Claims (56)
변부를 갖는 전기적으로 전도되는 물질의 시이트를 구성하는 전자 필드 방출 구조용 음극.A cathode for an electron field emission structure, comprising a sheet of electrically conducting material having edges.
제1항에 있어서, 변부로부터 전자흐름을 만드는 시이트에 연결된 수단을 구성하는 음극.The cathode according to claim 1, which constitutes means connected to a sheet for producing electron flow from the edge portion.
제1항에 있어서, 변부가 지역둘레에 용착하는 음극.The cathode according to claim 1, wherein the edge portion is welded around the area.
제1항에 있어서, 변부가 시이트의 구멍난 부분을 둘러싸는 전도물질의 시이트의 변부부분인 음극.The negative electrode according to claim 1, wherein the edge portion is the edge portion of the sheet of conductive material surrounding the perforated portion of the sheet.
변부부분을 갖는 전기적으로 전도되는 물질층과 언급한 층의 변부부분으로부터 전자흐름을 갖기에 충분한 힘의 전장을 만드는 층에 연결된 수단의 조합.A combination of an electrically conducting material layer having edge portions and a means connected to the layer creating an electric field of sufficient force to have electron flow from the edge portion of the layer mentioned.
제5항에 있어서, 층이 그 위에 배치된 구멍을 갖고 층의 변부부분이 층내의 구멍의 원주변부 부분인 조합.6. The combination of claim 5, wherein the layer has a hole disposed thereon and the edge portion of the layer is a circumferential portion of the hole in the layer.
제6항에 있어서, 층이 제1의 층이고 제1층으로부터 이격된 전기적으로 전도되는 물질의 제2층을 구성하는 조합.The combination of claim 6, wherein the layer is a first layer and constitutes a second layer of electrically conductive material spaced from the first layer.
제7항에 있어서, 제1층내의 구멍의 원주변부 부분으로부터 전자흐름을 제어하는 수단을 구성하는 조합.8. The combination according to claim 7, which constitutes means for controlling the electron flow from the peripheral portion of the hole in the first layer.
제8항에 있어서, 제1과 제2의 전기적으로 전도되는 층 사이에 배치되는 절연층을 포함하고 절연층이 제1의 전기적으로 전도되는 층안에 배치된 구멍과 본질적으로 동축상으로 그안에 배치된 구멍을 갖는 조합.9. The method of claim 8, comprising an insulating layer disposed between the first and second electrically conductive layers, wherein the insulating layer is disposed therein substantially coaxially with a hole disposed in the first electrically conductive layer. Combination with rounded holes.
제6항에 있어서, 제1의 전기적으로 전도되는 층 내의 구멍이 본질적으로 원형인 조합.The combination of claim 6, wherein the holes in the first electrically conductive layer are essentially circular.
제6항에 있어서, 전기적으로 전도되는 물질의 제1층이 그안에 배치된 다수의 구멍을 갖고 생산수단이 제1층 내의 다수의 구멍의 원주변부 부분으로부터 다수의 개별적 전자흐름을 제공하는 조합.The combination of claim 6, wherein the first layer of electrically conducting material has a plurality of holes disposed therein and the means for producing provides a plurality of individual electron flows from the circumferential portion of the plurality of holes in the first layer.
제7항에 있어서, 제2의 전기적으로 전도되는 층이 그 안에 배치된 구멍을 갖는 조합.8. The combination of claim 7, wherein the second electrically conductive layer has holes disposed therein.
제12항에 있어서, 제1층 내의 구멍과 제2층내의 구멍이 동축상으로 정렬 배치되는 조합.13. The combination of claim 12, wherein the holes in the first layer and the holes in the second layer are coaxially aligned.
제13항에 있어서, 제1과 제2층내의 구멍의 지역이 본질적으로 같은 조합.The combination of claim 13, wherein the regions of the holes in the first and second layers are essentially the same.
제12항에 있어서, 전자흐름이 제2층내의 구멍을 통과하는 조합.The combination of claim 12, wherein the electron flow passes through the hole in the second layer.
제12항에 있어서, 제1과 제2의 전기적으로 전도되는 중간과 그 위에 고정된 절연층을 포함하고 절연층이 제1과 제2의 전기적으로 전되도는 층안에 배치된 구멍과 본질적으로 동축으로 그 안에 배치된 구멍을 갖는 조합.13. The apparatus of claim 12, comprising first and second electrically conductive intermediates and an insulating layer fixed thereon, wherein the insulating layer is coaxial with the holes disposed in the first and second electrically conductive layers. Combination with holes arranged in it.
제8항에 있어서, 전자흐름을 제어하는 수단이 제2층에 연결되는 조합.9. The combination of claim 8, wherein the means for controlling the electron flow is connected to the second layer.
제6항에 있어서, 전기적으로 전도되는 물질의 제3층을 구성하는 조합.The combination of claim 6 constituting a third layer of electrically conductive material.
제18항에 있어서, 제3층이 제1의 전기적으로 전도되는 층 안에 배치된 구멍과 본질적으로 정렬되어 그 안에 배치되는 구멍을 갖는 조합.19. The combination of claim 18, wherein the third layer has holes disposed in and aligned substantially with the holes disposed in the first electrically conductive layer.
제19항에 있어서, 제1층의 구멍의 원주변부부분으로부터 전자흐름율을 제어하는 수단을 구성하는 조합.20. The combination according to claim 19, which constitutes means for controlling the electron flow rate from the peripheral portion of the hole in the first layer.
제20항에 있어서, 제3층이 제1층과 제2층 사이에 배치되는 조합.The combination of claim 20, wherein the third layer is disposed between the first layer and the second layer.
제20항에 있어서, 제1층이 제2와 제3층 사이에 배치되고 제어하는 수단이 전자흐름을 집중시키는 제3층에 연결된 수단을 구성하는 조합.21. The combination as set forth in claim 20, wherein the first layer is disposed between the second and third layers and the means for controlling constitute means connected to the third layer to concentrate the electron flow.
제20항에 있어서, 제1, 제2와 제3의 전기적으로 전도되는 층이 금속으로 구성되는 조합.The combination of claim 20, wherein the first, second and third electrically conductive layers consist of metal.
제20항에 있어서, 제1, 제2와 제3의 전기적으로 전도되는 층이 내화성 형태의 금속인 조합.21. The combination of claim 20, wherein the first, second and third electrically conductive layers are metals in refractory form.
제24항에 있어서, 내화성 형태 금속이 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄과 탄탈륨으로 구성된 그룹으로 선택되는 조합.25. The combination according to claim 24, wherein the refractory form metal is selected from the group consisting of molybdenum, tungsten, titanium and tantalum.
제23항에 있어서, 금속이 몰리브덴인 조합.The combination of claim 23, wherein the metal is molybdenum.
제14항에 있어서, 제1의 전기적으로 전도되는 층 내의 구멍이 본질적으로 원형인 조합.The combination of claim 14, wherein the holes in the first electrically conductive layer are essentially circular.
제14항에 있어서, 제1의 전기적으로 전도되는 층 내의 구멍의 원주 변부분이 경사진 변부표면을 갖는 조합.15. The combination of claim 14, wherein the circumferential edge of the hole in the first electrically conductive layer has an inclined edge surface.
제6항에 있어서, 제1의 전기적으로 전도되는 층이 구멍으로부터 먼부분에서 상대적으로 두껍고 구멍에 인접하는 부분에서 상대적으로 얇은 구멍.7. The hole of claim 6, wherein the first electrically conductive layer is relatively thick at a portion away from the hole and relatively thin at the portion adjacent to the hole.
제12항에 있어서, 전기적으로 전도되는 물질의 제1과 제2의 층 각각은 그 안에 형성된 다수의 구멍을 갖고 제2층내의 상응하는 다수의 구멍의 인접한 원주변부 부분과 제1층내의 다수의 구멍의 원주변부 부분으로부터 전자의 개별적 흐름을 만드는 생산수단이 전자 흐름율을 제어하는 수단에 연결되는 조합.13. The method of claim 12, wherein each of the first and second layers of electrically conductive material has a plurality of holes formed therein and the adjacent circumferential portions of the corresponding plurality of holes in the second layer and the plurality of layers in the first layer. A combination in which a means of producing an individual flow of electrons from the circumferential portion of a hole is connected to means for controlling the rate of electron flow.
제5항에 있어서, 층으로부터 갖춰지는 전자흐름을 모으는 층에 인정 배치된 수단을 구성하는 조합.The combination according to claim 5, which constitutes a means arranged in a layer which collects electron flows provided from the layer.
제7항에 있어서, 전자흐름을 모으는 수단을 구성하는 조합.8. The combination according to claim 7, which constitutes a means for collecting electron flow.
제1의 다수의 본질적으로 평행한 전도체: 제1의 다수의 전도체로부터 이격된 제2의 다수의 본질적으로 평행한 전도체, 제2층의 전도체와 정렬된 부분을 갖는 제1층의 전도체, 층의 정렬된 부분에서 제1의 다수의 전도체를 통해 배치된 구멍을 갖는 제1의 다수의 전도체: 제1의 다수의 전도체내의 구멍의 원주 변부부분으로부터 전자 흐름을 만드는 제1층의 전도체에 연결된 수단: 전자흐름율을 제어하기 위해 제2층의 전도체 연결된 수단을 구성하는 전자 방출장치.A first plurality of essentially parallel conductors: a second plurality of essentially parallel conductors spaced from the first plurality of conductors, a conductor of the first layer having a portion aligned with the conductor of the second layer, of the layer A first plurality of conductors having holes disposed in the aligned portion through the first plurality of conductors: means connected to a conductor of the first layer that creates an electron flow from the circumferential edge of the hole in the first plurality of conductors : An electron emission device constituting the conductor connected means of the second layer to control the electron flow rate.
제33항에 있어서, 제1의 다수의 전도체가 제2의 다수의 제2전도체 위에 배치되는 장치.34. The apparatus of claim 33, wherein the first plurality of conductors are disposed over the second plurality of second conductors.
제33항에 있어서, 제1의 다수의 전도체와 제2의 다수의 전도체와 정렬되어 그안에 배치된 구멍을 갖는 제2의 다수의 전도체가 제1의 다수의 전도체 위에 배치되는 장치.34. The apparatus of claim 33, wherein a second plurality of conductors are disposed over the first plurality of conductors with holes arranged in alignment with the first plurality of conductors and the second plurality of conductors.
제33항에 있어서, 제1전극으로부터 갖춰진 전자흐름을 모으는 제1전극에 인접 배치된 수단을 구성하는 장치.34. The apparatus of claim 33, comprising means arranged adjacent to the first electrode for collecting the provided electron flow from the first electrode.
제9항에 있어서, 제1층 내이 구멍이 절연층 내의 구멍보다 직경이 큰 조합.10. The combination of claim 9, wherein the hole in the first layer is larger in diameter than the hole in the insulating layer.
제8항에 있어서, 제1과 제2층 사이에 배치된 절연층을 포함하는 조합.The combination of claim 8 comprising an insulating layer disposed between the first and second layers.
(a) 구멍을 갖는 전기적으로 전도되는 물질의 제1층을 갖추고; (b) 제1층으로부터 이격된 전기적으로 전도되는 물질의 제2층을 갖추는 단계를 구성하는 전자 방출구조를 갖추는 방법.(a) having a first layer of electrically conducting material with holes; (b) having an electron emission structure constituting a step of providing a second layer of electrically conductive material spaced from the first layer.
제39항에 있어서, 제2층이 구멍을 갖추는 방법.40. The method of claim 39 wherein the second layer is apertured.
제40항에 있어서, 구멍이 층을 통해 형성되는 방법.41. The method of claim 40, wherein the aperture is formed through the layer.
제41항에 있어서, 제1과 제2의 전기적으로 전도되는 층이 중간에 절연층을 갖추고 제1과 제2층을 통해 형성된 구멍이 절연층을 통해 뻗어 가는 단계를 구성하는 방법.42. The method of claim 41, wherein the first and second electrically conductive layers comprise an insulating layer in the middle and holes formed through the first and second layers extend through the insulating layer.
제42항에 있어서, 절연층 안에 형성된 구멍이 제1과 제2의 전기적으로 전도되는 층안에 형성된 구멍보다 지역이 크고 그것과 본질적으로 정렬되는 방법.43. The method of claim 42 wherein the holes formed in the insulating layer are larger in area and substantially aligned with the holes formed in the first and second electrically conductive layers.
제43항에 있어서, 제2의 전기적으로 전도되는 층으로부터 이격된 전기적으로 전도되는 물질의 제3층을 갖추고 단계를 구성하고 제1과 제2층을 통해 구멍을 형성하는 단계가 제3층을 통해 구멍을 형성하는 것을 포함하는 방법.44. The method of claim 43, comprising the step of constructing a third layer of electrically conductive material spaced from the second electrically conductive layer and forming a hole through the first and second layers comprises the third layer. Forming a hole through.
제44항에 있어서, 제1, 제2와 제3의 전기적으로 전도되는 층이 내화성 형태의 금속인 방법.45. The method of claim 44, wherein the first, second and third electrically conductive layers are metals in refractory form.
제44항에 있어서, 제1, 제2와 제3의 전기적으로 전도되는 층이 몰리브덴을 구성하는 방법.45. The method of claim 44, wherein the first, second and third electrically conductive layers make up molybdenum.
제39항에 있어서, 제1의 전기적으로 전도되는 층 내의 구멍이 본질적으로 원형인 방법.The method of claim 39, wherein the holes in the first electrically conducting layer are essentially circular.
제39항에 있어서, 제1층을 갖추는 단계가 구멍으로부터 먼 부분에서 상대적으로 두껍고 구멍에 인접한 부분에서 상대적으로 얇은 층을 갖추는 것을 포함하는 방법.40. The method of claim 39, wherein providing a first layer comprises providing a relatively thick layer at a portion away from the hole and a relatively thin layer at a portion adjacent to the hole.
제48항에 있어서, (ⅰ) 전기적으로 전도되는 물질의 상대적으로 두꺼운 층을 갖추고; (ⅱ) 구멍이 형성되는 지역내의 전기적으로 전도되는 물질을 제거하고 제거된 물질의 지역이 구멍의 지역을 넘고; (ⅲ) 상대적으로 두꺼운 층위에 전기적으로 전도되는 물질의 상대적으로 얇은 층을 부단계를 제1층을 갖추는 단계가 구성하는 방법.49. The apparatus of claim 48, further comprising: (i) having a relatively thick layer of electrically conducting material; (Ii) removing the electrically conducting material in the area where the hole is formed and the area of material removed exceeds the area of the hole; (Iii) the step of having the first layer in a substep comprising a relatively thin layer of material electrically conducting on a relatively thick layer.
제42항에 있어서, 구멍을 갖추는 단계가; (ⅰ) 구멍이 갖춰지는 지역에 노출되도록 문양을 가진 제2층의 표면을 차폐하고; (ⅱ) 차폐되지 않은 지역내의 물질을 선택적으로 에치하는데 알맞은 에찬트에 제2층의 표면을 노출시키고; (ⅲ) 구멍이 갖춰질때까지 방출구조의 각층에 알맞은 에찬트로 노출시키는 단계를 반복하는 부단계를 구성하는 방법.43. The method of claim 42, further comprising: providing a hole; (Iii) shield the surface of the patterned second layer so as to be exposed to the area where the hole is provided; (Ii) exposing the surface of the second layer to an etchant suitable for selectively etching the material in the unshielded area; (Iii) a method of constructing sub-steps which repeats the steps of exposure to the appropriate etchant for each layer of the emissive structure until a hole is provided.
제50항에 있어서, 제1과 제2의 전기적으로 전도되는 층안에 형성된 구멍보다 큰 지역까지 구멍을 확대하도록 절연층을 에치하는 부단계를 포함하는 방법.51. The method of claim 50 including a substep of etching the insulating layer to enlarge the hole to an area larger than the hole formed in the first and second electrically conductive layers.
제50항에 있어서, 알맞은 에찬트에 제1층을 노출시키는 부단계가 구멍에서 제1층의 원주변부 부분위에 경사진 표면을 갖추는 다른 부단계를 포함하는 방법.51. The method of claim 50, wherein the substep of exposing the first layer to a suitable etchant comprises another substep of having a sloped surface over the circumferential portion of the first layer in the aperture.
제52항에 있어서, 구멍에서 제1층의 원주변부 부분위에 경사진 표면을 갖추는 부단계가 제1층의 에칭중단부점 검출과정을 포함하는 방법.53. The method of claim 52, wherein the substep of providing the inclined surface over the circumferential portion of the first layer in the hole includes detecting the etch stop of the first layer.
제39항에 있어서, 제1층을 갖추는 단계가 제1의 다수의 본질적으로 평행한 전도체처럼 제1층을 갖추는 것을 포함하는 방법.40. The method of claim 39, wherein providing a first layer comprises providing the first layer like a first plurality of essentially parallel conductors.
제54항에 있어서, 제2층을 형성하는 단계가 제2의 다수의 본질적으로 평행한 전도체처럼 제2층을 갖추는 것을 포함하고 제1층의 전도체가 제2층의 전도체와 교차하나 전기적으로 격리되고 구멍을 형성하는 단계가 제1과 제2층의 전도체의 교차점에서 제1과 제2층을 통하는 구멍을 형성하는 것을 포함하는 방법.55. The method of claim 54, wherein forming the second layer includes having the second layer like a second plurality of essentially parallel conductors, the conductors of the first layer intersecting but electrically isolated from the conductors of the second layer. And forming a hole comprises forming a hole through the first and second layers at the intersection of the conductors of the first and second layers.
제55항에 있어서, 제1과 제2층의 전도체의 교차점에서 구멍을 형성하는 단계가 교차점 각각에서 다수의 구멍을 형성하는 것을 포함하는 방법.56. The method of claim 55, wherein forming a hole at the intersection of the conductors of the first and second layers comprises forming a plurality of holes at each of the intersections.
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