KR920006876Y1

KR920006876Y1 - X-ray cutting control circuit

Info

Publication number: KR920006876Y1
Application number: KR2019900004447U
Authority: KR
Inventors: 김영학
Original assignee: 삼성전자 주식회사; 강진구
Priority date: 1990-04-12
Filing date: 1990-04-12
Publication date: 1992-09-28
Also published as: KR910019174U

Abstract

내용 없음.No content.

Description

X-ray cutoff control circuit

제1도는 종래의 회로도.1 is a conventional circuit diagram.

제2도는 본 고안의 회로도.2 is a circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

R1-R12 : 전류제한 빛 바이어스용 저항 C1-C6 : 필터용 콘덴서R1-R12: Current limiting light bias resistor C1-C6: Filter capacitor

D1 : 정류 다이오드 ZD1-ZD2 : 제너다이오드D1: Rectifier Diode ZD1-ZD2: Zener Diode

Q1-Q2 : 트랜지스터 SCR : 실리콘 제어 정류기Q1-Q2: Transistor SCR: Silicon Controlled Rectifier

L1: 필터 코일 10 : 주전압 입력부L1: filter coil 10: main voltage input

20 : 애노드 수평 출력 펄스 입력부 30 : 실리콘 제어 정류기의 게이트 전류 구동부20: anode horizontal output pulse input unit 30: gate current drive unit of silicon controlled rectifier

40 : 애노드 펄스 정류부 50 : 실리콘 제어 정류기부40: anode pulse rectifier 50: silicon control rectifier

60 : 과전압 보호 검출부 70 : X선 차단부60: overvoltage protection detection unit 70: X-ray blocking unit

80 : 주전압 출력부80: main voltage output unit

본 고안은 칼라 브라운관(CRT)를 이용한 영상 처리 시스템에 있어서 수평 편향 회로에 관한 것으로, 특히 X선 방출을 제어하는 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a horizontal deflection circuit in an image processing system using a color CRT, and more particularly to a circuit for controlling X-ray emission.

일반적으로 칼라 텔레비젼과 같은 영상 처리 시스템에서는 X선 차단회로를 사용하게 되는데 종래의 경우에는 제1도에 도시된 바와 같이 FBT(Fryback Transformer) 수평 라인을 1회만 사용하였으므로 양극전압 변화분을 주전압 공급라인과 동시에 구성하지 못하는 신뢰성 낮은 제품 설계로 인해 20인치 이상되는 칼라 텔레비젼에서는 브라운관의 양극 전압 변화분을 직접 검출하지 못하였다.In general, an image processing system such as a color television uses an X-ray cutoff circuit. In the conventional case, since only one FBT (Fryback Transformer) horizontal line is used as shown in FIG. Due to the unreliable product design that cannot be configured at the same time as the line, color TVs larger than 20 inches did not directly detect the cathode voltage change of the CRT.

또한 부품 소자들이 갖고 있는 부품 오차가 있어 안정되게 X선을 제어할 수 없었으며 수평 펄스단(1)이 오픈될시 안정되게 X선을 차단할 수 없었으므로 시청자에게 신체적 손상을 줄 우려가 있어 신뢰성이 떨어지는 단점이 있었다.In addition, there was a component error that component elements have, so that X-rays could not be controlled stably, and X-rays could not be stably blocked when the horizontal pulse stage 1 was opened, which may cause physical damage to viewers. There was a downside.

따라서 본 고안의 목적은 부품 오차에 따라 생기는 X-선의 발생을 조기에 검출 및 제어 가능토록 하기 위해 애노드 펄스 변화분과 주전압 공급 증가를 조기에 검출 및 제어하여 수평 편향용 집적 소자내의 X선 차단회로를 구동하는 X선 차단 제어회로를 제공함에 있다.Therefore, the purpose of the present invention is to detect and control the anode pulse change and the increase of main voltage supply early to enable the early detection and control of X-rays caused by component errors. To provide an X-ray cutoff control circuit for driving the.

이하 본 고안을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the present invention.

제2도는 본 고안의 회로도로써, 각 단에 주전압을 공급하는 주전압 입력부(10)와, 브라운관에 인가시켜 주기위한 애노드 수평 펄스를 발생하는 애노드 수평 출력 펄스입력부(20)와, 저항(R1)과 다이오드(D1)과 제1및 제2콘덴서(C1, C2)로 이루어져 상기 애노드 수평 출력 펄스입력부(20)로 부터 발생되는 애노드 펄스를 정류하는 정류부(40)와, 저항(R2)와 제1제너다이오드(ZD1)와 제3콘덴서(C3)와 코일(L1) 및 실리콘 제어 정류기(SCR)로 이루어진 실리콘 제어정류기부(50)와, 네 저항(R3-R6)과 제4콘덴서(C4) 및 제1트랜지스터(Q1)로 이루어져 상기 실리콘 제어 정류기(SCR)의 게이트 전류를 공급하는 SCR게이트 전류 구동부(30)와, 내 저항(R9-R12)과 제2제너다이오드(ZD2)와 제5 및 제6콘덴서(C5,C6) 및 제2트랜지스터(Q2)로 이루어져 주전압증가와 애노드 퍼라스 변화분을 검출하는 과전압 보호 검출부(60)와, 상기 과전압 보호 검출부(60)로 부터 검출된 전압의 상태에 따라 수평 발진부를 제어하여 X선 방출을 제어하는 X선 차단부(70)와, 상기 주전압 입력부(10)로 부터 인가된 주전압을 세트에 공급하는 주전압 공급부(80)로 구성된다.2 is a circuit diagram of the present invention, and includes a main voltage input unit 10 for supplying a main voltage to each stage, an anode horizontal output pulse input unit 20 for generating an anode horizontal pulse for application to a CRT, and a resistor R1. ) And a rectifier 40 for rectifying the anode pulse generated from the anode horizontal output pulse input unit 20, and the resistor R2 and the resistor D1, the diode D1, and the first and second capacitors C1 and C2. A silicon controlled rectifier section 50 consisting of a first zener diode (ZD1), a third capacitor (C3), a coil (L1), and a silicon controlled rectifier (SCR), four resistors (R3-R6), and a fourth capacitor (C4). And an SCR gate current driver 30 configured to provide a first transistor Q1 to supply a gate current of the silicon controlled rectifier SCR, resistance resistors R9-R12, second zener diodes ZD2, and fifth and The sixth capacitor (C5, C6) and the second transistor (Q2) consisting of the detection of the main voltage increase and the anode plasma change The voltage protection detection unit 60, an X-ray blocking unit 70 for controlling X-ray emission by controlling a horizontal oscillation unit according to the state of the voltage detected by the overvoltage protection detection unit 60, and the main voltage input unit 10. It consists of a main voltage supply unit 80 for supplying the main voltage applied from the set to).

상술한 구성에 의거 본 고안을 상세히 설명한다.Based on the above-described configuration will be described the present invention in detail.

먼저 세트가 정상 동작 상태일 경우에 대하여 설명하면, 다이오드(D1)에 의한 애노드 기준 전압이 제1제너다이오드(ZD1)에 의한 기준 전압 설정치보다 낮아 실리콘 제어 정류기(SCR)의 애노드측 전위 레벨은 로우 상태로 된다. 또한 상기 주전압 입력부(10)로 부터 저항(R3)을 통해 SCR게이트 전류구동부(30)로 인가되는 주전압은 상기 저항(R3)의 전후단간 전압차가 없이 제1트랜지스터(Q1)의 베이스 전압(R4)를 통해 상기 제1트랜지스터(Q1)의 베이스단으로 인가된다.First, a description will be given when the set is in a normal operating state. The anode potential level of the silicon control rectifier SCR is low because the anode reference voltage by the diode D1 is lower than the reference voltage setting value by the first zener diode ZD1. It is in a state. In addition, the main voltage applied from the main voltage input unit 10 to the SCR gate current driver 30 through the resistor R3 is the base voltage of the first transistor Q1 without a voltage difference between the front and rear ends of the resistor R3. R4) is applied to the base end of the first transistor Q1.

이때 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 베이스간은 동일한 전위 레벨을 이루게 되어 오픈된다. 그러므로 게이트 전류가 흐르지 못하게 되어 상기 실리콘 제어 정류기(SCR)는 오픈된다. 이때 상기 주전압 입력부(10)로 부터 케소드 바이어스 저항(R8)을 통해 인가된 주전압은 제2제너다이오드(ZD2)에 의한 기준전압 설정치보다 높아 상기 제2다이오드(ZD2)의 애노드단에 베이스가 접속된 과전압 보호용 제2트랜지스터(Q2)는 도통상태에 도입하게 된다. 그러므로 전류 제한 저항(R12)을 거쳐 상기 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터로 인가되는 주전압은 에미터단 및 저항(R9)를 거쳐 바이패스되고 상기 콜렉터단의 전위는 로우 레벨이 되어 과전압 보호출력 저항(R10,R11) 및 필터용 콘덴서(C6)을 통한 X선 차단부(70)의 구동은 이루어지지 않고 세트는 정상동작을 한다.At this time, the collector and the base of the first transistor Q1 achieve the same potential level and are opened. Therefore, no gate current flows, and the silicon controlled rectifier SCR is opened. At this time, the main voltage applied from the main voltage input unit 10 through the cathode bias resistor R8 is higher than the reference voltage set by the second zener diode ZD2 and is based on the anode terminal of the second diode ZD2. The second transistor Q2 connected to the overvoltage protection is introduced into the conduction state. Therefore, the main voltage applied to the collector of the second transistor Q2 via the current limiting resistor R12 is bypassed through the emitter stage and the resistor R9, and the potential of the collector stage is at a low level so that the overvoltage protection output resistor The X-ray blocking unit 70 is not driven through the R10 and R11 and the filter capacitor C6, and the set operates normally.

다음으로 주전압 라인에 이상 상태가 발생했을 경우의 회로 동작에 관하여 설명하면, 주전압 라인에 이상상태가 발생하여 주전압이 증가하고 애노드 펠스도 증가하게 되면 제1다이오드(D1)를 통해 전류된 애노드 전압은 제1제너다이오드(ZD1)을 통해 실리콘 제어 정류기(SCR)의 애노드로 인가된다.Next, a description will be made of a circuit operation when an abnormal state occurs in the main voltage line. When an abnormal state occurs in the main voltage line and the main voltage increases and the anode felt increases, the current flows through the first diode D1. The anode voltage is applied to the anode of the silicon controlled rectifier SCR through the first zener diode ZD1.

또한 주전압 상승시 상기 SCR 게이트 전류 구동부(30)의 제1트랜지스터(Q1)의 에미터와 베이스간 전압차가 발생하여 상기 제1트랜지스터(Q1)는 도통하게 되고 그 결과 상기 실리콘 제어 정류기(SCR)의 게이트 전류가 흐르기 시작한다. 상기 실리콘 제어 정류기(SCR)의 캐소드 전압은 저항(R8)을 통해 애노드 전압보다 낮게 설정되어 상기 실리콘 제어 전류기(SCR)는 도통 상태가 된다.In addition, when the main voltage rises, a voltage difference is generated between the emitter and the base of the first transistor Q1 of the SCR gate current driver 30 so that the first transistor Q1 becomes conductive, and as a result, the silicon controlled rectifier SCR. Gate current starts to flow. The cathode voltage of the silicon controlled rectifier SCR is set lower than the anode voltage through the resistor R8 so that the silicon controlled current regulator SCR is in a conductive state.

그러므로 상기 실리콘 정류기(SCR)의 캐소드 전압은 바이어스 저항(R7)에 의해 0.6V보다 낮게 설정되고 제2제너다이오드(ZD2)의 애노드단 검출전압은 0V가 된다. 그 결과 반전용 제2트랜지스터(Q2) 오픈 상태가되면서 상기 제2트랜지스터(Q2)콜렉터 저항(R12)에는 하이 레벨의 전압이 걸리게 되므로 과전압 검출 출력저항(R10,R11)및 필터용 콘덴서(C6)를 통해 X선 차단부(70)제어하여 수평 발진부가 내장된 집적회로가 동작하지 못하도록 한다. 그러므로 세트는 자동으로 꺼지게 된다.Therefore, the cathode voltage of the silicon rectifier SCR is set lower than 0.6V by the bias resistor R7 and the anode end detection voltage of the second zener diode ZD2 becomes 0V. As a result, a high level voltage is applied to the second transistor Q2 collector resistor R12 while the second transistor Q2 for inversion is opened, and thus the overvoltage detection output resistors R10 and R11 and the filter capacitor C6 are applied. By controlling the X-ray blocking unit 70 to prevent the integrated circuit with the horizontal oscillator is built. The set is therefore automatically turned off.

상술한 바와 같이 부하 변동에 의하여 B⁺공급전압이나 애노드 전압변화시 즉시 감지하여 고신뢰성 검출기인 실리콘 제어 정류기의 동작 상태에 따라 X선 회로를 구동 및 차단토록 하므로써 부하변동이나 부품소자 오차에서 오는 영향을 거의 완벽하게 배제할 수 있는 이점이 있다.As described above, when the B ⁺ supply voltage or the anode voltage changes due to the load variation, the effect of the load variation or component error is caused by driving and shutting off the X-ray circuit according to the operation state of the silicon-controlled rectifier which is a high reliability detector. There is an advantage that can be almost completely excluded.

Claims

In a color television, a main voltage input section (10) for supplying a main voltage to each stage, an anode horizontal pulse section (20) for generating an anode book pulse for application to a CRT, and switching operation under predetermined control A rectifier 40 for rectifying and applying the anode pulse generated from the anode horizontal pulser 20 to the silicon controlled rectifier 50, and the main voltage input unit 10. SCR gate current driver 30 for supplying a gate current to the silicon controlled rectifier unit 50 under the control of the control panel), an overvoltage protection detector 60 for detecting changes in main voltage steam and anode pulses, and the overvoltage protection X-ray cutoff control circuit, characterized in that consisting of an X-ray cut-off unit 70 for controlling the X-ray emission by controlling the horizontal oscillator in accordance with the state of the voltage detected from the detection unit (60).