KR920001193B1

KR920001193B1 - X-ray protecting stabilization circuit

Info

Publication number: KR920001193B1
Application number: KR1019890007303A
Authority: KR
Inventors: 유영관
Original assignee: 삼성전자 주식회사; 정용문
Priority date: 1989-05-31
Filing date: 1989-05-31
Publication date: 1992-02-06
Also published as: KR900019455A

Abstract

The circuit includes an X-ray release inhibiting circuit (50) in addition to the usual components of the conventional circuit. If a high voltage which is sufficient to release X-rays by the output of an X-ray release control circuit (40) is detected, the X-ray release inhibiting circuit (50) controls a pulse duration switch (13) of a horizontal deflecting signal output section (20). Thus if a high voltage is produced, the variation of the duration of trigger pulses is inhibited, thereby stabilizing the X-ray output.

Description

X-ray Protection Stabilization Circuit Using Horizontal Deflection Pulse Duration Switch

제1도는 종래의 회로도.1 is a conventional circuit diagram.

제2도는 본 발명에 따른 회로도.2 is a circuit diagram according to the present invention.

본 발명은 CRT 디스플레이 장치에 있어서 수평편향부의 펄스 듀레이션 스위치(Pulse duration switch)를 응용한 X-레이 보호회로에 관한 것으로서, 특히 X-레이 보호기능 동작시 회로의 불안정한 트리거 펄스 발생을 막고 CRT의 X-레이 방출을 완전히 차단시킬 수 있는 수평 편향 펄스듀레이션스위치를 이용한 X-레이 보호 안정화회로에 관한 것이다.The present invention relates to an X-ray protection circuit using a pulse duration switch of a horizontal deflection portion in a CRT display device. In particular, the present invention relates to an X-ray protection circuit, which prevents unstable trigger pulse generation of the circuit during the operation of the X-ray protection function and the X of the CRT. The present invention relates to an X-ray protection stabilization circuit using a horizontal deflection pulse duration switch that can completely block ray emission.

일반적으로 CRT의 브라운관에서 수평출력 펄스가 소정치 이상의 레벨로 들어오면 고압이 상승되어 브라운관에서 X-레이가 발생된다. 이때 발생된 X-레이는 시청자에게 신체적으로 손상을 줄 수 있으므로 이를 미리 차단시켜 왔었다. 종래의 X-레이차단회로로 제1도를 사용했는데, 종래의 X-레이의 차단예를 구체적으로 살펴보면, 먼저, 펄스 듀레이션 스위치(13)의 입력전압에 따라 펄스 듀레이션을 회로에서 알아보면 제너다이오드(ZD2)의 에노드측이 0-3.5V이면 t=14㎲가 된다. 5.4-6.6V 또는 펄스 듀레이션 입력단이 개방이면 t=0㎲ 즉, 트리거 펄스가 없게 된다. 상기 펄스 듀레이션 스위치(13)의 동작을 구체적으로 살펴보면, 수평출력에 의해 고압을 생성하는 FBT(30)에서 3차측단자 “X”점을 통해 상기 고압에 비례하여 펄스 파형이 출력된다.Generally, when the horizontal output pulse enters a level higher than a predetermined value in the CRT's CRT, the high pressure is raised to generate an X-ray in the CRT. At this time, the generated X-ray may be physically damaged to the viewer, so it has been blocked in advance. Although FIG. 1 is used as a conventional X-ray blocking circuit, a specific example of the conventional X-ray blocking method will be described. First, a pulse duration according to an input voltage of the pulse duration switch 13 may be found in a zener diode. If the anode side of (ZD2) is 0-3.5V, t = 14kV. 5.4-6.6V or pulse duration If the input stage is open, there will be no t = 0㎲ or trigger pulse. Looking at the operation of the pulse duration switch 13 in detail, a pulse waveform is output in proportion to the high voltage through the third terminal "X" point in the FBT 30 generating a high pressure by the horizontal output.

상기 “X”　점에서 발생되는 출력이 제너다이오드(ZD2)의 제너전압이하이면, 펄스 듀레이션 스위치(13) 입력전압은 저항(R3)에 의해 거의 0V에 이르게 된다.When the output generated at the “X” point is less than or equal to the zener voltage of the zener diode ZD2, the input voltage of the pulse duration switch 13 reaches almost 0 V by the resistor R3.

따라서 펄스 듀레이션은 t=14㎲로서, 펄스 발생기(12)에 입력되면, 트리거펄스발생기(12)에서 해당 트리거펄스가 발생되어 수평편향 출력부(20)의 드라이브 트랜지스터(Q3)에 인가된다. 상기 트랜지스터(Q3)의 출력이 트랜지스터(Q4)를 통해 수평출력 및 FBT(30)를 구동시켜 정상 동작상태가 된다.Therefore, when the pulse duration is t = 14 μs and is input to the pulse generator 12, the trigger pulse is generated in the trigger pulse generator 12 and applied to the drive transistor Q3 of the horizontal deflection output unit 20. The output of the transistor Q3 drives the horizontal output and the FBT 30 through the transistor Q4 to a normal operating state.

그러나 “X”점에서 인출된 펄스전압이 커지게 되어 [즉 FBT(30)의 고압이 상승하게 되면]제너다이오드(ZD2)의 캐소우드 전압이 제너전압이상으로서 제너다이오드(ZD2)의 애노우드 전압이 5.4-6.6V에 도달하여 펄스듀레이션은 t=0㎲로서 트리거펄스가 없게 된다.However, the pulsed voltage drawn at the point “X” becomes large (ie, when the high voltage of the FBT 30 rises) and the cathode voltage of the zener diode ZD2 is equal to or greater than the zener voltage, and thus the anode voltage of the zener diode ZD2. When this 5.4-6.6V is reached, the pulse duration is t = 0 없게 and there is no trigger pulse.

따라서 트랜지스터(Q3) 및 (Q4)는 스위칭동작이 중단하게 되므로 FBT(30)의 고압은 떨어지게된다. 상술한 동작 설명에서와 같이 CRT 디스플레이 장치의 어떠한(불특정) 에러에 의하여 고압이 상승되어 X-레이 보호회로에 의해 펄스 듀레이션이 “0㎲”로 되어 고압을 떨어뜨리게 되면(동시에 수평편향도 중단됨) “X”점의 전위는 0V가 되어, 결국 제너다이오드(ZD2)의 애노우드측이 0V에 근접 다시 트리거펄스에 의해 수평출력이 동작하게 되며, 따라서 펄스 듀레이션이 “0㎲”로 재차 수평부 동작을 중단시키게 된다. 이러한 현상이 계속되면서 CRT 화면은 빠르게 깜박이게 되므로 X-레이 방출이 궁극적으로 완전히 차단되지 못하는 문제점이 있었다.Therefore, the switching operation of the transistors Q3 and Q4 is stopped so that the high voltage of the FBT 30 is lowered. As described above, when the high pressure is raised due to any (unspecified) error of the CRT display device and the pulse duration is “0” by the X-ray protection circuit, the high pressure is dropped (the horizontal deflection is stopped at the same time). The potential at the “X” point becomes 0V, so the anode output of the Zener diode (ZD2) is close to 0V, and the horizontal output is operated by the trigger pulse. Therefore, the pulse duration is “0㎲” again. Will stop. As this phenomenon continues, the CRT screen flickers quickly, which ultimately prevents the X-ray emission from being completely blocked.

따라서 본 발명의 목적은 CRT에 인가되는 고압 상승에 따라 증가하는 X-레이 방출량을 제한하기 위해 고압의 한계 전압(X-레이 방출량에 따라 일정전압을 한계치로 설정함) 이상으로 상승하게 되는 경우 이를 회로적으로 차단(off)하여 인체에 미치게될 피해를 완전 제거할 수 있는 회로를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to increase the threshold voltage of the high pressure (set a certain voltage according to the X-ray emission amount) in order to limit the amount of X-ray emission increases with the increase of the high pressure applied to the CRT It is to provide a circuit that can completely eliminate the damage to the human body by the circuit (off).

이하 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 발명에 따른 회로도로서, 펄스 듀레이션 스위치(13), 발진기(14), 트리거펄스발생기(14), 라인 트리거펄스 출력부(11)로 구성된 수평 발진부(10)와 저항(R8), 트랜지스터(Q3, Q4), 다이오드(D5), 캐패시터(C4), 수평 드라이브 트랜스포머(HDT), CRT의 수평편향코일(H-DY)로 구성된 수평편향출력부(20)와 트랜스포머(T), 다이오드(D31-D36), 캐패시터(C31)로 구성되고, 3차측에 기준 전압 유도단을 결정하는 고압발생부(30)와, 상기 고압발생부(30)의 3차측 코일로부터 저항(R1-R3), 다이오드(D1) 및 제너다이오드(ZD2), 캐패시터(C1, C2)로 구성된 고압발생검출회로(40)와, 상기 고압발생검출회로(40)의 출력단(41)에 트랜지스터(Q1)의 베이스와 저항(R5)을 연결하고, 상기 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 트랜지스터(Q2)의 베이스를 연결하며, 상기 트랜지스터(Q2)의 에미터와 트랜지스터(Q1)의 콜렉터간에 저항(R4) 을 연결하고, 저항(R5)을 트랜지스터(Q2)의 에미터에 노드(51)를 연결하며, 상기 노드(51)로부터 저항(R6)과 캐패시터(C3)를 병렬로 연결하여 접지시킴과 동시에 다이오드(D3)의 에노이드를 연결하고 상기 다이오드(D3)의 캐소드에 다이오드(D4)의 캐소드를 결합하여 저항(R7)을 통해 접지시키며, 상기 다이오드(D4)의 에노드가 상기 수평 발진부(10)의 펄스 듀레이션 스위치(13)에 연결되도록 X-레이 방출억제 유지회로(50)로 구성된다.2 is a circuit diagram according to the present invention, which includes a horizontal oscillation unit 10 and a resistor R8 including a pulse duration switch 13, an oscillator 14, a trigger pulse generator 14, and a line trigger pulse output unit 11. Horizontal deflection output unit 20 comprising a transistor (Q3, Q4), diode (D5), capacitor (C4), horizontal drive transformer (HDT), horizontal deflection coil (H-DY) of the CRT, transformer (T), diode (D31-D36) and a capacitor (C31), the high-voltage generator 30 for determining the reference voltage induction stage on the tertiary side, and the resistance (R1-R3) from the tertiary coil of the high-voltage generator 30 A high voltage generation detection circuit 40 including a diode D1, a zener diode ZD2, and capacitors C1 and C2, and an output terminal 41 of the high voltage generation detection circuit 40; The resistor R5 is connected, the base of transistor Q2 is connected to the collector of transistor Q1, and the emitter and transistor of transistor Q2 ( The resistor R4 is connected between the collectors of Q1), the resistor R5 is connected to the node 51 to the emitter of the transistor Q2, and the resistor R6 and the capacitor C3 are connected from the node 51. At the same time, the grounding of the diode D3 is connected to the ground of the diode D3, and the cathode of the diode D3 is coupled to the cathode of the diode D3 to ground through a resistor R7. An X-ray emission suppression maintaining circuit 50 is configured so that the anode is connected to the pulse duration switch 13 of the horizontal oscillator 10.

따라서 본 발명의 구체적 일실시예를 제2도를 참조하여 상세히 설명하면, 고압발생부인 FBT(30)는 수평편향 출력부(20)의 스위칭 펄스에 의하여 고압(약 23KV)을 발생하고 유기되는 전압을 고압량에 따라 인출하는 3차출력(X점)단을 포함하고 있다. 고압검출회로(40)는 상기 FBT(30)의 출력단(X점 : 2차측에도 설정가능)에서 인출된 전압 펄스 파형을 DC정류하여 이 전압레벨을 제너다이오드(ZD2)의 제너 전압이상인가 판단하여 트랜지스터(Q1)의 베이스에 바이어스 전압으로 공급한다.Therefore, when a specific embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2, the high voltage generator FBT 30 generates a high voltage (about 23 KV) by the switching pulse of the horizontal deflection output unit 20 and induces voltage. It includes the 3rd output (X point) stage which draws out according to the high pressure amount. The high voltage detection circuit 40 rectifies the voltage pulse waveform drawn at the output terminal of the FBT 30 (X point: which can be set on the secondary side) by DC rectifying and determines whether the voltage level is equal to or higher than the zener voltage of the zener diode ZD2. The bias voltage is supplied to the base of the transistor Q1.

X-레이 방출 억제유지회로(40)는 본 고안에 추가되는 기능으로서 상기 고압 검출회로(40)의 “X”점이 일정 전압이상 (즉, 고압이 일정값이상)이 되면, 상기 고압검출회로(40)에 의해 트랜지스터(Q1)베이스에 순방향 바이어스 전압으로서 트랜지스터(Q1, Q2)가 턴온되며, 저항(R4)(R5)의 바이어스에 의해 트랜지스터(Q1, Q2)는 계속 “온”상태를 유지하게 된다. 이에 따라 트랜지스터(Q2)의 에미터 바이어스 전압(VEE)에 의해 다이오드(D3)는 순방향을 바이어스 되고 다이오드(D4)는 개방된다.The X-ray emission suppression holding circuit 40 is a function added to the present invention, when the "X" point of the high voltage detecting circuit 40 becomes a predetermined voltage or more (that is, the high voltage is a predetermined value or more), the high pressure detecting circuit ( 40 turns on the transistors Q1 and Q2 as a forward bias voltage at the base of transistor Q1 and causes the transistors Q1 and Q2 to remain " on " due to the bias of resistors R4 and R5. do. Accordingly, the diode D3 is biased forward by the emitter bias voltage VEE of the transistor Q2 and the diode D4 is opened.

따라서 펄스 듀레이션은 “0㎲”가 되어 트리거 펄스가 없게 되며 수평출력부(20)는 동작하지 않게 된다.Therefore, the pulse duration becomes "0 ms" so that there is no trigger pulse and the horizontal output unit 20 does not operate.

수평발진부(10)는 위상제어기능을 포함하는 것으로 특히 펄스 듀레이션은 입력 전압[다이오드(D4)의 애노우드 측]에 따라 스위칭되어 즉 0-3.5V입력이면 정상 트리거 펄스가 출력되나 5.4-6.6V 또는 개방하면 트리거 펄스가 없다(회로 구성예 : TDA-2593). 상기 블럭별 기본 기능에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 동작은 다음과 같다.The horizontal oscillator 10 includes a phase control function. In particular, the pulse duration is switched according to the input voltage (the anode side of the diode D4), that is, a normal trigger pulse is output when the input voltage is 0-3.5V. Or, if open, no trigger pulses (circuit example: TDA-2593). As described in the basic function of each block, the operation of the present invention is as follows.

X-레이 보호기능은 CRT의 고압상승에 의한 X-레이 방출량을 규제하며, 인체에 미치는 피해를 막는데 주 목적이 있는데, CRT의 고압상승은 세트가 정상적(설계치 기준)일때는 발생치 않고, 사용도중 세트내부 또는 외부의 일부 고장에 의하여 예기치 못한 상태에서 고압이 상승한다. 이로 인하여 X-레이 방출량이 증가하여 인체에 해로운 정도까기 이르게 될 수 있다. 이러한 상태를 예상하여 X-레이 보호회로가 요구된다.The X-ray protection function regulates the amount of X-rays emitted by the high pressure rise of the CRT, and the main purpose is to prevent damage to the human body.The high pressure rise of the CRT does not occur when the set is normal (by design value). During use, the high pressure rises unexpectedly due to some fault inside or outside the set. This can lead to an increase in the amount of X-rays emitted to the extent that it is harmful to the human body. In anticipation of this condition, an X-ray protection circuit is required.

상기 예기치 않은 고장이란 CRT 고압(즉 FBT 출력전압) 이 상승되면 고압검출회로(40) “X”점의 전압이 비례하여 상승된다. 이때 다이오드(D1)과 저항(R2), 캐패시터(C1)에 의해 정류된 전압은 상승하게 되어 제너다이오드(ZD2)이 제너전압(Zenor Break down Voltage)이상으로 상승하면 트랜지스터(Q1)베이스에 순방향으로 전류가 흐르게 되어 트랜지스터(Q1)를 온시키게 된다[이때 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에는 VEE에 의한 역 바이어스가 걸린다].The unexpected failure is that when the CRT high voltage (that is, the FBT output voltage) is increased, the voltage at the “X” point of the high voltage detection circuit 40 is increased proportionally. At this time, the voltage rectified by the diode D1, the resistor R2, and the capacitor C1 increases, and when the zener diode ZD2 rises above the Zener break down voltage, the transistor Q1 moves forward in the forward direction to the base of the transistor Q1. The current flows to turn on the transistor Q1 (at this time, the collector of the transistor Q1 is biased by VEE).

따라서 바이어스용 저항(R4)에 의한 전압강하에 의해 트랜지스터(Q2)의 베이스에 순방향 전류가 흐르게 되며 트랜지스터(Q2)는 턴온한다. 상기 트랜지스터(Q2)가 온됨에 따라 다이오드(D3)는 순방향 전류가 인가하게 되며, 다이오드(D4)는 역방향 바이어스에 의해 회로적으로 개방된다.Therefore, the forward current flows to the base of the transistor Q2 due to the voltage drop caused by the bias resistor R4, and the transistor Q2 is turned on. As the transistor Q2 is turned on, a forward current is applied to the diode D3, and the diode D4 is open in a circuit by a reverse bias.

따라서 펄스 듀레이션 스위치(13)는 t=0㎲으로 동작하게 되어 이때 펄스 듀레이션 스위치(13)에서 발생되는 트리거 펄스가 없게된다. 그러므로 수평출력부(20)는 동작하지 않게 되며 FBT(30) 또한 동작하지 못하므로 CRT에 고압을 인가하지 않게 되어 X-레이 방출을 근본적으로 차단하게 된다.Accordingly, the pulse duration switch 13 operates at t = 0 ms, so that there is no trigger pulse generated from the pulse duration switch 13. Therefore, since the horizontal output unit 20 does not operate and the FBT 30 also does not operate, the horizontal output unit 20 does not apply high pressure to the CRT, thereby essentially blocking the X-ray emission.

여기서 설명한 회로 각부의 전압 레벨 X-레이 방출량등은 실험적 또는 측정치로서 결정하며, 각 부품의 오차를 감안하여정할 수 있다. 이렇게 하여 고압발생이 중단되어 X-레이 방출이 차단되어도 트랜지스터(Q1), (Q2)에는 VEE에 의한 바이어스에 의해 계속 온상태를 유지하게되고, 고압 발생은 완전중단시킨다.The voltage level X-ray emission amount and the like of each part of the circuit described herein are determined as experimental or measured values, and can be determined in consideration of the error of each component. In this way, even if the high voltage generation is stopped and the X-ray emission is cut off, the transistors Q1 and Q2 remain on by the bias due to VEE, and the high voltage generation is completely stopped.

따라서 종래의 기술의 구성에서처럼 순간적으로 반복되는 트리거 펄스 듀레이션의 변화는 없게 되며, 가장 완벽하게 X-레이로부터 보호를 받게 된다. 세트가 정상적일때(설계치 기준 : X-레이량 및 고압레벨)는 제너다이오드(ZD2)의 제너전압에 이르지 못하게 되어 트랜지스터(Q1, Q2)는 오프된다. 이에 따라 펄스 듀레이션 스위치(13) 입력부는 다이오드(D4)및 저항(R7)에 의해 접지되어 정상적으로 트리거 펄스를 발생하게된다.Thus, there is no change in the trigger pulse duration that is repeated instantaneously as in the configuration of the prior art, and is most completely protected from X-rays. When the set is normal (design value criteria: X-ray amount and high voltage level), the transistors Q1 and Q2 are turned off because the zener voltage of the zener diode ZD2 cannot be reached. Accordingly, the input of the pulse duration switch 13 is grounded by the diode D4 and the resistor R7 to normally generate a trigger pulse.

상술한 바와 같이 X-레이가 방출할 수 있을 정도로 고압이 발생되면 계속적인 트리거 펄스 듀레이션 변화를 억제시켜 순간적으로 반박되는 트리거 펄스 듀레이션의 변화를 없게하므로 안전하고 완벽한 X-레이를 차단시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, when high pressure is generated enough to emit the X-rays, it is possible to suppress the continuous change of the trigger pulse duration so that there is no change of the trigger pulse duration which is repulsed momentarily, so it is possible to cut off the safe and perfect X-rays. There is this.

Claims

The horizontal deflection coil of the CRT is formed by the horizontal oscillation unit 10 including the pulse duration switch 13, the trigger pulse generator 12, the oscillator 14, and the line trigger pulse output unit, and the output trigger pulse of the horizontal oscillator 10 ( A horizontal deflection output unit 20 for generating a horizontal deflection signal for exciting H-DY), and a high pressure level generated by the output of the horizontal deflection output unit 20 and outputting a high pressure amount induced by the high pressure generation. To control the pulse duration switch 13 of the horizontal oscillator 11 by detecting whether the high-pressure generator 30 and the value that can emit the X-ray by the high pressure input from the high-pressure generator 30 A monitor X-ray protection circuit having an X-ray emission control circuit 40, wherein when the high pressure capable of emitting X-rays is detected by the output of the X-ray emission control circuit 40, the horizontal By controlling the pulse duration switch 13 of the deflection output unit 20 X-ray protection stabilization circuit using a water deflection pulse duration switch, characterized in that the X-ray emission suppression holding circuit (50) to control to continue to suppress the X-ray emission.

2. The X-ray emission suppression holding circuit (50) according to claim 1, wherein the base of the transistor (Q1) and the resistor (R5) are connected to the output terminal (41) of the high voltage generation detection circuit (40). ) Connects the base of transistor Q2 to the collector of < RTI ID = 0.0 >), < / RTI > a resistor R4 between the emitter of transistor Q2 and the collector of transistor Q1, and the resistor R5 is an emitter of transistor Q2. To the node 51, connects the resistor R6 and the capacitor C3 in parallel from the node 51 to ground, and connects the anode of the diode D3 to the ground, and the diode D3. The cathode of the diode (D4) is coupled to the cathode of the ground through a resistor (R7), the anode of the diode (D4) is characterized in that it is configured to be connected to the pulse duration switch 13 of the horizontal oscillator (10) X-ray protection stabilization circuit using horizontal deflection pulse duration switch.