KR920005412A - 고출력 레이저 다이오드 구조 - Google Patents

고출력 레이저 다이오드 구조 Download PDF

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KR920005412A
KR920005412A KR1019900013554A KR900013554A KR920005412A KR 920005412 A KR920005412 A KR 920005412A KR 1019900013554 A KR1019900013554 A KR 1019900013554A KR 900013554 A KR900013554 A KR 900013554A KR 920005412 A KR920005412 A KR 920005412A
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KR
South Korea
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laser diode
high power
power laser
diode structure
diffusion region
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Application number
KR1019900013554A
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English (en)
Inventor
임시종
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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내용 없음

Description

고출력 레이저 다이오드 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 고출력 레이저 다이오드의 구조도 및 공정순서도.

Claims (2)

  1. 소자내부에 우물모양의 Zn확산 영역을 두어 COD레벨을 높이도록 구성된 것을 특징으로 하는 고출력 레이저 다이오드 구조.
  2. 상기 청구범위 제1항에 있어서, Zn-확산 영역 형태가 Lw는 5~100㎛이고 S는 3~30㎛으로 구성된 것을 특징으로 하는 고출력 레이져 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임
KR1019900013554A 1990-08-31 1990-08-31 고출력 레이저 다이오드 구조 KR920005412A (ko)

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