KR930010481B1

KR930010481B1 - Vacuum heating processor

Info

Publication number: KR930010481B1
Application number: KR1019900011498A
Authority: KR
Inventors: 유이찌로오 야마다; 요시나리 마쯔시다; 히데도시 가와
Original assignee: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤; 다니이 아끼오
Priority date: 1989-07-28
Filing date: 1990-07-27
Publication date: 1993-10-25
Also published as: KR910003346A; JPH0362515A

Abstract

내용 없음.No content.

Description

Vacuum Heater

제1도 및 제2도는 본 발명을 CVD 장치의 로드록실에 적용할 일실시예를 표시하며,1 and 2 show one embodiment to apply the present invention to a loadlock chamber of a CVD apparatus,

제1도는 종단면도.1 is a longitudinal cross-sectional view.

제2도는 요부의 사시도.2 is a perspective view of the main portion.

제3도, 제4도는 종래예의 개략 구성도.3 and 4 are schematic configuration diagrams of a conventional example.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 진공실 7a-7d : 가열플레이드1: vacuum chamber 7a-7d: heating plate

15 : 승강구동장치 17 : 시즈히터15 lifting device 17: sheath heater

19 : 도관 22 : 리드선19: conduit 22: lead wire

24 :이재수단24: transfer means

본 발명은, 진공가열처리장치에 관한 것으로서, 특히 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치 등의 진공반응장치에 있어서의 예비가열실 등에 호적하게 적용할 수 있는 진공가열처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum heat treatment apparatus, and more particularly, to a vacuum heat treatment apparatus that can be suitably applied to a preheating chamber or the like in a vacuum reactor such as a CVD (chemical vapor deposition) apparatus.

예를 들면, 진공배기한 반응실 내에 피처리물을 가열해서 유지하고, 이 반응실 내에 형성해야 할 박막의 조성 원소를 함유한 화합물 가스를 공급함으로써 피처리물 표면에 박막을 형성하는 CVD 장치에 있어서는, 통상 반응실 내를 진공상태로 유지한 그래도 피처리물을 반입, 반출할 수 있도록 진공배기 가능한 로드록실로 호칭되는 예비실이 설치되고, 반응실에서 처리중에 이 로드록실과 외부와의 사이에서 피처리물의 수수(受搜)를 행한 후 진공상태로 해두고, 반응실 내에서의 처리가 종료하면 반응실과 예비실과의 사이에서 피처리물의 수수를 행하고, 바로 처리를 재개할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 로드록실에도 가열수단을 배설하여 피처리물을 로드록실 내에서 예비 가열하여, 반응실 내에서의 가열시간을 적게 하도록 한 것도 알려지고 있다.For example, a CVD apparatus for forming a thin film on the surface of a workpiece by heating and maintaining the workpiece in a vacuum evacuated reaction chamber and supplying a compound gas containing a composition element of a thin film to be formed in the reaction chamber. In general, a preliminary chamber, which is called a vacuum-loaded load lock chamber, is provided so that the inside of the reaction chamber is kept in a vacuum state so that the object can be brought in and taken out, and between the load lock chamber and the outside during processing in the reaction chamber. After carrying out the processing of the processed object in the vacuum state, and after the processing in the reaction chamber is finished, the processing of the processed object is carried out between the reaction chamber and the preliminary chamber, and the processing can be resumed immediately. have. It is also known that heating means is arranged in the load lock chamber to preheat the object to be processed in the load lock chamber to reduce the heating time in the reaction chamber.

이와 같은 가열수단을 구비한 로드록실의 구성으로서는, 예를 들면 제3도에 표시한 바와 같이 피처리물로서의 기판(30)을 얹어놓는 재치대(32)를 로드록실(31) 내에 설치하는 동시에 이 재치대(32)에 사즈히터(33)를 내장시키고, 가열된 재치대(32)에서 기판(30)을 전열 가열하도록 하고 있다. 또한, 제3도에 있어서 (34)는 반응실, (35),(36)은 반응실(34)과 로드록실(31) 사이 및 로드록실(31)과 외부와의 사이에 설치된 게이트, (370은 외부로 로드록실(31)에 기판(30)을 삽입하는 이재(移裁) 수단이고, 로드록실(31)로부터 반응실(34)에 기판(30)을 이재하는 수단(도시생략)도 설치되어 있다. 또, 시즈히터(33)의 대신으로 가열램프 등의 복사(輻射) 가열하는 가열수단을 사용한 것도 있다.As a structure of the load lock chamber provided with such a heating means, for example, as shown in FIG. 3, a mounting table 32 on which the substrate 30 as a workpiece is placed is provided in the load lock chamber 31. The heater 30 is built in the mounting table 32, and the substrate 30 is subjected to electrothermal heating by the heated mounting table 32. In FIG. 3, reference numeral 34 denotes a reaction chamber, and 35 and 36 denote gates provided between the reaction chamber 34 and the load lock chamber 31 and between the load lock chamber 31 and the outside. 370 is transfer means for inserting the substrate 30 into the load lock chamber 31 to the outside, and means (not shown) for transferring the substrate 30 from the load lock chamber 31 to the reaction chamber 34. In addition, in place of the sheath heater 33, there is also used a heating means for radiant heating such as a heating lamp.

한편, 제4도에 표시한 바와 같이, 로드록실(31)의 진공배기와 대기압 복귀의 회수를 적게 하기 위하여, 복수의 기판(30)을 얹어놓은 트레이(38)을 로드록실(31)과 외부와의 사이에서 반입, 반출 가능하게 구성하고, 로드록실(31) 내에 반입된 기판(30)에 대하여 그 위쪽에 배설한 가열수단(39)으로 복사 가열하도록 한 것이 있다. 이 복사 가열수단으로서는 시즈히터를 내장한 것이나 가열램프 등이 사용되고 있다.On the other hand, as shown in FIG. 4, in order to reduce the number of vacuum exhaust and atmospheric pressure recovery of the load lock chamber 31, the tray 38 on which the plurality of substrates 30 are placed is placed outside the load lock chamber 31 and the outside. It is comprised so that carry-in and take-out is possible, and radiate heating is carried out by the heating means 39 arrange | positioned on the board | substrate 30 carried in the load lock chamber 31 above. As the radiant heating means, a built-in sheath heater, a heating lamp, or the like is used.

그러나, 제3도의 구성에서는 로드록실(31)에 대해서 한번에 반입, 반출되는 기판(30)의 수가 적고, 그때마다 로드록실(31)이 진공배기와 대기압 복귀를 행하지 않으면 안되기 때문에 능률이 나쁘다고 하는 문제가 있다. 또, 로드록실(31)에 수용할 수 있는 기판(30)의 매수를 증가하려고 하면, 로드록실(31)의 면적이 크게 되고, 큰 스페이스가 필요하게 되며, 또한 용적이 기판수에 거의 비례적으로 증가해서 진공배기에 많은 시간이 걸리고, 본질적인 문제해결책으로는 될 수 없다고 하는 문제가 있다. 또, 복사가 열방식을 채용하면, 열효율도 나쁘다고 하는 문제가 있었다.However, in the configuration of FIG. 3, the number of substrates 30 loaded and unloaded into the load lock chamber 31 at a time is small, and the load lock chamber 31 has to perform vacuum exhaust and atmospheric pressure recovery each time. There is. If the number of substrates 30 that can be accommodated in the load lock chamber 31 is increased, the area of the load lock chamber 31 becomes large, a large space is required, and the volume is almost proportional to the number of substrates. As a result, the vacuum exhausting takes a lot of time, and there is a problem that can not be an intrinsic problem solution. Moreover, when radiation employs a heat method, there is a problem that thermal efficiency is also bad.

또, 제4의 구성에서도 로드록실(31)의 면적이 크게 되어서 마찬가지의 문제가 있으며, 또 기판(30)의 이재수단으로서 트레이(38)의 반송수단이 필요하게 되나 진공가열실에 적용할 수 있는 반송수단은 가열시의 트레이(38)의 열변형을 고려해야 할 필요에서 그 구성이 대단히 복잡하게 되어, 반송의 신뢰성이 저하된다고 하는 문제가 있었다. 또, 복사방식의 가열수단을 채용하지 않을 수 없기 때문에 열효율도 나쁘다고 하는 문제가 있다.In addition, in the fourth configuration, the area of the load lock chamber 31 is increased, and the same problem occurs. Furthermore, the transfer means of the tray 38 is required as a transfer means of the substrate 30, but it can be applied to the vacuum heating chamber. Since the conveying means has to consider the heat deformation of the tray 38 at the time of heating, its structure becomes very complicated, and there existed a problem that the reliability of conveyance fell. In addition, there is a problem that the thermal efficiency is also poor because the heating means of the radiation method must be employed.

본 발명은 상기 종래의 문제점에 비추어, 피처리물의 수용수를 설치스페이스 및 용적을 현저하게 증가시키는 일없이 증가할 수 있고, 진공배기효율 및 열효율이 좋은 진공가열처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above conventional problems, an object of the present invention is to provide a vacuum heat treatment apparatus capable of increasing the number of water to be processed without significantly increasing the installation space and volume, and having good vacuum exhaust efficiency and thermal efficiency.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 소정의 진공상태로 배기 가능한 진공실과, 이 진공실 내에 상하방향으로 서로 간격을 형성해서 배설된 복수단의 가열플레이트와, 이들 가열플레이트의 승강구동수단을 구비한 것을 특징으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum chamber capable of evacuating to a predetermined vacuum state, a plurality of stage heating plates disposed to be spaced apart from each other in a vertical direction in the vacuum chamber, and lifting and lowering driving means of these heating plates. It is characterized by.

또, 바람직하게는 각 가열플레이트에 가열수단으로서 시즈히터를 내장하여, 그 외관(外管)에 대해서 진공시일 상태에서 접속되는 동시에 진공실 밖으로 도출된 도관과, 도관 내에 삽통된 히터에의 전력공급선을 구비하고 있다.Preferably, a sheath heater is incorporated in each heating plate as a heating means, and a conduit drawn out of the vacuum chamber and connected to the external pipe in a vacuum seal state and a power supply line to a heater inserted into the conduit. Equipped.

본 발명에 의하면, 진공실 내에 피처리물을 얹어놓는 가열플레이트를 상하방향으로 복수단 배설하고 있으므로, 피처리물의 수용수를 증가할 수 있는 동시에, 설치 스페이스는 증가하지 않고, 진공실의 용적의 증가도 적게 해서 되기 때문에 진공배기 효율이 높고, 또한 이들 가열플레이트를 승강시키도록 하고 있으므로, 피처리물의 이적수단도 간단한 구성의 것을 적용할 수 있고, 또 피처리물을 가열플레이트에 의해 전열방식으로 가열하기 때문에 가열효율도 좋다.According to the present invention, since the heating plate on which the workpiece is placed in the vacuum chamber is disposed in multiple stages in the vertical direction, the number of objects to be processed can be increased, and the installation space is not increased, and the volume of the vacuum chamber is also increased. Since the vacuum exhaust efficiency is high and these heating plates are lifted and lowered, the transfer means of the workpiece can be applied with a simple configuration, and the workpiece is heated by a heating plate in a heat transfer manner. Therefore, the heating efficiency is also good.

또, 가열수단으로서의 시즈히터의 외관을 진공실 밖으로 도출된 도관에 접속하여 이 도관을 통해서 전력을 공급하도록 하고 있으므로, 진공실에 있어서도 시즈히터 내는 대기에 연통되어 있기 때문에, 방전이 발생하지 않고, 시즈히터를 가열수단으로서 사용함으로써 정밀도가 좋은 가열제어가 가능하다.In addition, since the appearance of the sheath heater as the heating means is connected to a conduit drawn out of the vacuum chamber to supply power through the conduit, the sheath heater communicates with the atmosphere even in the vacuum chamber. The heating control with high precision is possible by using as a heating means.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여, 첨부도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described in detail, referring an accompanying drawing.

이하, 본 발명을 CVD 장치의 로드록실에 적용한 일실시예를 제1도 및 제2도에 의거해서 설명한다.An embodiment in which the present invention is applied to a load lock chamber of a CVD apparatus will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

(1)은 반응실(2)에 대해서 기판을 반입, 반출하기 위한 로드록실로서의 진공실이고, 외부와의 사이에서 기판(30)을 수수하는 개방구멍과 반응실과의 사이에서 기판(30)을 수수하는 개방구멍이 그 양쪽벽에 형성되고 각각 진공상태를 유지할 수 있도록 밀폐 가능한 게이트(3),(4)가 설치되어 있다. 이 진공실(1)에는, 도시생략한 진공배기수단에 접속된 배기구멍(5), H₂등의 환원가수를 도입하는 가스동비구멍(6)이 형성되어 있다.(1) is a vacuum chamber as a load lock chamber for carrying in and carrying out a substrate to and from the reaction chamber 2, and receives the substrate 30 between an open hole for receiving the substrate 30 between the outside and the reaction chamber. Gates 3 and 4 that are sealed to each other so that opening holes are formed on both walls thereof and the vacuum state can be maintained, respectively. In the vacuum chamber 1, an exhaust hole 5 connected to a vacuum exhaust means (not shown) and a gas cavity hole 6 for introducing a reducing singer such as H ₂ are formed.

진공실(1) 내에는, 복수의 가열플레이트(7a)-(7b)가 상하방향으로 서로 간격을 형성해서 배설되어 있다. (8)은 가열플레이트(7a)-(7d)를 서로 연결 유지하는 연결부재이다. 최하단의 가열플레이트(7a)로부터 아래쪽으로 이들 가열플레이트(7a)-(7b)를 지지하는 지지축(9)이 아래로 드리워지고, 진공실(1)의 바닥면에 형성된 통과구멍(10)을 관통하여, 하부가동판(11)에 고착되어 있다. 이 하부지지판(11)은, 모터(12)에 의해 회전 구동되는 이송나사축(13)에 나사맞춤된 승강체(14)로 이루어진 승간구동수단(15)에 의해 승강구동 가능하게 구성되어 있다. 하부가동판(11)과 진공실(1)의 바닥벽의 통과구멍(10) 둘레가장자리부와는 벨로우즈관(16)으로 접속되고, 진공실(1)의 진공상태가 유지되어 있다.In the vacuum chamber 1, the some heating plate 7a-7b is arrange | positioned at intervals mutually in the up-down direction, and is arrange | positioned. (8) is a connecting member which holds the heating plates 7a-7d connected to each other. The support shaft 9 which supports these heating plates 7a-7b falls down from the lowermost heating plate 7a, and passes through the through hole 10 formed in the bottom surface of the vacuum chamber 1. Thus, the lower movable plate 11 is fixed. The lower support plate 11 is configured to be capable of lifting and lowering by means of a lift drive means 15 made of a lift body 14 screwed to the feed screw shaft 13 which is rotationally driven by the motor 12. The lower movable plate 11 and the periphery of the passage hole 10 of the bottom wall of the vacuum chamber 1 are connected to the bellows pipe 16 and the vacuum state of the vacuum chamber 1 is maintained.

각 가열플레이트(7a)-(7d)에는, 시즈히터(17)가 내장되어 있고, 이 시즈히터(17)의 접속단부에 있어서의 외관에, 제2도에 표시한 바와 같이, 진공시일 가능한 코넥터(18)를 개재해서 도관(19)이 접속되어 있다. 도관(19)은, 진공실(1)의 윗벽에 형성된 통과구멍(20)을 관통하도록 위쪽으로 뻗어나가고, 상부 가동판(21)에 고착되는 동시에 이것을 관통해서 외부의 대기에 개방되어 있다. 이 도관(19)에 삽통된 리드선(22)이, 시즈히터(17)의 외관 내의 전열선에 저속되어 있다. 상부가동판(21)과, 진공실(1)의 윗벽의 통과구멍(20)의 둘레가장자리부와는 벨로우즈관(23)으로 접속되고, 진공실(1)의 진공상태가 유지되어 있다. (24)는 외부와 진공실(1)과의 사이에서 기판(30)을 수수하는 이재수단이고, 이송나사기구(25) 등으로 왕복이동 가능한 아암(26)으로 구성되어 있다.A sheath heater 17 is incorporated in each heating plate 7a-7d, and a connector capable of vacuum sealing, as shown in FIG. 2, in the appearance at the connecting end of the sheath heater 17 is shown. A conduit 19 is connected via 18. The conduit 19 extends upward to penetrate the through-hole 20 formed in the upper wall of the vacuum chamber 1, is fixed to the upper movable plate 21, and penetrates it and is open to the outside atmosphere. The lead wire 22 inserted into the conduit 19 is slowed down to the heating wire in the outer appearance of the sheath heater 17. The upper movable plate 21 and the peripheral portion of the passage hole 20 of the upper wall of the vacuum chamber 1 are connected to the bellows pipe 23, and the vacuum state of the vacuum chamber 1 is maintained. Reference numeral 24 denotes a transfer means for receiving the substrate 30 between the outside and the vacuum chamber 1, and is composed of an arm 26 that can be reciprocated by a transfer screw mechanism 25 or the like.

다음에 작용을 설명한다.The operation is explained next.

진공실(1)과 외부의 사이에서 기판(30)을 수수할 때에는, 게이트(4)를 닫은 상태에서 진공실(1) 내를 대기압으로 되돌려서 게이트(3)를 개방하고 승강구동수단(15)으로 각 가열플레이트(7a)-(7d)의 높이 위치를 조정해서 이재수단(24)의 아암(26)의 높이에 위치맞춤하여, 이재수단(24)으로 각 가열플레이트(7a)-(7d)와의 사이에서 기판(30)을 수수를 행한다. 이와 같이 가열플레이트(7a)-(7d)가 상하방향으로 복수단 적??에서 배설되어 있으므로, 비교적 작은 진공실(1)로 많은 기판(30)을 수용할 수 있다. 또, 가열플레이트(7a)-(7d)의 높이 위치를 이재수단(24)에 맞춰서 위치 조정하므로, 이재수단(24)으로서 구성이 간단한 것을 사용할 수 있다.When receiving the substrate 30 between the vacuum chamber 1 and the outside, the inside of the vacuum chamber 1 is returned to atmospheric pressure with the gate 4 closed, the gate 3 is opened, and the lift drive means 15 is moved. The height position of each heating plate 7a-7d is adjusted and positioned to the height of the arm 26 of the transfer means 24, and the transfer means 24 with each heating plate 7a-7d is carried out. The board | substrate 30 is handed in between. Thus, since the heating plates 7a-7d are arranged in multiple stages in the vertical direction, many substrates 30 can be accommodated in the comparatively small vacuum chamber 1. Moreover, since the height position of the heating plates 7a-7d is adjusted according to the transfer means 24, the thing with a simple structure can be used as the transfer means 24. As shown in FIG.

가열플레이트(7a)-(7d)에 대한 기판(30)의 수수가 종료하면, 게이트(3)을 닫고, 가스도입구멍(6)으로부터 환원가스를 도입하는 동시에, 배기구멍(5)으로부터 배기함으로써 진공실(1) 내를 환원성분위기에서 소정의 진공상태로 한다. 이때 진공실(1)은 기판(30)을 수용매수에 비해서 그 용적이 크지 않기 때문에, 비교적 단시간에 소정의 진공상태로 할 수 있어, 진공배기효율이 높다. 또, 가열플레이트(7a)-(7d)의 시즈히터(17)에 리드선(22)을 통해서 통전하고, 가열플레이트(7a)-(7d)상의 기판(30)을 예비 가열한다.When the transfer of the substrate 30 to the heating plates 7a to 7d ends, the gate 3 is closed, and reducing gas is introduced from the gas introduction hole 6 and exhausted from the exhaust hole 5. The inside of the vacuum chamber 1 is made into a predetermined vacuum state by a reducing component crisis. At this time, since the volume of the substrate 30 is not large compared to the number of sheets, the vacuum chamber 1 can be brought to a predetermined vacuum state in a relatively short time, and the vacuum exhaust efficiency is high. In addition, the sheath heater 17 of the heating plates 7a to 7d is energized through the lead wires 22, and the substrate 30 on the heating plates 7a to 7d is preheated.

그때 기판(30)을 가열플레이트(7a)-(7d)상에서 전열방식으로 가열하므로 효율좋게 가열할 수 있다. 또, 시즈히터(17)를 사용해서 제어성 좋게 가열할 수 있는 동시에, 시즈히터(17) 내가 대기에 연통하고 있으므로, 그 전열선과 외관과의 사이에서 방전이 발생하는 일도 없다.In that case, since the board | substrate 30 is heated by the heat transfer method on the heating plates 7a-7d, it can heat efficiently. In addition, since the sheath heater 17 can be heated with good controllability and the sheath heater 17 communicates with the atmosphere, discharge does not occur between the heating wire and the external appearance.

그후 반응실(2) 내에서의 박막 형성처리가 종료하면, 게이트(4)를 개방해서 도시생략한 이재수단으로 반응실(2) 내의 처리완료한 기판(30)을 꺼내는 동시에 가열플레이트(7a)-(7d)상의 기판을 반응실(2) 내에 삽입한다. 이때, 승강구동수단(15)으로 대응하는 가열플레이트(7a)-(7d)를 이재수단에 맞춰서 높이 위치를 조정한다. 이렇게 해서, 반응실(2)과 진공실(1)과의 사이에서 기판(30)의 반입, 반출이 종료하면, 게이트(4)를 닫으므로써, 반응실(2) 내에서는 바로 박막형성처리를 재개할 수 있다. 또, 이상의 동작을 반복하여 진공실(1) 내의 모든 기판(30)의 처리가 종료하면, 상기와 같이 진공실(1)과 외부와의 사이에서 한번에 기판(30)의 수수를 행한다.Then, when the thin film formation process in the reaction chamber 2 is complete | finished, the gate 4 is opened and the processed board | substrate 30 in the reaction chamber 2 is taken out by the transfer means not shown, and the heating plate 7a is carried out at the same time. The substrate on-(7d) is inserted into the reaction chamber 2. At this time, the height position is adjusted in accordance with the transfer plate 7a-7d corresponding to the transfer means by the elevating driving means 15. In this way, when loading and unloading of the board | substrate 30 between the reaction chamber 2 and the vacuum chamber 1 is complete | finished, the thin film formation process is resumed immediately in the reaction chamber 2 by closing the gate 4. can do. In addition, when the above operation is repeated and the process of all the board | substrates 30 in the vacuum chamber 1 is complete | finished, as mentioned above, the board | substrate 30 is handed over between the vacuum chamber 1 and the exterior.

본 발명에 의하면, 진공실 내에 피처리물을 얹어놓는 가열플레이트를 상하방향으로 복수단 배치하고 있으므로, 피처리물의 수용수를 증가할 수 있는 동시에, 설치 스페이스는 증가하지 않고, 용적의 증가도 적게 해서 되기 때문에 진공배기효율이 높고, 또한 이들 가열플레이트를 승강시키도록 하고 있으므로, 피처리물의 이재수단도 간단한 구성의 것을 적용할 수 있고 또 피처리물을 가열플레이트에 의해 전열방식으로 가열하기 때문에 가열효율도 좋다.According to the present invention, since the heating plate on which the workpiece is placed in the vacuum chamber is arranged in multiple stages in the vertical direction, the number of objects to be processed can be increased, and the installation space is not increased, but the volume is also increased. As a result, the vacuum exhaust efficiency is high, and the heating plates are raised and lowered. Therefore, the transfer means of the workpiece can be applied with a simple configuration, and the heating efficiency is heated by the heating plate. Also good.

또, 시즈히터의 외관을 진공실 밖으로 도출된 도관에 접속하여 이 도관을 통해서 전력을 공급하도록 하고 있으므로, 진공실에 있어서도 시즈히터 내기 대기에 연토되어 있기 때문에, 방전이 발생하지 않고 시즈히터를 가열수단으로서 사용하는데 보다 정밀도가 좋은 가열제어를 할 수 있는 등 큰 효과를 발휘한다.In addition, since the external appearance of the sheath heater is connected to a conduit drawn out of the vacuum chamber to supply electric power through the conduit, the sheath heater is not generated in the vacuum chamber, and thus the discharge of the sheath heater is used as a heating means. It has a great effect such as more precise heating control.

Claims

A vacuum heating processing apparatus comprising: a vacuum chamber capable of evacuating a predetermined vacuum state; a plurality of stage heating plates disposed so as to be spaced apart from each other in the vacuum chamber in a vertical direction; and a lift drive means for these heating plates.

A conduit drawn out of the vacuum chamber and connected to the exterior of the sheath heaters embedded in the heating plates, and a power supply line to the sheath heaters inserted into the conduit. Vacuum heat treatment device.