KR920005412A - 고출력 레이저 다이오드 구조 - Google Patents
고출력 레이저 다이오드 구조 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 고출력 레이저 다이오드의 구조도 및 공정순서도.
Claims (2)
- 소자내부에 우물모양의 Zn확산 영역을 두어 COD레벨을 높이도록 구성된 것을 특징으로 하는 고출력 레이저 다이오드 구조.
- 상기 청구범위 제1항에 있어서, Zn-확산 영역 형태가 Lw는 5~100㎛이고 S는 3~30㎛으로 구성된 것을 특징으로 하는 고출력 레이져 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900013554A KR920005412A (ko) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 고출력 레이저 다이오드 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900013554A KR920005412A (ko) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 고출력 레이저 다이오드 구조 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920005412A true KR920005412A (ko) | 1992-03-28 |
Family
ID=67542680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900013554A KR920005412A (ko) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 고출력 레이저 다이오드 구조 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920005412A (ko) |
-
1990
- 1990-08-31 KR KR1019900013554A patent/KR920005412A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |