KR930005051Y1 - 마그네트론 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론

제1도는 종래 마그네트론의 단면도.

제2도는 본 고안에 의한 마그네트론의 일실시예를 도시한 단면도.

제3도는 제2도의 실시예에 사용되는 쵸크의 확대단면 사시도.

제4도는 본 고안에 의한 마그네트론의 다른 실시예를 도시하는 단면도.

제5도는 제4도의 실시예에 사용되는 쵸크의 확대단면도.

제6도는 본 고안에 의한 마그네트론의 또다른 실시예를 도시하는 단면도.

제7a, b도는 제6도의 실시예에 사용되는 쵸크의 확대 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 필라멘트 12 : 베인

13 : 안테나 15 : 센터리드

16 : 사이드리드 17 : 에프씰

18 : 제1쵸크 21 : 제2쵸크

24 : 제3쵸크

본 고안은 전자레인지에 사용되는 마그네트론에 관한 것으로, 특히 불필요한 고조파성분의 전파누설을 감소 시킬 수 있는 마그네트론에 관한 것이다.

종래 마그네트론은 전자레인지에 사용되며 고주파(약 2450㎒)룰 발생시키는 것으로 제1도에 도시한 바와 같이, 필라멘트(1)에서 열전자가 방출되어 이 방출열전자가 전장과 자장에 의한 힘으로 베인(2)과 필라멘트(1)간의 공간에서 회전하여 돌때 에너지를 베인(2)에 줌으로써 약2450㎒의 고주파 성분을 발생시키게 되는데 이때 이 고주파 성분외에 정수배의 주파수를 갖는 고조파가 발생된다.

이 고조파 성분들은 기본 고주파와 함께 안테나(3)를 타고 전자레인지의 캐비티내로 운반되며, 이 운반도 고조파 성분들은 파장이 짧은 것인만큼 전자레인지에서의 차폐가 어려워진다.

이와 같이 파장이 짧은 고조파성분은 전자레인지로 부터 쉽게 주설되어 무선장애(전파정애등)를 일으키는 원이 되며, 특히 제5고주파(약 12.25㎓)성분은 인공위성의 통신에 장애을 일으키는 원인이 된다.

따라서 세계각국에서는 누설주파수의 한계치를 법으로 규제하고 있다.

이러한 설정에 따라 현재 마그네트론 제작회사들은 고조파성분의 누설을 억제하기 위해 안테나(3)와 에이씰(A-Seal)(4 사이에 쵸크(5)를 여러 형상으로 변화시켜 사용함으로써 전자레인지의 캐비티내로 운반되는 고조파성분을 억제하고 있다.

여기서 사용되는 쵸크(5)의 치수는 복사를 억제하고자 하는 고조파 주파수의로 형성하고 있으며 이러한쵸크(5)를 사용함으로써 전자레인지의 캐비티로 전달되는 고조파 성분이 억제되어 외부로 주설되는 고조파 성분을 어느정도 저감되었다.

그러나 이러한 종래의 마그네트론에서는 상기 쵸크(5)를 사용하였음에도 부루하고 아직도 고조파성분의 누설이 측정되고 있다.

이와 같은 고조파성분의 누설은 센터리드(6)와 사이드리드(7)를 타고 외부로 누설되는 것으로 추정되었으며 이러한 누설이 센터리드(6)와 사이드리드(7)를 타고 누설되는 것임을 확인하기 위하여 제2케이스(9)를 제거하고 측정한 결과 법정규제치의 30-40dB 이상의 고조파성분이 누설됨을 알 수 있었다.

따라서 많은량의 고조파성분이 센터리드(6)와 사이드리드(7)를 타고 누설됨이 확인되었다.

또한 제1케이스(8)와 제2케이스(9)를 이용하여 센터리드(6)와 사이드리드(7)를 쉴드하는 경우에는 이들 제1 및 제2케이스(8)(9)의 결합상태에 따라 약 20-25㏈ 정도로 감소되어 누설됨이 확인되었다.

결과적으로 종래 안테나(3)와 에이씰(4)사이에 쵸크(5)를 설치함 마그네트론에서는 제1케이스(8)와 제2케이스(9)간의 결합을 완전하게 (틈이없이) 할 수 없으며 어느정도의 한계가 있으므로 고조파의 누설을 완전히 억제할 수는 없는 것이었다.

도면에서 미설명 부호 10은 에프씰(F-Seal)을 보인 것이다.

따라서 본 고안은 이러한 종래의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 센터리드 및 사이드리드와 에르씰((F-Seal))사이에 쵸크를 설치함으로써 무선장애(전파, 통신장애)를 유발하는 고조파의 누설을 억제할 수 있도록 한 마그네트론을 제공하려는 것이다.

이하 본 고안에 의한 마그네트론을 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 상세히 설명한다.

제2도 및 제3도는 본 고안에 의한 마그네트론의 일실시예를 도시하는 것으로, 도면에서 11은 열전자를 방출하는 필라멘트이며, 이 필라멘트(11)의 주위에는 베인(12)이 설치되어 있다.

상기 필라멘트(11)에서 방출된 열전자는 전장과 자장에 의한 힘으로 필라멘트(11)와 베인(12)사이의 공간에서 회전하면서 베인(12)에 에너지를 줌으로써 약 2450㎒의 고주파성분이 발생되며, 이 고주파성분은 안테나(13)를 타고 전자레인지의 캐비티내로 운반되게 구성되어 있다.

상기 안테나(13)는 에이씰(14)에 의하여 쉴드되어 있으며, 상기 필라멘트(11)는 사이드리드(16)와 나란히 설치된 센터리드(15)의 상단 주위에 권회설치되는 것이다.

상기 세터리드(15)와 사이드리드(16)는 에프씰(F-Seal)(17)에 의하여 쉴드되어 있다.

상기 에프씨(17)의 내부에는 제1쵸크(18)가 삽입고정되어 있다.

상기 제1쵸크(18)는 제1원통부(19)의 일단부에 제1플랜지부(20)가 형성된 구성으로 되어 있으며, 제1플랜지부(20)가 에프씰(17)가 내면에 고정되어 제1쵸크(18)의 제1원통부(19)의 주벽이 센터리드(15) 및 사이드리드(16)와 에프씰(17)의 내주면 사이에 위치하여 있다.

상기 제1쵸크(18)의 제1원통부(19)의 직경 D1은 누설을 억제할 고조파 파장의파장길이 () 로 하고, 전체높이 H1은 동고조파 파장의파장길이로 한다.

이와 같이 구성된 본 실시예에 의한 마그네트론에서는 상술한 고주파성분을 발생시키는 과정에서 발생되어 센터리드(15)와 사이드리드(16)를 타고 전달되는 고조파 특히 약 제5고조파(약 12.25㎓)는 물론 제3고조파(7.35㎓)성분을 제1쵸크918)에 의해 흡수 및 반사하여 외부로 누설되는 고조파의 복사량을 충분히 억제하게된다.

본 고안자들의 시험에 따르며 상술한 실시에 의한 마그네트론은 그 가동중 누설주파수의 법정규제에 훨씬 못미치게 됨을 알 수 있었으며, 이는 고조파의 누설방지효과에 있어 종래 안테나와 에이씰사이에 쵸크를 설치한 마그네트론에 비해 월등한 것이었다.

또한 본 고안의 마그네트론은 제4도 및 제5도에 도시한 실시예와 같이 구성할 수 잇다.

즉, 본 실시예에서는 제4도 및 제5도에 도시한 바와 같이, 상기 센터리드(15) 및 사이드리드(16)와 에프실(17)사이에 설치된 제1쵸(18)(제2도 및 제3도의 실시예에서와 같음)의 상부에 제1원통부(19)의 주위를 감싸는 제2원통부(22)와 제2플랜지부(23)를 보유하는 제3쵸크(21)를 설치한 것이다.

상기 제2쵸크(21)는 제1쵸크(18)와 별도로 제작하여서 제1쵸크(18)에 접합하는 것인바, 제1쵸크(18)와 제2쵸크(21)를 일체로 형성할 수도 있는 것이다.

여기서 제1쵸크(18)의 규격(직경 D1과 높이 H1)은 상술한 실시예에서와 같게하며, 제2쵸크(21)의 제2원통부(22)의 직경 D2은 억제할 고조파의보다 약정도 길게, 즉+정도로 하고, 높이 H2는보다 길며보다 짧게한다.

기타구성은 상술한 실시예와 동일하므로 동일부분에 대해서는 도면상에서 동일부호를 부여하고 구체적인 설명은 생략한다.

이와 같이 구성된 본 실시예에 의한 마그네트론에서는 제1쵸크(18)만을 설치한 경우(제2도 및 제3도의 실시예)에 비해 고조파누설 방지효과가 월등향상됨을 실험에 의해 확일할 수 있었다.

제6 및 제7a,b도는 본 고안에 의한 마그네트론의 또다른 실시예를 도시하는 것이다.

본 실시예에서는 제6도 및 제7a,b도에 도시한 바와 같이 상술한 실시예에서의 제1쵸크(18)를 제1플랜지부(20)가 상부로 위치되게 설치하며, 제1쵸크(18)의 하부에는 제1원통부(19)를 감싸는 제3원통부(25)와 제3프랜지(26)를 보유하는 제3쵸크(24)를 설치한 것이다.

여기서 제1쵸크(18)의 규격(직경 D1과 높이 H1)는 상술한 실시예에서와 같게하며, 제3쵸크(24)의 직경 D3는 억제할 고조파의보다 약정도 길게, 즉+정도로 하고, 높이 H2는보다 길며보다 짧게 한다.

기타구성은 상술한 실시예에서와 동일하므로 동일부분에 대하여는 동일부호를 부여하고 구체적인 설명은 생략한다.

이와 같이 구성된 본 실시예에 의한 마그네트론에서는 제1쵸크(18)만을 설치한 경우에 비해 고조파의 누설방지 효과가 월등히 향상됨을 실험을 통해 확인되었다.

이상과 같이 본 고안에 의하면 센터리드 및 사이드리브와 이를 쉴드하는 에프씰사이에 쵸크를 설치하여 센터리드와 사이드리드르 타고 전달되는 고조파를 제거함으로써 고조파의 누설을 확실하게 방지할 수 있는 것이다.

Claims (8)

1. 안테나(13)가 연결되는 베인(12)내측에는 센터리드(15)상단에 권회되는 필라멘트(11)를 설치하고, 센터리드(15)와 나란히 연장되는 사이드리드(16)를 에프씰(17)로 쉴드한 것에 있어서, 상기 에프씰(17)의 내부에 제1쵸크(18)를 설치한 것을 특징으로 하는 마그네트론.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1쵸크(18)는 제1원통부(19)와 플랜지부(20)로 구성되는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1쵸크(18)는 플랜지부(20)가 하부에 위치하게 설치하고, 그 상부에는 제1원통부(19)를 감싸는 제2원통부(22)와 제2플랜지부(23)를 설치하여 구성한 것을 특징으로 하는 마그네트론.
4. 제2항에 있어서, 상기 제1원통부(19)의 직경(D1)은하고, 높이(H1)는로 하여 구성한 것을 특징으로 하는 마그네트론.
5. 제3항에 있어서, 상기 제2원통부(22)의 직경(D2)은로 하고 높이(H2)는로하여 구성함을 특징으로 하는 마그네트론.
6. 제2항에 있어서, 상기 제1쵸크(18)는 제1플랜지부(20)가 상부에 위치하게 설치하고, 그 하부에는 제1쵸크(18)의 제1원통부(19)를 감싸는 제3원통부(25)와 제3플랜지부(26)를 보유하는 제2쵸크(24)를 설치하여 구성한 것을 특징으로 하는 마그네트론.
7. 제6항에 있어서, 상기 쵸크(18)의 제1원통부(19)의 직경(D1)은로 하고 높이(H1)로 하여 구성한 것을 특징으로 하는 마그네트론.
8. 제6항에 있어서, 상기 제3원통부(25)의 직경(D3)은로 하고, 높이(H3)는로 하여 구성함을 특징으로 하는 마그네트론.