KR930000576B1 - 마그네트론의 구조 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론의 구조

제1도는 본 발명의 단면도.

제2도는 종래의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 박스필터 2 : 캐소드세라믹

3 : 터미널 4 : 필라멘트

5 : 베인 6 : 양극본체

7 : 센터리드 8 : 사이드리그

9 : 캡안테나 10,10a : 영구자석

본 발명은 전자레인지등에 사용되는 마그네트론의 구조에 관한 것으로, 특히 자기회로를 개선하여 마그네트론을 소형화하고 자기 회로 효율을 향상시키기에 적당하도록 한 것이다.

제2도는 종래 마그네트론의 구조를 나타낸 것으로 금속원통 형상의 양극본체 (6) 내측에 방사상으로 구성되어 있는 짝수개의 베인(5)과 그 상하내부의 대칭으로 자극(12)(13)이 구성되고, 상기 자극 (12)(13)상하외측에 금속원통 형상의 에이쉴(14) (15)이 양극 본체와 밀봉 접합되어 있으며 그 상하부에 안테나 세라믹(16)과 캐소드세라믹(2)이 밀봉 접착되어 있다. 그리고 상기 에이쉴(14)(15) 외측에는 영구자석(17) (18)이 고정되어 상기 자극(12)(13)과 자기적으로 연결되어 있고 영구자석(17)(18) 상하외측에는 요크(19)가 구성되어 자기적으로 폐회로를 이루고 있다.

또한, 상기 베인(5)내측에는 나선형상의 열전자원인 필라멘트(4)가 설치되고 이의 상하부에는 열전자의 이탈을 막아주는 상엔드쉴드(20) 및 하엔드쉴드(21)가 구성되며, 이 상하엔드쉴드(20)(21)는 센타리드(7) 및 사이드리드(8)로 고착되어 최하단부의 터미널(3)로부터 전류를 공급받아 상기 필라멘트(4)에 전류를 공급해주는 리드선 역할을 하게된다. 그리고 베인(5)의 일단에 안테나리드(11)가 취부되어 금속원통 형상의 에이쉴(14)내부를 관통하여 배기관(22)과 연결되고, 배기관(22)외측에는 캡안테나(9)가 씌워져 있어 안테나 기능을 하도록 구성되어 있다.

이와같이 구성된 종래의 마그네트론에 있어서는, 필라멘트(4)에 일정의 전류를 공급하여 가열하면 열전자가 방출하게 되고, 이 열전자는 상기 베인(5)과 필라멘트(4)사이에 인가된 직류 4000V 정도의 고압과 베인(5) 상하부의 자극(12)(13)으로부터 형성되는 자속의 영향을 동시에 받아 필라멘트(4)와 베인(5)사이의 작용공간에서 가속 회전운동을 하게 되는데 이 회전운전 속도와 베인(5)사이에 형성되는 고주파 전계의 위상속도가 동기되었을 때 고주파 발진을 하게 되어 안테나리드(11)를 통해 외부로 방출하게 된다.

한편, 제2도와 같은 자기 회로구성은 공진기 외부의 영구자석(17)(18), 요크 (19), 자극(12)(13)으로 자기 폐회로를 구성하여 전자가 운동하는 작용공간에 일정의 자속밀도를 주게 된다.

그러나 상기와 같은 종래기술에 있어서는 영구자석(17)(18)이 공진기 외부에 위치하여 요크(19)와 함께 폐회로를 형성하므로 열전자의 운동경로가 길어 누설자속이 증대되었고, 이로인해 자기효율이 저하되는 문제가 있었다.

본 발명은 이와같은 종래의 문제를 해결하기 위한 것으로 요크를 사용하지 않고 영구자석을 자극위치에 설치함과 아울러 양극본체를 영구자석과 연결하여 폐회로를 좁게 형성하므로 열전자의 운동경로를 단축시키고자 하는데 그 목적이 있다.

이하에서 본 발명을 제1도에 의하여 상술하면 다음과 같다. 캐소드세라믹(2), 터미널(3)을 가진 박스필터(1)와, 필라멘트(4), 베인(5)을 가진 양극본체(6)와, 상기 박스필터(1) 및 양극본체(6)에 걸쳐 설치된 센터리드(7), 사이드리드(8)그리고 캡안테나(9)를 포함한 마그네트론에 있어서, 영구자석(10)(10a)를 공진기 내부의 자극위치에 자극형성과 유사하나 크기를 증대시켜 부착하고, 자성체를 가공한 원통형상의 양극본체(6)를 상기 영구자석(10)(10a)에 연결하여 자기폐회로를 구성하도록 한 것이다.

이와같인 구성된 본 발명은 필라멘트(4)에 일정의 전류를 공급하여 가열하면 열전자가 방출되고 이 열전자는 베인(5)과 필라멘트(4)사이에 인가된 직류 4000V 정도의 고압과 베인 상하부의 영구자석(10)(10a)으로부터 형성되는 자속의 영향을 동시에 받아 필라멘트(4)와 베인(5)사이의 작용공간에서 가속 회전운동을 하게되고 이 회전운동과 베인(5)사이에 형성되는 고주파 전계의 위상속도가 동기될 때 고주파 발진을 하게되어 안테나리드(11)를 통하여 외부로 방출하게 된다.

이상에서 설명한 바와같은 본 발명에 의하면 영구자석(10)(10a)이 공진기 내부에 위치되어 양극본체(6)와 함께 폐회로를 형성하므로 폐회로 경로가 짧아져 누설자속의 저하로 인한 자기효율을 개선(종래 약 1%에서 약 2-3%로 증가)할 수 있으며 종래 영구자석의 두께만큼 마그네트론의 높이가 낮아져 소형화를 이룰 수 있을 뿐만 아니라 제2도에서와 같은 요크(19)와 자극(12)(13)이 필요없어져 부품수를 절감할 수 있는 장점이 있다.

Claims (1)

1. 마그네트론 내부의 전자가 운동하는 작용공간에 일정한 자속밀도를 유지시키기 위한 자기폐회로를 구성한 것에 있어서, 양극본체(6)의 상,하부에 자극형상과 유사하면서 크기가 증대된 영구자석(10)(10a)을 부착하고 상기 양극본체를 자성체로 하여 양극본체와 영구자석으로 자기 폐회로가 구성되게 함을 특징으로 하는 마그네트론의 구조.

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