KR960006200B1 - 고체 촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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내용 없음.

Description

고체 촬상장치 및 그 제조방법

제 1 도는 CCD형 고체 촬상장치의 원리를 설명하기 위한 블럭도.

제 2 도는 2-상(two-phase)동작을 하는 전하결합소자(Charge Coupled Device; 이하 CCD라 칭함)의 동작원리를 설명하기 위한 도면.

제 3 도의 (가)-(라)도는 종래의 CCD 구조에서 전하전송에 관한 기술을 설명하기 위한 도면들로써, (가)도는 정상화면을 출력할시 신호전하의 전송동작을 나타낸 단면도이며, (나)도는 (가)도의 동작 동안 클럭펄스의 파형을 나타낸 것이며, (다)도는 거울화면을 출력할시 전송동작을 나타낸 단면도이며, (라)도는 (다)도의 동작 동안 클럭펄스의 파형을 나타낸 도면.

제4도의 (가)-(마)도는 본 발명에 의한 CCD 구조를 설명하기 위한 도면들로써, (가)도는 고체 촬상장치의 개략도이며, (나)도는 수평 CCD의 평면도를 나타낸 것이며, (다)도는 상기 (나)도의 AA'선을 자른단면도를 나타낸 것이며, (라)도는 정상화면 출력시의 전극 하부의 포텐셜 분포도며, (마)도는 거울화면 출력시의 전극 하부의 포텐셜 분포도.

제5도는 본 발명의 따른 실시예에 있어서 수평 CCD를 나타낸 평면도.

본 발명은 고체 촬상장치(Solid State Image Sensor) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 정상화면(normal imgae)과 거울화면(mirror image)을 선택적으로 출력할 수 있도록 구성된 CCD형 고체 촬상장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

잘 알려진 바와 같이 촬상 장치의 고체화는 1960년대 전반에 매트릭스형으로 제안되었으나 실용화에 이르지 못하다가, 1970년대에 들어서면서 MOS LSI 기술의 발전과 전하전송소자(Charge Transfer Device; CTD)인 BBD(Backet Brigade Device)와 CCD의 발표로 인하여 고체 촬상장치에 관한 연구가 활발히 진행되어 왔다.

CCD는 반도체 기판의 표면에 복수의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 다이오드를 일정한 배열로 형성시켜준 아주 간단한 구조이다. M0S 다이오드에 반전방향의 전압을 인가하면 반도체 기판의 표면에 깊은 공핍층이 확대될 뿐인 비평형상태와 소수 캐리어가 축적된 평형상태의 2가지 상태를 얻을 수 있다. 따라서 이들 2가지 상태를 '0'과 1'의 디지탈 신호에 대응시키면 연산기능을 갖는 소자를 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 비평형상태와 평형상태 사이에서 연속적으로 변화되는 소수 캐리어 수를 아날로그 신호로도 사용할 수있기 때문에 고체 촬상장치 등에의 응용이 가능해진다.

고체 촬상장치는 광전변환기능, 축적기능, 주사(전하독출)기능을 1개의 칩상에 구현한 것으로써 여러가지 방식이 있지만, 현재 실용화되어진 고체 촬상장치 가운데 주사회로로서 CCD 전송영역을 사용한 CCD타입이 그 종합적인 특성에 있어서 우수하여 고체 촬상장치의 중심적인 위치를 차지하게 되었다.

제1도는 통상적인 2차원의 CCD형 고체 촬상장치의 동작원리를 설명하기 위한 블럭도이다. 이하 제1도를 참조하면 다음과 같다.

CCD형 고체 촬상소자는 pn접합 포토다이오드나 MOS 캐퍼시터로 된 광전변환영역(11)과 수직 쉬프트레지스터(12)로 이루어진 수광부분(13), 및 수평 쉬프트 레지스터(14) 및 출력회로부(17)로 구성되어 있다. 빛이 광전변환영역(11)에 입사되면 이 광신호는 전기적인 전하로 변환되어 축적되어 있다가 필드 쉬프트(field shift)기간 동안에 상기 광전변환영역(11)과 수직 쉬프트 레지스터(12) 사이의 게이트전극에 전압을 인가하는 것에 의해 수직 쉬프트 레지스터(12)로 이동하고, 이어서 4상 수직클럭단자(15)에 의해 구동되는 CCD를 통하여 일렬씩 수평 쉬프트 레지스터(14)로 보내지고, 여기서 또한 준 2상 수평클럭단자(16)에 의해 구동되는 CCD를 통하여 상기 광신호에 대응하는 전하가 출력회로부(17)로 보내져 신호출력으로 외부에 취출된다.

제2도는 CCD형 고체 촬상장치에서 CCD 쉬프트 레지스터 영역에서 전하의 전송과정을 설명하기 위한 도면이다.

제2도를 참조하면, 절연층(22)을 매개로하여 반도체 기판(21)상에 일정하게 정렬되어 있는 전송 게이트전극(23)에 위상이 다른 전송 펄스(24, φ1 및 φ2)를 가하면 펄스 전압의 쉬프트와 함께 반도체 기판내에 형성되는 공핍증(25, 전위 우물)의 깊이 차이에 의해 순차적으로 전하가 인접전극 아래로 전송되며, 결국 출력회로부로 신호전하가 전달되게 된다.

상기 제2도는 2상 클럭펄스에 의해 전하전송을 수행하는 2상 CCD를 나타내는 것으로서, 3상 CCD에서 일정 방향으로 전하를 전송하는데 3상 클럭을 필요로 하는데 비하여 2상 CCD에서는 전위 우물의 형성에 대하여 전하전송의 방향성을 부여하기 위하여 게이트 산화막인 절연층의 두꼐 또는 도핑레벨을 변화시켜 동일한 게이트전극 하에서도 전위 우물의 깊이를 부분적으로 변화시켜 주는 것이 가능하다. 상기 2상 CCD는그 전송동작이 간단하고 집적화에 유리하기 때문에 고체 촬상장치에 많이 응용되고 있다.

상기에서 본 바처럼 CCD의 구조는 매우 간단하지만 아날로그 량을 반도체 기판내에서 전송하지 않으면 아니되기 때문에 전송을 얼마나 완전하게 행하는가가 중요한 문제로 대두된다. 초기 전하량과 전송된 전하량과의 비로부터 도출되는 전송효율은 CCD의 특성을 결정짓는 중요한 파라미터이다. CCD의 전송효율을 좋게하기 위한 하나의 방법으로서, 반도체기간의 표면보다 내부에 채널이 형성되도록 하여 전송효율을 향상시킨 매몰 채널 CCD(Buried Channel CCD : BCCD)가 발표(W.H. KENT, Bell Syst. Tech. J,52,1009,1973)된 이래 일찍부터 사용되어 오고 있다.

한편 CCD형 고체 촬상장치의 응용분야로서,1차원 센서로서는 팩시밀리나 OCR 등에,2차원 센서로서는 가정용 VTR에 쓰이는 컬러 비디오 카메라로서의 실용화가 급격히 진행되고 있는 가운데, 비디오 텔러폰에서 거울의 역할을 하는 모니터에 유용하게 사용할 수 있는 거울화면(mirror image)의 기능을 가지는 1/3인치 510(H)×492(V) CCD 이미지 센서가 개발되었다(참조, Junichi Hojo et al., "A l/3-in 510(H)×492(V) CCD Image Sensor with Mirror Image Function",IEEE. Elec. Dev, Vo1 38, No 5, MAY,1991, pp954-959) .

일반적으로 비디오 모니터상에 거울화면을 실현시키기 위한 방법으로서,

1) 거울에 의한 반사를 이용한 방법

2) 비디오 모니터상에 역-스캐닝하는 방법

3) 수평 CCD에서 역방향으로의 전하전송을 이용한 방법 등이 사용될 수 있다. 상기 Junichi Hojo 등의 논문에서의 기술은 상기 3)의 방법을 사용한 것으로서, 동일 장치내에서 정상화면과 거울화면을 모두 실현시키기 위하여 4개의 전극과 의사 2상 클럭(quasi-two-phase clock)을 사용하여 신호전하를 수평 CCD에서 순방향 또는 역방향으로 각각 전송시켜 각각의 출력회로부를 통하여 취출한 후 비디오 모니터에 화상을 실현시키는 것이다.

제3도는 상기 Junichi Hojo 등의 논문에 나타난 종래의 CCD 구조에서의 전하의 순방향과 역방향으로의 전송경로를 나타낸 도면과 파형도이다.

상기 제3도의 (가),(다)도에서 참조부호(31)은 수직 CCD이며, 클럭단자 φH1, φH3에 연결된 폴리실리콘으로 된 (32)는 축적전극이며, 클럭단자 φH2, φH4에 연결된 폴리실리콘으로 된 (33)은 전송전극이며, 사선으로 구분된 (34)는 채널 스토퍼이다.

우선, 정상화면의 출력을 얻기 위한 신호전하의 전송경로를 상기 제3도의 (가),(나)도를 참조하여 살펴본다. 수직 클럭단자 φV4에 연결된 수직 CCD의 전극아래에 놓여있던 신호전하는 시간(1)과 (2) 일때, 즉 펄스 φHl, φH2이 고레벨이며 펄스 φV4이 턴-오프 상태일 때 전송전극인 φH2 전극을 통하여 축적전극인 φH1 전극 아래로 전송된다. 이어서 시간(3) 일때, 즉 펄스 φHl, φH2이 턴-오프되고 동시에 φH3,φH4이 턴-온 될때 신호전하는 φH4 전극을 통하여 φH3 전극 아래로 전송된다. 이것은 종래의 2단자,2상 클럭에 의해 구동되던 수평 CCD에서의 순방향으로의 전송방식과 같다.

다음에, 거울화면의 출력을 얻기 위한 신호전하의 전송경로를 상기 제3도의 (다),(라)도를 참조하여 살펴본다. 수직 클럭단자 φH4에 연결된 수직 CCD의 전극아래에 놓여있던 신호전하는 시간(1) 일때, 즉 펄스 φHl, φH2이 고레벨이며 펄스 φV4이 턴-오프 상태일때 전송전극인 φH2 전극을 통하여 축적전극인 φH1 전극 아래로 전송된다. 이어서 시간(2) 일때, 즉 펄스 φH1이 턴-오프되고 동시에 φH3이 턴-온 될때 신호전하는 φH2 전극을 통하여 φH3 전극 아래로 역방향으로 전송된다. 이어서 시간(3) 일때, 즉 펄스 φH2, φH3이 턴-오프되고 동시에 φHl, φH4이 턴-온 될때 신호전하는 φH4 전극을 통하여 φH1 전극아래로 역시 역방향으로 전송된다. 여기서 시간(2) 일때 펄스 φH1과 φH3에서 반비트(half bit)의 잔류편차(offset)를 제외하고, 상기 동작은 상보형 2상 클럭을 사용하여 달성된다.

그러나 상기 종래기술에서는 단일 수평 채널을 이용하여 정상화면 및 거울화면을 위한 신호전하를 출력하지만 외부에서 각기 다른 클럭펄스를 공급해주어야 하기 때문에 필요로 하는 클럭이 증가하여 클럭발생 및 공급시스템이 매우 복잡하게 될 뿐만아니라, 클럭편차의 증가요인이 되어 신호전하의 전송효율이 떨어지고 잔상의 요인이 된다.

따라서 본 발명의 목적은 상기 종래기술에서 발생하는 문제점을 감안하여, 종래의 CCD 구조를 개선함으로써 기존의 2상 클럭단자만을 사용하여 정상화면과 거울화면을 위한 신호전하를 단일 디바이스 내에서 간단히 출력해 낼 수 있는 고체 촬상장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 본 발명에 의한 전하결합소자 및 그를 제조하는데 있어서 그 적합한 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 본 발명에 의한 고체 촬상장치를 이용하여 정상화면과 거울화면을 선택적으로 실현할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 고체 촬상장치는 수광부분에서 축적된 신호전하를 전하결합소자를 통하여 출력회로에서 취출하는 고체 촬상장치에 있어서, 상기 전하결합소자는 각각 독립된 출력회로부에 연결되며 그 위에 복수의 제1게이트전극이 병렬로 형성된 반도체기판내에, 수평으로 된 2개의 제1,제2채널과, 상기 제1, 제2채널 중 상기 신호전하가 그 인가되는 전압상태에 따라 두 채널의 어느 하나에 선택되어지도록 하는 제2게이트전극과, 상기 제1, 제2채널 사이를 상기 신호전하가 선택적으로 이동할 수 있도록 부분적으로 형성된 복수의 채널스토퍼를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 전하결합소자는 반도체기판상에 절연층을 개재하여 복수의 제1게이트전극이 병렬로 형성되어 있는 전하결합소자에 있어서, 상기 제1게이트전극들의 중간부분을 가로지르며 반도체기판과 상기 제1게이트전극 사이에서 절연되어 형성된 제2게이트전극과, 상기 제2게이트전극의 하부 반도체기판내에 일정한 간격을 두고 형성된 복수의 채널스토퍼를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

한편 본 발명의 또다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 전하결합소자의 제조방법은, 반도체기판상에 절연층을 개재하여 복수의 제1게이트전극이 병렬로 형성되어 있는 전하결합소자의 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판내에 일정한 간격을 두고 이온주입하여 채널스토퍼를 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연층을 개재하여 상기 채널스토퍼상에 제2게이트전극을 형성하는 공정과, 절연층을 개재하여 상기 제2게이트전극상을 가로지르도록 복수의 제1게이트전극을 병렬로 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

상기의 고체 촬상장치에서는 상기 제1게이트전극에 가해지는 클럭필스에 따라 신호전하가 상기 제1 또는제2채널 중 어느 한 채널을 통하여 전송되며, 상기 제1채널이 선택되었을 경우 그 끝에 연결된 출력회로부를 통하여 신호전하가 취출되어 정상화면을 실현할 수 있으며, 상기 제2게이트전극에 전압이 인가되면 신호전하는 채널스토퍼가 형성되지 않은 부분을 통하여 반대의 채널로 전송되며, 이어서 처음과 반대방향으로 이동하여 그 끝에 연결된 출력회로부를 통하여 처음과 반대의 순서에 따라 신호전하가 취출되어 거울화면을 실현할 수 있게 된다.

이하 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명하겠다.

제4도는 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면들로써,(가)도는 본 발명에 의한 전하결합소자(CCD)가 적용된 고체 촬상장치의 개략도이다. 클럭펄스 φV1, φV2, φV3, φV4에 의해 신호전하가 전달되는 복수개의 수직 CCD와 클럭펄스 φHl, φH2에 의해 신호전하가 전송되는 수평 CCD가 형성되어 있고 상기 수평 CCD는 상, 하 2개의 채널이 형성되어 서로 반대쪽에 출력회로부가 연결되어 있다.

(나)도는 본 발명에 의한 CCD 구조의 한 예에 대한 평면도를 나타낸다. 그림에서 보여지듯이, 반도체기판상에 폴리실리콘으로 이루어진 두 전극(즉 1a,1b로 된 축적전극과 2a,2b로 표시된 전송전극)을 한단위로 하나의 클럭단자에 연결된 복수개의 제1게이트전극(1a-2a,1b-2b, 또는 1c-2c,1d-2d)이 병렬로 형성되어 있다. 또한 제1게이트전극 하부의 반도체기판내에 형성되는 채널영역을 두개로 구분하기 위하여 상기 제1게이트전극의 중간부분을 가로질러 지나는 제2게이트전극(42)이 형성되어 있으며, 상기 상하로 구분된 채널인 제1채널과 제2채널 사이에 신호전하가 선택적으로 이동할 수 있도록 채널스토퍼(45)가 P형 불순물을 강하게 주입하여 형성되어 있다.

상기 제4도의 (나)에 나타난 CCD는 2상 클럭펄스에 의해 신호전하가 이동되는 것을 나타내며, 상기 도면에서 같은 전극이면서도 다른 부호(예를 들어 1a와 1c, 2a와 2c 등)로 표시한 것은 상기 제2게이트전극(42)에 의해 채널이 분리됨에 따른 것이다.

(다)도는 상기 (나)도의 AA'선을 자른 단면도를 나나낸다, 상기 제2게이트전극(42)는 P형 불순물 이온이 강하게 주입되어 형성된 채널스토퍼(45)가 일정한 간격을 두고 형성되어 있는 반도체기판(40)상에 제1절연층(41)을 개재하여 형성되어 있다.

상기 실시예는 전송전극과 축적전극을 한 단위로 하는 복수의 제1게이트전극들로 형성되어 있어 2상 클럭펄스에 의한 신호전하의 방향이 결정되는 것이나, 통상의 2상 동작을 하는 CCD에서 신호전하의 전송방향이 결정되도록 전극하나 건너 게이트산화막의 두께를 변화시키거나 이온주입에 의해 표면의 불순물농도를 변화시켜 반도체기판내에 전위 우물의 차이를 주어 전송방향을 결정짓는 방법을 사용할 수도 있다.

또한 상기 실시예는 신호전하가 이동하는 채널영역이 반도체기판의 표면부근의 표면채널형 CCD(SCCD)인 경우는 물론 표면으로부터 일정 깊이에 채널이 형성되는 매몰채널형CCD(BCCD)일 수도 있다.

이어서 본 발명에 의한 CCD 구조에서 신호전하의 이동과정을 첨부한 제4도의 (라),(마)도를 참조하여 살펴보겠다. (라),(마)도는 정상화면과 거울화면의 출력을 위한 신호전하의 이동과정을 설명하기 위해 게이트전극과 그 하부에 형성되는 전위 우물의 분포를 함께 나타낸 것이다.

우선, 정상화면을 출력하기 위한 과정을 살펴본다. 채널을 선택하기 위한 제2게이트전극((나)도의 42)에 전압이 인가되지 않은 상태에 있으며, 이때 신호전하는 고체 촬상장치의 수직 CCD의 마지막 전극 아래에 놓여 있다가 수평 CCD의 전송전극(2a,2b)에 펄스가 작용하여 상기 전송전극들(2a,2b)의 하부를 통하여 축적전극(1a,1b) 아래로 이동한다. 정상화면의 출력을 위한 신호전하의 이송경로는 (나)도에서 보여지듯이 제2게이트전극(42)의 상부에 형성되는 제1채널을 통하여 이루어진다.

이어서 (라)도에서 보여지듯이 2상 펄스동작을 하는 상기 CCD 구조에서 게이트전극 아래의 전위 우물의 깊이차이를 주기 위하여 전송전극(2a,2b) 아래에 P형 불순물을 주입해줌으로써, 또한 클럭단자 φH1에 φH2 보다 높은 전압을 인가하면 게이트전극 아래의 전위 우물의 깊이는 1a-2a-1b-2b 순으로 낮아지게된다. 따라서 신호전하는 (라)도에서 좌측방향으로 순차적으로 전송하게 된다. 이상에서 살펴본 정상화면출력을 위한 신호전하의 이동과정은 종래의 통상적인 2상 클럭펄스 동작을 하는 CCD에서와 본질적으로 같다.

다음으로, 거울화면을 출력하기 위한 과정을 살펴본다. 이때는 제2게이트전극(42)에 전압이 인가된 상태이며, 이때 제2게이트전극(42)의 하부에는 전위 우물이 더욱 깊어진다. 수직 CCD에서 전송된 신호전하가 상기 제1채널의 최대 전위 우물 깊이를 갖는 상기 (라)도의 축전전극인 1a 전극 아래에 축적되어 있다가, (마)도에서 보여지듯이 제2채널의 최대 전위 우물 깊이를 갖는 2c 전극 하부로 이동하게 된다. 여기서 제1채널로부터 제1채널로 신호전하를 선택적인 경로를 통하여 이동시켜 주기 위하여 상기 (나)도에서 설명한 채널스토퍼(45)를 형성시켜준 것이다.

한편 제2채널영역에서 전위 우물의 깊이차이를 주기 위하여 2c,2d 전극의 하부에만 자기정합 방식으로 N형 불순물을 이온주입한다. 결국 제2채널 영역에서의 전위 우물의 깊이는 1d-2d-1c-2c 순으로 깊어져 신호전하의 전송방향이 결정된다. 따라서 신호전하는 전위 우물이 깊어지는 방향(상기 정상화면에서의 반대방향)으로 이동하여 거울화면이 실현된다.

또한 거울화면을 위한 신호전하의 출력을 할시 클럭단자 φH1과 φH2에 인가되는 전압과 클럭펄스의 모양은 정상화면 출력시와 동일하며, 단지 제2게이트전극(42)에 전압 인가여부만이 다른 것이다.

한편 거울화면을 출력하는 동안 제1채널로부터 제2채널로 신호전하가 모두 이동하면 제2제이트전극(42)에 인가된 전압은 차단되고 이후 정상화면을 위한 제1채널로 신호전하가 전송하게 된다.

제5도는 본 발명의 다른 실시예로써 상기 제1게이트전극들의 패턴을 변형하여 준 것이다. 제4도의(나)와 참조번호가 동일한 제5도의 참조번호는 동일부분을 나타낸다. 상기 제5도에서 보여지듯이 제1게이트전극의 패턴을 변형시켜 줌으로써, 제1채널로부터 제2채널로의 신호전하 이동이 보다 효율적으로 이루어질 수 있다.

이상의 실시예를 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 종래기술에서 단일 수평 채널을 이용하여 정상화면 및 거울화면을 위한 신호전하를 출력할 때 외부에서 각기 다른 클럭펄스를 공급해주어야 하던 것을 기존의 클럭을 사용하고 간단한 제2게이트를 적용함으로써, 시스템을 매우 단순화시켰을 뿐만아니라, 클럭수를 증가시키지 않기 때문에 클럭편차의 증가에 따른 신호전하의 전송효율의 저하를 방지할 수 있다.

Claims (9)

1. 수광부분에서 축적된 신호전하를 전하결합소자를 통하여 출력회로부에서 취출하는 고체 촬상장치에 있어서, 상기 전하결합소자는 각각 독립된 출력회로부에 연결되며 그 위에 복수의 제1게이트전극이 형성된 반도체기판내에, 수평으로 된 2개의 제1, 제2채널과, 상기 제1, 제2채널 중 상기 신호전하가 그 인가되는 전압상태에 따라 두 채널의 어느 하나에 선택되어지도록 하는 제2게이트전극과, 상기 제1, 제2채널에서 상기 신호전하가 그 전송방향이 서로 반대가 되도록 하는 상기 제1게이트전극 아래로 선택적으로 이동할수 있도록 부분적으로 형성된 복수의 채널스토퍼를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1채널, 제2채널은 상기 반도체기판의 표면으로부터 일정 깊이에 형성된 매몰형 채널인 것임을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1채널과 제 2 채널에서의 신호전하의 전송은 2상 클럭펄스 동작에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 제1채널과 제2채널에서의 신호전하의 전송을 위해 클럭에 인가되는 전압과 클럭펄스의 파형이 동일한 것임을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
5. 제3항에 있어서, 상기 신호전하의 전송방향을 결정해주기 위하여 상기 제1게이트전극 하나 건너 게이트절연층의 두께를 변화시켜 주는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
6. 제3항에 있어서, 상기 신호전하의 전송방향을 결정해주기 위하여 상기 제1게이트전극 하나 건너 상기 반도체기판의 표면 불순물농도를 변화시켜 주는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 채널스토퍼는 P형 불순물을 이온주입하여 형성시켜 주는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
8. 반도체기판상에 절연층을 개재하여 복수의 제1게이트전극이 병렬로 형성되어 있는 전하결합소자에 있어서, 상기 제1게이트전극들의 중간부분을 가로지르며 반도체기판과 상기 제1게이트전극 사이에서 절연되어 형성된 제2게이트전극과, 상기 제2게이트전극의 하부 반도체기판내에 일정한 간격을 두고 형성된 복수의 채널스토퍼를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전하결합소자.
9. 반도체기판상에 절연층을 개재하여 복수의 제1게이트전극이 병렬로 형성되어 있는 전하결합소자의 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판내에 일정한 간격을 두고 이온주입하여 채널스토퍼를 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 절연층을 개재하여 상기 채널스토퍼상에 제2게이트전극을 형성하는 공정과, 절연층을 개재하여 상기 제2게이트전극상을 가로지르도록 복수의 제1게이트전극을 병렬로 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전하결합소자의 제조방법.