KR960030296A - 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960030296A KR960030296A KR1019950001526A KR19950001526A KR960030296A KR 960030296 A KR960030296 A KR 960030296A KR 1019950001526 A KR1019950001526 A KR 1019950001526A KR 19950001526 A KR19950001526 A KR 19950001526A KR 960030296 A KR960030296 A KR 960030296A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- stacked
- display device
- patterned
- source
- fed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
이 발명은 FED(field emission display) 소자를 제작함에 있어서 기판위에 동시에 박만트랜지스터를 사용한 구동회로를 형성하여 구동회로를 외부에 부착함에 따른 문제점을 제거하고 해상도를 높인 박만트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자를 제공하기 위하여, 자체 발광형 표시소자인 FED부와; 상기 FED에 집적되어 있고 기판의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 게이트전극패턴과, 상기 게이트전극패턴의 상부에 적층되어 있는 게이트절연막과, 상기 게이트절연막의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 불순물반도체층과, 상기 불순물반도체층의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 소오스/드레인전극과, 상기 소오스/드레인 전극의 상부에 적층되어 있는 보호막이 형성된 박막트랜지스터를 사용한 구동집적회로부로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광표시소자에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자의 구성도이고, 제4도는 이 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자의 박막트랜지스터의 구성도이고, 제5도의 (가)~(다)는 이 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자의 제조공정을 나타낸 공정순서도이다.
Claims (6)
- 자체 발광형 표시소자인 FED(30) 부와; 상기 FED(30)에 집적되어 있고 기판(42)의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 게이트전극패턴(44)과; 상기 게이트전극패턴(44)의 상부에 적층되어 있는 게이트절연막(46)과, 상기 게이트절연막(46)의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 불순물반도체층(48)과, 상기 불순물반도체층(48)의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 소오스/드레인전극(50)과, 상기 소오스/드레인(50)의 상부에 적층되어 있는 보호막(52)이 형성된 박막트랜지스터를 사용한 구동집적회로부(34)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막(46)은 Al2O3를 2중층 또는 단일층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물반도체층(48)은 In이 도핑된 CdSe를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 전극(50)은 ITO를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자.
- 제4항에 있어서, 상기 소오스/드레인 전극(50)을 사용하는 ITO는 FED부(30)의 캐소드전극으로 동시에 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자.
- 기판(30-2)위의 게이트전극(44)과, 상기 게이트전극(44)의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 게이트전극(44)과, 상기 게이트전극(44)의 상부에 적층되어 있는 게이트절연막(46)과, 상기 게이트절연막(46)의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 불순물반도체층(48)과, 상기 불순물반도체층(48)의 상부에 패턴되어 적층되어 있는 소오스/드레인전극(50)과, 상기 소오스/드레인(50)의 상부에 적층되어 있는 보호막(52)이 형성된 박막트랜지스터를 사용한 구동회로(34)를 구성하는 구동집적회로부공정단계와; 상기 구동회로(34)를 구성하는 공정단계후 FED부(30)를 구성하는 FED부 공정단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950001526A KR960030296A (ko) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950001526A KR960030296A (ko) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960030296A true KR960030296A (ko) | 1996-08-17 |
Family
ID=66531546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950001526A KR960030296A (ko) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960030296A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6648711B1 (en) | 1999-06-16 | 2003-11-18 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Field emitter having carbon nanotube film, method of fabricating the same, and field emission display device using the field emitter |
-
1995
- 1995-01-27 KR KR1019950001526A patent/KR960030296A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6648711B1 (en) | 1999-06-16 | 2003-11-18 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Field emitter having carbon nanotube film, method of fabricating the same, and field emission display device using the field emitter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100427883B1 (ko) | 자기발광 표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR100768191B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조방법 및 유기 발광 표시장치 | |
| CN102354709B (zh) | 发光器件 | |
| KR101131793B1 (ko) | 폴리 실리콘형 박막트랜지스터 및 이를 갖는 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR100754395B1 (ko) | 유기 전자발광 디스플레이 및 그 제조방법 | |
| EP1648030A3 (en) | Organic thin film transistor array | |
| KR930011158A (ko) | 박막 트랜지스터 디바이스 | |
| KR100611153B1 (ko) | 평판 표시 소자 | |
| KR950015819A (ko) | 표시용 박막반도체장치 및 그 제조방법 | |
| EP2309479A3 (en) | Active matrix electroluminescent display device and method for driving the same | |
| WO2003016599A1 (fr) | Element a semi-conducteur organique | |
| EP1180716A3 (en) | Thin film semiconductor device and liquid crystal display unit, and fabrication methods thereof | |
| TW335456B (en) | LCD device | |
| KR980003732A (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| KR101353538B1 (ko) | 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| JP2004522283A5 (ko) | ||
| KR970076042A (ko) | 액정 표시 장치 및 제조 방법 | |
| JP2003257645A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| KR960030296A (ko) | 박막트랜지스터를 사용한 구동회로가 집적된 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR20050079097A (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR970028753A (ko) | 액정 표시 소자의 제조 방법 | |
| KR930022601A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| TW200503300A (en) | Field emission diode (FED) | |
| KR100681250B1 (ko) | 비대칭 전극 구조를 가지는 유기 발광 트랜지스터 및 그의제조 방법 | |
| KR100592386B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |