KR970000420B1 - Cleaning method for a semiconductor wafer - Google Patents
Cleaning method for a semiconductor wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR970000420B1 KR970000420B1 KR1019920011219A KR920011219A KR970000420B1 KR 970000420 B1 KR970000420 B1 KR 970000420B1 KR 1019920011219 A KR1019920011219 A KR 1019920011219A KR 920011219 A KR920011219 A KR 920011219A KR 970000420 B1 KR970000420 B1 KR 970000420B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cleaning
- solution
- semiconductor wafer
- wafer
- pure water
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치를 나타낸 개략구성도.1 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.
제2(a)도는 웨이퍼를 표면처리하는 경우의 시간과 세정액 공급타이밍 및 세정액 농도간의 관계를 나타낸 도면.FIG. 2 (a) is a diagram showing the relationship between the time when the wafer is surface treated, the cleaning liquid supply timing and the cleaning liquid concentration.
제2(b)도는 금속불순물을 웨이퍼 표면으로부터 제거하는 경우의 시간과 세정액 공급타이밍 및 세정액 농도간의 관계를 나타낸 도면.FIG. 2 (b) shows the relationship between the time when the metal impurities are removed from the wafer surface, the cleaning liquid supply timing and the cleaning liquid concentration.
제3도는 본 발명에 따른 표면처리의 효과를 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining the effect of the surface treatment according to the present invention.
제4도는 본 발명에 따른 표면처리의 다른 효과를 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining another effect of the surface treatment according to the present invention.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 세정장치를 나타낸 개략구성도.5 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for cleaning a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.
제6도는 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 시스템을 나타낸 개략구성도.6 is a schematic configuration diagram showing a system of a conventional semiconductor wafer cleaning apparatus.
제7도는 종래의 세정장치에서의 반도체 웨이퍼의 세정처리를 나타낸 도면이다.7 is a diagram showing a cleaning process of a semiconductor wafer in a conventional cleaning apparatus.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 반도체 웨이퍼의 표면처리장치 11 : 반도체 웨이퍼10 surface treatment apparatus for semiconductor wafer 11 semiconductor wafer
12 : 세정용기 13 : 배출부재12: washing container 13: discharge member
14 : 배출로 151, 152, 153 : 공급선14 discharge line 151, 152, 153: supply line
16 : 순수공급장치 17 : 제1세정액 공급장치16: pure water supply device 17: the first cleaning liquid supply device
18 : 제2세정액 공급장치 191,192,193 : 밸브18: second cleaning liquid supply device 191,192,193: valve
20 : 컨트롤러 21 : 혼합기20: controller 21: mixer
22 : 공급선22: supply line
[산업상의 이용분야][Industrial use]
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼의 세정방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 표면으로부터 소망하지 않는 불순물 또는 미립자(particle)를 효과적으로 제거하기 위한 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention generally relates to methods of cleaning semiconductor wafers, and more particularly to methods for effectively removing unwanted impurities or particles from the wafer surface.
[종래의 기술 및 그 문제점][Traditional Technology and Problems]
종래에는 실리콘 웨이퍼를 RCA세정을 기본으로 하여 세정했는데, 이러한 RCA세정은 SC-2처리를 포함하고 있다. 이 SC-2처리는 웨이퍼 표면으로부터 철(Fe), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 금속을 제거하는 처리이다. 이 처리의 시퀀스는 다음과 같다.Conventionally, silicon wafers have been cleaned based on RCA cleaning. Such RCA cleaning includes SC-2 treatment. This SC-2 process is a process of removing metals such as iron (Fe), aluminum (Al), copper (Cu), and the like from the wafer surface. The sequence of this processing is as follows.
(a) 실리콘 웨이퍼를 희석된 불산용액에 소정의 시간 동안 담근다.(a) The silicon wafer is immersed in diluted hydrofluoric acid solution for a predetermined time.
(b) 웨이퍼를 순수로 헹군다.(b) Rinse the wafer with pure water.
(c) 웨이퍼를 SC-2용액(HCl : H2O2: H2O=1 : 1 : 6, 체적비)에 약 80℃의 온도에서 소정의 시간, 예컨대 10분동안 담근다.(c) The wafer is immersed in an SC-2 solution (HCl: H 2 O 2 : H 2 O = 1: 1: 6, volume ratio) at a temperature of about 80 ° C. for a predetermined time, such as 10 minutes.
(d) 웨이퍼를 순수로 헹군다.(d) Rinse the wafer with pure water.
(e) 웨이퍼를 원심 드라이(centrifugal drying) 또는 IPA드라이(IPA drying)에 의해 건조시킨다.(e) Wafers are dried by centrifugal drying or IPA drying.
RCA 세정에 대해서는, 「Cleaning Solutions Based on Hydrogen Peroxide for Use in Silicn Semiconductr Technolgy, W. Kern and David A. Putinen, RCA Review, June 1970, pp.187∼206」에 상세히 개시되어 있다.RCA cleaning is described in detail in "Cleaning Solutions Based on Hydrogen Peroxide for Use in Silicn Semiconductr Technolgy, W. Kern and David A. Putinen, RCA Review, June 1970, pp. 187-206".
제6도는 상술한 바와 같은 세정을 행하기 위한 종래의 세정장치의 시스템(50)을 나타내고, 제7도는 세정처리를 나타내고 있다. 제6도에서는, 제어밸브를 사용할 필요가 없다.FIG. 6 shows a system 50 of a conventional washing apparatus for cleaning as described above, and FIG. 7 shows cleaning processing. In FIG. 6, it is not necessary to use a control valve.
제6도에 나타낸 바와 같이, 저장탱크(511)에 저장되어 있는 불산(HF)과 저장탱크(512)에 저장되어 있는 순수(deinized water)를 혼합기(mixer : 521)에서 혼합하여 희석된 불산용액을 얻는다. 이 희석된 불산용액은 제1세정용기(531)에 저장된다. 그리고, 웨이퍼(54)를 제1세정용기(531)내에 담그고, 상기 (a)의 공정을 실행한다.As shown in FIG. 6, the hydrofluoric acid solution diluted by mixing hydrofluoric acid (HF) stored in the storage tank 511 and deinized water stored in the storage tank 512 in a mixer 521. Get The diluted hydrofluoric acid solution is stored in the first cleaning container 531. Then, the wafer 54 is immersed in the first cleaning container 531, and the process of (a) is performed.
제2세정용기(532)는 순수로 가득 채워져 있다. 상기 (a)의 공정을 실행한 후, 웨이퍼를 제7도중의 화살표(A)로 나타낸 바와 같이 제2세정용기(532)로 이송시키고, 상기(b)의 공정을 실행한다.The second cleaning container 532 is filled with pure water. After the step (a) is executed, the wafer is transferred to the second cleaning container 532 as indicated by arrow A in Fig. 7, and the step (b) is executed.
제3세정용기(533)는 SC-2용액으로 가득 채워져 있다. 이 SC-2용액은 저장탱크(513)에 저장되어 있는 염산(HC1)과 저장탱크(514)에 저장되어 있는 과산화수소용액(H2O2) 및 저장탱크(515)에 저장되어 있는 순수를 혼합기(522)에서 혼합함으로써 얻어진다. 그리고, 웨이퍼를 제7도중의 화살표(B)로 나타낸 바와 같이 제2세정용기(532)로부터 제3세정용기(533)로 이송시킨 다음, 상기 (c)의 공정, 즉 SC-2용액에 의한 처리를 실행한다. 그 후, 웨이퍼를 제7도중의 화살표(C)로 나타낸 바와 같이 순수로 가득 채워져 있는 제4세정용기(534)로 이송 시킨 다음, 상기 (d)의 공정을 실행한다. 이어서, 웨이퍼를 제7도중의 화살표(D)로 나타낸 바와 같이 제4세정용기(534)로부터 끄집어 내고, 상기(e)의 공정으로서 웨이퍼를 건조시킨다.The third cleaning container 533 is filled with the SC-2 solution. The SC-2 solution is a mixture of hydrochloric acid (HC1) stored in the storage tank 513 and hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) stored in the storage tank 514 and the pure water stored in the storage tank 515. It is obtained by mixing at 522. Then, the wafer is transferred from the second cleaning container 532 to the third cleaning container 533, as indicated by the arrow B in FIG. 7, and then the process of (c), i.e., SC-2 solution Run the process. Thereafter, the wafer is transferred to a fourth washing vessel 534 filled with pure water, as indicated by arrow C in Fig. 7, and then the step (d) is performed. Subsequently, as shown by the arrow D in FIG. 7, the wafer is taken out of the fourth cleaning container 534, and the wafer is dried as the step (e).
그러나, 상기 구성의 세정시스템(50)에 있어서는, (a) 희석된 불산용액으로 세정하는 공정, (b) 순수로 세정하는 공정, (c) SC-2용액으로 세정하는 공정, (d) 순수로 세정하는 공정을 실행하고 있기 때문에 , 4개의 용기(531∼534)를 필요로 하게 된다. 이 때문에, 장치가 필연적으로 커지게 된다. 더욱이, 희석된 불산용액이나 SC-2용액을 얻기 위해서는, 저장탱크(511∼515) 및 혼합기(521,522)를 필요로 하게 되므로, 장치가 더욱 더 커지게 된다. 이와 같은 장치의 대형화는, 클린 룸(clean room) 등의 설계 또는 배치에 큰 영향을 미치게 된다.However, in the cleaning system 50 having the above structure, (a) washing with diluted hydrofluoric acid solution, (b) washing with pure water, (c) washing with SC-2 solution, (d) pure water Since the process of washing | cleaning is performed, four containers 531-534 are needed. For this reason, the apparatus inevitably becomes large. Furthermore, in order to obtain a dilute hydrofluoric acid solution or SC-2 solution, storage tanks 511 to 515 and mixers 521 and 522 are required, so that the apparatus becomes larger. The increase in size of such a device greatly affects the design or arrangement of a clean room or the like.
또, 상기 (a)∼(d)의 시퀀스중에 웨이퍼를 어떤 하나의 용기로부터 다른 용기로 이송시키게 되므로, 웨이퍼가 여러번 공기중에 노출되어 웨이퍼의 세정효과가 떨어진다.In addition, since the wafers are transferred from one container to another during the sequences of (a) to (d), the wafers are exposed to air several times, thereby reducing the cleaning effect of the wafers.
더욱이, RCA세정의 SC-2처리에 의해서는 중금속중에서도 특히 구리를 제거하기가 어렵다.Moreover, it is difficult to remove copper, especially among heavy metals, by SC-2 treatment of RCA cleaning.
또, SC-1처리라 일컬어지는 웨이퍼표면상에 부착되어 있는 미립자를 제거하는 처리에서는, 실리콘 웨이퍼의 표면을 에칭하고 미립자를 리프트 오프(lift-off)에 의해 제거한다. 그러나, 이 경우에는 웨이퍼의 표면을 에칭하므로 웨이퍼가 손상을 받을 우려가 있다. 더욱이, 웨이퍼의 에칭에는 결정방향(crystal orientation) 의존성이 있다. 예컨대, 실리콘은 111방향에서보다 100방향에서 더 많은 양이 에칭되게 된다. 그에 따라, 웨이퍼의 표면 근처에 결정결함 등이 있으면, 웨이퍼가 균일하게 에칭될 수 없게 된다.Moreover, in the process of removing the fine particles adhering on the wafer surface called the SC-1 process, the surface of the silicon wafer is etched and the fine particles are removed by lift-off. In this case, however, the surface of the wafer is etched, which may damage the wafer. Moreover, there is a crystal orientation dependence on the etching of the wafer. For example, silicon is etched more in the 100 direction than in the 111 direction. As a result, if there are crystal defects or the like near the surface of the wafer, the wafer cannot be etched uniformly.
상술한 바와 같이, 종래의 세정장치에서는 복수의 세정용기를 갖추고 있기 때문에 장치가 커지고, 웨이퍼를 어떤 하나의 용기로부터 끄집어 내어 다른 용기로 이송시킬 때마다 공기중에 노출되기 때문에 세정효과가 떨어진다. 더욱이, 종래의 RCA세정의 SC-2처리에서는 웨이퍼로부터 구리를 만족스럽게 제거할 수 없으며, 또 SC-1처리에서는 웨이퍼가 손상을 받게 된다.As described above, in the conventional cleaning apparatus, since the cleaning apparatus includes a plurality of cleaning containers, the apparatus becomes large, and the cleaning effect is inferior because the wafer is exposed to the air every time the wafer is taken out of one container and transferred to another container. Furthermore, copper cannot be removed from the wafer satisfactorily in the SC-2 process of conventional RCA cleaning, and the wafer is damaged in the SC-1 process.
[발명의 목적][Purpose of invention]
이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 웨이퍼로부터 금속불순물 및 미립자를 제거할 수 있는 새로운 반도체 웨이퍼의 세정방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, and an object thereof is to provide a new method for cleaning a semiconductor wafer capable of removing metal impurities and fine particles from the wafer.
[발명의 구성][Configuration of Invention]
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 반도체 웨이퍼의 세정방법은, 순수를 세정용기에 공급하는 공정과, 상기 세정용기내에 반도체 웨이퍼를 위치시키는 공정, 상기 순수가 넘쳐 흘러 순차적으로 치환되도록 하는 방법으로 상기 세정용기에 제1세정액을 공급하여 상기 반도체 웨이퍼의 제1처리를 실행하는 공정 및, 상기 제1세정액이 넘쳐 흘러 순차적으로 치환되고 상기 제1세정액을 함유하는 혼합용액이 형성되도록 하는 방법으로 상기 세정용기에 제2세정액을 공급하여 상기 반도체 웨이퍼의 제2처리를 실행하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the cleaning method of the semiconductor wafer of the present invention comprises the steps of supplying pure water to the cleaning container, placing the semiconductor wafer in the cleaning container, and the method of allowing the pure water to overflow and be replaced sequentially. Supplying a first cleaning solution to the cleaning container to perform a first process of the semiconductor wafer; and a method of allowing the first cleaning solution to overflow to be replaced sequentially and to form a mixed solution containing the first cleaning solution. And supplying a second cleaning liquid to the cleaning container to perform the second processing of the semiconductor wafer.
(작용)(Action)
상기와 같이 구성된 본 발명의 세정작업에 의하면, 웨이퍼를 공기중에 노출시키지 않고 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법을 제공할 수 있다. 즉, 반도체 웨이퍼를 순수로 가득 채워진 세정용기에 위치시킨 후, 순수가 넘쳐 흘러 순차적으로 치환되도록 상기 용기에 제1세정액을 공급한다. 이어, 제1세정액이 넘쳐 흘러 순차적으로 치환되고, 제1세정액을 함유하는 혼합용액이 형성되도록 상기 용기에 제2세정액을 공급한다, 그리고, 그 용기내에서 반도체 웨이퍼를 세정한다,According to the cleaning operation of the present invention configured as described above, it is possible to provide a method for cleaning a semiconductor wafer without exposing the wafer to air. That is, after placing the semiconductor wafer in a cleaning container filled with pure water, the first cleaning liquid is supplied to the container so that the pure water overflows and is sequentially replaced. Subsequently, the second cleaning liquid is supplied to the vessel so that the first washing liquid overflows and is sequentially replaced, and a mixed solution containing the first washing liquid is formed, and the semiconductor wafer is cleaned in the vessel.
(실시예)(Example)
이하, 예시도면을 참조해서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
이하의 설명에 있어서, 2개이상의 도면에서 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면부호를 붙이고, 중복설명을 피하기로 한다.In the following description, the same parts are denoted by the same reference numerals in two or more drawings, and redundant descriptions are avoided.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 표면처리장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a surface treatment apparatus of a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention.
제1도에 나타낸 바와 같이, 상기 장치(10)는 반도체 웨이퍼(11)를 처리하기 위한 세정용기(12)를 갖추고 있고, 이 세정용기(12)의 주위에는 이 용기(12)를 넘쳐 흐르는 순수 또는 처리액을 배출하기 위한 배출부재(13)가 설치되어 있으며, 이 배출부재(13)에는 배출로(14)가 접속되어 있다. 순수공급장치(16), 제1세정액공급장치(17) 및 제2세정액 공급장치(18)는 각각 공급선(151,152,153)을 매개해서 세정용기(12)에 접속되어 있다. 순수, 제1세정액 및 제2세정액은 각각 제어밸브(191,192,193)를 매개해서 상기 세정용기(12)에 연속적으로 공급된다. 상기 제어밸브가 후술하는방법으로 컨트롤러(20)에 의해 제어됨으로써, 세정용기(12)내에 위치한 반도체 웨이퍼(11)의 표면을 처리할 수 있게 된다.As shown in FIG. 1, the apparatus 10 includes a cleaning container 12 for processing the semiconductor wafer 11, and the pure water flowing over the container 12 around the cleaning container 12. Alternatively, a discharge member 13 for discharging the treatment liquid is provided, and a discharge path 14 is connected to the discharge member 13. The pure water supply device 16, the first cleansing liquid supply device 17, and the second cleansing liquid supply device 18 are connected to the cleaning vessel 12 via supply lines 151, 152, and 153, respectively. The pure water, the first cleaning liquid and the second cleaning liquid are continuously supplied to the cleaning container 12 via the control valves 191, 192 and 193, respectively. Since the control valve is controlled by the controller 20 in a manner described later, the surface of the semiconductor wafer 11 located in the cleaning container 12 can be processed.
[실시예 1]Example 1
이것은 제1 및 제2세정액으로서 희석된 불신용액과 오존용액을 사용해서 반도체 웨이퍼(11)의 표면을 처리하는 예를 나타낸 것이다.This shows an example in which the surface of the semiconductor wafer 11 is treated using an untrusted solution and an ozone solution diluted as the first and second cleaning solutions.
제2(a)도는 순수, 불산용액 및 오존용액을 컨트롤러(20)에 의해 제어되는 제어밸브(191∼193)를 매개해서 세정용기(12)에 공급하는 경우의 시간과 세정액의 공급타이밍 및 웨이퍼 표면처리시의 세정액 농도간의 관계를 나타낸 도면이다.FIG. 2 (a) shows the time when the pure water, the hydrofluoric acid solution and the ozone solution are supplied to the cleaning vessel 12 through the control valves 191 to 193 controlled by the controller 20, the timing of supplying the cleaning liquid, and the wafer. It is a figure which shows the relationship between the cleaning liquid concentration at the time of surface treatment.
먼저, 공급선(151)의 제어밸브(191)를 턴온시켜 순수를 순수공급장치(16)로부터 세정용기(12)로 약201/분의 유속으로 시간 T1동안 공급된다. 그 결과, 세정용기(12)가 순수로 가득 채워지게 된다.First, the control valve 191 of the supply line 151 is turned on, and pure water is supplied from the pure water supply device 16 to the cleaning vessel 12 at a flow rate of about 201 / min for a time T1. As a result, the washing container 12 is filled with pure water.
이어, 웨이퍼(11)를 세정용기(12)내에 위치시키고 나서 제어밸브(191)를 턴오프시킨다. 그와 동시에, 공급선(153)의 제어밸브(193)를 턴온시켜 5ppm의 오존용액을 제2세정액 공급장치(18)로부터 세정용기(12)로 약 11/분의 유속으로 시간 T2동안 공급한다. 이 오존용액의 공급에 의해, 순수가 세정용기(12)로부터 넘쳐 흘러 점차적으로 오존용액으로 치환되고, 그에 따라 세정용기(12)내에서 오존용액의 농도가 점차적으로 증가하게 된다. 예컨대, 이 오존용액의 농도가 4ppm(농도레벨 L2)에 도달하면, 제어밸브(193)를 턴오프시켜 오존용액의 공급을 중단한다. 이 상태는 시간 T3, 예컨대 3분동안 지속된다. 반도체 웨이퍼(11)는 시간 T2 및 T3동안 오존용액에 의해 처리된다. 이 처리에 있어서는, 웨이퍼 표면에 흡착된 유기물이 오존용액에 의해 분해되어 웨이퍼 표면으로부터 제거된다.Subsequently, the control valve 191 is turned off after placing the wafer 11 in the cleaning vessel 12. At the same time, the control valve 193 of the supply line 153 is turned on to supply 5 ppm of ozone solution from the second cleaning liquid supply device 18 to the cleaning vessel 12 for a time T2 at a flow rate of about 11 / minute. By the supply of this ozone solution, pure water overflows from the washing vessel 12 and is gradually replaced by the ozone solution, thereby gradually increasing the concentration of the ozone solution in the washing vessel 12. For example, when the concentration of the ozone solution reaches 4 ppm (concentration level L2), the control valve 193 is turned off to stop the supply of the ozone solution. This state lasts for time T3, for example 3 minutes. The semiconductor wafer 11 is processed by ozone solution for the time T2 and T3. In this process, the organic matter adsorbed on the wafer surface is decomposed by ozone solution and removed from the wafer surface.
이 경우, 웨이퍼 표면이 노출되면, 실리콘 표면이 산화되어 10∼20Å의 두께를 갖는 산화막이 형성된다. 상기 시간(T2,T3) 및 오존용액의 농도레벨(L2)은 웨이퍼 표면에 흡착된 유기물의 레벨에 의해 결정된다. 그러므로, 웨이퍼 표면에 흡착된 유기물이 시간 T2내에 제거되는 경우에는 시간 T3는 생략된다.In this case, when the wafer surface is exposed, the silicon surface is oxidized to form an oxide film having a thickness of 10 to 20 kPa. The times T2 and T3 and the concentration level L2 of the ozone solution are determined by the level of organic matter adsorbed on the wafer surface. Therefore, time T3 is omitted when the organic matter adsorbed on the wafer surface is removed within time T2.
그후, 공급선(152)의 제어밸브(192)를 턴온시켜 0.2wt·%의 희석된 불산용액을 제1세정액 공급장치(17)로부터 세정용기(12)로 약 0.51/분의 유속으로 시간 T4동안 공급한다. 이 희석된 불산용액의 공급에 의해, 오존용액이 세정용기(12)로부터 넘쳐 흘러 세정용기(12)내에서 오존용액의 농도가 레벨 L1으로 점차적으로 감소하고, 희석된 불산용액의 농도가 레벨 L3으로 점차적으로 증가함으로써, 희석된 불산용액과 오존용액으로 이루어진 혼합용액이 형성된다. 예컨대, 희석된 불산용액의 농도가 약 0.1%(농도레벨 L3)에 도달하고 오존용액의 농도가 약 1ppm(농도레벨 L1)에 도달하면, 제어밸브(192)를 턴오프시켜 희석된 불산용액의 공급을 중단한다. 이 상태는 시간 T5, 예컨대 5분동안 지속된다.Thereafter, the control valve 192 of the supply line 152 is turned on so that the diluted hydrofluoric acid solution of 0.2 wt.% Is transferred from the first washing liquid supply device 17 to the cleaning vessel 12 at a flow rate of about 0.51 / min for a time T4. Supply. By supplying the diluted hydrofluoric acid solution, the ozone solution overflows from the washing vessel 12, and the concentration of the ozone solution in the washing vessel 12 gradually decreases to level L1, and the concentration of the diluted hydrofluoric acid solution is level L3. By gradually increasing, a mixed solution consisting of diluted hydrofluoric acid solution and ozone solution is formed. For example, when the concentration of the diluted hydrofluoric acid solution reaches about 0.1% (concentration level L3) and the concentration of the ozone solution reaches about 1 ppm (concentration level L1), the control valve 192 is turned off to remove the diluted hydrofluoric acid solution. Stop supply. This state lasts for time T5, for example 5 minutes.
계속해서, 제어밸브(191)를 턴온시켜 희석된 불산용액과 오존용액의 혼합용액 대신에 순수를 세정용기(12)에 시간 T6동안 채운다. 이어, 시간 T7동안 웨이퍼를 행군다. 그후, 웨이퍼를 세정용기(12)로부터 끄집어 내어 건조시킨다.Subsequently, the control valve 191 is turned on to fill the washing container 12 with the pure water for a time T6 instead of the diluted solution of the hydrofluoric acid solution and the ozone solution. Then, the wafer is marched for the time T7. Thereafter, the wafer is taken out of the cleaning container 12 and dried.
상술한 바와 같이 본 발명에 있어서는, 시간 T2∼T3동안 오존용액에 의해 형성된 산화막을, 희석된 불산용액을 세정용기(12)에 공급하기 시작하는 시간[제어밸브(192)]가 턴온되는 시간], 희석된 불산용액과 오존용액의 혼합용액을 만드는 시간, 상기 혼합용액을 순수로 치환시키는 시간으로 각각 정의되는 시간 T4∼T6동안 웨이퍼 표면으로부터 제거한다. 그와 동시에, 웨이퍼 표면에 흡착된 철(Fe), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속불순물을 제거한다. 더욱이, 세정용기내에 희석된 불산용액과 오존용액의 혼합용액이 존재하기 때문에, 불산만에 의해서는 제거할 수 없었던 구리를 시간 T4∼T6동안 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 있다.As described above, in the present invention, the time at which the oxide film formed by the ozone solution is supplied to the cleaning vessel 12 for the oxide film formed by the ozone solution for the time period T2 to T3 (time during which the control valve 192 is turned on). Removed from the wafer surface for a time T4 to T6, each of which is defined as a time for making a dilute hydrofluoric acid solution and an ozone solution, and a time for replacing the mixed solution with pure water. At the same time, metal impurities such as iron (Fe), aluminum (Al) and the like adsorbed on the wafer surface are removed. Furthermore, since there is a mixed solution of dilute hydrofluoric acid solution and ozone solution in the cleaning vessel, copper which could not be removed by hydrofluoric acid alone can be removed from the wafer surface for a time T4 to T6.
상기 실시예에서는, 오존용액에 의해 형성된 산화막을 희석된 불산용액으로 제거하도록 하고 있다. 더욱이, 웨이퍼 프로세스에서 생성된 미립자가 웨이퍼 표면에 부착되더라도 그 미립자를 리프트 오프의 효과에 의해 제거할 수 있다.In the above embodiment, the oxide film formed by the ozone solution is removed by dilute hydrofluoric acid solution. Moreover, even if the fine particles generated in the wafer process adhere to the wafer surface, the fine particles can be removed by the effect of lift off.
상기 시간 T5는 Au나 Cu등과 같은 금속오염물질의 농도레벨에 의해 최적화된다. 그러므로, 웨이퍼 표면에 부착된 금속불순물이 시간 T4내에 제거되는 경우에는 시간 T5는 필요치 않게 되어, 희석된 불산용액의 농도가 레벨 L3에 도달한 후 곧바로 순수사 공급되게 된다.The time T5 is optimized by the concentration level of metal contaminants such as Au or Cu. Therefore, when the metal impurity adhered to the wafer surface is removed in time T4, time T5 is not necessary, and pure water is supplied immediately after the concentration of the diluted hydrofluoric acid solution reaches level L3.
또한, 오존용액 대신에 약 1wt·%의 과산화수소용액을 사용해도 좋다.In addition, about 1 wt.% Hydrogen peroxide solution may be used instead of the ozone solution.
[실시예 2]Example 2
이것은 제1 및 제2세정액으로서 희석된 불산용액과 과산화수소용액을 사용해서 웨이퍼 표면으로부터 철(Fe), 알루미늄(A1) 및 구리(Cu)등과 같은 금속불순물을 제거하는 예를 나타낸 것이다.This is an example of removing metal impurities such as iron (Fe), aluminum (A1), copper (Cu), etc. from the wafer surface using dilute hydrofluoric acid solution and hydrogen peroxide solution as the first and second cleaning solutions.
제2(b)도는 금속불순물을 제거하는 경우의 시간과 세정액의 공급타이밍 및 세정액 농도간의 관계를 나타낸 도면이다.FIG. 2 (b) is a diagram showing the relationship between the time when the metal impurities are removed, the supply timing of the cleaning liquid and the concentration of the cleaning liquid.
먼저, 공급선(151)의 제어밸브(191)를 턴온시켜 순수를 순수공급장치(16)로부터 세정용기(12)로 시간 T11동안 공급한다. 그 결과, 세정용기(12)가 순수로 가득 채워지게 된다.First, the control valve 191 of the supply line 151 is turned on to supply pure water from the pure water supply device 16 to the cleaning vessel 12 for a time T11. As a result, the washing container 12 is filled with pure water.
이어, 웨이퍼(151)를 세정용기(12)내에 위치시키고 나서, 제어밸브(191)를 턴오프시킨다. 그와 동시에, 공급선(152)의 제어밸브(192)를 턴온시켜 0.2wt·%의 희석된 불산용액을 제1세정액 공급장치(17)로부터 세정용기(12)로 시간 T12동안 공급한다. 이 희석된 불산용액의 공급에 의해, 순수가 세정용기(12)로부터 넘쳐 흘러 점차적으로 희석된 불산용액으로 치환되고, 그에 따라 세정용기(12)내에서 희석된 불산용액의 농도가 점차적으로 증가하게 된다. 예컨대, 이 희석된 불산용액의 농도가 0.1%(농도레벨 L13)에 도달하면, 제어밸브(192)를 턴오프시켜 희석된 불산용액의 공급을 중단한다. 이 상태는 시간 T13동안 지속된다.Subsequently, after placing the wafer 151 in the cleaning vessel 12, the control valve 191 is turned off. At the same time, the control valve 192 of the supply line 152 is turned on to supply 0.2 wt.% Of diluted hydrofluoric acid solution from the first cleaning liquid supply device 17 to the cleaning vessel 12 for a time T12. By supplying this diluted hydrofluoric acid solution, pure water overflows from the cleaning vessel 12 and is gradually replaced with a diluted hydrofluoric acid solution, thereby gradually increasing the concentration of the diluted hydrofluoric acid solution in the washing vessel 12. do. For example, when the concentration of the diluted hydrofluoric acid solution reaches 0.1% (concentration level L13), the control valve 192 is turned off to stop the supply of the diluted hydrofluoric acid solution. This state lasts for time T13.
그 후, 공급선(153)의 제어밸브(193)를 턴온시켜 5wt·%의 과산화수소용액을 제2세정액 공급장치(18)로부터 세정용기(12)로 시간 T14동안 공급한다. 이 과산화수소용액의 공급에 의해, 희석된 불산용액이 세정용기(12)로부터 넘쳐 흘러 세정용기(12)내에서 희석된 불산용액의 농도가 0.05%(농도 레벨 L11)로 점차적으로 감소하고, 과산화수소용액의 농도가 2%(농도 레벨 L12)로 점차적으로 증가함으로써, 과산화수소용액과 희석된 불산용액으로 이루어진 혼합용액이 형성된다. 예컨대, 이 과산화수소용액의 농도가 레벨 L12에 도달하고 희석된 불산용액의 농도가 레벨 L11에 도달하면, 제어밸브(193)를 턴오프시켜 과산화수소용액의 공급을 중단한다. 이 상태는 시간 T15동안 지속된다.Thereafter, the control valve 193 of the supply line 153 is turned on to supply 5 wt.% Of hydrogen peroxide solution from the second cleaning solution supply device 18 to the cleaning vessel 12 for a time T14. By supplying this hydrogen peroxide solution, the dilute hydrofluoric acid solution overflows from the washing container 12, and the concentration of the hydrofluoric acid solution diluted in the washing container 12 gradually decreases to 0.05% (concentration level L11), and the hydrogen peroxide solution. By gradually increasing the concentration of to 2% (concentration level L12), a mixed solution consisting of a hydrogen peroxide solution and a diluted hydrofluoric acid solution is formed. For example, when the concentration of the hydrogen peroxide solution reaches level L12 and the concentration of the diluted hydrofluoric acid solution reaches level L11, the control valve 193 is turned off to stop the supply of the hydrogen peroxide solution. This state lasts for time T15.
계속해서, 제어밸브(191)를 턴온시켜 과산화수소용액과 희석된 불산용액의 혼합용액 대신에 순수를 세정용기(12)에 시간 T16동안 채운다. 이어, 시간 T17동안 웨이퍼를 헹군다. 그 후, 웨이퍼를 세정용기(12)로부터 끄집어 내어 건조시킨다.Subsequently, the control valve 191 is turned on to fill the washing vessel 12 with the pure water for a time T16 instead of the mixed solution of the hydrogen peroxide solution and the diluted hydrofluoric acid solution. The wafer is then rinsed for time T17. Thereafter, the wafer is taken out from the cleaning container 12 and dried.
다음에는 희석된 불산용액과 과산화수소용액으로 이루어진 혼합용액의 농도를 세정용기(12)내에서 연속적으로 변화시킴으로써 웨이퍼를 세정하는 경우의 장점에 대해 설명한다.Next, the advantages of the case of cleaning the wafer by continuously changing the concentration of the mixed solution composed of the diluted hydrofluoric acid solution and the hydrogen peroxide solution in the cleaning container 12 will be described.
예컨대, 0.05wt·%의 희석된 불산용액과 2wt·%의 과산화수소용액으로 이루어진 혼합용액에 웨이퍼를 담그면, 혼합용액에 실리콘 웨이퍼를 산화하는 과산화수소용액이 함유되어 있기 때문에, 희석된 불산용액에 의해 생성된 산화막의 에칭에 영향을 미치게 된다.For example, when the wafer is immersed in a mixed solution of 0.05 wt% diluted hydrofluoric acid solution and 2 wt% hydrogen peroxide solution, the mixed solution contains hydrogen peroxide solution that oxidizes the silicon wafer. This will affect the etching of the oxide film.
즉, 자연산화막이 실리콘 표면으로부터 완전히 제거되지 않는 현상이 발생하게 된다. 따라서, 자연산화막에 불순물이 함유되어 있는 경우에는 제거효과가 떨어지게 된다. 제거효과를 향상시키기 위해서, 웨이퍼 표면을 희석된 불산용액만으로 처리하여 자연산화막을 완전히 제거할 수도 있다. 그러나, 이러한 희석된 불산용액에 의해서는 구리 등과 같은 금속불순물을 제거 할 수 없다. 이것은 구리가 웨이퍼 표면에 역으로 흡착되어 있기 때문이다. 그러므로, 웨이퍼표면으로부터 구리등과 같은 금속불순물을 제거하기 위해서는, 자연 산화막을 제거한 후에 희석된 불산용액과 과산화수소용액(또는 오존용액)으로 이루어진 혼합용액에 의해 웨이퍼를 처리할 필요가 있게 된다.That is, the phenomenon that the natural oxide film is not completely removed from the silicon surface occurs. Therefore, when impurities are contained in the natural oxide film, the removal effect is reduced. In order to improve the removal effect, the surface of the wafer may be treated only with diluted hydrofluoric acid solution to completely remove the native oxide film. However, such diluted hydrofluoric acid solution cannot remove metal impurities such as copper. This is because copper is adsorbed back to the wafer surface. Therefore, in order to remove metal impurities such as copper and the like from the wafer surface, it is necessary to treat the wafer with a mixed solution composed of diluted hydrofluoric acid solution and hydrogen peroxide solution (or ozone solution) after removing the native oxide film.
이에 대해 본 발명에 따른 상술한 실시예2는 미리 준비된 희석된 불산용액과 과산화수소용액으로 이루어진 혼합용액내에 웨이퍼를 담그는 그러한 세정방법과는 다른 것이다. 즉, 제2(b)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼는 세정용기(12)내에서만 (시간 T12 및 T13동안)희석된 불산용액을 이용한 제1처리 및 (시간 T14 및 T15동안)희석된 불산용액과 과산화수소용액으로 이루어진 혼합용액을 이용한 제2처리를 연속적으로 받게 된다. 그러므로, 자연산화막은 희석된 불산용액을 이용한 제1처리에 의해 대부분 제거되고, 구리등과 같은 금속불순물은 희석된 불산용액과 과산화수소용액으로 이루어진 혼합용액을 이용한 제2처리에 의해 웨이퍼 표면으로부터 완전히 제거되게 되다.On the other hand, the above-described Example 2 according to the present invention is different from such a cleaning method in which the wafer is immersed in a mixed solution consisting of a diluted hydrofluoric acid solution and hydrogen peroxide solution prepared in advance. That is, as shown in FIG. 2 (b), the wafer is subjected to the first treatment using the diluted hydrofluoric acid solution (in time T12 and T13) only in the cleaning vessel 12 and the diluted hydrofluoric acid solution (in time T14 and T15). Subsequently, the second treatment using a mixed solution composed of a peroxide solution is received. Therefore, the native oxide film is mostly removed by the first treatment using diluted hydrofluoric acid solution, and metal impurities such as copper and the like are completely removed from the wafer surface by the second treatment using a mixed solution of diluted hydrofluoric acid solution and hydrogen peroxide solution. Become
다음에는 실시예1의 세정효과에 대해 설명한다.Next, the cleaning effect of Example 1 will be described.
제3도는 구리를 제거하는 효과를 나타낸 것으로서, 이 제3도에 있어서 세로축은 웨이퍼 표면에 부착된 불순물의 양을 나타낸다.FIG. 3 shows the effect of removing copper, and in this FIG. 3, the vertical axis represents the amount of impurities deposited on the wafer surface.
실시예 1의 효과를 조사하기 위한 샘플로서, 제3도에서 바아 Ⅰ로 나타낸 바와 같이 그 처리전에 2×1013atoms/㎠의 구리가 흡착된 웨이퍼를 상정한다. 도면에서 바아 Ⅱ는 웨이퍼를 SC-2처리에 의해 처리해서 얻은 결과를 나타낸 것이고, 바아 Ⅲ는 웨이퍼를 실시예 1의 처리에 의해 처리해서 얻은 결과를 나타낸 것이다.As a sample for investigating the effect of Example 1, a wafer on which 2 × 10 13 atoms / cm 2 of copper is adsorbed is assumed before the treatment, as indicated by bar I in FIG. 3. In the figure, bar II shows the result obtained by treating the wafer by the SC-2 treatment, and bar III shows the result obtained by treating the wafer by the treatment of Example 1. FIG.
제3도로부터 명확히 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼 표면에 흡착된 구리는 SC-2처리에 의해서는 8×1012atoms/㎠의 레벨로 감소되는데 반하여, 실시예 1의 처리에 의해서는 1×1011atoms/㎠보다 낮은 레벨, 즉 검출한계레벨까지 감소된다.As can be clearly seen from FIG. 3, the copper adsorbed on the wafer surface is reduced to a level of 8x10 12 atoms / cm2 by the SC-2 treatment, whereas the copper of 1x10 is treated by the treatment of Example 1. It is reduced to a level lower than 11 atoms / cm 2, that is, to a detection limit level.
상기 측정에는 총내부반사 형광 X-레이(total internal reflection fluorescent X-ray)를 사용하였다.The total internal reflection fluorescent X-ray was used for the measurement.
제4도는 미립자를 제거하는 효과를 나타낸 것으로서, 이 제4도에서 세로축은 미립자 제거비를 나타내고, 가로축은 세정주기의 반복횟수를 나타낸다. 또한, 제4도는 SC-1처리에 의한 미립자 제거비도 나타내고 있다.4 shows the effect of removing the fine particles. In FIG. 4, the vertical axis represents the particle removal ratio, and the horizontal axis represents the repetition frequency of the cleaning cycle. 4 shows the particle removal ratio by SC-1 treatment.
미립자는 제4도에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 표면으로부터 제거된다. 특히, 세정주기가 반복됨에 따라 미립자 제거비는 증가하고, 세정효과는 향상된다. 제4도로부터 명확히 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1의 미립자 제거비는 4개의 세정주기후에 SC-1처리에 의해 얻은 미립자 제거비보다 크다.Particulates are removed from the wafer surface as shown in FIG. In particular, as the cleaning cycle is repeated, the particle removal ratio increases and the cleaning effect is improved. As can be clearly seen from FIG. 4, the particle removal ratio of Example 1 is larger than the particle removal ratio obtained by the SC-1 treatment after four cleaning cycles.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 세정액이 세정용기내에서 연속적으로 치환됨으로써, 미립자의 역흡착(reverse adsorption)을 방지할 수 있게 된다. 예컨대, 종래기술에서 설명한 바와 같이, 오존용액으로부터 오존용액과 희석된 불산용액의 혼합용액으로 웨이퍼를 이송시키는 동안 웨이퍼가 공기중에 노출되면, 미립자가 증가하게 된다. 특히, 종래 기술에 의하면, 각각 0.2㎛ 이상의 직경을 갖는 미립자가 6인치 웨이퍼에 약 50개정도 존재한다. 그에 반해, 본 발명의 처리에 의하면, 같은 크기의 미립자가 약 10개이하 존재한다.As described above, according to the present invention, the cleaning liquid is continuously substituted in the cleaning container, whereby reverse adsorption of the fine particles can be prevented. For example, as described in the prior art, when the wafer is exposed to air during the transfer of the wafer from the ozone solution to the mixed solution of the ozone solution and the diluted hydrofluoric acid solution, fine particles increase. In particular, according to the prior art, about 50 fine particles each having a diameter of 0.2 mu m or more are present on a 6-inch wafer. In contrast, according to the treatment of the present invention, there are about 10 or less fine particles of the same size.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 표면처리장치(10)를 나타낸 것이다.5 shows a surface treatment apparatus 10 for a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.
이 실시예에서는, 제1실시예에서처럼 희석된 세정액을 세정용기에 직접 공급하는 대신에, 각각 고농도의 처리액을 제1세정액 공급장치(17) 및/또는 제2세정액 공급장치(18)로부터 제어밸브 192 및 /또는 193을 매개해서 혼합기(21)에 공급하고, 희석된 세정액을 혼합기(21)로부터 공급선(22)을 매개해서 세정용기(12)에 공급함으로써, 웨이퍼(11)를 처리하도록 하고 있다.In this embodiment, instead of directly supplying the diluted cleaning liquid to the cleaning container as in the first embodiment, the high concentration treatment liquid is controlled from the first cleaning liquid supply device 17 and / or the second cleaning liquid supply device 18, respectively. The wafer 11 is processed by supplying it to the mixer 21 via the valve 192 and / or 193 and supplying the diluted cleaning liquid from the mixer 21 to the cleaning container 12 via the supply line 22. have.
예컨대, 제1실시예에서와 동일한 방법으로 제1 및 제2세정액으로서 0.2wt·%의 희석된 불산용액과 오존용액을 이용해서 실리콘 웨이퍼(11)의 표면을 처리하는 경우, 순수를 순수공급장치(16)로부터 제어밸브(191)를 매개해서 혼합기(21)에 공급하고, 49wt·%의 불산용액을 제1세정액 공급장치(17)로부터 제어밸브(192)를 매개해서 혼합기(21)에 공급함으로써, 0.2wt·%의 희석된 불산용액을 얻는다. 그후, 이 희석된 불산용액을 세정용기(12)에 공급하고, 더욱이 약 5ppm의 오존용액을 제2세정액 공급장치(18)로부터 제어밸브(193) 및 혼합기(21)를 매개해서 세정용기(12)에 공급한다.For example, when the surface of the silicon wafer 11 is treated with a dilute hydrofluoric acid solution and an ozone solution of 0.2 wt% as the first and second cleaning solutions in the same manner as in the first embodiment, pure water is supplied to the pure water supply device. (16) is supplied to the mixer 21 via the control valve 191, and 49 wt.% Hydrofluoric acid solution is supplied to the mixer 21 via the control valve 192 from the first washing liquid supply device 17. As a result, a diluted hydrofluoric acid solution of 0.2 wt.% Is obtained. Thereafter, the diluted hydrofluoric acid solution is supplied to the cleaning container 12, and about 5 ppm of ozone solution is further supplied from the second cleaning liquid supply device 18 through the control valve 193 and the mixer 21 to clean the cleaning container 12. Supplies).
이 실시예에 있어서, 제어밸브(191∼193)는 시간과 세정액의 농도간의 관계가 제2(a)도 및 제2(b)도에 나타낸 바와 같이 얻어지도록 제어된다.In this embodiment, the control valves 191 to 193 are controlled such that the relationship between the time and the concentration of the cleaning liquid is obtained as shown in Figs. 2 (a) and 2 (b).
이 실시예에 의하면, 고농도의 처리액이 제1세정액 공급장치(17) 및/또는 제2세정액 공급장치(18)로부터 혼합기(21)로 공급되기 때문에, 작은 저장탱크를 세정액 공급장치로서 사용할 수 있게 된다.According to this embodiment, since a high concentration treatment liquid is supplied from the first washing liquid supply device 17 and / or the second washing liquid supply device 18 to the mixer 21, a small storage tank can be used as the washing liquid supply device. Will be.
또한, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고, 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러 가지로 변형해서 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited to the Example mentioned above, It can variously deform and implement within the range which does not deviate from the summary of invention.
한편, 본원 청구범위의 각 구성요건에 병기한 도면참조부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 본원 발명의 기술적 범위를 도면에 도시한 실시예에 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.On the other hand, the reference numerals written along the components of the claims of the present application to facilitate the understanding of the present invention, not intended to limit the technical scope of the present invention to the embodiments shown in the drawings.
Claims (13)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15859891 | 1991-06-28 | ||
| JP91-158598 | 1991-06-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930001333A KR930001333A (en) | 1993-01-16 |
| KR970000420B1 true KR970000420B1 (en) | 1997-01-09 |
Family
ID=15675191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920011219A KR970000420B1 (en) | 1991-06-28 | 1992-06-26 | Cleaning method for a semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970000420B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100770294B1 (en) * | 2001-06-29 | 2007-10-25 | 주식회사 포스코 | Apparatus for preventing iron oxide form clotting in pellet drum |
-
1992
- 1992-06-26 KR KR1019920011219A patent/KR970000420B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930001333A (en) | 1993-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3154814B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning method and cleaning apparatus | |
| JP3338134B2 (en) | Semiconductor wafer processing method | |
| KR100303933B1 (en) | Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates | |
| EP0731498B1 (en) | Surface processing method for silicon substrates | |
| US5656097A (en) | Semiconductor wafer cleaning system | |
| US5759971A (en) | Semiconductor wafer cleaning liquid | |
| JP2002543976A (en) | Method for cleaning microelectronic substrates using ultra-dilute cleaning solution | |
| KR100238234B1 (en) | In-situ cleaning apparatus for semiconductor device and method for cleaning semiconductor device using the same | |
| JPH1064867A (en) | Method and device for cleaning a variety of electronic component members | |
| JPH09275084A (en) | Method of cleaning semiconductor substrate | |
| JP3325739B2 (en) | Silicon wafer cleaning method | |
| KR20120092589A (en) | Cleaning water for wafer and method for cleaning wafer | |
| KR970000420B1 (en) | Cleaning method for a semiconductor wafer | |
| KR970001344Y1 (en) | Apparatus for cleaning a semiconductor wafer | |
| KR20010032446A (en) | Wet Processing Methods for the Manufacture of Electronic Components | |
| JPH11265867A (en) | Treatment of substrate and substrate treating device | |
| JPH056884A (en) | Cleaning method for silicon wafer | |
| JPH0750281A (en) | Cleaning method for silicon wafer | |
| JPH0831781A (en) | Washing chemicals | |
| KR20030095589A (en) | Method For Manufacturing Semiconductors | |
| JP2005051099A (en) | Method of cleaning substrate | |
| JPH07321080A (en) | Method for cleaning silicon wafer | |
| JP2003297792A (en) | Method for cleaning substrate, cleaner and dryer, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0919661A (en) | Method and apparatus for washing electronic parts and the like | |
| JP4620714B2 (en) | Washing and drying equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL Free format text: TRIAL NUMBER: 1996201002313; APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL |
|
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| O035 | Opposition [patent]: request for opposition | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120322 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Expiration of term |