Claims (6)
소자분리 절연막과 일련의 워드라인 및 소오스전극이 형성되어 있는 반도체기판상에 제1절연박을 형성하는 공정과, 상기 소오스전극상의 제1절연막을 제거하여 소오스전극을 노출시키는 전하보존전극 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 전하보존전극 콘택홀을 통하여 상기 소오스전극과 접촉되는 제1도전층을 형성하는공정과, 상기 제1도전층상에 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막의 일측을 노출시키는 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴에의해 노출되어 있는 제2절연막에서 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막 패턴을 제거하고상기 구조의 전표면에 제2도전층을 도포하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제4절연막을 도포하는 공정과, 상기 제4절연막상에 상기 제3절연막상의 상측 일부와 전하보존전극을 예정되지 않은 부분을 노출시키는 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴에 의해 노출되어 있는 제4절연막에서 제1도전층까지 순차적으로 제거하고, 상기 제3절연막상의 제2도 전층을 제거하여 전하보존전극 콘택홀을 메우는 제1도전층 패턴과 상측 일부의 제3절연막을 노출시키는 제2도전층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막 패턴을 제거하고 상기 제1도전층 패턴에서 제4절연막 패턴까지의 측벽에 도전 스페이서를 형성하여 상기 제1및 제2도전층 패턴을 연결하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하보존전극 제조방법.Forming a first insulating foil on a semiconductor substrate having a device isolation insulating film, a series of word lines and a source electrode; and a charge storage electrode contact hole exposing the source electrode by removing the first insulating layer on the source electrode. Forming a layer, forming a first conductive layer in contact with the source electrode through the charge storage electrode contact hole, forming a second insulating layer on the first conductive layer, and one side of the second insulating layer Forming a first photoresist pattern that exposes the first photoresist layer; forming a third insulation layer from the second insulation layer exposed by the first photoresist layer pattern; and removing the first photoresist layer pattern to the entire surface of the structure. Applying a second conductive layer; applying a fourth insulating film to the entire surface of the structure; Forming a second photoresist pattern that exposes the portion of the second photoresist layer, and sequentially removing the fourth insulating film exposed by the second photoresist film pattern from the fourth insulating film to the first conductive layer, and removing the second conductive layer on the third insulating film. Forming a first conductive layer pattern filling the charge storage electrode contact hole and a second conductive layer pattern exposing a portion of the third insulating layer on the upper side thereof, and removing the second photoresist layer pattern and removing the second conductive layer pattern from the first conductive layer pattern. And forming a conductive spacer on sidewalls up to a fourth insulating film pattern to connect the first and second conductive layer patterns.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층과 도전 스페이서를 폴리실리콘층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하보존전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the first and second conductive layers and the conductive spacer are formed of a polysilicon layer.
제1항에 있어서, 상기 제1절연막의 상측과 제1도전층의사이에 식각장벽층을 개재하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하보존전극 제조방법.The method of claim 1, wherein an etching barrier layer is interposed between the upper side of the first insulating layer and the first conductive layer.
제3항에 있어서, 상기 제1절연막과 식가장벽층을 각각 BPSG와 TEOS로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하보존전극 제조방법.The method of claim 3, wherein the first insulating layer and the food barrier layer are formed of BPSG and TEOS, respectively.
제1항에 있어서, 상기 제3절연막이 저압증착방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하보존전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the third insulating layer is formed by a low pressure deposition method.
제1항에 있어서, 상기 제4절연막을 유동성이 우수한 O3로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하보존전극 제조방법.The method of claim 1, wherein the fourth insulating layer is formed of O 3 having excellent fluidity.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.