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Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices
(AREA)
Abstract
내용 없음.No content.
Description
반도체 장치 제조 방법Semiconductor device manufacturing method
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제1도는 이상적인 상태,1 is an ideal state,
제2도는 일반적인 상태.2 is a general state.
Claims (2)
반도체 장치 제조공정중 금속공정에 있어서, 반도체 장치에 대해 콘택홀 형성후, 제1층의 금속장벽층 증착 및 제2층의 금속장벽층 증착후에, 이 금속층의 강화를 위해 금속 장벽층을 구성하는 원소와 반응하는 원소의 이온주입을 행하는 단계를 포함하고, 열처리후 이 위에 Al 합금의 금속층을 형성하여 금속배선 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.In the metal process of the semiconductor device manufacturing process, after forming a contact hole for the semiconductor device, and after depositing the metal barrier layer of the first layer and the deposition of the metal barrier layer of the second layer, the metal barrier layer is formed to strengthen the metal layer. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: performing ion implantation of an element reacting with an element, and forming a metal layer of an Al alloy thereon after the heat treatment to perform a metal wiring process.제1항에 있어서, 제2층의 금속 장벽층은 TiN재질이며, 주입되는 이온은 Ti와 반응하는 Si또는 O2인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.The method of claim 1, wherein the metal barrier layer of the second layer is made of TiN, and the implanted ions are Si or O 2 reacting with Ti.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.