KR950015072B1 - Crt voltage characteristics testing device - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 종래의 SE시험장치의 구성을 보이는 회로도.1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional SE test apparatus.
제2도는 본 발명에 의한 내전압 특성 시험장치의 한 실시예를 보이는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing an embodiment of the withstand voltage characteristic test apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 스위칭 수단(switching means) 2 : 전원공급수단(power supply)1: switching means 2: power supply
3 : 측정수단(meterting means) 4 : 보호수단(protecting means)3: metering means 4: protecting means
CTR : 제어수단(control means)CTR: control means
본 발명은 브라운관 제조에 관한 것으로, 더 상세히는 그 내전압(耐電壓)특성을 시험하는 방법과 이 방법을 이용한 시험장치에 관한 것이다.The present invention relates to the manufacture of CRT, and more particularly, to a method for testing its withstand voltage characteristics and a test apparatus using the method.
브라운관에는 수십 KV의 고전압이 인가되므로 일반적인 전압상태에서는 나타나지 않는 고전압 현상, 예를들어 누설(leakage)이나 방전(spark), 이상발광(glow)등이 발생된다. 특히 전자총 어셈블리(電子銃 assembly)를 구성하는 단위전극간의 간격이 1, 2mm로 매우 근접하므로 단위전극간의 절연이 불충분한 경우 뿐 아니라 먼지등의 이물이나 탈락된 전자방출물질 또는 형광체등의 오염은 여러가지 문제를 야기하게된다.특히 R, G, B전극이 병렬로 배열된 복잡한 구성의 칼라브라운관에 있어서 내전압 특성인 그 품위의 유지에 매우 중요한 관리항목이다.Since a high voltage of several tens of KV is applied to the CRT, a high voltage phenomenon, such as leakage, spark, glow, or the like, which does not appear in a general voltage state, is generated. In particular, the distance between the unit electrodes constituting the electron gun assembly is very close to 1 or 2 mm, so that the insulation between the unit electrodes is insufficient, and contamination of foreign substances such as dust, dropped electron-emitting materials or phosphors, etc. In particular, it is a very important management item for maintaining the quality, which is the characteristic of withstand voltage, in the color-brown tube of a complicated configuration in which the R, G, and B electrodes are arranged in parallel.
이와같은 고압현상으로는 캐소드(cathode)이외의 부분에서 전자가 방출되어 이상 발광하는 스트레이 에미션(Stray Emission ; SE)과, 전극간에서 이상 발광하는 그리드 에미션(Grid Emission ; GE), 그리고 고전압에 의해 브라운관내의 잔류기체가 이온화되어 발광하는 필드 에미션(Field Emission ; FE)등과 네트(neck)부위의 이상발광(Neck GLow ; NG) 그리고 전극간의 누설(Grid Leakage ; GL)등이 있다.Such high pressure phenomena include stray emission (SE) that emits electrons and emits light abnormally outside of the cathode, grid emission (GE) that emits light abnormally between electrodes, and high voltage. Field emission (FE), etc., in which residual gas in the tube is ionized and emits light, neck emission (Neck GLow; NG), and leakage between electrodes (Grid Leakage (GL)).
종래에는 예를들어 제1도에 도시된 바와같은 회로도 SE특성을 검사하였다. 이 회로는 여타 전극들을 접지(grounding)시킨 상태로 G3전압(EC3)과 아노드(anode) 전압(Eb)을 조정함으로써 브라운관에 발광이 발생되는 전압을 미터(meter ; M)로 측정하여 SE전압으로 파악하는 구성이다.In the prior art, for example, the circuit diagram SE shown in FIG. This circuit adjusts the G3 voltage (EC3) and the anode voltage (Eb) while grounding the other electrodes to measure the voltage at which the light emission occurs in the CRT with a meter (M; M). It is a configuration to grasp.
이와같은 SE검사회로는 고압에 대한 보호가 전혀 이루어지지 않아 회로 파손이 잦을뿐 아니라 명칭 그대로 SE검사만을 행할뿐 다른 고압현상, 예를들어 GE나 FE등은 전혀 검사할 수 없음이 당연하다. 종래의 검사회로가 SE등 단일 특성밖에 검사할 수 없는 이유는 다른 고압현상의 특성검사를 행하고자 하는 경우 인가전압과 접속전극이 다르기 때문이다. 이에따라 종래에는 SE검사회로만을 정특성시험장치의 일부로서 구성하여 브라운관의 양, 불량만을 시험하였으며 정밀분석은 전혀 불가능했다. 그러므로 내압특성불량은 판단할 수 있으나 그 원인은 파악할 수 없어서, 필요한 경우 브라운관의 진공을 파괴하여 현미경등으로 미세 관찰하는 수밖에 없었다. 이와같이 내전압특성 불량의 근본적 원인을 판단할 수 없기 때문에 결과적으로 출하되는 브라운관의 품위에 대한 신뢰성을 보장할 수 없는 문제점이 야기된다.Such SE test circuits are not protected against high pressure at all, and circuit breakage is not only frequent, but also SE test is performed as the name suggests, and other high pressure phenomena, for example, GE or FE cannot be inspected at all. The reason why the conventional inspection circuit can inspect only a single characteristic such as SE is because the applied voltage and the connecting electrode are different when a different high voltage phenomenon is to be tested. Accordingly, conventionally, only the SE inspection circuit was configured as part of the static characteristic test apparatus, and only the quantity and defect of the CRT were tested, and the precise analysis was not possible at all. Therefore, the pressure resistance characteristic defect can be determined, but the cause can not be determined, and if necessary, the vacuum of the CRT was destroyed and the microscopic observation was inevitable. As such, the root cause of the breakdown voltage characteristic cannot be determined, resulting in a problem in that the reliability of the quality of the CRT that is shipped can not be guaranteed.
본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 감안하여 복수 항목의 내전압특성을 시험할 수 있는 시험방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a test method capable of testing a plurality of items of withstand voltage characteristics in view of such a conventional problem.
본 발명은 또한 이와같은 시험 방법을 구현한 내전압 특성 시험장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a withstand voltage characteristic test apparatus implementing such a test method.
상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 내전압 특성 시험방법은 복수의 내전압 특성항목의 시험을 위한 복수의 공급전압을 선택적으로 스위칭(switching)함으로써 복수의 내전압특성 항목을 순차적으로 시험하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the withstand voltage characteristic test method according to the present invention is characterized by sequentially testing a plurality of withstand voltage characteristic items by selectively switching a plurality of supply voltages for testing a plurality of withstand voltage characteristic items. do.
이와같은 방법을 구현하는 본 발명의 내전압 특성 시험장치는 시험될 브라운관의 각 전극에 소요 공급 전압을 공급하는 복수의 전원을 포함하는 전원 공급수단과, 이 전원공급수단의 각 전원을 각 전극에 선택적으로 접속시키는 스위칭 수단과, 이 스위칭수단의 선택적 접속을 제어하는 제어 수단과, 전원공급수단의 전원이 선택적으로 인가되었을때 공급전압과 브라운관의 각 전극의 전압 및/또는 전류의 변화를 측정하는 측정수단이 구비되는 것을 특징으로 한다.The withstand voltage characteristic test apparatus of the present invention for implementing such a method includes a power supply means including a plurality of power supplies for supplying a required supply voltage to each electrode of a CRT to be tested, and each power supply of the power supply means is selectively selected to each electrode. Measurement means for measuring a change in the supply voltage and the voltage and / or current of each electrode of the CRT when the switching means connected to the circuit board, the control means for controlling the selective connection of the switching means, and the power supply of the power supply means is selectively applied. Means are provided.
본 발명의 한 바람직한 특징에 의하면 브라운관의 저전압측전극과 스위칭수단간에는 과도한 인가시 이를 바이패스(by-pass)시키는 보호수단이 구비된다.According to one preferred feature of the present invention, there is provided a protection means between the low voltage side electrode of the CRT and the switching means when it is excessively applied.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명 장치의 한 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 방법의 상세한 다른 특징들도 이하의 장치설명으로 명확히 이해될 수 있을 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the device of the present invention. Other detailed features of the method of the present invention will be clearly understood from the following device description.
제2도에서, 브라운관에는 아노드(A2)와 G1 내지 G3전극(G1∼G3), 캐소드(K) 및 히이터(heater ; H)가 구비된다. G4 전극은 별도로 도시되지 않았으나 G4전극은 아노드(A2)와 내부도전막(內部道電膜)을 통해 접속되므로 아노드(A2)와 등전위(equi-potential)가 된다. 각 전극(A2,G1∼G3,K,H)에는 스위칭수단(1)인 복수의 스위치(SW1∼SW6)를 통해 전원공급수단(2)의 해당전원(Ef,Ek,EC2,EC3,Eb)이 선택적으로 접속된다. 즉 Ef는 히이터 전압, Ek는 캐소드 컷오트(cut-off)전압, EC2와 EC3는 각각 G2 및 G3전압이고 Eb는 아노드 전압이며, G2 및 G3전압(G2,G3)과 아노드전압(Eb)은 각각 가변전압으로 구성된다.In FIG. 2, the cathode ray tube is provided with an anode A2, G1 to G3 electrodes G1 to G3, a cathode K and a heater H. Although the G4 electrode is not separately illustrated, the G4 electrode is connected to the anode A2 through the internal conductive film, and thus becomes an equipotential with the anode A2. Each electrode A2, G1 to G3, K, H has a corresponding power supply Ef, Ek, EC2, EC3, Eb of the power supply means 2 through a plurality of switches SW1 to SW6 that are switching means 1. Is selectively connected. Ef is the heater voltage, Ek is the cathode cut-off voltage, EC2 and EC3 are G2 and G3 voltages, Eb is the anode voltage, and G2 and G3 voltages (G2, G3) and anode voltage (Eb Are each composed of variable voltages.
한편 스위칭수단(1)이 각 스위치(SW1∼SW6)는 제어수단(CTR)에 의해 제어되는데, 바람직하기로 제어수단(CTR)은 PLC(Programmable Logic Controller) 또는 마이크로 프로세서로 구성되어 후술하는 <표 1>과 같이 각 스위치(SW1∼SW6)를 제어하게 된다.In the meantime, each switch SW1 to SW6 of the switching means 1 is controlled by the control means CTR. Preferably, the control means CTR is constituted by a programmable logic controller (PLC) or a microprocessor. As shown in Fig. 1, the respective switches SW1 to SW6 are controlled.
제2스위치(SW2)와 제4 내지 제6스위치(SW4∼SW6)에는 공급전압 및/또는 측정전류를 측정하는 측정수단(3)의 미터(P1∼P4)들이 접속되어 있다. 바람직하기로 각 미터(P1∼P4)는 DPM(Digital Panel Meter)으로 구성된다.The meters P1 to P4 of the measuring means 3 for measuring the supply voltage and / or the measurement current are connected to the second switch SW2 and the fourth to sixth switches SW4 to SW6. Preferably each meter (P1 ~ P4) is composed of a digital panel meter (DPM).
한편 브라운관의 저전압측과 전원간에는 고전압인가에 대한 보호수단(4)들로서 스파크 캡(spark gap ; SG1∼SG3)들이 접속되어 있다. 이 스파크 갭(SG1∼SG3)들은 전극들간의 고전압 누설에 의해 인가되는 고전압을 스파크 방전에 의해 접지측으로 바이패스시킴으로써 시험장치를 보호하게 된다. 나머지 저항(R1∼R5)은 스파크갭(SG1∼SG3)의 바이패스를 보조하는 보호저항 또는 부하저항들이다.On the other hand, spark caps SG1 to SG3 are connected between the low voltage side of the CRT and the power supply as protection means 4 against high voltage application. These spark gaps SG1 to SG3 protect the test apparatus by bypassing the high voltage applied by the high voltage leakage between the electrodes to the ground side by the spark discharge. The remaining resistors R1 to R5 are protection resistors or load resistors to assist the bypass of the spark gaps SG1 to SG3.
이와같이 구성된 본 발명의 시험장치의 작동은 예를들어 다음 <표 1>과 같다.Operation of the test apparatus of the present invention configured as described above is shown in Table 1, for example.
[표 1]TABLE 1
제어수단(CTR)은 상술한 <표 1>과 같이 접속되도록 스위칭 수단(1)의 각 스위치(SW1∼SW6)를 제어하는 작동을 행함으로써 각 검사항목을 순차적으로 감사하도록 한다. 즉, 별도로 도시하지는 않았으나 <표 1>의 각 행에 해당하는 검사 모드(mode) 선택 스위치를 예를들어 6개 설치하여 검사적압자가 한 모드 선택스위치를 선택하면 제어수단(CTR)은 그 행에 해당하는 스위치(SW1∼SW6)의 접속을 행하는 것이다.The control means CTR performs the operation of controlling each switch SW1 to SW6 of the switching means 1 so as to be connected as shown in Table 1 above, so that each inspection item is sequentially audited. That is, although not shown separately, if six test mode selection switches corresponding to each row of <Table 1> are installed, for example, and the test instructor selects one mode selection switch, the control means CTR performs the row. The switches SW1 to SW6 corresponding to each other are connected.
<표 1>의 제1행과 제5행의 G2 SE검사와 FE검사항목의 검사를 예를들어 이러한 본 발명 장치의 작동을 설명하기로 한다. 여기서 SE검사시에는 네크 발광(NG)과 전극누설(GL)을 함께 파악할 수 있다.The operation of the apparatus of the present invention will be described by taking the inspection of the G2 SE inspection and the FE inspection items in the first and fifth rows of Table 1 as an example. In the SE test, the neck light emission NG and the electrode leakage GL may be detected together.
먼저 G2전극(G2)의 SE검사를 선택하면 스위치(SW1∼SW6)는 <표 1>의 제1행과 같이 접속되는데 이에 따라 히이터(H)와 캐소드(K), 그리고 G1과 G2전극(G1,G2)은 접지되어 "0"전위가 인가된다. 이때 아노드 전압(Eb)을 최대정격전압으로 고정해두고 G3전압(EC3)을 0V로부터 서서히 증가시켜 화면상에 발광이 발생되기 시작할때의 G3전압(EC3)을 미터(P2)에서 측정하면 이 전압이 G3전극(G3)의 SE발생전압이 된다. 이때 네크발광(NG)과 전극누설(GL)은 이와 동시에 또는 별도로 시감검사에의해 파악될 수 있다.First, when SE inspection of the G2 electrode G2 is selected, the switches SW1 to SW6 are connected as shown in the first row of Table 1, whereby the heater H and the cathode K, and the G1 and G2 electrodes G1 are connected. , G2) is grounded and a "0" potential is applied. At this time, the anode voltage (Eb) is fixed at the maximum rated voltage and the G3 voltage (EC3) is gradually increased from 0 V. When the G3 voltage (EC3) at the start of light emission on the screen is measured by the meter (P2), The voltage becomes the SE generation voltage of the G3 electrode G3. In this case, the neck light emission NG and the electrode leakage GL may be identified by visual inspection at the same time or separately.
한편 G2전극(G2)의 FE검사 모드를 선택하는 경우 스위치(SW1∼SW6)는 <표 1>의 제5행과 접속된다. 즉 히이터(H)는 접지되고, 캐소드(K)와 G1 및 G2전극(G1,G2)은 제1미터(P)에 대해 공통으로 접지된다. 이때 아노드전극(Eb)은 최대 정격전압으로 고정해두고 G3전압(EC3)을 서서히 증가시키며 제1미터(P1)의 전류증가를 관찰한다. 이때 제1미터(P1)에 측정되는 전류치 가소정의 규정치보다 커지는 순간의 G3전압(EC3)을 G2전극(G2)의 FE발생전압으로 한다.On the other hand, when the FE inspection mode of the G2 electrode G2 is selected, the switches SW1 to SW6 are connected to the fifth row of <Table 1>. That is, the heater H is grounded, and the cathode K and the G1 and G2 electrodes G1 and G2 are commonly grounded with respect to the first meter P. At this time, the anode (Eb) is fixed to the maximum rated voltage and gradually increases the voltage G3 (EC3) to observe the increase of the current of the first meter (P1). At this time, the G3 voltage EC3 at the instant when the current value measured by the first meter P1 becomes larger than the prescribed value is defined as the FE generation voltage of the G2 electrode G2.
이상의 설명과 같이 본 발명에 의하면 종래 불가능했던 내전압 특성의 시험을 각 검사항목에 대해 정성적(定性的)으로 뿐 아니라 정량적(定量的)으로 신속정확하게 파악할 수 있게 된다. 이에따라 브라운관의 진공을 파괴하지 않고도 내전압특성 불량의 원인을 근본적으로 파악할 수 있게 되어 적절한 대응 조치를 취할 수 있게 된다. 이와같이 본 발명은 브라운관, 특히 칼랍브라운관의 품위향상에 큰 효과가 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to quickly and accurately grasp not only qualitatively but also quantitatively the test of the withstand voltage characteristic which has not been possible in the past. Accordingly, it is possible to fundamentally grasp the cause of the withstand voltage characteristic without destroying the vacuum of the CRT and to take appropriate countermeasures. As such, the present invention has a great effect on improving the quality of the CRT, in particular, the Claw-Crown tube.
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