Claims (7)
반도체 기판상에 서로 깊이가 다른 적어도 두개의 트랜치를 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 트랜치를 형성하고자 하는 부분들의 제1절연막을 서로 다른 쪽으로 제거하는 공정과, 상기 제1절연막이 제거되어 서로 폭이 다르게 노출된 반도체 기판을 제거하여 서로 깊이가 다른 트랜치들을 형성하는 공정과, 상기 트랜치들의 표면에 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 서로 다른 깊이의 트랜치들이 완전히 메워지도록 상기 구조의 전표면에 단결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 트랜치들을 메운 단결정 실리콘층을 제외한 제1절연상막의 단결정 실리콘층을 제거하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor device in which at least two trenches having different depths are formed on a semiconductor substrate, the method comprising: forming a first insulating film on the semiconductor substrate; and forming a first insulating film on portions to be formed in the trench. Removing the other side, removing the semiconductor substrate exposed to different widths by removing the first insulating layer, forming trenches having different depths from each other, forming a second insulating layer on the surfaces of the trenches; Forming a single crystal silicon layer on the entire surface of the structure such that trenches of different depths are completely filled; and removing the single crystal silicon layer of the first insulating layer except for the single crystal silicon layer filling the trenches. Method of manufacturing the device.
제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 패드산화막과 질화규소막 및 산화막의 다층으로 형성하고 상기 질화규소막을 다결정 실리콘층의 제거 공정시에 에칭스토퍼로 사용하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first insulating film is formed of a multilayer of a pad oxide film, a silicon nitride film, and an oxide film, and the silicon nitride film is used as an etching stopper during the removal process of the polycrystalline silicon layer.
제1 내지 제2항에 있어서, 상기 트랜치들의 형성공정시 상기 산화막을 마스크로 하여 트랜치들을 형성하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the trenches are formed using the oxide layer as a mask during the trench formation process.
제1항에 있어서, 상기 트랜치들의 형성 공정시 상기 제1절연막상에 트랜치를 형성할 부분들이 노출되도록 감광막 패턴을 형성하고 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 트랜치들을 형성하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein a photoresist pattern is formed to expose portions of the trench on the first insulating layer and the trenches are formed using the photoresist pattern as a mask during the formation of the trenches.
제1항에 있어서, 상기 트랜치 형성공정을 반응성 이온식각방법으로 행하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the trench forming step is performed by a reactive ion etching method.
제1항에 있어서, 상기 트랜치들을 U자형 및 V자형으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 형상으로 형성하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the trenches are formed in one shape arbitrarily selected from a group consisting of a U shape and a V shape.
제1항에 있어서 상기 제1절연막 상의 다결정 실리콘층을 제거하는 공정을 에치백 및 폴리싱으로 이루어지는 군에서 임의 선택되는 하나의 방법으로 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of removing the polycrystalline silicon layer on the first insulating film is any one selected from the group consisting of etch back and polishing.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.