KR940008318B1 - Wafer transfer equipment - Google Patents

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현대전자산업 주식회사
정몽헌
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Abstract

The wafer transfer is for executing a wafer transferring and for controlling an occurrence of an alien substance is disclosed including a vacuum chamber, a stepping motor, a bearing plate, a linear motor composed of driving part, an arm and a wafer chuck; leading or accommodating a wafer in respective chamber; having a construction of the respective chamber confronted with the wafer chuck turned and transferred by a regular angle; and controlling each transfer stroke exactly so as to get an effective wafer transfer and a wafer quality improvement.

Description

웨이퍼 이송장치Wafer Transfer Device

제1도는 일반적인 전자공명 식각장비의 구성도.1 is a block diagram of a general electron resonance etching equipment.

제2도는 본발명의 평면도.2 is a plan view of the present invention.

제3도는 제2도의 측단면도.3 is a side cross-sectional view of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

3, 6 및 8 : 제1, 제2카셋트 챔버 및 공정챔버3, 6, and 8: first and second cassette chambers and process chambers

10 : 웨이퍼 이송장치 20 : 웨이퍼 이송부10: wafer transfer device 20: wafer transfer unit

21 : 스텝핑 모우터 26 : 아암(Arm)21: stepping motor 26: arm

27 : 웨이퍼 척 30 : 리니어 모우터27: wafer chuck 30: linear motor

본발명은 웨이퍼 이송장치(Wafer Transfer)에 관한 것으로서, 특히 리니어 모우터(Linear Motor)와 스텝핑 모우터(Stepping Motor)를 이용하여 웨이퍼의 이송실행 및 이물질 발생을 억제할 수 있도록 구성한 웨이퍼 이송장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer device, and more particularly, to a wafer transfer device configured to suppress wafer transfer and foreign matter generation using a linear motor and a stepping motor. It is about.

웨이퍼 제조공정시, 여러 가지의 공정단계(에칭, 침착, 증착등)를 거치는 과정에서 웨이퍼를 각 공정실행 위치로 이송시켜야 한다.In the wafer fabrication process, the wafer must be transferred to each process execution location during various process steps (etching, deposition, deposition, etc.).

웨이퍼의 이송과정에서 최우선적으로 요구되는 사항은 웨이퍼의 충격, 이물질, 응력, 흠집발생 억제이며, 따라서 이와 같은 점을 고려하여 웨이퍼 이송장치를 설계하여야 한다.The most important requirement in the wafer transfer process is to suppress the impact, foreign matter, stress and scratches of the wafer.

기존의 웨이퍼 이송장치로서는 대기에서 작동하는 개구리 발식(Frog Leg Mechanism)과 타이밍 벨트 방식(Timing Belt Mechanism)을 이용하고 있으나, 이와 같은 매카니즘에서는 웨이퍼의 요구조건인 초진공 및 이물질 발생측면에서 볼때 많은 기구요소로 이루어져 그 자체가 이물질 발생요인으로 작용하게 된다.Conventional wafer transfer devices use the frog leg mechanism and timing belt mechanism that operate in the atmosphere. However, in such a mechanism, many mechanisms are considered in terms of ultra-vacuum and foreign matter generation, which are requirements of wafers. It is composed of elements, which itself acts as a foreign substance generating factor.

본발명은 웨이퍼의 이송과정에서 요구되는 각 조건을 충족시키기 위하여 이송로를 진공상태로 유지하며, 이송수단으로는 리니어 모우터 및 스텝핑 모우터를 이용한 웨이퍼 이송장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to provide a wafer transfer apparatus using a linear motor and a stepping motor to maintain the transfer path in a vacuum state in order to meet each condition required during the transfer process of the wafer.

본발명의 구성 및 원리를 웨이퍼를 이송시키기 위한 모든 공정에 적용할 수 있으나, 본 명세서에서는 전자공명(ECR : Electron Cyclotron Resonance) 식각장비의 반응챔버(Process Chamber)내로 웨이퍼를 이송시키는 장치를 예를 들어 설명한다.Although the configuration and principle of the present invention can be applied to all processes for transferring wafers, the present specification provides an example of an apparatus for transferring wafers into a process chamber of an Electron Cyclotron Resonance (ECR) etching apparatus. Listen and explain.

반도체의 웨이퍼(Wafer) 제조공정에서, 웨이퍼 표면을 식각하는 전자공명을 이송한 식각장비는 전자공명에 의하여 발생된 가스의 플라즈마를 웨이퍼 표면에 공급하게 되며, 이 플라즈마가 웨이퍼 표면을 식각하게 된다.In a wafer manufacturing process of a semiconductor, an etching apparatus that transfers an electron resonance for etching a wafer surface supplies a plasma of a gas generated by the electron resonance to the wafer surface, and the plasma etches the wafer surface.

전자공명 식각장비의 구성 및 기능을 간단히 설명하면, 제1도는 일반적인 원통형 전자공명 식각장비의 개략적인 구성도로서, 소정 HZ의 마이크로파를 발생하는 마그네트론과 같은 마이크로파 발생기(4)는 마이크로파를 발생하여, 각형 도파관(7)을 통하여 원통형 공진기(1)의 상부의 마이크로파 도입용 윈도우(9)를 향하여 전도된다. 이때 상기 각형 도파판(7)과 마이크로파 발생기(4) 사이에는 튜너(5)가 설치되어, 여기에서 마이크로파를 TE10 모드로 전도시켜, 이를 마이크로파 도입용 윈도우(9)를 통해 원통형 공진기(1)내로 공급한다. 따라서, 상기 공진기(1)내에 주입된 소정가스를, 상기 마이크로파 도입용 윈도우(9)를 통하여 도입된 마이크로파에 의해 여기시켜서 플라즈마를 생성케 한다.Briefly explaining the configuration and function of the electron resonance etching equipment, Figure 1 is a schematic configuration diagram of a general cylindrical electron resonance etching equipment, the microwave generator 4, such as a magnetron for generating a microwave of a predetermined HZ generates a microwave, It is conducted through the rectangular waveguide 7 toward the microwave introduction window 9 on the upper portion of the cylindrical resonator 1. At this time, a tuner 5 is installed between the rectangular waveguide 7 and the microwave generator 4, in which the microwave is conducted in the TE10 mode, and into the cylindrical resonator 1 through the microwave introduction window 9. Supply. Therefore, the predetermined gas injected into the resonator 1 is excited by the microwaves introduced through the microwave introduction window 9 to generate plasma.

한편, 플라즈마를 생성하는 원통형 공진기(1) 주위에는 다수의 전자코일(2)이 배치되고 도입된 마이크로파의 전자사이클로트론 공명에 의해 생긴 가스의 플라즈마는, 작업대상인 웨이퍼가 안착되는 반응챔버(8)내로 공급된다. 플라즈마화 된 가스는 웨이퍼 이송장치(도시되지 않음)에 의하여 공정챔버(8)내에 수용된 웨이퍼를 효과적으로 처리하여 플라즈마 에칭(Etching)이나 플라즈마 침착공정으로 수행하게 된다.On the other hand, a plurality of electromagnetic coils 2 are arranged around the cylindrical resonator 1 generating plasma, and plasma of the gas generated by the electromagnetic cyclotron resonance of the microwaves is introduced into the reaction chamber 8 in which the wafer to be worked is placed. Supplied. Plasmaized gas is effectively processed by a wafer contained in the process chamber 8 by a wafer transfer device (not shown) to be performed by plasma etching or plasma deposition.

제2도는 제1도에 도시된 공정챔버 및 공정챔버내로 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 이송장치의 평면구성을 도시한다.FIG. 2 shows a planar configuration of the process chamber shown in FIG. 1 and the wafer transfer apparatus for transferring wafers into the process chamber.

본발명인 웨이퍼 이송장치(10)는 웨이퍼의 플리즈마 침착(또는 에칭)공정이 실시되는 공정챔버(8, Processor Chamber)와 침착(또는 에칭)을 실시하고자 하는 웨이퍼의 카셋트가 안착되어 있는 제1카셋트챔버(3, Cassette Chamber) 및 침착(또는 에칭)이 완료된 웨이퍼를 저장하는 웨이퍼 카셋트가 안착되어 있는 제2카셋트 챔버(6)의 중앙부위에 설치된다. 본 발명의 구성부인 웨이퍼 이송부(20)는 이송되는 웨이퍼의 외부노출을 방지(이물질에의 오염방지)를 위하여 역시 진공챔버(100)내에 설치한다.The wafer transfer apparatus 10 according to the present invention includes a processor chamber 8 in which a plasma deposition (or etching) process of a wafer is performed, and a first cassette in which a cassette of a wafer to be deposited (or etching) is mounted. The cassette 3 which stores the chamber 3 and the wafer cassette in which deposition (or etching) has been completed is installed at the center of the second cassette chamber 6 in which it is seated. The wafer transfer unit 20, which is a component of the present invention, is also installed in the vacuum chamber 100 to prevent external exposure of the wafer to be transferred (contamination to foreign matter).

제3도는 제2도의 측단면도로서, 본 발명인 웨이퍼 이송장치(10)의 웨이퍼 이송부(20)가 밀폐된 진공챔버(100)내에 설치된 것을 도시한다.3 is a side cross-sectional view of FIG. 2, showing that the wafer transfer section 20 of the wafer transfer apparatus 10 of the present invention is installed in a sealed vacuum chamber 100. As shown in FIG.

본발명의 구성을 제2도 및 제3도를 통하여 설명한다.The configuration of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

웨이퍼 이송부(20)가 설치된 진공챔버(100)는 공정챔버(8) 및 각 카셋트 챔버(3 및 6)와 각각의 연결부(8A, 3A 및 6A)를 통하여 서로 연통되며, 각 연결부(8A, 3A 및 6A)의 폭은 웨이퍼가 이송될 수 있는 폭으로 구성된다.The vacuum chamber 100 in which the wafer transfer unit 20 is installed is in communication with the process chamber 8 and the cassette chambers 3 and 6 through the respective connecting portions 8A, 3A, and 6A, and each connecting portion 8A, 3A. And the width of 6A) is the width at which the wafer can be transferred.

진공챔버(100) 하부에는 스텝핑 모우터(21)가 설치되며, 스텝핑 모우터(21)의 구동축(21A)은 플렉시블커플링(22, Flexible Coupling)에 의하여 회전축(23)과 연결되며, 회전축(23)은 진공챔버(100) 하부 중심부를 관통하여 진공챔버(100)내에 위치한다.A stepping motor 21 is installed below the vacuum chamber 100, the driving shaft 21A of the stepping motor 21 is connected to the rotating shaft 23 by a flexible coupling 22, and the rotating shaft ( 23 is located in the vacuum chamber 100 through the lower center of the vacuum chamber 100.

회전축(23)이 관통하는 진공챔버(100) 저부에는 마그네틱 밀봉부재(24)를 장착하므로서 진공챔버(100) 내부와 외부대기를 차단한다.The magnetic seal member 24 is mounted on the bottom of the vacuum chamber 100 through which the rotating shaft 23 penetrates to block the inside and outside air of the vacuum chamber 100.

진공챔버(100) 내부에 위치하는 회전축(23)의 단부에는 일직선 형태의 지지플레이트(25)의 중심부가 고정되며, 따라서 지지플레이트(25)는 스텝핑 모우터(21)의 작동에 따라 진공챔버(100) 내부에서 회전축(23)을 중심으로 하는 자전이 이루어진다.The central portion of the support plate 25 in a straight line is fixed to the end of the rotation shaft 23 located inside the vacuum chamber 100, so that the support plate 25 is operated by the stepping motor 21 in accordance with the operation of the vacuum chamber ( 100 is rotated about the rotation axis 23 inside.

지지플레이트(25)상에는 리니어 모우터(30)의 안내부(32)가 장착되고, 안내부(32) 표면에는 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 위치하게 된다. 리니어 모우터(30)의 구동부(31)에는 일정길이 아암(26, Arm)의 단부가 고착되어 있으며, 아암(26)의 또다른 단부에는 웨이퍼 척(27)이 고정되어 있다.The guide part 32 of the linear motor 30 is mounted on the support plate 25, and the drive part 31 of the linear motor 30 is positioned on the surface of the guide part 32. An end portion of the arm 26 is fixed to the drive portion 31 of the linear motor 30, and the wafer chuck 27 is fixed to the other end portion of the arm 26.

한편, 전술한 바와 같이 진공챔버(100)와 각 챔버(공정챔버(8), 제1 및 제2카셋트 챔버(3 및 6))를 연통시키는 연결부(8A, 3A 및 6A)는 아암(26)과 수평을 유지하도록 구성하여야만 각 챔버(8, 3 및 6)내로의 웨이퍼 유, 출입이 이루어진다.On the other hand, as described above, the connection portions 8A, 3A, and 6A for communicating the vacuum chamber 100 with each chamber (process chamber 8, first and second cassette chambers 3 and 6) are arm 26. It must be configured so as to be horizontally and horizontally to allow wafer flow into and out of each chamber (8, 3 and 6).

이상과 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작동을 제2도 및 제3도를 통하여 설명하면, 초기상태(아암(26) 선단에 고정된 웨이퍼 척(27)이 제1카셋트 챔버(3)의 연결부(3A)에 위치한 상태로서, 제3도의 "가"위치)에서 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하면, 구동부(31)는 안내부(32)를 따라 이동하게 되며, 따라서 아암(26)과 웨이퍼 척(27)은 연결부(3A)를 통하여 제1카셋트 챔버(3) 내부로 이송된다.Referring to the operation of the present invention having the configuration described above with reference to Figures 2 and 3, the initial state (the wafer chuck 27 fixed to the tip of the arm 26 is connected to the first cassette chamber 3 ( 3A), when the drive part 31 of the linear motor 30 is operated in the "ga" position of FIG. 3, the drive part 31 moves along the guide part 32, and thus the arm ( 26 and the wafer chuck 27 are transferred into the first cassette chamber 3 through the connection portion 3A.

이송과정의 웨이퍼 척(27)은 제1카셋트 챔버(3)내에 수용된 1장의 웨이퍼 저면을 따라 이송되며, 결국 웨이퍼는 웨이퍼 척(27) 표면에 올려지게 되며(웨이퍼가 웨이퍼 척에 얹혀지는 과정은 카셋트의 작동에 의하여 실시됨), 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 역동작을 실시, 최초상태로 복귀한다. (웨이퍼 척(27)이 "가"위치로 복귀)The wafer chuck 27 in the transfer process is transferred along the bottom surface of one wafer accommodated in the first cassette chamber 3, and the wafer is then placed on the surface of the wafer chuck 27 (the process of placing the wafer on the wafer chuck is The drive unit 31 of the linear motor 30 performs the reverse operation and returns to the initial state. (Wafer chuck 27 returns to the "to" position)

이때, 웨이퍼 척(27)의 후단부(아암(26)과의 경계부)상에는 웨이퍼 척(27)을 가로지르는 소정높이의 스토퍼 겸용 조정부재(28)를 고착시켜 올려지는 웨이퍼의 아암(26)쪽으로의 치우침 및 웨이퍼 척(27) 상에서의 위치를 조정한다.At this time, on the rear end of the wafer chuck 27 (boundary with the arm 26), the stopper combine adjustment member 28 having a predetermined height across the wafer chuck 27 is fixed to the arm 26 of the wafer to be raised. And the position on the wafer chuck 27 are adjusted.

스토퍼 겸용 조정부재(28)의 웨이퍼 척(27) 대응면의 형상은 웨이퍼의 외주면 형상과 동일하게 구성함으로서 웨이퍼의 정확한 위치조정이 이루어진다. (제2도의 W(웨이퍼)상태)The shape of the surface corresponding to the wafer chuck 27 of the stopper dual adjustment member 28 is configured to be the same as the shape of the outer circumferential surface of the wafer so that accurate positioning of the wafer is achieved. (W (wafer) state of FIG. 2)

웨이퍼 척(27)상에 1장의 웨이퍼(W)가 올려지면, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하여 아암(26)선단의 웨이퍼 척(31)은 제1카셋트 챔버(3) 외부로 이송되어지며(제2도의 "가"위치), 이후 진공챔버(100)하부에 스텝핑 모우터(21)가 소정시간 구동, 지지플레이트(25)를 회전시킨다. 따라서 아암(26) 선단의 웨이퍼 척(27, 웨이퍼(W)가 올려진 상태)은 공정챔버(8)의 연결부(8A)에 대응된다. (제2도의 "나"위치상태)When one wafer W is placed on the wafer chuck 27, the driving unit 31 of the linear motor 30 is operated so that the wafer chuck 31 at the tip of the arm 26 is moved to the first cassette chamber 3. It is conveyed to the outside (the position of FIG. 2), and then the stepping motor 21 drives the support plate 25 under the vacuum chamber 100 for a predetermined time. Therefore, the wafer chuck 27 (the state where the wafer W is raised) at the tip of the arm 26 corresponds to the connection portion 8A of the process chamber 8. ("I" position status of Figure 2)

이후, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하여 상술한 바와 같은 과정을 실시하게 된다.Thereafter, the driving unit 31 of the linear motor 30 is operated to perform the process as described above.

즉, 아암(26) 선단의 웨이퍼 척(27)은 연결부(8A)를 통하여 공정챔버(8)내로 이송되며, 웨이퍼 척(27) 표면에 얹혀진 웨이퍼(W)는 공정챔버(8) 내부의 소정위치에 놓여지게 된다.That is, the wafer chuck 27 at the tip of the arm 26 is transferred into the process chamber 8 through the connection portion 8A, and the wafer W placed on the surface of the wafer chuck 27 is predetermined within the process chamber 8. Will be placed in position.

이후, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동, 웨이퍼 척(27)은 공정챔버(8) 밖으로 이송되며(제2도의 "나"위치), 설정시간동안 공정챔버(8)내에서 플라즈마에 의한 웨이퍼 식각공정이 이루어진다.Thereafter, the driving unit 31 of the linear motor 30 is operated, and the wafer chuck 27 is transferred out of the process chamber 8 (the “I” position of FIG. 2), and the process chamber 8 is maintained in the process chamber 8 for a set time. The wafer etching process by plasma is performed.

웨이퍼 식각공정후, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하게 되며, 아암(26) 선단의 웨이퍼 척(27)은 공정챔버(8)내로 재차 이송되어 식각공정이 완료된 웨이퍼를 그 표면에 안착시킨다. (이때 웨이퍼는 웨이퍼 척(27) 후단부에 고정된 스토퍼 및 겸용 조정부재(28)에 의하여 아암(26)쪽으로의 치우침, 억제 및 위치조정이 이루어진다)After the wafer etching process, the driving unit 31 of the linear motor 30 is operated, and the wafer chuck 27 at the tip of the arm 26 is transferred to the process chamber 8 again to complete the etching process. Settle on (At this time, the wafer is biased, restrained, and positioned toward the arm 26 by a stopper and a combined adjusting member 28 fixed to the rear end of the wafer chuck 27).

계속하여, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하여 웨이퍼 척(27)으로 진공챔버(100)내로 이송시킨후(제2도이 "나"위치), 진공챔버(100) 하부의 스텝핑 모우터(21)가 작동, 공정챔버(8)에 대향한 상태의 웨이퍼 척(27)을 제2카셋트 챔버(6)를 향하도록 이송시킨다. (제3도의 "다"위치)Subsequently, the driving unit 31 of the linear motor 30 is operated to transfer the wafer chuck 27 into the vacuum chamber 100 (FIG. 2 " I " position), and then stepping under the vacuum chamber 100. The motor 21 is operated to transfer the wafer chuck 27 in a state facing the process chamber 8 toward the second cassette chamber 6. ("Multi" position in Figure 3)

웨이퍼(W)가 적재된 웨이퍼 척(27)이 제2카셋트 챔버(6)의 연결부(6A)에 대향(제2도 "다"위치)하면, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하여 웨이퍼 척(27)을 제2카셋트 챔버(6) 내부로 이송시킨다. 제2카셋트 챔버(6) 내부 기기작동으로 인하여 웨이퍼가 웨이퍼 척(27)에서 이탈(웨이퍼 카셋트내에 장착)되면, 리니어 모우터(30)의 구동부(31)가 작동하여 웨이퍼 척(27, 웨이퍼가 적재되지 않은 상태임)은 후퇴하여 진공챔버(100)내로 위치하게 된다(제2도의 "다"위치). 이후 스텝핑 모우터(21)가 구동하여 웨이퍼 척(27)을 최초위치인 제1카셋트 챔버(3)의 연결부(3A)와 대향(제2도의 "가"위치)시킨후, 상술한 모든 공정을 순차적으로 반복실시하게 된다.When the wafer chuck 27 on which the wafers W are loaded is opposed to the connection portion 6A of the second cassette chamber 6 (the second position is "high"), the driving portion 31 of the linear motor 30 is moved. Operation is carried to transfer the wafer chuck 27 into the second cassette chamber 6. When the wafer is removed from the wafer chuck 27 (mounted in the wafer cassette) due to the operation of the internal device of the second cassette chamber 6, the driving unit 31 of the linear motor 30 is operated so that the wafer chuck 27, the wafer Unloaded) is retracted and placed into the vacuum chamber 100 ("multi" position in FIG. 2). Thereafter, the stepping motor 21 is driven so that the wafer chuck 27 is opposed to the connection portion 3A of the first cassette chamber 3, which is the initial position (the " ga " position in FIG. 2), and then all the above-described processes are performed. It will be repeated sequentially.

한편, 제2도의 미설명 부호 40은 펌핑라인(Pumping Line)으로서, 외부에 설치된 펌프와 진공챔버(100)내부를 연통시켜 진공챔버(100)에 존재하는 모든 이물질을 외부로 강제 배출시키게 되며, 따라서, 이물질에 의한 웨이퍼의 영향을 최소한으로 배제시킨다.On the other hand, reference numeral 40 of FIG. 2 is a pumping line (Pumping Line), the externally installed pump and the inside of the vacuum chamber 100 to communicate all the foreign substances present in the vacuum chamber 100 to be discharged to the outside, Therefore, the influence of the wafer due to the foreign matter is minimized.

리니어 모우터(30)의 구동부(31)의 조절, 즉 웨이퍼 척(27)의 구동행정거리(제2도의 가(또는 나, 다)위치에서 각 챔버(3, 6 및 8)내의 웨이퍼 장치 위치까지의 거리)를 제어하기 위하여 2개의 리미트 스위치를 리니어 모우터(30)의 안내부(32)를 설치하였으며, 또한, 스텝핑 모우터(21)의 구동시간 즉, 제2도의 "가"위치에서 "나"로, "나"위치에서 "다"위치로, "다"위치에서 "가"위치로 웨이퍼 척(27)을 각각 회전이송시키는(실질적으로는 지지플레이트(25)의 회전) 회전정도를 제어하기 위하여 포토 카플러를 이용한다.(리미트 스위치와 포토 카플러를 이용하여 리니어 모우터와 스텝핑 모우터의 구동을 제어하는 방법은 일반적인 사항이므로 이에 대한 설명은 생략한다.)Adjustment of the drive part 31 of the linear motor 30, that is, the position of the wafer device in each chamber 3, 6 and 8 at the driving stroke distance (the (or b) position in FIG. 2) of the wafer chuck 27 Distance limit), two limit switches are provided with the guide part 32 of the linear motor 30, and also the driving time of the stepping motor 21, that is, in the " ga " Rotation degree to rotate the wafer chuck 27 (in effect, rotation of the support plate 25) from "I" to "D" to "D" and from "D" to "D" A photo coupler is used to control the operation. (The method of controlling the operation of the linear motor and the stepping motor using the limit switch and the photo coupler is a general matter and thus the description thereof will be omitted.)

한편, 웨이퍼 척(27)이 각 웨이퍼 카셋트 챔버(3 및 6)내의 웨이퍼 카셋트에서 웨이퍼 1장씩을 인출 또는 적재하는 과정은 본 특허출원과 동일자로 특허출원(발명의 명칭 : 웨이퍼 카셋트 상, 하 이송장치)하는 기술 내용에 상세히 기술되어 있다.On the other hand, the process in which the wafer chuck 27 takes out or loads one wafer from each of the wafer cassettes in the wafer cassette chambers 3 and 6 is the same as that of the present patent application. Device) is described in detail in the description.

이상과 같은 본발명은 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 이송부를 외부와 밀폐된 진공챔버내에 설치하고, 각 해당위치로의 이송을 리니어 모우터 및 스텝핑 모우터를 이용함으로서 이송과정에서 이물질 발생을 최소한으로 억제시킴과 동시에 각 이송행정을 정확하게 제어함으로서 효율적인 웨이퍼 이송 및 웨이퍼 품질향상을 기할 수 있다.As described above, the present invention provides a wafer transfer unit for transferring wafers in a vacuum chamber sealed to the outside and minimizes the generation of foreign substances in the transfer process by using a linear motor and a stepping motor. At the same time, by precisely controlling each transfer stroke, efficient wafer transfer and wafer quality improvement can be achieved.

Claims (7)

다수의 챔버(3, 6 및 8)와 연결부(3A, 6A 및 8A)에 의해서 서로 연통되는 진공챔버(100)와, 상기 진공챔버(100) 외부에 설치된 스텝핑 모우터(21)와, 상기 진공챔버(100)내에 설치되어 상기 스텝핑 모우터(21)의 회전력에 의하여 자전하는 지지플레이트(25)와, 상기 지지플레이트(25)상에 설치된 안내부(32) 및 안내부(32)를 따라 직선운동을 하는 구동부(31)로 이루어진 리니어 모우터(30)와, 상기 리니어 모우터(30)의 구동부(31)에 고착되어 구동부(31)와 함께 직선운동을 수행하는 아암(26)과, 상기 아암(26) 선단에 고정되어 웨이퍼를 안착시키는 웨이퍼 척(27)으로 이루어져, 상기 웨이퍼 척(27)이 상기 리니어 모우터(30)의 작동에 따라 상기 각 연결부(3A, 6A 및 8A)를 통하여 각 챔버(3, 6 및 8)내로 선택이송되어 웨이퍼를 상기 각 챔버(3, 6 및 8)내에서 인출 또는 수용하도록 하며, 상기 웨이퍼 척(27)이 상기 스텝핑 모우터(21)의 작동에 따라 일정각도 회전이송되어 상기 각 챔버(3, 6 및 8)와 대향되도록 구성한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.A vacuum chamber 100 in communication with each other by a plurality of chambers 3, 6 and 8 and connecting portions 3A, 6A and 8A, a stepping motor 21 installed outside the vacuum chamber 100, and the vacuum The support plate 25 installed in the chamber 100 and rotated by the rotational force of the stepping motor 21, and a straight line along the guide part 32 and the guide part 32 provided on the support plate 25. A linear motor 30 formed of a driving unit 31 for moving, an arm 26 fixed to the driving unit 31 of the linear motor 30 to perform linear movement with the driving unit 31, and It consists of a wafer chuck 27 fixed to the tip of the arm 26 to seat the wafer, the wafer chuck 27 through each of the connecting portions (3A, 6A and 8A) in accordance with the operation of the linear motor (30). Selective transfer into each of the chambers 3, 6 and 8 allows the wafer to be withdrawn or received in each of the chambers 3, 6 and 8, Wafer transfer device characterized in that the wafer chuck 27 is rotated at a predetermined angle in accordance with the operation of the stepping motor (21) to face the respective chambers (3, 6 and 8). 제1항에 있어서, 상기 각 연결부(3A, 6A 및 8A)는 웨이퍼 척(27)과 수평을 이루도록 구성한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.A wafer transfer apparatus as set forth in claim 1, wherein said connecting portions (3A, 6A, and 8A) are configured to be parallel to the wafer chuck (27). 제1항에 있어서, 상기 지지플레이트(25)는 그 중심부가 회전축(23)에 고착되며, 상기 회전축(23)은 상기 진공챔버(100)를 관통하여 플렉시블 커플링(22)에 의하여 상기 스텝핑 모우터(21)의 구동축(21A)에 연결된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.According to claim 1, The support plate 25 is fixed to the center of the rotation shaft 23, the rotation shaft 23 is passed through the vacuum chamber 100 by the flexible coupling 22 the stepping mow Wafer transfer apparatus characterized in that connected to the drive shaft (21A) of the rotor (21). 제3항에 있어서, 상기 진공챔버(100)는 상기 회전축(23)이 관통하는 부분에 마그네틱 밀봉부재(24)를 장착하여 그 내부와 외부를 차단시킨 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.The wafer transfer device of claim 3, wherein the vacuum chamber (100) is equipped with a magnetic sealing member (24) at a portion through which the rotating shaft (23) penetrates to block the inside and the outside. 제1항에 있어서, 상기 진공챔버(200)는 외부에 설치된 펌프와 연결된 펌핑라인(40)을 설치하여 상기 진공챔버(100) 내부에서 발생된 이물질을 외부로 강제 배출시키도록 구성한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.According to claim 1, wherein the vacuum chamber 200 is installed to the pumping line 40 connected to the pump installed in the outside is configured to forcibly discharge the foreign substances generated in the vacuum chamber 100 to the outside Wafer Transfer Device. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 척(27)은 그 후단부의 상기 아암(26)과의 경계부에 웨이퍼(W)의 상기 아암(26)쪽으로의 치우침방지와 웨이퍼의 안착상태를 조정할 수 있는 스토퍼 겸용 조정부재(28)를 부착한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.2. The wafer chuck 27 according to claim 1, wherein the wafer chuck 27 has a stopper for controlling the bias of the wafer W toward the arm 26 and adjusting the seating state of the wafer at the boundary with the arm 26 at the rear end thereof. Wafer transfer apparatus characterized in that the adjustment member 28 is attached. 제6항에 있어서, 상기 스토퍼 겸용 조정부재(28)의 웨이퍼 척(27) 대향면은 상기 웨이퍼 척(27)상에 안착되는 웨이퍼의 면과 동일한 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송장치.7. A wafer transfer apparatus according to claim 6, wherein the opposite surface of the wafer chuck (27) of the stopper dual adjustment member (28) is formed in the same shape as the surface of the wafer seated on the wafer chuck (27).
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