KR930017041A - Redundancy Circuit of Semiconductor Memory Devices - Google Patents

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KR930017041A
KR930017041A KR1019920001322A KR920001322A KR930017041A KR 930017041 A KR930017041 A KR 930017041A KR 1019920001322 A KR1019920001322 A KR 1019920001322A KR 920001322 A KR920001322 A KR 920001322A KR 930017041 A KR930017041 A KR 930017041A
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KR
South Korea
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flash rom
circuit
gate
drain
Prior art date
Application number
KR1019920001322A
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Korean (ko)
Inventor
양영호
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Publication of KR930017041A publication Critical patent/KR930017041A/en

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Abstract

본 발명은 메모리 소자의 구제에 관한 것으로, 특히 플레쉬ROM(Flash ROM)을 특정 어드레스의 구제용 정보에 사용하는 ROM으로 사용하여 구제용 정보를 프로그래밍 하거나 프로그램된 특정 어드레스를 지우거나 수정할 수 있도록 하는 리던던시 회로에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 리던던시 회로에 있어서, 스페어 셀선택 신호선에는 구제용 정보를 프로그래맹하기 위한 플레시ROM드레인이 연결되고, 상기 플레쉬ROM의 게이트 및 소스에는 상기 플레쉬ROM을 제어하기 위한FRPE회로가 연결되며, 상기 플레쉬ROM의 소스는 드레인이 접지되는 nMOS트랜지스터의 소스 및 게이트에 연결되며, 상기 FRPE회로의 한 단자는 어드레스 라인에 연결되어 구성되는 리던던시 회로이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to the relief of memory devices, and in particular, redundancy for using flash ROM as a ROM used for relief information of a specific address so that the relief information can be programmed or a programmed specific address can be erased or modified. It is about a circuit. To this end, in the present invention, in the redundancy circuit, a flash ROM drain for programming rescue information is connected to a spare cell selection signal line, and a FRPE circuit for controlling the flash ROM is provided at a gate and a source of the flash ROM. The source of the flash ROM is connected to a source and a gate of an nMOS transistor whose drain is grounded, and one terminal of the FRPE circuit is a redundancy circuit configured to be connected to an address line.

Description

반도체 메모리 소자의 리던던시 회로Redundancy Circuit of Semiconductor Memory Devices

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제4도는 플레쉬 ROM을 갖는 리던던시 회로도.4 is a redundancy circuit diagram with flash ROM.

Claims (2)

리던던시 회로에 있어서, 스페어 셀 선택 신호선에는 구제용 정보를 프로그래밍하기 위한 플레시 ROM의 드레인이 연결되고, 상기 플레쉬ROM의 게이트 및 소스에는 상기 플레쉬ROM을 제어하기 위한 FRPE회로가 연결되며, 상기 플레쉬 ROM의 소스는 드레인이 접지되는 nMOS트랜지스터의 소스 및 게이트에 연결되며, 상기 FRPE회로의 한 단자는 어드레스 라인에 연결되어 구성되는 리던던시 회로.In the redundancy circuit, a spare cell select signal line is connected to a drain of a flash ROM for programming relief information, a gate and a source of the flash ROM are connected to a FRPE circuit for controlling the flash ROM, and A source is connected to the source and the gate of the nMOS transistor where the drain is grounded, one terminal of the FRPE circuit is configured to be connected to the address line. 제1항에 있어서 상기 FRPE회로는 소스가 전원전압(Vcc′)에 연결되며, 게이트는/FRPS에 연결되며 드레인은 어드레스 라인에 연결되는 nMOS트랜지스터(T4)와, 소스가(-)전압원에 연결되고 게이트는 상기 nMOS트랜지스터(T4)의 드레인에 연결되며 드레인은 플레쉬ROM의 소스에 연결되는 nMOS트랜지스터(T5)와, 상기 어드레스 라인은 상기 플레쉬ROM의 게이트에 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 리던던시 회로.2. The FRPE circuit of claim 1, wherein an nMOS transistor T4 having a source connected to a power supply voltage Vcc ', a gate connected to a / FRPS, a drain connected to an address line, and a source connected to a negative voltage source. And a gate is connected to the drain of the nMOS transistor T4, and a drain is connected to the source of the flash ROM, and the redundancy circuit is configured to be connected to the gate of the flash ROM. . ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019920001322A 1992-01-30 Redundancy Circuit of Semiconductor Memory Devices KR930017041A (en)

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KR930017041A true KR930017041A (en) 1993-08-30

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763122B1 (en) * 2005-03-31 2007-10-04 주식회사 하이닉스반도체 Repair control circuit of semiconductor memory device with reduced size

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100763122B1 (en) * 2005-03-31 2007-10-04 주식회사 하이닉스반도체 Repair control circuit of semiconductor memory device with reduced size
US7333375B2 (en) 2005-03-31 2008-02-19 Hynix Semiconductor Inc. Repair control circuit of semiconductor memory device with reduced size

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