KR940004870A - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940004870A
KR940004870A KR1019920015640A KR920015640A KR940004870A KR 940004870 A KR940004870 A KR 940004870A KR 1019920015640 A KR1019920015640 A KR 1019920015640A KR 920015640 A KR920015640 A KR 920015640A KR 940004870 A KR940004870 A KR 940004870A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
grid
forming
manufacturing
thick
Prior art date
Application number
KR1019920015640A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950003954B1 (ko
Inventor
이규정
김인식
남효진
박철
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 주식회사 금성사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019920015640A priority Critical patent/KR950003954B1/ko
Publication of KR940004870A publication Critical patent/KR940004870A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950003954B1 publication Critical patent/KR950003954B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 전공정을 양산에 이용할 수 있는 공정과 그리드 패턴을 최적으로 제조하여 높은 효율을 갖게하는데 적합한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 텍스처(texture)하고 인확산와 후면 표면 전계(Back sufrace field)층을 형성하는 단계, 전, 후면 전극을 형성하는 단계, 반사방지막을 형성하는 단계, 측면접합(side junction)을 제거시키는 단계로 이루어지는 제법이고, 또한 이렇게 제조하여서된 그리드 패턴은 전체 금속 면적을 늘려 단락 전류 밀도를 늘리며 전극의 그리드 사이의 간격을 줄여 전지를 받는 저항을 줄이며 접촉 저항이 커지지 않게하여 충실도를 높요주는 태양전지에 관한 것이다.

Description

태양전지 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 전극의 패턴도.
제 2 도는 본 발명의 제조공정도.
제 3 도는 본 발명의 태양전지 구조도.
제 4 도는 본 발명의 태양전지 특성 그레프로서 (a)도는 열처리 온도와 관련한 단락 전류 밀도 그래프(b)도는 열처리 온도와 관련한 개방 전압 그래프 (c)도는 열처리 온도와 관련한 충실도 그래프 (d)도는 열처리 온도와 관련한 효율그래프.
제 5 도는 본 발명의 전류-전압 특성을 나타낸 그래프.

Claims (3)

  1. 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용하여 확산 접합형 태양전지를 제조함에 있어서, 수산화칼륨(KOH)를 이용하여 웨이퍼 양면을 텍스처(texture)시키는 단계와, 고체 인 소스(phosphorus source)를 이용하여 전면에 인(phosphorus) 확산을 형성시키는 단계, 알루미늄 페이스트(Al paste)를 이용하여 후면 표면 전계(Back surface field)층을 형성시키는 단계, 은 페이스트(Ag paste)를 이용하여 전, 후면에 전극을 형성시키는 단계, 스프레이(spray) 방법을 이용하여 반사방지막을 형성시키는 단계로 이루어지는 태양전지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 전, 후면 전극형성시 200메쉬(mesh) 크기를 이용하여 은 페이스트(Ag paste)를 각각 스크린 프린팅(screen printing)한 후에 10분씩 안정화시키고 120℃ 온도에서 15분씩 건조시킨 후, 후면동시 열처리를 590-680℃에서 17.5inch/min의 벨트 속도(belt speed)로 하는 단계로 이루어진 태양전지의 제조방법.
  3. 단결정 실리콘을 이용한 태양전지에 있어서, 전지 그리드(grid)는 전체 크기가 10cm×10cm로서 모서리가 라운딩(rounding)되어있고, 전면 전극 패턴(pattern)은 길이가 가로, 세로 각각 96mm이고, 전면의 그리드 핑거폭은 얇은 것이 0.2mm이며 굵은 것이 2mm, 그리드와 그리드 사이의 거리는 4mm, 그리드 핑거는 태양전지 하나에 굵은 것이 2개, 얇은 것이 25개로 하여 전체 전극 면적이 태양전지 면적의 8.5%이고, 후면 표면 전계(Back surface field)패턴은 가로, 세로 각각 97mm이고, 후면전극은 가로, 세로 93mm이고 그리드 핑거폭이 얇은 것이 0.2mm 굵은 것이 2mm, 그리드와 그리드 사이의 거리는 3mm로서 바둑판 모양으로 하여 전체 전극 면적이 태양전지 면적의 14.5%로 되게 하여 이루어진 그리드 패턴을 갖는 태양전지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015640A 1992-08-29 1992-08-29 태양전지 및 그 제조방법 KR950003954B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015640A KR950003954B1 (ko) 1992-08-29 1992-08-29 태양전지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015640A KR950003954B1 (ko) 1992-08-29 1992-08-29 태양전지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004870A true KR940004870A (ko) 1994-03-16
KR950003954B1 KR950003954B1 (ko) 1995-04-21

Family

ID=19338699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920015640A KR950003954B1 (ko) 1992-08-29 1992-08-29 태양전지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950003954B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101498619B1 (ko) * 2009-06-05 2015-03-05 엘지전자 주식회사 태양전지의 전극 형성 방법 및 이를 이용한 태양전지

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101428841B1 (ko) * 2011-07-25 2014-08-14 한국에너지기술연구원 그리드 구조의 후면전극를 포함하는 태양전지
RU2487437C1 (ru) * 2012-02-02 2013-07-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) Фотоэлектронный элемент

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101498619B1 (ko) * 2009-06-05 2015-03-05 엘지전자 주식회사 태양전지의 전극 형성 방법 및 이를 이용한 태양전지

Also Published As

Publication number Publication date
KR950003954B1 (ko) 1995-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110993700A (zh) 一种异质结太阳电池及其制备工艺
DE102005025125B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle
RU2555212C2 (ru) Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом
CN110729377A (zh) 一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法及其叠瓦模组
GB2215129A (en) Method of fabricating solar cells with anti-reflection coating
KR940004870A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR20100115193A (ko) 태양전지의 제조방법
CN105470347A (zh) 一种perc电池的制作方法
JPH09283781A (ja) 光起電力装置
JPS5688377A (en) Solar battery and manufacture thereof
JP3220300U (ja) 太陽電池及びその製造方法
CN102769072B (zh) N型晶硅太阳能电池及其制备方法
KR950003953B1 (ko) 태양전지의 제조방법
CN115642202A (zh) 背结太阳能电池及其制备方法
JP3746410B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造方法
KR100322708B1 (ko) 자체전압인가형태양전지의제조방법
KR100192257B1 (ko) 태양전지 제조방법
KR950003952B1 (ko) 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법
JPS62237765A (ja) 太陽電池
TW201413985A (zh) 具有寬窄電極區塊之太陽能電池及使用其之太陽能電池模組
KR100322709B1 (ko) 자체전압인가형태양전지및그태양전지를채용한모듈
JPS5681982A (en) Power phototransistor
TWM542250U (zh) 太陽能電池模組及其佈局結構
JP2002528888A (ja) 透明な電極層をスタラクチャ化するための方法
JPS55120180A (en) Fabricating method of photovoltaic device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee