KR930006693Y1 - 열 보상회로 - Google Patents

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KR930006693Y1
KR930006693Y1 KR2019890015508U KR890015508U KR930006693Y1 KR 930006693 Y1 KR930006693 Y1 KR 930006693Y1 KR 2019890015508 U KR2019890015508 U KR 2019890015508U KR 890015508 U KR890015508 U KR 890015508U KR 930006693 Y1 KR930006693 Y1 KR 930006693Y1
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KR2019890015508U
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Inventor
이형수
Original Assignee
금성일렉트론 주식회사
문정환
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature

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  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

열 보상회로
제1도는 본 고안의 회로도.
제2도는 제1도에 따른 샷다운 온도변화도.
제3도는 종래의 회로도.
제4도는 제3도에 따른 샷다운 온도변화도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
Q1-Q5: 트랜지스터 R1-R4: 저항
I1, I2: 전류원
본 고안은 열 보상(tjhermal protection)회로에 관한 것으로, 특히 공정상 트랜지스터의 VBE가 변하더라도 정확한 열 샷다운(shut-down)온도를 가지는데 적당하도록 한 것이다.
종래의 열 보상회로는 제3도에 도시된 바와 같이 일정전압(Vref)단에 트랜지스터(Q1)의 에미터를 접속함과 아울러 콜렉터를 멀티-콜렉터로 구성하여 그 각각을 저항(R1), 트랜지스터(Q2)의 콜렉터, 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 접속하였으며, 상기에서 트랜지스터(Q1)의 한 콜렉터를 자기 베이스와 접속하여 다이오드 구성을 하였고, 이 접점에 저항(R0)(R1)을 접속한 후 이들 저항(R1)(R0)의 접점에 트랜지스터(Q2)의 베이스를 접속하였다.
또한 상기 트랜지스터(Q2)이 콜렉터를 트랜지스터(Q3)의 베이스에, 트랜지스터(Q3)의 콜렉터를 트랜지스터(Q4)의 베이스에 접속하였고, 이들 트랜지스터(Q2-Q4)의 에미터와 저항(R2)의 일단을 공통 접속하여 접지하였다.
상기와 같이 구성된 종래의 회로에 있어서도 트랜지스터(Q1)의 VBE는 부(-)의 온도계수를 갖고 저항(R1)(R2)은 정)=)의 온도계수를 가지므로 트랜지스터(Q2)의 VBE턴- 온 전압은 온도상승에 따라 내려가고 저항(R2)의 양단전압로 VBEQ1이 온도상승에 따라 감소하므로 올라가게 되었다.
따라서 트랜지스터(Q2)가 온되어 I2전부가 트랜지스터(Q2)의 콜렉터로 흐르면 (이때 VCE,Q22〈VBE, ON)트랜지스터(Q2)가 오프되어 I3전류가 프랜지스터(Q4)의 베이스로 전부 유입되므로 트랜지스터(Q4)를 온시켰다.
이때, 특정온도에서 샷다운 회로를 동작시키기 위한 저한 (R1)(R2)의 값은 다음 식으로 결정되었다.
즉,
여기서, VBES는 27℃에서 콜렉터 전류 1mA가 흐를 때 베이스-에미터간 전압이며, △VBE는 공정상 VBE변화분 (최소 50mA 변함),는 VBE온도 계수, △T 27℃온도기준 샷다운 온도증분,이다.
상기 식에서 공정상 VBE변화분 △VBE가 최고 ±50mV까지 변하게 되므로 VBES기준으로 R01,R02,가 설계되었을때보다 샷다운 온도가 수십도까지 변하게 되고, 이에 따라 정상동작이 요구되는 온도에서도 열 샷다운 동작이 일어나 오동작이 발생하기 쉬었다.
제4도는 공정상 VBE변화 △VBE에 의한 비정상적인 샷다운 현상을 나타낸다.
따라서, 본 고안은 종래의 결점을 감안하여 공정상 일어나는 VBE변화를 보상해주므로 정확한 온도에서 열 샷다운이 일어나도록 한 것인바, 이를 첨부된 도면 제1도와 제2도에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안은 일정전압 (Vref)과 접지단 사이에 상기 일정전압을 저항(R1- R2)에 분압되어 트랜지스터(Q2)에 베이스에 인가하고 트랜지스터(Q2)의 에미터에는 전류원(I1)이 인가되며 콜렉터는 접지단에 연결되고, 상기 전류원(I1)은 저항(R3,R4)에 분압되어 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가된다.
그리고 상기 일정전압 (Vref)에 트랜지스터(Q1)의 에미터를 접속하고이의 콜렉터를 트랜지스터(Q3Q4)의 콜렉터에 접속하며, 트랜지스터(Q1)의 베이스와 콜렉터를 공통으로 타측이 접지된 전류원 (I2)에 접속하며, 상기 트랜지스터(Q3, Q4)의 에미터를 접지된다.
그리고, 트랜지스터(Q4)의 에미터는 에미터가 접지되고 콜렉터가 출력단인 트랜지스터(Q5)의 베이스에 연결된다.
이와 같이 구성된 본 고안은 일정전압(Vref)과 접지 사이에 저항 (R1)(R2)이 접속되어 온도변화에도 일정한 전압(V1)을 가지는 A점에서 트랜지스터(Q2)에 의하여 VBE, Q2만큼 전압레벨을 이동시키면 B점에서 저항(R3)(R4)으로 전압을 분압시켜 이 분압전압을 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가한다.
이때 저항(R4)의 양단전압(V3)은 트랜지스터(Q3)를 특정온도(열 샷다운 온도)이하에서는 턴 온시키지 못할 정도로 작으며 제1도에서, V1-V2는 다음식으로 나타난다.
마지막 식에서 △VBE변동분이배만큼 줄어드는데 이것은 트랜지스터(Q3)의 틴-온 전압에 영향을 주는 △VBE의 영향을 트랜지스터(Q2)로 보상해 주었기 때문이다.
따라서 공정상 VBE변화에 의하여 트랜지스터(Q3)의 VBE턴-온 전압이 변하는 것을 보상하기 위해서 트랜지스터(Q2)를 이용하여 VBE변화분에 비례하도록 V5전압을 상승시켜 열 샷다운 온도를 정확하게 조정할 수 있다.
제2도는 샷다운 온도변화에 따른 변동율을 나타낸 것으로, 공정변화 (△BE)에도 Ts가 같다.
이상과 같은 본 고안은 공정상 VBE변화는 최고 ±mV까지 변하게 되는 것이기 때문에 정상적으로 (실계상 특정온도에서)샷다운이 일어나는 VBE변화를 보상해 주므로써 정확한 온도에서 열 샷다운이 일어나도록 할 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (1)

  1. 일정전압(Vref)과 접지단 사이에서 일정전압(Vref)이 트랜지스터 (Q1)의 에미터에 인가되고 저항 (R1-R3)에 분압되어 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되며 트랜지스터(Q2)의 에미터에는 전류원(I1)이 인가되고 콜렉터는 접지단에 연결되며, 상기 전류원(I1)은 저항(R3, R4)에 분압되는 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되고, 상기 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 트랜지스터(Q3, Q4)의 콜렉터에 병렬접속되고 또한, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 베이스가 공통으로 타측이 접지된 전류원(I2)에 접속되며, 상기 트랜지스터(Q3, Q4)의 에미터는 접지되고, 트랜지스터(Q40의 콜렉터는 에미터가 접지되고 콜렉터가 출력단인 트랜지스터(Q5)의 베이스와 접속되어 구성됨을 특징으로 하는 열 보상회로.
KR2019890015508U 1989-10-25 1989-10-25 열 보상회로 KR930006693Y1 (ko)

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