Claims (7)
제1도전형의 반도체 기판과, 제2도전형의 확산영역을 구비하여 제1방향으로 신장된 소자영역과, 상기 소자영역내의 소정영역에 서로 이웃하여 형성된 제1및 제2접촉영역을 구비하는 반도체 장치의 확장된 스택형 캐패시터에 있어서, 상기 제1접촉영역에 접촉되는 제1높이의 지지부와, 상기 지지부에 의해 지지되고 상기 제1방향과 소정의 각도를 이루는 제2방향으로 신장되는 제1수평평판으로 이루어지는 제1도전층과. 상기 제2접촉영역에 접촉되는 제2높이의 지지부와 상기 지지부에 의해 지지되고 상기 제1방향으로 신장되는 제2수평판으로 이루어지는 제2도전층과, 상기 제1및 제2도전층의 표면을 감싸는 유전막과, 상기 유전막에 인접하는 제3도층으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 확장된 스택 캐패시터.A semiconductor substrate of a first conductivity type, an element region extending in a first direction with a diffusion region of a second conductivity type, and first and second contact regions formed adjacent to each other in a predetermined region within the element region; An extended stacked capacitor of a semiconductor device, comprising: a support of a first height in contact with the first contact region, and a first supported by the support and extended in a second direction forming a predetermined angle with the first direction A first conductive layer comprising a horizontal flat plate. A second conductive layer comprising a support portion having a second height in contact with the second contact region and a second horizontal plate supported by the support portion and extending in the first direction, and the surfaces of the first and second conductive layers; And an encapsulating dielectric film and a third layer adjacent to said dielectric film.
제1항에 있어서, 상기 제1높이가 상기 제2높이보다 낮음을 특징으로 하는 반도체 장치의 확장된 스택 캐패시터.The extended stack capacitor of claim 1, wherein the first height is lower than the second height.
제1항에 있어서, 상기 제1및 제2도전층이 스토리지 전극이고 상기 제3도전층이 플레이트 전극임을 특징으로 하는 반도체 장치의 확장된 스택 캐패시터.The extended stack capacitor of claim 1, wherein the first and second conductive layers are storage electrodes and the third conductive layer is a plate electrode.
제1도전형의 반도체 기판의, 제2도전형의 확산영역을 구비하여 제1방향으로 신장된 소자영역과 상기 소자영역내에 서로 이웃하여 형성된 제1및 제2접촉영역을 구비하는 반도체 장치의 확장된 스택 캐패시터에 있어서, 상기 제1접촉영역에 접촉되는 제1높이의 지지부와, 상기 지지부에 의해 지지되고 상기 제1방향과 소정의 각도를 이루는 제2방향으로 신장되는 제1수평평판으로 이루어지는 제1도전층과, 상기 제2접촉영역에 접촉되는 제2높이의 지지부와 상기 지지부에 의해 지지되고 상기 제1방향과 소정의 각도를 이루는 제3방향으로 신장되는 제2수평평판으로 이루어지는 제2도전층과, 상기 제1및 제2도전층의 표면을 감싸는 유전막과, 상기 유전막에 인접하는 제3도전층으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터.An extension of a semiconductor device having a first conductive type semiconductor substrate having a second conductive type diffusion region and extending in a first direction and having first and second contact regions formed adjacent to each other in the element region. A stacked capacitor, comprising: a support portion of a first height in contact with the first contact region, and a first horizontal flat plate supported by the support portion and extending in a second direction forming a predetermined angle with the first direction A second conductive layer comprising a first conductive layer, a supporting portion having a second height in contact with the second contact region, and a second horizontal plate supported by the supporting portion and extending in a third direction forming an angle with the first direction; And a third dielectric layer surrounding the surfaces of the first and second conductive layers, and a third conductive layer adjacent to the dielectric layer.
제4항에 있어서, 상기 제1높이가 상기 제2높이보다 낮음을 특징으로하는 반도체 장치의 확장된 스택 캐패시터.The extended stack capacitor of claim 4, wherein the first height is lower than the second height.
제4항에 있어서, 상기 제1및 제2도전층이 스토리지 전극이고 상기 제3도전층이 플레이트 전극임을 특징으로 하는 반도체 장치의 확장된 스택 캐패시터.The extended stack capacitor of claim 4, wherein the first and second conductive layers are storage electrodes and the third conductive layer is a plate electrode.
제4항에 있어서, 상기 제2방향과 제3방향이 서로 대칭됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 화장된 스택 캐패시터.5. The cosmetic stack capacitor of claim 4, wherein the second and third directions are symmetrical to each other.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.