Claims (3)
반응성 이온가스를 이용한 에칭 방법에 있어서, 전극에 설치되는 최소한 두개의 에칭 대상물이 상호 평행하게 배열하고, 에칭 대상물의 에칭수단인 반응가스는 상기한 에칭 대상물의 표면방향과 대략 평행하게 위치되는 평행선상을 통하여 주입 및 배출하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 이온 에칭 방법.In the etching method using the reactive ion gas, at least two etching objects provided on the electrode are arranged in parallel with each other, and the reaction gas, which is an etching means of the etching object, is located in parallel with the surface direction of the etching object. Reactive ion etching method comprising the step of implanting and discharging through.
반응성 가스가 유동되는 체임버와, 상기 체임버에 형성되는 반응성 기체의 인입구 및 유출구와, 에칭 대상물이 장착되는 전극을 구비하여 된 이온 에칭 장치에 있어서, 상기 반응성 기체의 인입구와 유출구가 하나 또는 북수쌍 마련되되, 상기 체임버를 기준으로 하여 그 대향된 양측벽에 대략 대칭되게 형성되며, 상기 전극은 하나 또는 복수 마련되되, 이에 고정되는 에칭 대상물의 에칭 표면이 상기 인입구와 유 구의 배외 방향과 대략 동일한 방향으로 설치되도록 구성된 것을 특징으로 하는 반응성 이온 에칭 장치.An ion etching apparatus comprising a chamber through which a reactive gas flows, an inlet and an outlet of a reactive gas formed in the chamber, and an electrode on which an etching target is mounted, wherein one inlet or outlet of the reactive gas is provided. It is formed on the opposite side of the chamber is approximately symmetrically formed on the opposite side wall, the electrode is provided with one or more, the etching surface of the etching target to be fixed thereto in the same direction as the outward direction of the inlet and the groove Reactive ion etching apparatus, characterized in that configured to be installed.
제2항에 있어서, 상기한 전극은, 서로 마주보도록 설치된 대응 유입구와 유출구 사이의 가스의 직선 유동경로를 에워싸는 형태로 설치되는 것을 그 특징으로 하는 반응성 이온 에칭 장치.The reactive ion etching apparatus according to claim 2, wherein the electrodes are provided in a form of enclosing a straight flow path of gas between corresponding inlets and outlets provided to face each other.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.