistive film etching step and the permanent magnet film forming step by a photoresist on a predetermined position on the insulating film and on the magnetoresistive film, and then a seed layer is deposited by sputtering. And removing the photoresist and the seed layer deposited thereon with a chemical solution to form a seed layer on the side of the magnetoresistive film.
제14항에 있어서, 상기 씨앗층은 크롬(Cr)소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.15. The method of claim 14, wherein the seed layer is made of chromium (Cr) material.
제15항에 있어서, 상기 크롬(Cr)막 형성 단계에서, 크롬(Cr)막은 그 두께가 300A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.16. The method of claim 15, wherein in the forming of the chromium (Cr) film, the chromium (Cr) film has a thickness of 300 A.
제8항에 있어서, 상기 영구자석막 형성 단계에서, 영구자석막은 CoNiPt소재로 500A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.9. The method of claim 8, wherein in the permanent magnet film forming step, the permanent magnet film is made of CoNiPt material with a thickness of 500 A.
제8항에 있어서, 상기 전극막 형성 단계에서, 상기 전극막은 Ta/Na의 2층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항형 박막자기헤드 제조방법.The method of claim 8, wherein in the forming of the electrode film, the electrode film has a two-layer structure of Ta / Na.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.