KR930004129B1 - 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로 - Google Patents

갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930004129B1
KR930004129B1 KR1019900021679A KR900021679A KR930004129B1 KR 930004129 B1 KR930004129 B1 KR 930004129B1 KR 1019900021679 A KR1019900021679 A KR 1019900021679A KR 900021679 A KR900021679 A KR 900021679A KR 930004129 B1 KR930004129 B1 KR 930004129B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frequency
gaas fet
band
signal
input matching
Prior art date
Application number
KR1019900021679A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920013955A (ko
Inventor
최형모
Original Assignee
삼성전자 주식회사
정용문
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 정용문 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1019900021679A priority Critical patent/KR930004129B1/ko
Publication of KR920013955A publication Critical patent/KR920013955A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930004129B1 publication Critical patent/KR930004129B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/26—Circuits for superheterodyne receivers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로
제1도는 종래의 블럭도.
제2도는 본 발명의 블럭도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 루프 디렉셔널 필터 20 : 입력 정합회로
30 : 쇼트키 베리어 다이오드 40 : 저역 통과 필터
50 : 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터
본 발명은 인공 위성 지구국 장치에 있어서 저잡음 증폭기 및 주파수 변환기(Low Noise Blockdown Converter ; 이하 LNB라 함)에 관한 것으로, 특히 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터(이하 GaAs FET라 함)를 믹서 소자로 사용하여 변환 이득을 얻게 하는 게이트 믹싱회로에 관한 것이다.
고도화하고 복잡한 국제간의 통신 수단으로서 위성 통신은 현재 확고 부동의 지위를 차지하기에 이르렀다.
일반적으로 인공위성 지구국 장치인 DBS(Direct Broadcast Satellite System), VSAT(Very Small Aperture Terminal) 등의 LNB에 사용되는 믹서의 설계시 Ku 밴드(Band) 주파수를 L밴드 주파수로 변환함에 있어 종래의 경우에는 제1도에 도시된 바와 같이 구성하여 하기와 같이 동작하였다. 즉, Ku 밴드의 신호 주파수(fs)는 루프 디렉셔널 필터(Loop Directional Filter ; 이하 LDF라 함)(10)의 제1포트(1)에서 제3포트(3)로 전송된다.
또한 상기 LDF(10)의 제2포토(2)로 인가된 국부 발진 신호(FL)는 상기 제3포트(3)로 커플링되어 입력 정합회로(20)를 통해 쇼트키 베리어 다이오드(Schottky Barrier Diode ; 이하 SBD라 함)(30)의 애노드로 입력된다.
통상적으로 다이오드는 비직선 성질을 가지므로 주파수 혼합효과에 의해 상기 SBD(30)의 캐소드를 통해 ｜fs+fL｜ 및 ｜fs-fL｜의 주파수 성분이 발생된다.
상기 두 주파수 성분을 저역 통과 필터(40)를 거침으로써 필요한 주파수 성분인 ｜fs-fL｜의 +밴드 주파수(fIF)를 검출한다. 그러나 상기와 같이 믹서 소자로 SBD(30)를 사용할 경우에는 변환 이득 대신 약 6dB 정도의 손실이 생겨 LNB의 잡음 지수 특성이 나빠지고 신호 레벨이 줄어들어 L밴드 증폭기의 이득이 커져야 하므로 증폭기 소자를 많이 사용하여 발진할 가능성이 높아지는 단점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 GaAs FET를 사용하여 소정의 변환이득을 갖게 함으로써 LNB의 잡음 지수를 향상시킬 수 있는 게이트 믹싱 회로를 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 L밴드 증폭기의 소자 수를 줄여도 적당한 이득이 얻어질 수 있도록 함과 동시에 L밴드 증폭기의 과도 증폭 이득이 필요치 않도록 하는 게이트 믹싱 회로를 제공함에 있다.
이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
제2도는 본 발명의 블럭도로써, Ku밴드 신호 주파수(fs)와 국부 발진 신호 주파수(fL)를 커플링하여 출력하는 LDF(10)와, 상기 LDF(10)로부터 커플링된 신호 주파수(fs, fL)를 입력하여 손실없이 출력하기 위한 입력 정합회로(20)와, 상기 입력 정합회로(20) 출력을 입력하여 주파수 혼합 및 증폭하여 제1 및 제2주파수 신호(｜fs+fL｜, ｜fs-fL｜)를 출력하는 GaAs FET(50)와, GaAs FET(50)의 출력으로부터 제2주파수 신호(｜fs-fL｜)의 L밴드 주파수(fIF)만을 검출하는 저역 통과 필터(40)로 구성된다.
상술한 구성에 의거 본 발명을 상세히 설명한다.
Ku밴드의 신호 주파수(fs)는 LDF(10)의 제1포트(1)에서 제3포트(3)로 전송되며, 제2포트로 인가된 국부 발진 주파수(fL)는 제3포트(3)로 커플링되어 입력 정합회로(20)를 통해 GaAs FET(50)의 게이트로 공급된다. 그 결과 상기 GaAs FET(50)의 게이트와 소오스 사이에 큰 국부 발진 전압이 가해지므로 상기 GaAs FET(50)의 트랜스 컨덕턴스 값이 비직선적으로 변화되어 주파수 혼합 효과가 나타난다.
즉, ｜fs+fL｜ 및 ｜fs-fL｜의 주파수 성분이 발생되며 상기 두 주파수 성분은 GaAs FET의 증폭성질에 의해 약 4-5dB 정도 증폭되어 저역 통과 필터(40)로 전달된다. 상기 저역 통과 필터(40)에서는 필요한 주파수 성분인 ｜fs-fL｜의 L밴드 주파수(fIF)를 검출한다.
한편 상기 제2도의 구성에 L밴드 주파수(fIF)를 증폭하는 회로를 더 첨가할 경우 약 34∼35dB의 이득을 얻을 수 있으며, LNA(Low Noise Amplifier)의 이득 25dB와 합하면 전체 LNB의 이득은 약 60dB 정도가 되어 LNB로서의 역할을 충분히 수행할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 믹서소자로써 GaAs FET를 사용함으로써 약 4∼5dB의 변환 이득을 갖게 되어 DBS 및 VSAT 등의 LNB의 잡음 지수를 향상시킬 수 있다.
또한 L밴드 증폭기의 트랜지스터 소자 수를 줄여도 약 30dB 정도의 적당한 이득을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 L밴드 증폭기의 과도 증폭 이득(40dB)이 필요치 않아 L밴드 주파수(fIF)에서의 발진 가능성을 줄일 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 인공 위성 지구국 장치의 저잡음 증폭기 및 주파수 변환기에 있어서, Ku밴드 신호 주파수(fs)와 국부 발진 신호 주파수(fL)를 커플링하여 출력하는 LDF(10)와, 상기 LDF(10)로부터 커플링된 신호 주파수(fs, fL)를 입력하여 손실없이 출력하기 위한 입력 정합회로(20)와, 상기 입력 정합회로(20) 출력을 입력하여 주파수 혼합 및 증폭하여 제1 및 제2주파수 신호(｜fs+fL｜, ｜fs-fL｜)를 출력하는 GaAs FET(50)와, 상기 GaAs FET(50)의 출력으로부터 제2주파수 신호(｜fs-fL｜)의 L밴드 주파수(fIF)만을 검출하는 저역 통과 필터(40)로 구성함을 특징으로 하는 게이트 믹싱 회로.
  2. 제1항에 있어서, L밴드 주파수(fIF)를 소정 증폭하여 약 34∼35dB의 이득을 얻을 수 있도록 하는 증폭 수단을 더 구비함을 특징으로 하는 게이트 믹싱회로.
KR1019900021679A 1990-12-24 1990-12-24 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로 KR930004129B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900021679A KR930004129B1 (ko) 1990-12-24 1990-12-24 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900021679A KR930004129B1 (ko) 1990-12-24 1990-12-24 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920013955A KR920013955A (ko) 1992-07-30
KR930004129B1 true KR930004129B1 (ko) 1993-05-20

Family

ID=19308370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900021679A KR930004129B1 (ko) 1990-12-24 1990-12-24 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930004129B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR920013955A (ko) 1992-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0911963B1 (en) Microwave mixing circuitry and down-converter
US5465418A (en) Self-oscillating mixer circuits and methods therefor
EP0759656B1 (en) A microwave mixing circuit
US20020004376A1 (en) Current-reuse bleeding mixer
EP0752756A2 (en) Single balanced frequency downconverter for direct broadcast satellite transmissions and hybrid ring signal combiner
Perndl et al. A low-noise, and high-gain double-balanced mixer for 77 GHz automotive radar front-ends in SiGe bipolar technology
US5528769A (en) High electron mobility transistor monolithic integrated circuit receiver
US4727597A (en) Mixer arrangement
US5136720A (en) Matrixed mixer
KR20040006521A (ko) 깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기
KR930004129B1 (ko) 갈륨 비소 전계효과 트랜지스터를 이용한 게이트 믹싱회로
US6744308B1 (en) System and method for establishing the input impedance of an amplifier in a stacked configuration
Verweyen et al. Coplanar integrated mixers for 77-GHz automotive applications
US4167681A (en) Microwave power limiter comprising a dual-gate FET
US4856095A (en) OPFET demodulator-donwconverter for detecting microwave modulated optical signals
US5754951A (en) Microwave mixing circuit and a down converter comprising it
Saito et al. 60-GHz MMIC image-rejection downconverter using InGaP/InGaAs HEMT
US7265630B2 (en) Millimeter-wave unilateral low-noise amplifier
US6393267B1 (en) Lossless feedback double-balance active mixers
Karlsson et al. A monolithically integrated F-band resistive InAlAs/InGaAs/InP HFET mixer
Kobayashi et al. A wideband HEMT cascode low-noise amplifier with HBT bias regulation
US4313223A (en) Signal-amplification frequency-conversion apparatus having a common active component
JPH05167352A (ja) 周波数変換装置
KR900007922B1 (ko) Ku-밴드 위성 방송수신 장치의 초잡음 증폭회로
KR0168870B1 (ko) 위성통신 소형지구국의 송신시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070409

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee