Claims (56)
냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 기초재료와 고열전도율 재료층사이 인터페이스를 인접한 고열전도 재료층상에 공급되는 점에서, 기초재료상에 배치되고, 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료층을 구성하는 것을 특징으로 하는 회로기판.A layer of high thermal conductivity material disposed on the base material and having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k, in that a flow path for passing the cooling medium is supplied on an adjacent high thermal conductive material layer between the base material and the high thermal conductivity material layer. Circuit board, characterized in that the configuration.
제1항에 있어서, 고열전도율 재료층이 다이아몬드인 것을 특징으로 하는 회로기판.2. The circuit board of claim 1, wherein the high thermal conductivity material layer is diamond.
제2항에 있어서, 다이아몬드가 화학기상성장 공정에 의해 준비되는 것을 특징으로 하는 회로기판.3. The circuit board of claim 2, wherein the diamond is prepared by a chemical vapor deposition process.
제1항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위해 흐름경로의 깊이가 적어도 50㎛이고, 고열전도율 재료층 두께의 90%인 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 1, wherein the flow path has a depth of at least 50 μm and is 90% of a high thermal conductivity material layer thickness to allow the cooling medium to pass therethrough.
제1항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 흐름경로가 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 1, wherein the flow path for passing the cooling medium is from 20 μm to 10 mm.
제1항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로 사이의 공간이 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 1, wherein a space between flow paths for passing the cooling medium is from 20 μm to 10 mm.
제1항에 있어서, 흐름경로 사이의 공간(b)에 대한 흐름경로와 폭(a)의 비율이 0.02≤(a/b)≤50처럼 있는 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board according to claim 1, wherein the ratio of the flow path to the width a with respect to the space b between the flow paths is 0.02≤ (a / b) ≤50.
제1항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 회로기판의 중앙부로부터 회로기판의 주변부로 방사상과 나선상으로 배치된 것을 특징으로 하는 회로기판.2. The circuit board of claim 1, wherein a flow path for passing the cooling medium is arranged radially and spirally from the center of the circuit board to the periphery of the circuit board.
제1항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로의 표면이 냉각매체에 대한 습식력을 증가시키도록 처리되는 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 1, wherein the surface of the flow path for passing the cooling medium is treated to increase the wet force on the cooling medium.
냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 기초재료와 고열전도율 재료층사이 인터페이스를 인접한 고열 전도율 재료층상에 공급되는 점에서, 기초재료상에 배치되고, 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료층을 구성하는 것을 특징으로 하는 열소비 회로기판.A layer of high thermal conductivity material disposed on the base material and having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k, in that a flow path for passing the cooling medium is supplied to the interface between the base material and the high thermal conductivity material layer on an adjacent high thermal conductivity material layer. Heat consumption circuit board, characterized in that the configuration.
제10항에 있어서, 고열전도율 재료층이 다이아몬드인 것을 특징으로 하는 회로기판.11. The circuit board of claim 10, wherein the high thermal conductivity material layer is diamond.
제11항에 있어서, 다이아몬드가 화학기상성장 공정에 의해 준비되는 것을 특징으로 하는 회로기판.12. The circuit board of claim 11, wherein the diamond is prepared by a chemical vapor deposition process.
제10항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위해 흐름경로의 깊이가 적어도 50㎛이고, 고열전도율 재료층 두께의 90%인 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 10, wherein the flow path has a depth of at least 50 μm and is 90% of the high thermal conductivity material layer thickness to allow the cooling medium to pass therethrough.
제10항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 흐름경로가 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.11. The circuit board of claim 10, wherein the flow path for passing the cooling medium is from 20 mu m to 10 mm.
제10항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로 사이의 공간이 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.11. The circuit board of claim 10, wherein the space between the flow paths for passing the cooling medium is from 20 mu m to 10 mm.
제10항에 있어서, 흐름경로 사이의 공간(b)에 대한 흐름경로의 폭(a)의 비율이 0.02≤(a/b)≤50처럼 있는 것을 특징으로 하는 회로기판.A circuit board according to claim 10, wherein the ratio of the width a of the flow path to the space b between the flow paths is 0.02≤ (a / b) ≤50.
제10항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 회로기판의 중앙부로부터 회로기판의 주변부로 방사상과 나선상으로 배치된 것을 특징으로 하는 회로기판.11. The circuit board of claim 10, wherein a flow path for passing the cooling medium is arranged radially and spirally from the center portion of the circuit board to the periphery of the circuit board.
제10항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로의 표면이 냉각매체에 대한 습식력을 증가시키도록 처리되는 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 10, wherein the surface of the flow path for passing the cooling medium is treated to increase the wet force on the cooling medium.
냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 기초재료와 고열전도율 재료층 사이 인터패이스를 인접한 고열 전도율 재료층상에 공급되고, 저적어도 1W/cm2의 최대 열밀도를 가지는 적어도 하나의 가열소자가 고열전도율 재료층상에 마운트되는 점에서, 기초재료상에 배치되고, 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료층을 구성하는 것을 특징으로 하는 소자 마운트된 장치.A flow path for passing the cooling medium is provided on the adjacent high thermal conductivity material layer with an interface between the base material and the high thermal conductivity material layer, and at least one heating element having a maximum thermal density of at least 1 W / cm 2 is formed on the high thermal conductivity material layer And a high thermal conductivity material layer disposed on the base material and having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k.
제19항에 있어서, 가열소자가 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 장치.20. The apparatus of claim 19, wherein the heating element is a semiconductor element.
제20항에 있어서, 반도체 소자가 반도체 레이저인 것을 특징으로 하는 장치.21. The apparatus of claim 20, wherein the semiconductor element is a semiconductor laser.
제20항에 있어서, 반도체 소자는 마이크로 프로세서인 것을 특징으로 하는 장치.21. The apparatus of claim 20, wherein the semiconductor device is a microprocessor.
적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료로 만들어진 플레이트에 실시된 냉각매체를 통과시키기 위한 적어도 하나의 흐름경로를 구성하는 회로기판.A circuit board constituting at least one flow path for passing a cooling medium embodied in a plate made of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k.
제23항에 있어서, 고열전도율 재료층이 다이아몬드인 것을 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board of claim 23, wherein the high thermal conductivity material layer is diamond.
제24항에 있어서, 다이아몬드가 화학기상성장 공정에 의해 준비되는 것을 특징으로 하는 회로기판.25. The circuit board of claim 24, wherein the diamond is prepared by a chemical vapor deposition process.
제23항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위해 흐름경로의 깊이가 적어도 50㎛이고, 고열전도율 재료층 두께의 90%인 것을 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board of claim 23, wherein the flow path has a depth of at least 50 [mu] m and 90% of the thickness of the high thermal conductivity material layer for passing the cooling medium.
제23항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 흐름경로가 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board of claim 23, wherein the flow path for passing the cooling medium is from 20 탆 to 10 mm.
제23항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 사이에 공간이 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board according to claim 23, wherein the flow path for passing the cooling medium has a space between 20 mu m and 10 mm.
제23항에 있어서, 흐름경로 사이의 공간(b)에 대한 흐름경로의 폭(a)의 비율이 0.02≤(a/b)≤50처럼 있는 것을 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board according to claim 23, wherein the ratio of the width a of the flow path to the space b between the flow paths is 0.02≤ (a / b) ≤50.
제23항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 회로기판의 중앙부로부터 회로기판의 주변부로 방사상과 나선상으로 배치된 것을 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board of claim 23, wherein a flow path for passing the cooling medium is arranged radially and spirally from the center of the circuit board to the periphery of the circuit board.
제23항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로의 표면이 냉각매체에 대한 습식력을 증가시키도록 처리되는 것은 특징으로 하는 회로기판.24. The circuit board of claim 23, wherein the surface of the flow path for passing the cooling medium is treated to increase the wet force on the cooling medium.
적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료로 만들어진 플레이트에 실시된 냉각매체를 통과시키기 위한 적어도 하나의 흐름경로를 구성하는 열소비 회로기판.A heat consumption circuit board constituting at least one flow path for passing a cooling medium carried through a plate made of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k.
제32항에 있어서, 고열전도율 재료층이 다이아몬드인 것을 특징으로 하는 회로기판.33. The circuit board of claim 32, wherein the high thermal conductivity material layer is diamond.
제33항에 있어서, 다이아몬드가 화학기상성장 공정에 의해 준비되는 것을 특징으로 하는 회로기판.34. The circuit board of claim 33, wherein the diamond is prepared by a chemical vapor deposition process.
제32항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위해 흐름경로의 깊이가 적어도 50㎛이고, 고열전도율 재료층 두께의 90%인 것을 특징으로 하는 회로기판.The circuit board of claim 32, wherein the flow path has a depth of at least 50 μm and is 90% of the high thermal conductivity material layer thickness to allow the cooling medium to pass therethrough.
제32항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 흐름경로가 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.33. The circuit board of claim 32, wherein the flow path for passing the cooling medium is from 20 탆 to 10 mm.
제32항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로 사이에 공간이 20㎛로부터 10mm까지인 것을 특징으로 하는 회로기판.33. The circuit board of claim 32, wherein the space between the flow paths for passing the cooling medium is from 20 [mu] m to 10 mm.
제32항에 있어서, 흐름경로 사이의 공간(b)에 대한 흐름경로의 폭(a)의 비율이 0.02≤(a/b)≤50처럼 있는 것을 특징으로 하는 회로기판.33. The circuit board of claim 32, wherein the ratio of the width a of the flow path to the space b between the flow paths is 0.02? (A / b)?
제32항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로가 회로기판의 중앙부로부터 회로기판의 주변부로 방사상과 나선상으로 배치된 것을 특징으로 하는 회로기판.33. The circuit board of claim 32, wherein a flow path for passing the cooling medium is arranged radially and spirally from the center of the circuit board to the periphery of the circuit board.
제32항에 있어서, 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로의 표면이 냉각매체에 대한 습식력을 증가시키도록 처리되는 것을 특징으로 하는 회로기판.33. The circuit board of claim 32, wherein the surface of the flow path for passing the cooling medium is treated to increase the wet force on the cooling medium.
냉각매체를 통과시키기 위한 적어도 하나의 흐름경로가 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료로 만들어진 회로기판에 실시되고, 적어도 1W/cm2의 최대 열밀도를 가지는 적어도 하나의 가열소자가 회로기판상에 마운트되는 것을 특징으로 하는 소자 마운트된 장치.At least one flow path for passing the cooling medium is carried out on a circuit board made of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k, and at least one heating element having a maximum thermal density of at least 1 W / cm 2 . A device mounted on a circuit board, characterized in that mounted.
적어도 하나의 흐름경로가 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료로 만들어진 각 회로 기판에 실시되고, 적어도 하나의 소자가 각 회로기판에 마운트되며, 소자 사이를 연결하기 위한 금속와이어가 기판안 또는 위에 배치되는 점에서, 적어도 2개의 적층된 회로기판을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.At least one flow path is carried out on each circuit board made of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k, at least one device is mounted on each circuit board, and a metal wire for connecting between the devices is provided. A semiconductor device characterized in that it has at least two stacked circuit boards in that it is disposed in or on it.
(a) 상기 표면상에 냉각매체를 통과시키기 위간 흐름경로를 형성하기 위해 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료를 구성하는 플레이트의 하나의 주된 표면에 레이저광 처리를 전도하고, (b) 기초 재료에 상기 처리된 기판을 점착하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.(a) conducting a laser light treatment to one major surface of a plate constituting a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k to form a flow path therebetween for passing a cooling medium on the surface; b) adhering the treated substrate to a base material.
제43항에 있어서, 레이저광이 엑시머 레이저광인 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.The method of preparing a circuit board according to claim 43, wherein the laser light is an excimer laser light.
제43항에 있어서, 고열전도율 재료가 다이아몬드인 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.44. The method of preparing a circuit board according to claim 43, wherein the high thermal conductivity material is diamond.
제45항에 있어서, 다이아몬드가 화학기상성장 공정에 의해 준비되는 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.46. The method of claim 45, wherein the diamond is prepared by a chemical vapor deposition process.
제43항에 있어서, 냉각매체에 의해 습식력을 증가시키도록 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로의 표면을 처리하는 단계를 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.44. The method of claim 43, further comprising treating the surface of the flow path for passing the cooling medium to increase the wet force by the cooling medium.
(a) 상기 표면상에 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로를 형성하기 위해 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료를 구성하는 플레이트의 하나의 주된 표면상에 레이저광 처리를 전도하고, (b) 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료를 구성하는 다른 플레이트에 상기 처리된 표면을 점착하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.(a) conducting laser light treatment on one major surface of the plate constituting a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k to form a flow path for passing a cooling medium thereon; (b) adhering the treated surface to another plate constituting a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k.
냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로를 형성하기 위해 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료를 구성하는 플레이트의 상기 표면상에 레이저광 처리를 전도하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.And conducting laser light treatment on the surface of the plate constituting a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k to form a flow path for passing the cooling medium therethrough. How to prepare a substrate.
(a) 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료를 구성하는 플레이트의 하나의 주된 표면상에 부분적으로 마스크를 제공하고, (b) 냉각매체를 통과시키기 위한 흐름경로를 형성하기 위해 마스크를 가지지 않은 부분을 선택적으로 에칭하며, (c) 마스크를 제거하고, (d) 기초재료에 에칭된 표면을 점착하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.(a) providing a mask partially on one major surface of a plate constituting a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k, and (b) forming a flow path for passing a cooling medium therethrough. Selectively etching a portion not having (3), (c) removing the mask, and (d) adhering the etched surface to the base material.
제50항에 있어서, 기초재료가 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료를 구성하는 기판인 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.51. The method of preparing a circuit board according to claim 50, wherein the base material is a substrate constituting a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of at least 10 W / cm · k.
제50항에 있어서, 산소를 포함하는 불활성 가스 또는 산소의 플라즈마에 의해 전도된 마스크를 가지지 않은 부분을 선택적으로 에칭하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.51. The method of preparing a circuit board according to claim 50, further comprising the step of selectively etching a portion having no inert gas containing oxygen or a mask inverted by a plasma of oxygen.
a) 플레이트 재료상에 그루브를 형성하고, b) 플레이트 재료상에 화학기상성장에 의해 다이아몬드를 성장하며, c) 그루브가 있는 셀프스탠딩 다이아몬드 필름을 제공하기 위한 플레이트 재료를 제거하고, d) 기초 재료에 다이아몬드 필름의 그루브가 있는 표면을 점착하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.a) forming a groove on the plate material, b) growing the diamond by chemical vapor deposition on the plate material, c) removing the plate material to provide a self-standing diamond film with grooves, and d) diamond on the base material. A method for preparing a circuit board, comprising the step of adhering a grooved surface of a film.
제53항에 있어서, 기초재료가 셀프스탠딩 다이아몬드 필름인 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.54. The method of preparing a circuit board according to claim 53, wherein the base material is a self-standing diamond film.
a) 기초재료상에 마스크를 준비하고, b) 기초재료상에 화학기상성장에 의해 다이아몬드를 성장하며, c) 냉각매체를 통과시키기 위해 흐름경로를 제공하기 위한 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.a) preparing a mask on the base material, b) growing the diamond by chemical vapor growth on the base material, and c) removing the mask to provide a flow path for the cooling medium to pass therethrough. How to prepare a circuit board.
a) 플레이트 재료상에 마스크를 제공하고, b) 플레이트 재료상에 화학기상성장에 의해 다이아몬드를 성장하며, c) 그루브가 있는 셀프스탠딩 다이아몬드 필름을 제공하기 위해 플레이트 재료와 마스크를 제거하고, d) 기초재료에 다이아몬드 필름의 그루브가 있는 표면을 접착하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회로기판의 준비방법.a) providing a mask on the plate material, b) growing the diamond by chemical vapor deposition on the plate material, c) removing the plate material and mask to provide a grooved self-standing diamond film, and d) the base material. A method of preparing a circuit board, comprising the step of adhering a grooved surface of a diamond film to a surface.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.