Claims (6)
데이타 출력 버퍼에 있어서, 제 1 전압과 제 1 노드 사이에 접속하며 제어 단자가 입력데이타 신호에 접속하는 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속하며 제어 단자가 인에이블 신호에 접속하는 제 2 트랜지스터와, 상기 제 2 노드와 제 2 전압 사이에 접속하며 제어 단자가 상기 입력데이타에 접속하는 제 3 트랜지스터와, 제 3 전압과 출력 노드 사이에 접속하며 제어 단자가 상기 제 1 노드에 접속하는 제 4 트랜지스터와, 상기 출력 노드와 제 4 전압 사이에 위치하며 제어 단자가 상기 제 2 노드에 접속하는 제 5 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 버퍼.A data output buffer, comprising: a first transistor connected between a first voltage and a first node, a control terminal connected to an input data signal, and connected between the first node and a second node, the control terminal being connected to an enable signal. A second transistor to be connected, a third transistor connected between the second node and a second voltage, and a control terminal connected to the input data, and a third voltage and an output node connected to each other, and a control terminal connected to the first node. And a fourth transistor coupled to the output node and a fifth transistor positioned between the output node and a fourth voltage and having a control terminal connected to the second node.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 4 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이며, 상기 제2, 제3 및 제 5 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터임을 특징으로 하는 데이타 출력 버퍼.2. The data output buffer of claim 1 wherein the first and fourth transistors are PMOS transistors and the second, third and fifth transistors are NMOS transistors.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 3 전압은 전원전압이며, 상기 제2 및 제 4 전압은 접지전압임을 특징으로 하는 데이타 출력 버퍼.The data output buffer of claim 1, wherein the first and third voltages are power supply voltages, and the second and fourth voltages are ground voltages.
데이타 출력 버퍼에 있어서, 제 1 전압과 제 1 노드 사이에 접속하며 제어 단자가 입력데이타 신호 및 인에이블 신호에 각각 접속하는 제 1 트랜지스터 쌍과, 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속하며 제어 단자가 각각 상기 인에이블 신호에 접속하는 제 2 트랜지스터쌍과, 상기 제 2 노드와 제 2 전압 사이에 접속하며 제어 단자가 각각 상기 입력데이타 및 상기 인에이블 신호에 접속하는 제 3 트랜지스터와, 제 3 전압과 출력 노드 사이에 접속하며 제어 단자가 상기 제 1 노드에 접속하는 제 4 트랜지스터와, 상기 출력 노드와 제 4 전압 사이에 위치하며 제어 단자가 상기 제 2 노드에 접속하는 제 5 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 버퍼.A data output buffer comprising: a first pair of transistors connected between a first voltage and a first node and a control terminal connected to an input data signal and an enable signal, respectively, and connected between the first node and a second node for control; A second transistor pair whose terminals are respectively connected to the enable signal, a third transistor which is connected between the second node and the second voltage and a control terminal is connected to the input data and the enable signal, respectively, and a third And a fourth transistor connected between the voltage and the output node and having a control terminal connected to the first node, and a fifth transistor positioned between the output node and the fourth voltage and having a control terminal connected to the second node. And a data output buffer.
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터 쌍은 PMOS 트랜지스터로 구성되며, 상기 제 2 트랜지스터쌍은 NMOS 및 PMOS 트랜지스터로 구성되며, 제 3 트랜지스터 쌍은 NMOS 트랜지스터로 구성되며, 상기 제 4 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이며, 상기 제 5 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.5. The method of claim 4, wherein the first pair of transistors consists of PMOS transistors, the second pair of transistors consists of NMOS and PMOS transistors, the third pair of transistors consists of NMOS transistors, and the fourth transistor comprises PMOS transistors. And the fifth transistor is an NMOS transistor.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 3 전압은 전원전압이며, 상기 제 2 및 제 4 전압은 접지전압임을 특징으로 하는 데이타 출력 버퍼.The data output buffer of claim 1, wherein the first and third voltages are power supply voltages, and the second and fourth voltages are ground voltages.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.