KR930005370A - Input circuit - Google Patents

Input circuit Download PDF

Info

Publication number
KR930005370A
KR930005370A KR1019920015256A KR920015256A KR930005370A KR 930005370 A KR930005370 A KR 930005370A KR 1019920015256 A KR1019920015256 A KR 1019920015256A KR 920015256 A KR920015256 A KR 920015256A KR 930005370 A KR930005370 A KR 930005370A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
level
signal
output
circuit
input
Prior art date
Application number
KR1019920015256A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR0150227B1 (en
Inventor
도루 조난
Original Assignee
세끼모또 타다히로
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼모또 타다히로, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 세끼모또 타다히로
Publication of KR930005370A publication Critical patent/KR930005370A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0150227B1 publication Critical patent/KR0150227B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음.No content.

Description

입력회로Input circuit

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제3도는 본 발명에 따른 제1실시예의 입력회로를 도시하는 회로도,3 is a circuit diagram showing an input circuit of a first embodiment according to the present invention;

제4도는 제1실시예의 동작을 도시하는 타이밍도.4 is a timing diagram showing the operation of the first embodiment.

Claims (7)

출력 절점에 반전 신호를 제공하기 위해 입력 신호를 반전시키는 입력 인버터, 상기 입력 신호와 동일한 레벨의 출력 신호를 제공하기 위해 상기 반전된 신호를 반전시키는 출력 인버터, 및 상기 입력 회로의 레벨과 반대되는 레벨로 상기 출력 절점의 전위를 래치시키기위한 래치회로를 포함하고, 상기 래치회로가 고정전위와 상기 출력 절점 사이에서 소스-드레인 경로에 의해 직렬로 접속된 동일 도전형의 2개의 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 도전형을 노이즈가 상기 입력 회로내로 입력되는 타이밍에서 상기 입력 신호의 상기 레벨에 좌우되는 것을 특징으로 하는 입력 회로.An input inverter that inverts the input signal to provide an inverted signal to an output node, an output inverter that inverts the inverted signal to provide an output signal at the same level as the input signal, and a level opposite the level of the input circuit A latch circuit for latching the potential of the output node, the latch circuit comprising two MOS transistors of the same conductivity type connected in series by a source-drain path between a fixed potential and the output node, And the conductivity type depends on the level of the input signal at a timing at which noise is input into the input circuit. 제1항에 있어서, 상기2개의 MOS 트랜지스터는 상기 입력 신호가 상기 타이밍에서 로우인 경우에 P형이고, 상기 고정 전위는 Vcc전원이며, 상기 2개의 MOS 트랜지스터중 하나는 게이트에서 제어 신호 단자에 접속되고, 상기 2개의 MOS 트랜지스터중 나머지는 하나의 게이트에서 상기 출력 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 입력 회로.2. The device of claim 1, wherein the two MOS transistors are P-type when the input signal is low at the timing, the fixed potential is a Vcc power source, and one of the two MOS transistors is connected to a control signal terminal at a gate. And the remaining of the two MOS transistors is connected to the output terminal at one gate. 제1항에 있어서, 상기 2개의 MOS 트랜지스터는 상기 입력 신호가 상기 타이밍에서 하이인 경우에 n-형이고, 상기 고정전위는 접지 전위이며, 상기2개의 MOS 트랜지스터중 하나는 게이트에서 제어 신호 단자에 접속되고, 상기 2개의 MOS 트랜지스터중 나머지 하나는 게이트에서 상기 출력 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 입력 회로.2. The device of claim 1, wherein the two MOS transistors are n-type when the input signal is high at the timing, the fixed potential is ground potential, and one of the two MOS transistors is at a gate to a control signal terminal. An input circuit, the other of said two MOS transistors being connected to said output terminal at a gate. 로우 레벨의 입력 신호에 따라 출력 신호를 발생시키기 위한 수단, 및 노이즈가 발생하는 타이밍에서 제공되는 제어 신호 따라 적절한 레벨로 상기 출력 신호의 레벨을 래치시키기 위한 래치 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 입력 회로.Means for generating an output signal in accordance with a low level input signal, and a latch circuit for latching the level of the output signal to an appropriate level in accordance with a control signal provided at a timing at which noise occurs . 제4항에 있어서, 상기 출력 신호 발생 수단이 상기 출력 신호를 로우로 발생하도록 상기 입력 신호의 레벨을 반전시키기 위한 제1인버터 회로 및 상기 제1인버터 회로로부터 제공되는 신호의 레벨을 반전시키기 위한 제2인버터 회로를 포함하고, 상기 래치회로가 소스에서 전원에, 게이트에서 상기 제2인버터 회로의 출력에 접속된 제1p-MOS 트랜지스터, 및 게이트에서 로우 레벨의 상기 제어 신호가 제공되는 단자에, 소스에서 상기 제1p-MOS 트랜지스터의 드레인에, 드레인에서 상기 제1인버터 회로의 출력에 접속된 제2p-MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 입력 회로5. The apparatus of claim 4, further comprising: a first inverter circuit for inverting the level of the input signal such that the output signal generating means generates the output signal low and a level for inverting the level of the signal provided from the first inverter circuit. A first p-MOS transistor comprising a two inverter circuit, wherein the latch circuit is connected from a source to a power source, from a gate to an output of the second inverter circuit, and from a gate to a terminal provided with the low level control signal; And a second p-MOS transistor connected at the drain to the output of the first inverter circuit at the drain of the first p-MOS transistor. 하이 레벨인 입력 신호에 따라 출력 신호를 발생시키기 위한 수단, 및 노이즈가 발생하는 타이밍에서 제공되는 제어신호에 따라 상기 출력 신호의 레벨을 적절한 레벨로 래치시키기 위한 래치 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 입력 회로.Means for generating an output signal in accordance with an input signal that is at a high level, and a latch circuit for latching the level of the output signal to an appropriate level in accordance with a control signal provided at a timing at which noise occurs Circuit. 제6항에 있어서, 상기 출력 신호 발생 수단이 상기 출력 신호를 하이로 발생시키기 위해 상기 입력 신호의 레벨을 반전시키기 위한 제1인버터 회로 및 상기 제1인버터 회로로부터 제공되는 신호의 레벨을 반전시키기 위한 제2인버터 회로를 포함하고, 상기 래치회로가 소스에서 접지에, 게이트에서 상기 제2인버터 회로의 출력에 접속된 제1n-MOS 트랜지스터와, 게이트에서 하이 레벨인 상기 제어 신호가 제공되는 단자에, 소스에서 상기 제1n-MOS 트랜지스터의 드레인에, 드레인에서 상기 제1인버터 회로의 출력에 접속된 제2n-MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 입력 회로.7. The apparatus according to claim 6, wherein said output signal generating means is adapted to invert a level of a signal provided from said first inverter circuit and a first inverter circuit for inverting the level of said input signal to generate said output signal high. A first n-MOS transistor comprising a second inverter circuit, wherein the latch circuit is connected from a source to ground, from a gate to an output of the second inverter circuit, and at a terminal to which the control signal at a high level is provided; And a second n-MOS transistor connected at a source to a drain of the first n-MOS transistor and at a drain to an output of the first inverter circuit. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019920015256A 1991-08-27 1992-08-25 Input circuit KR0150227B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3214927A JP3055236B2 (en) 1991-08-27 1991-08-27 Input circuit
JP91-214927 1991-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930005370A true KR930005370A (en) 1993-03-23
KR0150227B1 KR0150227B1 (en) 1998-12-15

Family

ID=16663883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920015256A KR0150227B1 (en) 1991-08-27 1992-08-25 Input circuit

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3055236B2 (en)
KR (1) KR0150227B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3859766B2 (en) * 1996-05-24 2006-12-20 株式会社ルネサステクノロジ Semiconductor memory device input circuit
JP5374285B2 (en) * 2009-09-14 2013-12-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0555896A (en) 1993-03-05
KR0150227B1 (en) 1998-12-15
JP3055236B2 (en) 2000-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930020835A (en) Increment-Depletion Mode Cascode Current Mirror
KR970071829A (en) Semiconductor integrated circuit
KR930003522A (en) Slew Rate Speed Sup Circuit
KR900002558A (en) Output circuit
KR970051131A (en) Sense Amplifier Output Control Circuit of Semiconductor Memory
KR940010529A (en) Input buffer
KR910002127A (en) Power switching circuit
KR950022107A (en) Output buffer circuit with gate voltage control circuit of gate current control transistor connected to output transistor
KR970013732A (en) Data output buffer using multi power
KR890013769A (en) Medium Potential Generation Circuit
KR920022298A (en) Level conversion output circuit
KR920015734A (en) Input buffer regeneration latch
KR930005370A (en) Input circuit
KR970019085A (en) CMOS Inverter
KR920003704A (en) Floating circuit driving circuit responsive to digital signal
KR850004690A (en) Pulse sending circuit
KR880004655A (en) Transmission gate circuit
KR910015862A (en) Substrate Bias Voltage Detection Circuit
KR910017424A (en) Memory cell circuit of semiconductor integrated circuit device
KR0119247Y1 (en) Decoder circuit
KR950013031A (en) Voltage change delay circuit
KR970063938A (en) Output buffer circuit of semiconductor device
KR920015552A (en) Synchronous ECL-CMOS Translator
KR970013735A (en) Output buffer circuit
KR920007176A (en) Semiconductor integrated circuit comprising P-channel MOS transistors with different threshold voltages

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120521

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term