KR910013998A - 박막 el표시소자의 절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 형성된 절연막을 갖는 박막 EL 소자의 개략 단면도.
Claims (1)
- 글래스기판상에 ITO 투명전극을 형성하고, 상기 ITO 투명전극상에 하부절연층, 형광층, 배면절연층 및 배턴전극을 순차적으로 적층시켜서 되는 박막 EL표시소자의 절연막 형성방법에 있어서, SiN타겟을 단일 타겟으로 사용하여 ITO 투명 전극(2)과 배면전극(6)에 접하는 절연층 형성시에는 O2가스를 반응가스로 주입하여 SiON 절연통(3)(3')을 증착하고, 형광층(5)과 접하는 절연층 형성시에는 Ar가스분위기하에서 스퍼터링하여 Si3N4절연층(4)(4')을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 EL표시소자의 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890019382A KR910013998A (ko) | 1989-12-23 | 1989-12-23 | 박막 el표시소자의 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890019382A KR910013998A (ko) | 1989-12-23 | 1989-12-23 | 박막 el표시소자의 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910013998A true KR910013998A (ko) | 1991-08-08 |
Family
ID=67662223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890019382A KR910013998A (ko) | 1989-12-23 | 1989-12-23 | 박막 el표시소자의 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910013998A (ko) |
-
1989
- 1989-12-23 KR KR1019890019382A patent/KR910013998A/ko not_active Application Discontinuation
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |