KR920005281A - 원거리 배치된 기판상에 활성종을 직접 데포지트시키는 방법 - Google Patents

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오브신스키 스탠포드 알
알.피딘 레스터
키르스코 제프리엠.
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마빈 에스.시스킨드
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Abstract

내용 없음

Description

원거리 배치된 기판상에 활성종을 직접 데포지트시키는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 챔버 내부를 설명하여, 전구물질 대포지션 개스의 깃털모양의 활성 전구물질종이 원거리 배치된 기판 표면상으로 향하는 것에 관하여 설명하는 부분적으로 절취된 사시도,
제2도는 도관의 위치를 설명하며, 대포지션 전구물질 개스가 그 도관을 통해 마이크로파 도포기에 관하여 채버 내로 유입되는 것에 대하여 설명하는 부분절취된 확대 측단면도,
제3도는 가로축에는 압력이 세로축에는 출력이 표시된 그래프에서 다른 체적을 지닌 깃털모양의 활성종에 대한 수정된 파선곡선을 그래프로 표시한 것인 바,상기 파선 곡선은 에이.디 맥도날드와 에스.씨 브라운에 의해 "물리 평론"제75권, 411 페이지(1949)에 발간된 저술에 재현되었다.

Claims (13)

  1. 비교적 높은 데포지션 속도로 고질의 박막을 데포지트시키는 방법으로서, 챔버(12)를 제공하는 단계, 상기 챔버(12)의 내부를 대기압보다 낮은 배경압력으로 유지시키는 단계, 도관(24)에 성형된 적어도 하나의 구멍(26)을 통해 상기 챔버내부로 전구물질 데포지션 개스를 유입시키는 단계, 고밀도의 깃털모양의 활성 전구물질 종(34)을 형성시키도록 활성화 영역에서 상기 전구물질 데포지션 개스를 활성화시키는 단계, 상기 깃털모양의 종으로 부터 이격되게 상기 챔버내에 기판(50)을 효과적으로 배치시키는 단계, 상기 도관내의 상기 구멍 인접부에서 상기 전구물질 데포지션 개스의 유동을 거의 음속으로 설정하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 고밀도의 깃털모양의 상기 활성 전구물질종(34)을 제공하기 위해 상기 구멍 인접부에 초크조건을 형성하도록 상기 도관(24)의 크기에 비례하여 상기 구멍(26)의 크기를 감소시키는 단계를 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 깃털모양의 활성 전구물질종의 에너지를 증가시키기위해 상기 구멍의 인접부에서 상기 전구물질 데포지션 개스의 거주시간을 코일(235)에의해 증가시키는 단계를 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도관(24)둘레에 동심원적으로 배치된 관(228)을 통해 냉각매체를 순환시키는 단계를 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 구멍에 인접한 상기 도관 표면의 퇴화를 감소시키는 수단(230)을 제공하는 단계를 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 실리콘 함유개스, 게러마늄 함유개스, 탄소함유 개스, 질소함유 개스, 산소함유개스, p-도판트 함유개스, n-도판트함유개스 및 그것의 화합물로 필수적으로 이루어진 그룹으로부터 상기 전구물질 데포지션 개스를 선택하는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 전구물질 데포지션 개스를 활성화시키도록 마이크로파에너지를 이용하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 초크의 하류에서 상기 전구물질 데포지션개스를 활성화시키도록 상기 활성화 영역에 인접한 상기도관(24)의 구멍(26)부분을 효과적으로 배치시키는 단계를 포함하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 활성화 전구물질종이 주로 상기도관의 외부에서 개시되도록, 상기 도관(24)을 마이크로파비전달 재료로 성형하는 단계를 포함하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 깃털모양 종(34)의 동중체가 상기 전구물질 데포지션개스의 활성 전구물질종에의해 형성되도록 상기 챔버내의 배경압력을 적어도 약5개의 요인으로 상기 도관의 상기 구멍에 인접한 압력보다 작게 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 챔버(12)내의 배경압력과 상기 도관(24)의 구멍(26) 인접부의 압력사이에서 존재하는 압력차를 제어함으로써 상기 깃털모양의 활성 전구물질종의 체적을 조절하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 챔버(12)내의 배경압력을 약 50토르(torr)이하로 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  13. 제1항에 있어서, 부여된 전구물질 데포지션 개스에 대한 파센곡선의 최소치가 발생하는 압력의 약1/2압력으로 상기 도관(24)의 구멍(26)부분에 인접부에 등압을 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100280883B1 (ko) * 1998-04-27 2001-02-01 구자홍 플라즈마표시장치용유전체후막및형광체막의제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100280883B1 (ko) * 1998-04-27 2001-02-01 구자홍 플라즈마표시장치용유전체후막및형광체막의제조방법
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