KR940008205B1 - Data protection circuit of nonvolatile memory - Google Patents

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KR940008205B1 KR1019920000223A KR920000223A KR940008205B1 KR 940008205 B1 KR940008205 B1 KR 940008205B1 KR 1019920000223 A KR1019920000223 A KR 1019920000223A KR 920000223 A KR920000223 A KR 920000223A KR 940008205 B1 KR940008205 B1 KR 940008205B1
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삼성전자 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories

Abstract

a data protecting signal generating circuit for generating a data protecting signal by sensing a power voltage dropping to a first voltage level; and a clock pass cutoff circuit connected between a bias terminal of a clock generator and an output terminal of the data protecting signal generating circuit, for cutting off a clock output of the clock generator in response to the data protecting signal, thereby stably protecting data of the memory.

Description

불휘발성 메모리의 데이터 보호회로Data protection circuit of nonvolatile memory

제1도는 종래의 불휘발성 메모리 제어회로도.1 is a conventional nonvolatile memory control circuit diagram.

제2도는 제1도의 동작파형도.2 is an operating waveform diagram of FIG.

제3도는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 제어회로도.3 is a nonvolatile memory control circuit diagram according to the present invention.

제4도는 제3도에 도시된 분압기 및 정전압 회로의 상세회로도.4 is a detailed circuit diagram of the voltage divider and the constant voltage circuit shown in FIG.

제5도는 제3도의 동작파형도.5 is an operating waveform diagram of FIG.

본 발명은 불휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)를 제어하는 메모리 제어회로에 관한 것으로, 특히 전원을 차단시 발생되는 비정상적인 쓰기(Write) 동작을 방지함으로써 불휘발성 메모리의 저장 내용을 보호토록한 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory control circuit for controlling a non-volatile memory, and in particular, to prevent abnormal write operations that occur when a power supply is cut off, thereby protecting the contents of the nonvolatile memory. It is about.

일반적인 메모리 제어회로의 예를들면, CPU(Central Processing Unit) 또는 MPU(Microprcessor)등의 메모리 제어수단을 이용하여 불휘발성 메모리, 예를들면, 전기적 소거 및 프로그램이 가능한 독출 전용 메모리(EPROM)등의 데이터 쓰기(Write)와 읽기(Read)를 제어하는 시스템의 구성은 제1도와 같다.Examples of general memory control circuits include non-volatile memory, for example, a read-only memory (EPROM) that can be electrically erased and programmed using a memory control means such as a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Microprcessor). The configuration of a system for controlling data write and read is shown in FIG.

제1도는 MPU를 이용하여 불휘발성 메모리의 억세스(Access)를 제어하는 종래의 메모리 제어회로도로서, 시스템의 모든 동작을 제어하는 MPU(11)와, 전원 오프시에도 저장된 데이터를 유지 보존하는 불휘발성 메모리(12)와, 상기 MPU(11)의 동작 기준 클럭을 발생시키는 발생기(18)와, 상기 MPU(11)에서 처리할 일들을 기억하고 제공하는 프로그램 메모리(13)로 구성된다.1 is a conventional memory control circuit diagram for controlling access to a nonvolatile memory using an MPU. The MPU 11 controls all operations of a system, and a nonvolatile memory that maintains and stores stored data even when a power is turned off. A memory 12, a generator 18 for generating an operation reference clock of the MPU 11, and a program memory 13 for storing and providing work to be processed in the MPU 11;

상기 제1도의 구성중 클럭 발생기(18)는 2개의 캐패시터(16,17)와 수정발진자(14)로 구성되어 상기 MPU(1)의 발진단다(OSC1,OSC2)에 접속되어 있다. 이와 같은 구성은 MPU(11)내부에 클럭 발진 회로를 가지는 회로의 구성의 일실시이며, MPU(11)가 클럭 발진 회로를 내장하지 않는 경우 상기 클럭 발생기(18)는 이미 널리 알려진 바와 같이 독립적으로 상기 MPU(11)의 동작 클럭을 발생하여야 한다.The clock generator 18 shown in FIG. 1 is composed of two capacitors 16 and 17 and a crystal oscillator 14, and is connected to the oscillation stages OSC1 and OSC2 of the MPU 1. Such a configuration is one embodiment of a circuit having a clock oscillation circuit inside the MPU 11, and when the MPU 11 does not have a built-in clock oscillation circuit, the clock generator 18 is independently as is widely known. The operation clock of the MPU 11 should be generated.

제1도중 DATA B는 데이터버스, ADD 8은 어드레스버스, CTL B는 제어신호버스이다.In the first diagram, DATA B is a data bus, ADD 8 is an address bus, and CTL B is a control signal bus.

제2도는 제1도의 동작 파형도로서, (a)는 전원전압(VDS)의 파형도이도, (b)는 상기 전원전압(VDS)의 레벨과 관계된 클럭 발생기(18)의 파형도이다.2 is an operational waveform diagram of FIG. 1, (a) is a waveform diagram of the power supply voltage VDS, and (b) is a waveform diagram of the clock generator 18 related to the level of the power supply voltage VDS.

지금 상기 제1도와 같이 구성된 회로에 입력되는 전원전압(VDS)가 제2도의 (a)의 "VDS"와 같이 정상전압에 도달하게 되면 MPU(11)는 내장되거나 혹은 외부에 연결된 프로그램 메모리(13)의 내용에 따라 시스템을 제어하고, 필요에 의해 불휘발성 메모리(12)를 제어하여 데이터의 쓰기와 읽기 동작을 제어한다. 이때 클럭 발생기(18)는 고유 발진 주파수로 발진하여 MPU(11)의 클럭 입력 단자(OSC2)로 입력되어 시스템 동작의 기준으로 작용한다.When the power supply voltage VDS input to the circuit configured as shown in FIG. 1 now reaches a normal voltage as shown in " VDS " in FIG. 2A, the MPU 11 is built-in or externally connected to the program memory 13 The system is controlled in accordance with the contents of " At this time, the clock generator 18 oscillates at a natural oscillation frequency and is input to the clock input terminal OSC2 of the MPU 11 to serve as a reference for system operation.

그러나, 상기 제1도와 같이 구성된 종래의 불휘발성 메모리(12)의 제어회로는 전원 "온"시와 전원전압(VDS)이 정상인 상태에서는 양호하게 동작하나 제2도 (a)에서와 같이 전원 "오프"상태(t0)에서 정상 전원전압(VDS)의 약 0.8배로 부터 약 0.3배까지 변화하는 상태의 시간 간격(t1-t2)이 수 미리초[ms]이상일 경우 이상 동작이 발생된다.However, the control circuit of the conventional nonvolatile memory 12 configured as shown in FIG. 1 operates well when the power supply is "on" and the power supply voltage VDS is normal, but the power supply "as shown in FIG. An abnormal operation occurs when the time interval t1-t2 of the state of changing from about 0.8 times to about 0.3 times the normal power supply voltage VDS in the "off" state t0 is several milliseconds [ms] or more.

즉, 전원전압(VDS)이 제2도 (a)의 t0점에서 "오프"되어져 입력 전원전압(VDS)의 레벨(34)이 제2도 (a)의 t1과 t2와 같은 주기를 가지고 하강되어지면 클럭 발생기(18)로 부터 출력되는 클럭 주기가 제2도 (b)와 같이 변환된다. 따라서 MPU(11)에 입력되는 기준 클럭 진폭이 변화되어 짐으로써 상기 MPU(11)가 이상 상태로 동작된다.That is, the power supply voltage VDS is " off " at the point t0 in FIG. 2 (a) so that the level 34 of the input power supply voltage VDS falls with the same period as t1 and t2 in FIG. In this case, the clock period output from the clock generator 18 is converted as shown in FIG. Therefore, the MPU 11 operates in an abnormal state by changing the reference clock amplitude input to the MPU 11.

상기 MPU(11)의 이상 동작에 의해 불휘발성 메모리(12)에 비정상적인 쓰기 동작이 발생하여 상기 메모리(12)에 저장된 데이터 내용이 파괴되는 현상이 나타난다. 이러한 이상 동작을 방지하기 위해서는 MPU(11)의 전원단자와 접지단자 사이의 캐패시터(15)의 값을 충분히 작게하여 제2도의 시간 간격(t2-t1)을 1ms 이하로 하면 되나 이는 전원안정화 측면에서 양호하지 못한 동작을 행함으로써 실제 응용되는 회로에서는 거의 불가능하다.An abnormal write operation occurs in the nonvolatile memory 12 due to an abnormal operation of the MPU 11, resulting in the destruction of data contents stored in the memory 12. In order to prevent such an abnormal operation, the value of the capacitor 15 between the power terminal and the ground terminal of the MPU 11 may be made sufficiently small so that the time interval t2-t1 in FIG. 2 is 1 ms or less, but this is in terms of power stabilization. By performing poor operation, it is almost impossible in the circuit which is actually applied.

따라서 본 발명의 목적은 시스템에 입력되는 전원전압 레벨을 감지하여 제1소정상태 이하의 전압일 때 메모리 제어기에 입력되는 클럭을 차단하여 불휘발성 메모리의 데이터를 보호하는 회로를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a circuit that detects a power supply voltage level input to a system and protects data of a nonvolatile memory by blocking a clock input to a memory controller when the voltage is below a first predetermined state.

본 발명의 다른 목적은 전원 오프시 입력 전압이 일정전압 이하로 내려가는 것을 감지하여 클럭의 동작을 제어함으로써 MPU의 동작을 정지시켜 불휘발성 메모리의 저장 내용을 보호하는 회로를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a circuit for protecting the contents of the nonvolatile memory by stopping the operation of the MPU by controlling the operation of the clock by detecting that the input voltage falls below a predetermined voltage when the power is turned off.

이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제3도는 본 발명에 따른 블럭도로서, 시스템을 제어하는 MPU(20)와, 전원 오프시에도 데이터의 파과없이 저장내용을 보호하는 불휘발성 메모리(21)와, 상기 MPU(20)가 처리할 일들을 기억하고 제공하는 프로그램 메모리(22)와, 상기 MPU(20)의 동작 기준 클럭을 발생시키는 클럭 발생기(33)와, 전원전압(VDS)을 일정한 비율로 분배하여 분압전압을 출력하는 분압기(24)와, 상기 전원전압(VDS)을 받아서 소정 레벨의 정전압을 출력하는 정전압회로(25)와, 상기 분압기(24)와 정전압회로(25)로부터 각각 출력되는 전압을 비교하여 비교신호를 출력하는 비교기(26)와, 비교기(28)의 출력을 풀업시키는 저항(27)과 비교기(26)의 출력을 상기 클럭 발생기(33)의 한쪽 단자에 전달하는 다이오드(28)와 저항(29)으로 구성된다.3 is a block diagram according to the present invention. The MPU 20 controls the system, the nonvolatile memory 21 which protects the stored contents without breaking data even when the power is turned off, and the MPU 20 is capable of processing. A program memory 22 for storing and providing work; a clock generator 33 for generating an operation reference clock of the MPU 20; and a voltage divider for dividing a power supply voltage VDS at a constant ratio and outputting a divided voltage ( 24 and a constant voltage circuit 25 for receiving the power supply voltage VDS and outputting a constant voltage at a predetermined level, and comparing the voltages output from the voltage divider 24 and the constant voltage circuit 25 to output a comparison signal. Comparator 26, a resistor 27 for pulling up the output of the comparator 28, and a diode 28 and a resistor 29 for transmitting the output of the comparator 26 to one terminal of the clock generator 33 do.

상기 제3도의 구성중 MPU(20), 불휘발성 메모리(21), 프로그램 메모리(22), 클럭 발생기(33)의 동작은 전술한 제1도에서의 동작과 동일하다.The operations of the MPU 20, the nonvolatile memory 21, the program memory 22, and the clock generator 33 in the configuration of FIG. 3 are the same as those in FIG.

제4도는 제3도에 도시된 분압기(24)와 정전압회로(25)의 상세도로서, (a)는 분압회로(24)의 상세도, (b)는 정전압회로(25)의 상세도, (c)는 정전압회로(25)의 또다른 실시예의 상세회로도이다.4 is a detailed view of the voltage divider 24 and the constant voltage circuit 25 shown in FIG. 3, (a) is a detail view of the voltage divider circuit 24, (b) is a detail view of the constant voltage circuit 25, (c) is a detailed circuit diagram of still another embodiment of the constant voltage circuit 25.

제4도 (a)의 분압회로(24)는 전원전압(VDS)과 접지(GND)의 사이에 전압 분압저항(42)과 저항(43)의 직렬 접속 구성되어 상기 전원전압(VDS)의 60%정도의 레벨전압(VDS×0.6)을 출력한다. 이때 상기 저항(42)과 저항(43)의 저항비는 분압출력전압이 입력되는 전원전압(VDS)의 약 60% 레벨을 가지도록 4 : 6의 비율로 설정되어 있다.The voltage dividing circuit 24 of FIG. 4 (a) is configured in series connection of the voltage dividing resistor 42 and the resistor 43 between the power supply voltage VDS and the ground GND. Outputs a level voltage (VDS x 0.6) of about%. At this time, the resistance ratio of the resistor 42 and the resistor 43 is set at a ratio of 4: 6 so as to have a level of about 60% of the power supply voltage VDS to which the divided output voltage is input.

제4도 (b)의 정전압회로(25)는 전원전압(VDS)과 접지(GND)의 사이에 전류제한 저항(44)과 제1소정상태의 정전압(VDS×0.5)을 출력하는 정전압소자(45)가 직렬 접속되어 상기 전원전압(VDS)의 제1소정상태의 정전압으로 클램프 하여 유지 출력한다. 상기 제4도(b)의 정전압소자(45)는 항복전압을 입력 전원전압(VDS)의 1/2정도의 레벨(VDS×0.5)을 가지는 제너다이오드(Zener Diods) 또는 온도 및 시간에 대하여 안정된 출력을 얻을 수 있는 기준전압 다이오드(Micropower Voltage reference diode)를 사용할 수 있다.The constant voltage circuit 25 of FIG. 4 (b) has a constant voltage element for outputting a current limiting resistor 44 and a constant voltage VDS × 0.5 in a first predetermined state between a power supply voltage VDS and a ground GND. 45) are connected in series, clamped to the constant voltage of the first predetermined state of the power supply voltage VDS, and are sustained. The constant voltage element 45 of FIG. 4 (b) has a breakdown voltage which is stable with respect to Zener Diods or a temperature and time having a level (VDS × 0.5) of about 1/2 of the input power voltage VDS. A micropower voltage reference diode can be used to obtain the output.

제4도 (c)는 제3도에 도시된 정전압회로(25)의 또 다른 구성예로서, 이는 상용화된 선형 레귤레이터(46)로써 전원전압(VDS)를 1/2로 안정화하여 입력 전압(VDS)의 1/2레벨을 가지는 전압 VDS×(1/2)을 출력한다. 제4도 (c)중 47, 48,49, 50은 캐패시터이다.FIG. 4 (c) is another configuration example of the constant voltage circuit 25 shown in FIG. 3, which is a commercially available linear regulator 46, and stabilizes the power supply voltage VDS to 1/2 to input voltage VDS. The voltage VDS x (1/2) having the 1/2 level of? 47, 48, 49, and 50 in FIG. 4 (c) are capacitors.

제5도는 제3도의 동작 파형도이다. 제5도에 도시된 도면중, (a)는 입력 전원전압(VDS)의 변화곡선(35)과, 분압기(24)의 출력 곡선(36) 및 정전압회로(25)의 출력 곡선(37)을 도시한 것이다. 그리고, (b)는 비교기(26)의 출력 곡선(38)및 입력 전원전압(VDS)의 변화 상태 곡선(39)을 나타낸 것이며, (c)는 클럭 발생기(33)의 출력 파형도이다.5 is an operational waveform diagram of FIG. In FIG. 5, (a) shows the change curve 35 of the input power supply voltage VDS, the output curve 36 of the voltage divider 24 and the output curve 37 of the constant voltage circuit 25. As shown in FIG. It is shown. And (b) shows the output curve 38 of the comparator 26 and the change state curve 39 of the input power supply voltage VDS, (c) is the output waveform diagram of the clock generator 33. As shown in FIG.

이하 본 발명에 따른 제3도의 동작예를 제4도 및 제5도를 참조하여 설명한다.An operation example of FIG. 3 according to the present invention will now be described with reference to FIGS. 4 and 5.

상기 제3도에 따른 회로에서 전원 "온"상태에서와 정상 전원전압 상태에서는 전술한 제1도의 회로와 동일한 동작을 수행함으로 설명을 생략하고, 입력 전원전압(VDS)이 제5도 t3과 같이 "오프"상태 이후의 동작을 제3도와 제4도를 이용하여 상세히 설명한다.In the circuit according to FIG. 3, in the power supply "on" state and in the normal power supply voltage state, the same operation as that of the circuit of FIG. 1 is omitted. Therefore, the input power supply voltage VDS is as shown in FIG. The operation after the " off " state will be described in detail using FIG. 3 and FIG.

지금 상기 제3도와 같은 회로에 정상적인 전원전압(VDS)이 공급되면, MPU(20)와 불휘발성 메모리(21), 프로그램 메모리(22) 및 클럭 발생기(33)는 제1도에서 전술한 바와 같이 정상적으로 동작된다. 이때 제4도 (a)와 같이 구성된 분압기(24)는 내부저항(42)과 저항(43)으로 입력 전원전압(VDS)를 분압하여 제5도 (a)의 (36)과 같이 입력전압(VDS)의 60% 레벨을 가지는 전압(VDS×0.6)를 출력하여 비교기(26)의 비반전단자(+)로 입력한다. 그리고 제4도 (b)와 같이 구성된 정전압회로(25)는 입력전압(VDS)을 정전압소자(45)에 의해 전원전압(VDS)의 50% 레벨을 가지는 일정 레벨의 정전압(VDS+)을 제5도 (a)의 (37)과 같이 비교기(26)의 반전단자(-)로 출력한다.If the normal power supply voltage VDS is supplied to the circuit as shown in FIG. 3 now, the MPU 20, the nonvolatile memory 21, the program memory 22, and the clock generator 33, as described above in FIG. It works normally. At this time, the voltage divider 24 configured as shown in FIG. 4 (a) divides the input power supply voltage VDS by the internal resistor 42 and the resistor 43, thereby reducing the input voltage as shown in 36 of FIG. A voltage VDS x 0.6 having a 60% level of VDS is output and input to the non-inverting terminal (+) of the comparator 26. In the constant voltage circuit 25 configured as shown in FIG. 4B, the constant voltage VDS + having the input voltage VDS is 50% of the power supply voltage VDS by the constant voltage device 45. ) Is outputted to the inverting terminal (-) of the comparator 26 as shown in (37) of FIG.

상기 분압기(24)의 출력과 정전압 회로(25)의 출력은 비교기(26)의 비반전단자(+)와 반전단자(-)로 입력된다. 상기 비교기(26)는 상기 두 입력을 비교하여 MPU(20)의 클럭 단자(OSC2)로 입력되는 클럭 제어신호를 출력한다. 즉, 비교기(26)는 비반전(+)로 입력되는 전압 레벨이 반전단자(-)로 입력되는 전압 레벨 보다 높을 경우 풀업저항(27)에 의해 제1예정상태(전원전압상태)를, 작을경우 제2예정상태(접지전압)을 다이오드(28)의 캐소드로 출력한다.The output of the voltage divider 24 and the output of the constant voltage circuit 25 are input to the non-inverting terminal (+) and the inverting terminal (-) of the comparator 26. The comparator 26 compares the two inputs and outputs a clock control signal input to the clock terminal OSC2 of the MPU 20. That is, the comparator 26 reduces the first predetermined state (power supply voltage state) by the pull-up resistor 27 when the voltage level input to the non-inverting (+) is higher than the voltage level input to the inverting terminal (-). In this case, the second predetermined state (ground voltage) is output to the cathode of the diode 28.

따라서 상기 제3도에 입력되는 전원전압(VDS)이 제5도 (a)의 (35)와 같이 정상상태라면 비교기(26)의 출력은 제5도 (b)의 38과 같이 "하이"상태(제1예정상태)의 논리신호로 출력하게 된다. 이때 클럭 발생기(33)내 수정 발진기(34)의 클럭 일측 단자(OSC2)에는 외부 인가 조건이 없을때 MPU(20)에서 제공하는 바이어스 전압이 걸린다. 이 바이어스 전압은 통상 MPU(20)로 입력되는 전원전압(VDS)의의 레벨을 가진다.Therefore, if the power supply voltage VDS input to FIG. 3 is in a steady state as shown in (35) of FIG. The logic signal is outputted as a logic signal of the first scheduled state. At this time, the clock side terminal OSC2 of the crystal oscillator 34 in the clock generator 33 receives a bias voltage provided by the MPU 20 when there is no externally applied condition. This bias voltage is usually the power supply voltage VDS input to the MPU 20. Has a level of

따라서 상기 비교기(26)의 출력이 제1예정 상태를 가질때 상기 다이오드(28)가 "오프"됨으로써 클럭 발생기(33)의 일측 단자(OSC2)에는 정상적인 바이어스가 걸리게 된다. 만약, 상기 비교기(26)의 출력이 제5도 (b)의 39과 같이 제2예정상태(논리 "로우")를 가질때는 다이오드(28)가 "온"됨으로써 상기 다이오드(28)의 강하전압인 0.6V 정도가 걸림으로써 클럭 발진기(33)가 정상동작을 못하고 제5도 (c)와 같이 발진을 중지하게 된다. 여기서 클럭 발생기(33)의 일측단자(OSC2)와 비교기(26)의 출력단자의 사이에 접속된 저항(29)는 다이오드(29)가 "온"될때 급격한 전류의 흐름을 방지한다.Therefore, when the output of the comparator 26 has the first scheduled state, the diode 28 is “off”, so that a normal bias is applied to one terminal OSC2 of the clock generator 33. If the output of the comparator 26 has the second predetermined state (logical "low") as shown in FIG. 5 (b) 39, the diode 28 is turned "on" so that the drop voltage of the diode 28 is reduced. Since the clock oscillator 33 does not operate normally and stops oscillation as shown in FIG. Here, the resistor 29 connected between the one end terminal OSC2 of the clock generator 33 and the output terminal of the comparator 26 prevents the rapid flow of current when the diode 29 is "on".

전원오프 상태에서 각 단자의 파형도는 제5도에 첨부한 바와 같다.The waveform diagram of each terminal in the power-off state is as shown in FIG.

따라서 본 발명은 전원전압(VDS)이 정상 전원전압의 약 80% 정도가 될 때 비교기(26)의 비반전단자(+)의 값이 반전단자(-)의 값보다 작아지기 시작함을 알 수 있다. 이때 비교기(26)의 출력은 수 μS 이내에 제1예정 상태에서 제2예정 상태로 천이되고 클럭 발생기(33)의 일측단자(OSC2)의 바이어스 전압도 0.6V 정도로 천이됨으로써 클럭 발생이 중지되며, 클럭 발생 중지와 함께 MPU(20)의 모든 동작이 정지된다.Therefore, the present invention shows that when the power supply voltage VDS becomes about 80% of the normal power supply voltage, the value of the non-inverting terminal (+) of the comparator 26 starts to be smaller than that of the inverting terminal (-). have. At this time, the output of the comparator 26 transitions from the first scheduled state to the second scheduled state within a few μS, and the bias voltage of one terminal OSC2 of the clock generator 33 also transitions to about 0.6V to stop clock generation. All operations of the MPU 20 are stopped at the same time as generation stops.

따라서 정상 전원전압의 80% 정도로 떨어지는 순간부터 모든 동작이 정지되므로 비정상적인 불휘발성 메모리(21)의 제어를 방지하여 저장 내용을 파괴없이 안전하게 보호할 수 있다.Therefore, since all operations are stopped from the moment when the voltage drops to about 80% of the normal power supply voltage, the control of the abnormal nonvolatile memory 21 can be prevented and the stored contents can be safely protected without being destroyed.

상술한 바와 같이 본 발명은 전원전압의 레벨이 일정전압 이하일때 불휘발성 메모리의 데이터 억세스를 제어하는 마이크로 프로세서의 클럭을 빠르게 차단함으로써 메모리의 데이터를 전원전압 변동과 동시에 보호할 수 있다.As described above, according to the present invention, when the level of the power supply voltage is lower than or equal to a predetermined voltage, the data of the memory can be protected at the same time as the power supply voltage fluctuation by quickly blocking the clock of the microprocessor controlling the data access of the nonvolatile memory.

Claims (5)

불휘발성 메모리와, 클럭의 입력에 의해 동작되어 상기 불휘발성 메모리에 데이터를 억세스하는 메모리 제어수단과, 전원전압(VDS)의 입력에 의해 소정의 클럭을 발생하여 상기 메모리 제어수단에 공급하는 클럭 발생기를 구비한 불휘발성 메모리의 데이터 보호회로에 있어서, 상기 전원전압(VDS)을 제1레벨의 전압으로 유지 출력하는 정전압 회로(25)를 내장하고 있으며, 상기 전원전압(VDS)을 분압하여 상기 정전압 회로(25)의 출력 레벨과 비교하여 상기 전원전압(VDS)이 상기 제1레벨의 접압이하로 내려가는 것을 감지하여 데이터 보호신호를 출력하는 데이터 보호신호 발생수단과, 상기 클럭 발생기의 바이어스 단자와 상기 데이터 보호신호 발생 수단의 출력단자 사이에 접속되어 있으며, 상기 데이터 보호신호 발생 수단으로 부터의 데이터 보호신호 출력에 응답하여 상기 클럭 발생기의 클럭 출력을 차단하는 클럭 패스 차단 수단으로 구성되어 상기 전원전압(VDS)이 미리 설정된 전압 이하로 다운시에 상기 클럭 발진기의 클럭을 차단하여 상기 불휘발성 메모리의 데이터를 보호토록 동작함을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 데이터 보호회로.A nonvolatile memory, memory control means operated by an input of a clock to access data in the nonvolatile memory, and a clock generator for generating a predetermined clock and supplying the memory control means by inputting a power supply voltage VDS. A data protection circuit of a nonvolatile memory including: a constant voltage circuit (25) for maintaining and outputting the power supply voltage (VDS) at a voltage of a first level, and dividing the power supply voltage (VDS) to divide the constant voltage; A data protection signal generating means for detecting the power supply voltage VDS falling below the voltage of the first level in comparison with the output level of the circuit 25 and outputting a data protection signal; a bias terminal of the clock generator; It is connected between the output terminals of the data protection signal generating means and outputs the data protection signal from the data protection signal generating means. And a clock path blocking means for blocking a clock output of the clock generator in response to the clock generator to block the clock of the clock oscillator when the power supply voltage VDS falls below a predetermined voltage to protect data in the nonvolatile memory. A data protection circuit of a nonvolatile memory, characterized by operating forever. 불휘발성 메모리와, 동작 클럭의 입력에 의해 동작되어 상기 불휘발성 메모리에 데이터를 억세스하는 메모리 제어수단과, 전원전압(VDS)의 입력에 의해 소정의 클럭을 발생하여 상기 메모리 제어수단에 동작 클럭으로 제공하는 클럭 발생기를 구비한 불휘발성 메모리의 데이터 보호회로에 있어서, 상기 전원전압(VDS)을 제1레벨의 전압으로 유지 출력하는 정전압 회로(25)와, 상기 전원전압(VDS)을 일정 비율로 분압하여 분압전압을 출력하는 분압기(24)와, 상기 정전압회로(25)와 분압기(24)로부터 각각 출력되는 제1레벨의 전압과 상기 분압전압을 비교하여 상기 분압전압이 상기 제1레벨의 전압 이하로 천이시 이를 검출하여 데이터 보호신호를 출력하는 비교기(26)와, 상기 클럭 발생기의 바이어스단자와 상기 데이터 보호신호 발생수단의 출력단자 사이에 접속되어 있으며, 상기 비교기(26)으로 부터의 데이터 보호신호 출력에 응답하여 상기 클럭 발생기의 출력을 차단하는 클럭 패스 차단 수단으로 구성함을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 데이터 보호회로.A nonvolatile memory, memory control means operated by an input of an operation clock to access data in the nonvolatile memory, and a predetermined clock is generated by input of a power supply voltage VDS to generate an operation clock to the memory control means. A data protection circuit of a nonvolatile memory having a clock generator provided, comprising: a constant voltage circuit 25 which maintains and outputs the power supply voltage VDS at a voltage of a first level, and the power supply voltage VDS at a predetermined ratio. The voltage divider 24 compares the voltage of the first level output from the constant voltage circuit 25 and the voltage divider 24 and the divided voltage to divide the voltage into the voltage of the first level. The comparator 26 which detects this at the time of transition and outputs the data protection signal, and between the bias terminal of the clock generator and the output terminal of the data protection signal generating means. It is, and the comparator 26 output signal data protection non-volatile memory of the data protection circuit characterized in that it consists of a clock path blocking means to block the output of the clock generator in response to the on the inside. 제2항에 있어서, 상기 클럭패스 차단 수단은, 상기 클럭 발생기의 바이어스 단자로부터 상기 비교기(26)의 출력단자 방향으로 전류 제한 저항(29)과 다이오드(28)가 직렬 접속 구성됨을 특징으로 하는 회로.3. The circuit according to claim 2, wherein the clock path blocking means comprises a current connection resistor 29 and a diode 28 connected in series from the bias terminal of the clock generator toward the output terminal of the comparator 26. . 제3항에 있어서, 상기 분압기(24)는, 상기 전원전압(VDS)의 입력단자와 접지단자 사이에 적어도 2개 이상의 저항이 직렬 접속 구성되어 있으며, 상기 전원전압(VDS)을 분입하여 상기 전원전압(VDS)의 약 0.6배의 레벨을 가지는 전압을 분압전압으로 출력함을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 데이터 보호뢰로.4. The voltage divider 24 has at least two resistors connected in series between an input terminal of the power supply voltage VDS and a ground terminal, and supplies the power supply voltage VDS to the power supply. And a voltage having a level of about 0.6 times the voltage VDS as a divided voltage. 제4항에 있어서, 상기 정전압 회로(25)는, 상기 전원전압(VDS)과 접지의 사이에 전류 제한 저항(44)과 제1레벨의 정전압(VDS×0.5)을 출력하는 정전압소자(45)가 직렬 접속되어 상기 전원전압(VDS)의 제1레벨의 전압으로 클램프하여 유지 출력함을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 데이터 보호회로.The constant voltage circuit (25) according to claim 4, wherein the constant voltage circuit (25) outputs a current limiting resistor (44) and a first level constant voltage (VDS x 0.5) between the power supply voltage (VDS) and ground. Is connected in series and clamped to the voltage of the first level of the power supply voltage (VDS) to maintain and output the data.
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