KR930002312Y1 - X선 발생 보호회로 - Google Patents

X선 발생 보호회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930002312Y1
KR930002312Y1 KR2019870024397U KR870024397U KR930002312Y1 KR 930002312 Y1 KR930002312 Y1 KR 930002312Y1 KR 2019870024397 U KR2019870024397 U KR 2019870024397U KR 870024397 U KR870024397 U KR 870024397U KR 930002312 Y1 KR930002312 Y1 KR 930002312Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
horizontal deflection
terminal
resistor
resistors
Prior art date
Application number
KR2019870024397U
Other languages
English (en)
Other versions
KR890015209U (ko
Inventor
이상종
Original Assignee
주식회사 금성사
최근선
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 금성사, 최근선 filed Critical 주식회사 금성사
Priority to KR2019870024397U priority Critical patent/KR930002312Y1/ko
Publication of KR890015209U publication Critical patent/KR890015209U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930002312Y1 publication Critical patent/KR930002312Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/16Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
    • H04N3/18Generation of supply voltages, in combination with electron beam deflecting
    • H04N3/19Arrangements or assemblies in supply circuits for the purpose of withstanding high voltages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

X선 발생 보호회로
제1도는 본 고안의 회로도.
제2도는 종래의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 수직 수평 편향회로 2 : 수평 드라이브단
OP : 비교기 TR1: 트랜지스터
R1-T13: 저항 VR1,VR2: 가변저항
D1,D2: 다이오드 ZD1,ZD2: 제너다이오드
V1,V2: 전원단자
본 고안은 칼라 모니터에서 이상 고압 발생의 유무를 체크하여 X 선 발생을 방지할 수 있게 한 것에 주안점을 둔 X 선 발생 보호 회로에 관한 것이다.
종래에는 제2도와 같이 수직, 수평 편향회로(1)에 수평 드라이브단(2)을 구동되게 연결하고, FBT 의 고압의 유무를 검출하도록 FBT에 저항(R12,R13)과 가변저항(VR2)을 접속하여 가변단자에 재너 다이오드(ZD2)와 저항(R11)과 콘덴서(C11)를 접속시켜서 상기 수직 수평 편향회로(1)에 연결하여서 된 것으로서, 이를 살펴보면, 고압 상태일때 FBT의 고압단에 검출된 전위가 저항(T12〈R13)과 가변저항(VR2)에 의해 분압되어 재너 다이오드(ZD2)의 재너 전압보다 낮게 설정되어 재너 다이오드(ZD2)는 턴 오프 되어 있으므로서 수직 수평 편향회로(1)로 부터의 드라이브 필수 발생은 정지되어 이상고압의 발생 상태를 제거할 수 있게 하였으나, 이는 수직 수평 편향 회로(1)의 종류에 따라서 콘덴서(C11)에 가해지는 전압의 값이 다르므로 특정한 수직 수평 편향회로(1)의 집적회로를 사용할 경우에만 고압 상태를 제거할 수 있고, 그외의 집적 회로인 수직 수평 편향회로(1)를 사용할 때는 고압상태를 제거할 수 없으므로서 CX선이 발생하게 되는 문제점을 가지고 있었다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 수직 수평 편향회로(1)의 집적회로에서 가해지는 전압에 따라 드라이브 펄스폭을 조정하므로서 X선 발생 보호를 완벽하게 할수 있게 한 것에 목적을 둔 것으로서 이를 첨부 도면에 따라서 설명하면 다음과 같다.
제1도와 같이, 수직 수평 편향회로(1)에 수평 드라이브단(2)를 연결하고, FBT를 구비한 것에 있어서, FBT의 고압단에 저항(R8, R9)과 가변저항(VR1)을 접속하고, 가변저항(VR1)의 가변 단자는 다이오드(D2)의 캐소드에 연결되며, 저항(R6)을 거쳐 저항(R7)과 콘덴서(C1)를 접속시킨 비교기 (OP)의 반전단자(-)에 연결한다.
상기 다이오드(D2)의 애노드는 전원단자(V1)에 접속하고, 이 전원단자(V1)에서 저항(R5)을 거쳐 재너 다이오드(ZD1)를 접속하며 저항(R4)을 거쳐 비교기(OP)의 비반전단자(+)에 접속하고, 비교기(OP)의 출력은 수직 수평 편향회로(1)의 X 선 보호단자(Xa)를 스위칭 하는 트랜지스터(TR1)의 바이어스저항(R3)에 연결하고, 상기 트랜지스터(TR1)의 콜렉터는 전원단자(V1)에 접속된 저항(R1, R2)을 연결하여서 된 것이다.
이와같은 회로로서 구성된 본 고안의 동작 및 작용 효과를 설명하면 다음과 같다.
정상 상태일때 FBT 고압안에서 검출된 전위는 저항(R8, R9, VR1)에 의해 분압되어 세팅된 전압(V2)은 저항(R6, R7)으로 다시 분압되어 비교기(OP)의 반전단자(-)에 가해지는데, 이때 전압은 재너 다이오드(ZD1)로 설정된 레퍼런스(Feference)전압보다 낮게 세팅되어 있으므로 비교기(OP)에서 하이 신호를 출력시켜 트랜지스터(TR1)의 베이스에는 저항(R3)을 거쳐 하이 상태로 되어 트랜지스터(TR1)는 도통 상태를 유지하여 수직 수평 편향회로(1)의 X 선 보호단(Xa)은 접지점으로 연결되어 정상 상태의 드라이브 펄스를 발생하므로서 정상 고압 상태를 유지한다.
이상 고압 발생시에는 비교기(OP)의 반전단자(-)에 가해지는 전위가 상승하여 재너 다이오드(ZD1)로 설정된 레퍼런스 전압보다 높아져 비교기(OP)의 출력은 로우가 되어 트랜지스터(TR1)가 오프됨에 따라 수직 수평 편향회로(1)의 X 선 보호단자(Xa)에는 전압(V1)이 저항(R1, R2)으로 분압된 전압이 가해져 수직 수평 편향회로(1)로 부터의 드라이브 펄스 발생이 정지되어 이상 고압 상태는 제거된다.
이때 단자에 가해지는 전압은 수직 수평 편향회로(1)에 따라 정해진 값에 맞추어서 저항(R1, R2)을 설정하면 된다.
일단 드라이브 펄스 발생이 정지되므로 전원(V2)은 "O"로 떨어지고 비교기(OP)의 반전단자(-)에는 전압(V1)이 저항(R6, R7)으로 분압된 전압이 가해지고, 비반전단자(+)에는 다이오드(D1)를 사용하여 로우 상태시의 전압이 거의 "O"로 되므로서 비교기(OP)는 전압(V1)을 제거하지 않는 한 로우 상태를 유지하게 된다.
이와같이 본 고안은 수직 수평 편향 회로의 집적회로의 정해진 전압에 따라서 저항(R1, R2)을 설정하여 사용할 수 있으므로서 FBT 고압 상태에서의 X 선 발생을 완전히 보호할 수 있게 된 유용한 것이다.

Claims (1)

  1. 수직 수평 편향회로(1)와, 수평 드라이브단(2) 및 FBT를 구비하여 고압상태를 감지하여 X 선 발생을 방지 하고자 한 것에 있어서, FBT의 고압발생 단자에 저항(R8, R9)과 가변저항(VR1)을 접속하여 가변저항(VR1)의 가변전원단자(V2)는 분압저항(R8, R7)을 거쳐, 전원(V1)과 제너다이오드(ZD1)와 저항(R4, R5)을 접속하여 기준전압을 설정한 비교기(OP)의 반전단자(-)에 인가시켜, 이 출력에 상기 수직 수평 편향회로(1)의 X선 보호단(Xa)을 스위칭 하는 트랜지스터(TR1)의 바이어스저항(R3)을 연결하고, 상기 트랜지스터(TR1)의 콜렉터에 전원단자(V1)의 전압을 분압하는 분압저항(R1, R2)을 연결하여서 된 것을 특징으로 하는 X 선 발생보호 회로.
KR2019870024397U 1987-12-31 1987-12-31 X선 발생 보호회로 KR930002312Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019870024397U KR930002312Y1 (ko) 1987-12-31 1987-12-31 X선 발생 보호회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019870024397U KR930002312Y1 (ko) 1987-12-31 1987-12-31 X선 발생 보호회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890015209U KR890015209U (ko) 1989-08-12
KR930002312Y1 true KR930002312Y1 (ko) 1993-05-03

Family

ID=19271258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019870024397U KR930002312Y1 (ko) 1987-12-31 1987-12-31 X선 발생 보호회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930002312Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR890015209U (ko) 1989-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4951171A (en) Power supply monitoring circuitry for computer system
US5375032A (en) Trip control device for circuit breaker
US5309309A (en) Semiconductor protection against high energy transients
US3931547A (en) Protection circuit
KR930002312Y1 (ko) X선 발생 보호회로
KR100416081B1 (ko) 플라즈마 표시 패널의 과전류 검출 장치
US4965692A (en) Overload detector and protection circuit
JPH11160370A (ja) 異常電圧検出回路
KR930005833Y1 (ko) 비임전류 자동제어회로
KR930002671Y1 (ko) 브라운관 보호회로
KR0159719B1 (ko) 로직회로 보호장치
KR940007079B1 (ko) 스위칭 모드파워 서플라이의 보호회로
US4905116A (en) X-radiation protection circuit
KR200154518Y1 (ko) 전원 전압 검출 회로
KR970078000A (ko) 자동 리셋 회로
KR920000099Y1 (ko) 수직 편향 출력의 검출 회로
KR950001801Y1 (ko) 이중 엑스-레이 보호회로
KR200165561Y1 (ko) 빔전류/X-레이 보호 회로(beam current/X-ray protection circuit)
KR910005338Y1 (ko) 브라운관의 과전압 보호 및 표시회로
KR900009629Y1 (ko) 과전류 검출을 이용한 보호회로
KR900004808Y1 (ko) 씨알티의 파손 방지회로
KR920004332Y1 (ko) 전원 출력단의 전압 보호회로
KR930003564Y1 (ko) 플라이백 트랜스 포머의 과전압 보호회로
KR100218551B1 (ko) 수직편향 오동작시 씨알티 보호회로
KR850002776Y1 (ko) 수평 드라이브 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19981216

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee