KR930009224A - 광대역으로 선택가능한 이득 및 동작 주파수를 갖는 상보형 금속 산화물 반도체(cmos) 발진기 회로 - Google Patents

광대역으로 선택가능한 이득 및 동작 주파수를 갖는 상보형 금속 산화물 반도체(cmos) 발진기 회로 Download PDF

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KR930009224A
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비. 부머 제임스
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존 엠. 클락
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

피어스(Pierce) 수정 발진기 회로구성의 CMOS 발진기 집적회로는 광대역 주파수 범위에 걸친 발진 주파수로 동작한다. 단일의 인버터단(I1)은 발진기 입력(OSC IN) 및 발진기 출력(OSS OUT) 사이에 연결되어 있다. 상기 발진기 출력과 발진기 입력 사이에 연결된 발진기 피드백 회로는 수정 발진기(XTAL)를 합체하고 있다. 풀업 이득 회로망(PNET)은 상기 인버터단(I1)의 풀업 트랜지스터(P1)의 고전위 전력 레일(Vcc)사이에 복수개의 서로 다른 병렬 풀업 이득 경로를 제공한다. 상기 풀업 이득 경로는 상기 인버터단(I1)에 의해 서로 다른 증폭 이득(An)을 구현하도록 각각의 풀업 이득 경로에 서로 다른 풀업 이득 저항(RP2,PR3,...RPN)을 갖는다. 디지털 방식으로 어드레스가능한 풀업이득 스위치(P2,P3,...PN)는 서로 다른 이득 경로와 서로 다른 이득 증폭(An)을 선택하도록 각각의 풀업 이득 경로에 연결되어 있다. 그러므로 CMOS 발진기 회로는 광대역의 디지털 방식으로 선택가능한 동작 주파수에 걸쳐 CMOS 발진기 회로를 동작시키도록 서로 다른 동작 이득 제한값(AMIN, AMAX) 및 서로 다른 동작 특성 주파수를 갖는 서로 다른 수정 발진기를 수용한다.

Description

광대역으로 선택가능한 동작 주파수를 갖는 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 발진기 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 피어스(Pierce) 발진기 회로의 구성을 이루는 선행기술의 CMOS 집적회로(IC) 수정 발진기의 개략적 회로 다이어그램
제2도는 상이한 특성 발진 주파수를 갖는 상이한 수정 발진기를 수용하기 위하여 선택가능한 이득 경로 및 선택가능한 이득범위를 갖는 본 발명에 따른 CMOS 수정 발진기의 개략적인 회로 다이어그램

Claims (1)

  1. 발진기 입력(OSC IN) 및 발진기 출력(OSC OUT) 사이에 연결되어 있는 인버터단으로서, 상기 발진기 출력(OSC OUT)과 각각의 고전위 전력 레일(Vcc) 및 저전위 전력 레일(GND) 사이에 연결된 소오스 및 드레인 노드를 통한 1차 전류 경로, 및 상기 발진기 출력(OSC OUT) 및 발진기 입력(OSC IN)사이에 연결되어 수정 발진기(XTAL)를 포함하는 발진기 피드백 회로를 포함하는 인버터단(I1)을 갖는 CMOS 발진기 회로에 있어서, 서로 다른 동작 주파수를 가지며 광대역의 선택된 동작 주파수에 걸쳐 상기 CMOS 발진기 회로를 동작시키도록 서로 다른 동작 이득 제한값(AMIN, AMAX)사이에서 동작하는 서로 다른 수정 발진기를 수용하고, 상기 풀업 트랜지스터(P1) 및 고전위 전력레일(Vcc) 사이에서 상기 풀업 트랜지스터(P1)의 1차 전류 경로와 직결로 연결된 복수개의 서로 다른 병렬 풀업 이득 경로를 지니되, 상기 CMOS 발진기 회로용 인버터단(I1)에 의해 서로 다른 이득 증폭(AN)을 구현하도록 각각의 풀업 이득 경로에 선택된 풀업 이득 저항 수단을 갖는 복수개의 서로 다른 병렬 풀업 이득 경로를 지니는 풀업 이득 회로망(PNET), 및 서로 다른 수정 발진기의 서로 다른 동작 이득 제한값(AMIN, AMAX)내에서 상기 인버터단(I1)의 서로 다른 이득 증폭(AN) 및 서로 다른 이득 경로를 선택하도록 각각의 풀업 이득 경로에 연결된 디지털 방식으로 어드레스가능한 풀업 이득 스위치 수단을 포함하는 개선된 CMOS 발진기 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920018045A 1991-10-03 1992-10-02 광대역으로 선택가능한 이득 및 동작 주파수를 갖는 상보형 금속 산화물 반도체(cmos) 발진기 회로 KR930009224A (ko)

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US07/771,394 1991-10-03
US07/771,394 US5142251A (en) 1991-10-03 1991-10-03 Wide band selectable gain and operating frequency CMOS oscillator circuit

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5481228A (en) * 1993-10-15 1996-01-02 Hewlett-Packard Corporation Method and apparatus for controlling oscillator duty cycle
US5457434A (en) * 1994-03-31 1995-10-10 At&T Global Information Solutions Company Integrated circuit oscillator with high voltage feedback network
JP3270880B2 (ja) * 1994-06-30 2002-04-02 ソニー株式会社 水晶発振回路
US5534826A (en) * 1994-10-24 1996-07-09 At&T Corp. Oscillator with increased reliability start up
DE19621228A1 (de) * 1996-05-25 1997-11-27 Itt Ind Gmbh Deutsche Digital einstellbarer Quarzoszillator mit monolithisch integrierter Oszillatorschaltung
JP3135867B2 (ja) * 1997-06-09 2001-02-19 スワ電子株式会社 水晶振動子のｃｉ測定方法および水晶発振回路
GB2349995A (en) * 1999-05-14 2000-11-15 Ericsson Telefon Ab L M An oscillator in which when the frequency is adjusted the level is also adjusted
JP2001203532A (ja) * 2000-01-24 2001-07-27 Alps Electric Co Ltd 発振装置
US7183868B1 (en) 2004-09-09 2007-02-27 Sandia Corporation Triple inverter pierce oscillator circuit suitable for CMOS
KR100760196B1 (ko) * 2005-12-08 2007-09-20 한국전자통신연구원 적응성 부성 저항셀을 장착한 멀티밴드용 ｌｃ 공조전압제어발진기
US7355489B2 (en) * 2006-02-10 2008-04-08 Cypress Semiconductor Corp. High gain, high frequency CMOS oscillator circuit and method
JP2008205656A (ja) * 2007-02-17 2008-09-04 Seiko Instruments Inc 発振回路
US9445729B2 (en) * 2012-07-20 2016-09-20 Resmed Sensor Technologies Limited Range gated radio frequency physiology sensor
US10361190B2 (en) 2015-07-15 2019-07-23 Mediatek Inc. Standard cell circuitries
GB201810227D0 (en) 2018-06-21 2018-08-08 Nordic Semiconductor Asa Oscillator circuits

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS622813Y2 (ko) * 1979-07-20 1987-01-22
US4387350A (en) * 1980-12-24 1983-06-07 Rca Corporation Watch circuit with oscillator gain control

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US5142251A (en) 1992-08-25

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