KR960011410B1 - 튜너의 고주파 입력신호 강도 조절회로 - Google Patents

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내용 없음.

Description

튜너의 고주파 입력신호 강도 조절회로
제1도는 본 발명의 블록구성도.
제2도는 본 발명에 따른 LNA단의 상세회로 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : LNA(저갑음 증폭기) 20 : 튜너부
30 : 복조부 A1: 증폭기
TR1~TR4: 트랜지스터 D1~D4: 다이오드
R1~R11: 저항 L1~L5: 코일
본 발명은 고주파 전계강도의 높고 낮음에 무관하게 항상 일정한 수준의 고주파 입력신호레벨을 튜너에 공급할 수 있게 되는 튜너의 고주파 입력신호 강도조절회로에 관한 것이다.
TV세트나 VCR에서 RF 신호를 처리하는 튜너는 해당 지역별 전계 강도크기에 따라 그 신호출력 특성이 다르게 나타난다.
가령 낮은 전계강도지역에서는 해당 채널의 선국이 어렵게 되거나 인접 채널의 강한신호에 영향을 받게 되기 때문에 수신상태가 불안정해지게 되고, 그 반대로 강한 전계강도지역에서는 해당채널의 RF 신호 포화현상이나 방해파 배제능력이 떨어지게 된다.
본 발명의 목적은 지역별 전계강도의 강약에 무관하게 비교적 안정된 레벨을 튜너에 입력시킬수 있게하는 튜너의 고주파 입력신호강도 조절회로를 제공하는데 있다.
본 발명의 특징은 튜너의 고신호 입력단 전단에 스위처블 저잡음 증폭기를 삽입하고, 이 스위처블 저잡음 증폭기를 AGC 전압으로 제어시킨다는데 있다.
이하 첨부된 도면을 참고로하여 본 발명을 설명한다.
제1도는 본 발명의 개념을 설명하기 위한 개략적인 블록다이어그램으로서, 안테나를 통하여 입력되는 고주파 신호는 LNA(10)를 거쳐 튜너부(20)로 인가되게 구성하고, 상기 튜너부(20)에서 출력되는 중간주파 신호는 복조부(30)에서 복조되어 베이스 밴드의 영상 및 음성신호를 검파 출력되게 구성한다.
여기에서 LAN(10)는 TV 세트 또는 VCR 내부에서 얻어지는 AGC전압(VAGC)에 의해 그의 동작여부가 제어되게 구성한다.
제2도는 앞에서 설명한 LNA(10)의 상세회로구성도이다.
여기에서 참조되는 바와같이, LNA(10)는 AGC전압(VAGC)의 일정레벨을 기준으로 하여 일정레벨 미만이면 제2전압(V2)을 발생하고 일정 레벨이상이면 제1전압을 발생하는 스위칭전압 발생부(11)와, 상기 스위칭전압 발생부(11)에서 제1전압(V1)이 발생될 때 스위칭 온되어 고주파통로를 형성하는 제1, 3핀다이오드(D1, D3) 및 이들 핀 다이오드(D1, D3)사이에 삽입되는 증폭기(A1)를 포함하는 제1신호전달부(13)와, 상기 스위칭 전압발생부(11)에서 제2전압(V2)이 발생될 때 스위칭 온되어 고주파통로를 형성하는 제2, 4핀다이오드(D2, D4)를 포함하는 제2신호전달부(12)로 구성된다.
상기 스위칭전압발생부(11)는 B+전압이 제1,2트랜지스터(TR1, TR2)를 각각 통하여 제2전압(V2)과 제1전압(V1)으로 출력되게 연결하고, 상기 제1트랜지스터(TR1)의 베이스바이어스는 제3트랜지스터(TR3)를 통한 B+전압으로 제어되게 연결하고, 상기 제2트랜지스터(TR2)와 제3트랜지스터(TR3)의 베이스바이어스는 제4트랜지스터(TR4)에 의해 제어되게 연결하고, 상기 제4트랜지스터(TR4)의 베이스바이어스는 AGC전압(VAGC)으로 제어되게 연결하여 구성한다.
이를 더욱 구체적으로 설명하면, 에미터저항(R9)을 가지는 제4트랜지스터(TR4) 베이스에는 저항(R10, R11)을 통한 AGC전압(VAGC)이 인가되게 연결하고, 상기 제4트랜지스터(TR4)의 콜렉터에는 에비터에 B+전압이 각각 인가되고 있는 제3, 2트랜지스터(TR3, TR2)의 베이스에 연결하고, 상기 제2트랜지스터(TR2)의 에미터－베이스 사이에는 전류저항(R8)을 삽입한다.
또한 에미터에 B+전압이 인가되는 제1트랜지스터(TR1)의 베이스와 제3트랜지스터(TR3)의 콜렉터 사이에는 저항(R5, R6)을 직렬로 삽입하고, 상기 저항(R5, R6)의 접속점은 저항(R4)을 통하여 그라운드 시킨다.
저항(R7, R3) 및 코일(L5)은 전류패스 형성용이다.
이와같이 구성된 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.
일정레벨이상의 전계(예를들면 60dBm)에서는 튜너에 입력되는 RF 신호를 증폭시킬 필요가 없다. 이 경우에는 TV 세트에서 출력되는 AGC 전압(VAGC)이 OV가 된다. 이에 따라 LAN(10)의 스위칭 전압발생부(11)의 제2∼제4트랜지스터(TR2~TR4)는 오프되고, 제1트랜지스터(TR1)는 저항(R4, R5)에 의해 바이어스 온되므로, 상기 제1트랜지스터(TR1)와 코일(L5)과 저항(R3)을 통한 B+전압이 스위칭전압발생부(11)의 제2전압(V2)으로 나타나게 된다.
이에 따라 제2신호전달부(12)를 구성하는 제2,4핀다이오드(D2, D4)가 전류패스코일(L1, L2)에 의해 바이어스 온되어 도통상태가 되므로 안테나에 입력된 고주파신호는 그대로 상기 제2,4핀다이오드(D2, D4)가 전류패스코일(L1, L2)에 의해 바이어스 온되어 도통상태가 되므로 안테나에 입력된 고주파신호는 그대로 상기 제2,4핀다이오드(D2, D4)를 거쳐 출력되게 된다.
그러나 튜너가 설치된 지역의 전계강도가 일정레벨 미만인 경우에는 AGC 전압(VAGC)이 발생되게 되고 이에 따라 제4트랜지스터(TR4)가 온된다.
이때 제4트랜지스터(TR4)의 콜렉터에 연결된 제3트랜지스터(TR3)의 베이스 전위가 그의 에미터 전위보다 낮으므로 제3트랜지스터(TR3)는 온되고, 그 결과 제1트랜지스터(TR1)의 베이스 전위가 상승되어 제1트랜지스터(TR1)는 오프된다.
한편 제4트랜지스터(TR4)의 온은 제2트랜지스터(TR2)의 베이스전위를 그라운드 측으로 끌어내리게 되므로 제2트랜지스터(TR2)가 온되어, 스위치전압발생부(11)는 B+전압을 제1신호전달부(13)에 제1전압(V1)으로 제공하게 된다.
따라서 제1신호전달부(13)내의 제1핀다이오드(D1)는 저항(R1)과 코일(L1, L3)에 의해 직렬로 순방향 바이어스 온되고 제3핀다이오드(D3)는 저항(R2)과 코일(L2, L4)에 의해 직렬로 순방향 바이어스 온되므로, 안테나에 입력된 고주파신호는 증폭기(A1)에서 저잡음 증폭되어 출력되게 된다. 결국 낮은 전계 강도에서는 제1신호전달부(13)에서 고주파신호가 적정레벨로 증폭되어 튜너부에 인가되게 되므로, 튜너부에는 항상 일정한 레벨이상의 RF 입력강도를 유지하게 된다.
이상에서 설명한 바와같은 본 발명은 RF 입력신호강도의 세기에 따라 선택적으로 발생하는 AGC 전압을 이용하여, 낮은 입력전계강도 조건하에서는 증폭기를 가지는 제1신호전달부의 스위치 온제어용 제1전압이 발생되게 하고, 일정레벨이상의 입력 전계 강도 조건하에서는 튜너부에 안테나 입력신호를 그대로 전달하게 되는 제2신호전달부 제어용 제2전압이 발생되게 함으로써, 튜너의 설치위치의 전계강도 크기에 무관하게 항상 일정한 레벨의 RF 신호를 튜너부에 제공하게 하여 안정된 양질의 TV 화면수신을 가능하게 한다.

Claims (2)

  1. 안테나에 입력된 고주파 신호를 전계강의 크기에 따라 선택적으로 증폭하는 LAN(10)와, 상기 LAN(10)의 고주파 출력을 받아 중간주파신호를 발생하는 튜너부(20)와, 상기 튜너부(20)의 중간주파 출력에서 영상 및 음성신호를 검파출력하는 복조부(30)를 포함하는 고주파 신호처리회로에 있어서, 상기 LNA(10)는, AGC 전압(VAGC)의 일정레벨을 기준으로 하여 일정레벨 미만에서는 제2전압(V2)을 발생하고 일정레벨 이상에서는 제1전압을 발생하는 스위칭 전압 발생부(11)와 상기 스위칭전압 발생부(11)에서 제1전압(V1)이 발생될 때 스위칭 온되어 고주파통로를 형성하는 제1, 3핀다이오드(D1, D3) 및 이들 핀다이오드(D1, D3) 사이에 삽입되는 증폭기(A1)로 구성된 제1신호전달부(13)와, 스위칭 전압발생부(11)에서 제2전압(V2)이 발생될 때 스위칭 온되어 고주파통로를 형성하는 제2, 4핀다이오드(D2, D4)로 구성된 제2신호전달부(12)를 포함하는 것을 특징으로 하는 튜너의 고주파 입력신호 강도 조절회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭전압발생부(11)는 B+전압이 제1,2트랜지스터(TR1, TR2)를 각각 통하여 제2전압(V2)과 제1전압(V1)으로 출력되게 연결하고, 상기 제1트랜지스터(TR1)의 베이스바이어스는 제3트랜지스터(TR3)를 통한 B+전압으로 제어되게 연결하고, 상기 제2트랜지스터(TR2)와 제3트랜지스터(TR3)의 베이스바이어스는 제4트랜지스터(TR4)에 의해 제어되게 연결하고, 상기 제4트랜지스터(TR4)의 베이스바이어스는 AGC전압(VAGC)으로 제어되게 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 튜너의 고주파 입력 신호강도 조절회로.
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