KR910009847B1 - Image memory - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 발명의 제1의 실시예를 설명하는 계통도.1 is a schematic diagram illustrating a first embodiment of the present invention.
제2도는 제1도의 실시예의 동작예를 설명하는 타임 챠트.2 is a time chart for explaining an operation example of the embodiment of FIG.
제3도는 제1도의 실시예의 동작의 다른 예를 설명하는 타임 챠트.3 is a time chart for explaining another example of the operation of the embodiment of FIG.
제4도는 제1도의 실시예에 사용된 R.Req 타이밍 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.4 is a circuit diagram specifically showing an R.Req timing generator used in the embodiment of FIG.
제5도는 제1도의 실시예에 사용된 W.Req 타이밍 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.5 is a circuit diagram specifically showing a W.Req timing generator used in the embodiment of FIG.
제6도는 제1도의 실시예에 사용된 REF.Req 타이밍 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.6 is a circuit diagram specifically showing a REF.Req timing generator used in the embodiment of FIG.
제7도는 제4도 내지 제6도에 도시한 회로의 동작을 설명하는 타임 챠트.FIG. 7 is a time chart for explaining the operation of the circuit shown in FIGS.
제8도는 제1도의 실시예에 사용된 사이클 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.FIG. 8 is a circuit diagram specifically showing a cycle generator used in the embodiment of FIG.
제9도는 제8도의 회로도의 동작을 설명하는 타임 챠트.9 is a time chart for explaining the operation of the circuit diagram of FIG.
제10도는 본 발명의 제2의 실시예를 설명하는 계통도.10 is a schematic diagram illustrating a second embodiment of the present invention.
제11도는 제10도의 실시예의 동작의 예를 설명하는 타임 챠트.11 is a time chart for explaining an example of the operation of the embodiment of FIG.
제12도는 제10도의 실시예의 동작의 다른 예를 설명하는 타임 챠트.12 is a time chart for explaining another example of the operation of the embodiment of FIG.
제13도는 제10도의 실시예의 어드레스 발생기에 공급된 SEL.R과 R레지스터에 래치 펄스 신호를 발생하는 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.FIG. 13 is a circuit diagram specifically showing a generator for generating a latch pulse signal to the SEL.R and R registers supplied to the address generator of the embodiment of FIG.
제14도는 제13도의 회로도의 동작예를 설명하는 타임 챠트.FIG. 14 is a time chart for explaining an operation example of the circuit diagram of FIG.
제15도는 CGW에 의해 W.CLK가 제어될때 제10도의 실시예의 동작을 설명하는 타임 챠트.FIG. 15 is a time chart illustrating the operation of the embodiment of FIG. 10 when W. CLK is controlled by the CGW.
제16도는 제2의 실시예에 사용된 어드레스 발생기를 제어하기 위해 사이클 신호를 발생하는 발생기를 도시한 회로도.FIG. 16 is a circuit diagram showing a generator for generating a cycle signal to control the address generator used in the second embodiment.
제17도는 제16도 회로의 동작을 설명하는 타임 챠트.17 is a time chart illustrating the operation of the FIG. 16 circuit.
제18도는 제2의 실시예의 변형예를 설명하는 계통도.18 is a schematic diagram illustrating a modification of the second embodiment.
제19도는 제18도의 실시예의 변형 동작을 설명하는 타임 챠트.FIG. 19 is a time chart for explaining modification of the embodiment of FIG. 18. FIG.
제20도는 본 발명의 제3의 실시예를 설명하는 계통도.20 is a schematic diagram illustrating a third embodiment of the present invention.
제21도는 제20도의 실시예의 동작 형태를 설명하는 타임 챠트.21 is a time chart for explaining the operation of the embodiment of FIG.
제22도는 임의로 리드 리세트를 실행할때의 제20도의 실시예의 동작을 설명하는 타임 챠트.FIG. 22 is a time chart illustrating the operation of the embodiment of FIG. 20 when arbitrarily performing read reset.
제23도는 임의로 리드와 라이트 리세트를 실행할때의 제20도의 실시예의 동작을 설명하는 타임 챠트.FIG. 23 is a time chart illustrating the operation of the embodiment of FIG. 20 when arbitrarily performing read and write reset.
제24도는 제20도의 실시예에 사용된 W 카운터, W.Req 발생기 및 W.로드 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.24 is a circuit diagram specifically showing a W counter, a W. Req generator, and a W. load generator used in the embodiment of FIG. 20;
제25도는 제20도의 실시예에 사용된 R 카운터, R.Req 발생기 및 R.로드 발생기를 구체적으로 도시한 회로도.FIG. 25 is a circuit diagram specifically showing an R counter, an R.Req generator and an R. load generator used in the embodiment of FIG. 20. FIG.
제26도는 제3의 실시예의 변형예를 설명하는 계통도.26 is a schematic diagram illustrating a modification of the third embodiment.
본 발명은 비디오 신호를 기억하고 재생 가능한 영상 메모리, 특히 표본화되고 양자화된 비디오 신호를 소정시간 지연시켜서 디지탈 신호 처리를 행하기에 적합한 영상 메모리에 관한 것이다.The present invention relates to an image memory capable of storing and reproducing a video signal, in particular an image memory suitable for digital signal processing by delaying a sampled and quantized video signal by a predetermined time.
표본화하고 양자화된 비디오 신호를 소정 간격의 시간을 지연하거나 기억하는 영상 메모리는 고화질의 텔레비젼 시스템, 다기능 비디오 테이프 레코더, 디지탈 텔레비젼 시스템등의 기본적 구성요소로서 사용되고, 쉽게 조작할 수 있는 범용성으로 필요성이 요구되었다.Video memory, which delays or memorizes sampled and quantized video signals at predetermined intervals, is used as a basic component of high-definition television systems, multi-function video tape recorders, and digital television systems. It became.
종래, 이와 같은 시스템의 영상 메모리로서, 비트당 가격이 싼 범용의 다이나믹 램(DRAM)을 여러개 병렬로 접속하여 사용하였다. 그러나, 최근에 1칩당 기억용량이 256K나 1M비트로 증가하여 영상 신호 처리에 필요로 하는 메모리 용량이 1칩으로 실현되고, 종래의 메모리를 여러개 병렬로 접속하는 방법은 메모리 용량의 이용 효율이 악화되는 문제점이 있었다.Conventionally, as a video memory of such a system, a general-purpose dynamic RAM (DRAM) having a low price per bit is connected and used in parallel. However, in recent years, the memory capacity per chip has increased to 256K or 1M bits, so that the memory capacity required for video signal processing is realized with one chip, and the conventional method of connecting several memories in parallel deteriorates the utilization efficiency of the memory capacity. There was a problem.
특히, 다이나믹 메모리에서 사이클 시간이 늦어지므로, 통상의 비디오 신호와 같은 고속 데이타는 일시 N 비트(N은 정수)로 직렬·병렬 변환하여 고속 데이타의 저속화를 도모한 후에, 메모리의 라이트/리드를 실행한다. 이를 위해, 많은 수의 메모리가 필요하고, 특히 1비트당 값이 싼 대용량 범용 메모리를 사용할 때, 메모리중 사용하지 않는 영역이 많이 존재하여 워드의 방향에서 이용 효율이 저하되게 한다.In particular, since the cycle time is delayed in the dynamic memory, high-speed data such as a normal video signal is serially / parallel-converted into N bits (N is an integer) at a time to reduce the speed of the high-speed data, and then write / read the memory. Run For this purpose, a large number of memories are required, and especially when using a large-capacity general-purpose memory having a low cost per bit, there are many unused regions of the memory, thereby degrading the utilization efficiency in the direction of the word.
이러한 문제점을 극복하기 위해, 나가미와 하라에 의한 “텔레비젼과 VTR을 위한 필드 메모리용 320행×700열의 화면 전용 직렬 입출력형 다이나믹 메모리”, 니케이 전자공학, 1985년 2월 11일호 p219~239에 기술되어 있는 바와 같이, 1수평 주사선에 대응하는 데이타의 고속 직렬 입출력 동작용의 다이나믹 메모리가 최근에 고안되었다. 그러나, 상기 메모리에서도 해상도를 개선하기 위해 표본화 주파수를 색부 반송 주파수(이하 fsc라 한다)의 4배로 하는 시스템을 구성하는 경우나, 메모리에서 라이트되는 데이타와 메모리의 리드 데이타를 임의로 솎아내는 것에 의해, 예를들면 화면을 축소하고 확대하는 기능을 실행시키는 것은 부속회로 구성이 매우 복잡하게 되어 비디오 신호 처리로서의 일반적인 기능을 갖기는 어렵다.To overcome this problem, described in “320-degree × 700 columns of screen-only serial input / output dynamic memory for field memory for televisions and VTRs”, Nikkei Electronics, February 11, 1985, p219-239. As described above, a dynamic memory for a high speed serial input / output operation of data corresponding to one horizontal scanning line has been devised recently. However, even in the above memory, in order to improve the resolution, a system in which the sampling frequency is made four times the color carrier frequency (hereinafter referred to as fsc), or by randomly removing the data written from the memory and the read data of the memory, For example, implementing the function of reducing and enlarging the screen becomes very complicated in the sub-circuit configuration, making it difficult to have a general function as video signal processing.
상기 종래 기술에서는, 영상 메모리에서 데이타를 리드하기 위해 사용된 리드 클럭 신호(이후 R. CLK라 한다)와 영상 메모리에서 데이타를 라이트하기 위해 사용된 라이트 클럭 신호(이후, W.CLK라 한다)의 사이클을 독립적으로 설정하지 않으므로, 예를들면 W.CLK의 사이클을 증가하여 라이트 데이타(이후, Din으로 한다)를 솎아내어 생성한 축소 화면을 메모리에서 폐치하고 R.CLK의 사이클을 증가하여 리드 데이타(이후 Dout라 한다)를 확장하는 것에 의한 확대 기능 등을 실현하도록 하면, 메모리의 외부 회로 구성이 복잡하게 된다는 문제점이 있었다.In the prior art, a read clock signal (hereinafter referred to as R. CLK) used for reading data from the image memory and a write clock signal (hereinafter referred to as W.CLK) used to write data from the image memory are referred to. Since the cycle is not set independently, for example, the reduced screen created by increasing the cycle of W.CLK and wiping out the write data (hereinafter referred to as Din) is discarded from memory and the cycle of R.CLK is increased to read data. There is a problem in that the external circuit configuration of the memory becomes complicated when the enlargement function or the like by expanding (hereinafter referred to as Dout) is realized.
또, 상술한 종래예에서는, 외부에서 지정된 어드레스에서 메모리내를 랜덤 액세스하는 부가적 기능이 결핍되면, 예를들면, 2개의 다른 영상을 동일 화면내에 표시하는 “픽쳐 앤드 픽쳐(picture and picture)” 기능이나 화면의 일부분에 다른 정보를 표시하는 기능등을 이 화면 메모리에서 실현하도록 하면, 외부 회로 구성이 현저하게 복잡화한다는 문제점이 있었다.In addition, in the above-described conventional example, if the additional function of randomly accessing the memory at the externally designated address is lacking, for example, "picture and picture" for displaying two different images in the same screen. If the screen memory is to realize a function or a function of displaying other information on a part of the screen, there is a problem that the external circuit configuration is significantly complicated.
또한, 종래의 메모리에서는 고속 직렬 데이타의 동시 라이트/리드가 실행되지 않으며, 연속한 비디오 신호를 실시간에서 디지탈 처리가 불편하였다. 즉, 종래예의 구성에서는, 메모리 셀 어레이의 입출력단에 1라인에 해당하는 단일 데이타 레지스터가 마련되고 라이트와 리드 동작을 공용하며, 1라인에 해당하는 데이타의 단위에서 메모리 셀 어레이와 데이타 레지스터 사이의 데이타 전송을 실행하게 한다. 따라서, 예를들면 연속한 비디오 신호가 입력된 경우에는, 메모리가 항상 라이트 모드로 되어서, 동시에 앞선 필드의 데이타를 메모리에서 리드되지 않게 한다. 그러므로, 동시에 라이트와 리드동작을 실행하는 리드/라이트용으로서의 별개의 영상 메모리를 마련하는 것이 필요하다.In addition, in the conventional memory, simultaneous write / read of high-speed serial data is not executed, and digital processing of continuous video signals in real time is inconvenient. That is, in the conventional configuration, a single data register corresponding to one line is provided at the input / output terminal of the memory cell array, and the write and read operations are shared, and between the memory cell array and the data register in units of data corresponding to one line. Enable data transfer. Thus, for example, when a continuous video signal is input, the memory is always in the write mode so that data of the preceding field is not read from the memory at the same time. Therefore, it is necessary to provide separate video memories for read / write which simultaneously perform write and read operations.
더우기, 1라인에 해당하는 데이타의 단위로 메모리 셀 어레이이 전송을 실행하기 위해, 지연 시간을 1라인에 해당하는 데이타의 단위로만 설정하여야 하고 임의 값으로 설정하는 것이 곤란하게 된다.Moreover, in order for the memory cell array to perform transfer in units of data corresponding to one line, the delay time should be set only in units of data corresponding to one line, and it becomes difficult to set it to an arbitrary value.
본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 문제점을 제거하여, W.CLK와 R.CLK의 사이클을 독립적으로 설정할 수 있게 하여 상기 기능을 용이하게 실현하도록, 예를들면 비디오 신호의 블랭킹 기간의 데이타 라이트를 정지하는 것에 의해 메모리 용량의 이용 효율을 높이는 것이다.The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems of the prior art, and to enable the cycles of W.CLK and R.CLK to be set independently so that the above functions are easily realized, for example, data writing in the blanking period of a video signal. By stopping the operation, the utilization efficiency of the memory capacity is increased.
본 발명의 다른 목적은 고속 입출력이 가능하며, 예를들면 화면을 2분할한 부분에 2개의 다른 픽쳐를 다중 표시하는 등의 다기능 처리나, 통상의 비디오 신호 처리에 적합한 영상 메모리를 마련하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a video memory that is capable of high-speed input / output, for example, multi-function processing such as displaying two different pictures in multiple portions of a screen, or normal video signal processing.
본 발명의 또 다른 목적은 고속 직렬 데이타의 동시 라이트/리드가 가능하고 지연 시간을 1라인에 해당하는 데이타 단위로 고정되지 않고 임의의 값으로 설정할 수가 있는 영상 메모리를 마련하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide an image memory capable of simultaneous writing / reading of high speed serial data and setting the delay time to an arbitrary value without being fixed in data units corresponding to one line.
본 발명의 실시예에 따르면, 영상 메모리를 제어하는 마스터 클럭 신호(이하 CL라 한다)를 임의로 솎아낼 수 있는 게이트 회로를 라이트용과 리드용에 별도로 마련하여, 게이트 회로에서 다른 제어 신호에 의해 제어되는 클럭 신호가 데이타 신호 Din을 폐치하는 W.CLK와 데이타 신호 Dout를 출력하는 R.CLK로 마련하며, W.CLK를 카운트하는 카운터(이하 W 카운터라 한다)와 R.CLK를 카운트하는 카운터(이하 R 카운터라 한다)를 각각 마련하고, W와 R 카운터의 카운트 디코드된 값을 받아서 Din으로서 폐치된 데이타를 메모리 셀 어레이에 라이트하기 위해 동작 개시를 요구하는 신호(이하 W. Req라 한다)와 Dout용의 데이타를 메모리 셀 어레이에서 데이타를 리드하기 위해 동작 개시를 요구하는 신호(이하 R.Req라 한다)를 발생하는 요구 발생기가 각각 마련하는 것에 의해 달성된다.According to an embodiment of the present invention, a gate circuit capable of arbitrarily removing a master clock signal (hereinafter referred to as CL) for controlling the image memory is provided separately for the write and the read, and is controlled by another control signal in the gate circuit. The clock signal is provided with a W.CLK that closes the data signal Din and an R.CLK that outputs the data signal Dout, and a counter that counts W.CLK (hereinafter referred to as W counter) and a counter that counts R.CLK (hereinafter referred to as "W.CLK"). A signal (hereinafter referred to as W. Req) and a Dout requesting the start of operation to receive the count decoded values of the W and R counters and write the data, which is abolished as Din, to the memory cell array. Each of the request generators for generating a signal (hereinafter referred to as R.Req) for requesting the start of operation to read data for the data from the memory cell array is provided. Is achieved.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, CLK를 카운트하고 리세트 신호(이하 RES라 한다)에 의해 카운트 값이 초기 설정되어 카운트 값이 소정의 값으로 될때 카운트 동작을 정지하는 카운터(이하 CLK 카운터라 한다)를 마련하여, CLK 카운터의 카운트 동작중에 R 카운터의 카운트를 정지시키고, CLK 카운터에서의 카운트 디코드된 값과 R 카운터에서 카운트 디코드값을 받아서 R.Req 발생기에서 R.Req를 출력하고 메모리 셀 어레이에서의 데이타를 리드하기 위한 동작이 개시되는 것에서 보다 적합한 영상 메모리로 할 수가 있다.According to another embodiment of the present invention, a counter for counting CLK and stopping the count operation when the count value is initially set by a reset signal (hereinafter referred to as RES) and the count value reaches a predetermined value (hereinafter referred to as CLK counter). Stops the count of the R counter during the count operation of the CLK counter, receives the count decoded value from the CLK counter and the count decoded value from the R counter, outputs the R.Req from the R.Req generator, and When the operation for reading data in the array is started, a more suitable video memory can be obtained.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 영상 메모리는 메모리 셀 어레이, 직렬 데이타를 입력하고 m 비트의 병렬 데이타를 출력하는 직렬/병렬 변환기, m 비트의 병렬 데이타를 입력하고 직렬로 변환하여 출력하는 병렬/직렬 변환기, 직렬/병렬 변환된 병렬 데이타를 메모리 셀 어레이에 라이트하기 위한 제어 신호와 메모리 셀 어레이에서 병렬 데이타를 리드하기 위한 제어신호를 시분할로 발생하는 어드레스 제어기, 어드레스 제어기에서 제어 신호를 받아서 메모리 셀 어레이에 라이트 어드레스(정확히, 라이트 어드레스 데이타)와 리드 어드레스(정확히, 리드 어드레스 데이타)를 출력하는 어드레스 발생기로 구성하며, 어드레스 발생기는 적어도 라이트 및 리드 레지스터, 외부에서 임의의 어드레스 데이타 또는 증감된 어드레스 값의 어느 하나를 선택하여 라이트 및 리드 레지스터에 폐치하는 입력 선택기와 라이트 및 리드 레지스터의 어느 하나의 저장된 값을 선택하고 출력하여 메모리 레지스터에 출력하는 출력 레지스터와, 이 메모리 레지스터의 값을 메모리 셀 어레이에 출력하는 것과 동시에 어드레스 증감 수단에 유도되어 증감된 어드레스 값을 생성하도록 구성되어 있다. 이 실시예에서, 라이트 및 리드 레지스터의 어느 하나를 선택하여 메모리 레지스터에 폐치되고 어드레스 증감 수단을 통과한 데이타를 다시 입력 선택기에서 선택한 라이트 또는 리드 레지스터에 폐치하기까지를 어드레스 발생기의 1사이클로서 처리함과 동시에, 이 1사이클 기간 동안 다른 레지스터 출력이 선택되어 메모리 레지스터에 폐치되는 것을 금지한다.According to another embodiment of the present invention, an image memory includes a memory cell array, a serial / parallel converter for inputting serial data and outputting m-bit parallel data, and a parallel input for converting m-bit parallel data and outputting the serial data. Address controller, time-controlled control signal for writing parallel / serial-converted parallel data to memory cell array and control signal for reading parallel data from memory cell array It consists of an address generator that outputs a write address (exactly, write address data) and a read address (exactly, read address data) to the cell array, wherein the address generator is at least write and read registers, externally arbitrary address data or incremented addresses. Select any of the values An input selector that closes the write and read registers, an output register that selects and outputs any stored values of the write and read registers, and outputs them to the memory register, and simultaneously outputs the values of the memory registers to the memory cell array. And configured to generate an increased or decreased address value guided by the increasing and decreasing means. In this embodiment, one cycle of the address generator is selected until one of the write and read registers is selected and occupied in the memory register and passed through the address increasing / decreasing means is again occupied in the write or read register selected by the input selector. At the same time, during this one cycle another register output is forbidden to be selected and closed in the memory register.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 영상 메모리는 폐치한 입력 데이타를 2n(n은 자연수) 비트의 단위의 병렬 데이타로 순차 변환하는 직렬/병렬 변환 수단(SP 변환수단), 2n비트 단위의 병렬 데이타를 직렬 데이타로 순차 변환하고 직렬 데이타를 출력하는 병렬/직렬 변환 수단(PS 변환 수단), (K×2n)열×m행(여기서 K, m은 자연수)의 메모리 셀 어레이, SP 변환 수단에서 입력 데이타를 폐치하여 사용된 라이트 클럭의 펄스를 카운트하고 (L×2n)카운트(L은 자연수)할때에 소정의 신호를 출력하는 라이트 카운터, 라이트 카운터의 출력 신호를 받아서 SP 변환기에서 변환된 데이타를 유지하는 제1의 유지 수단, PS 변환 수단에서 출력 데이타를 출력하여 사용된 리드 클럭의 펄스를 카운트하고 (J×2n)카운트(J는 자연수)할때에 소정의 신호를 출력하는 리드 카운터, 2n비트 단위로 입력된 병렬 데이타를 일시적으로 유지하고 리드 카운터에서의 출력 신호에 응답하여 PS 변환 수단에 병렬 데이타를 유도하는 제2의 유지 수단, 라이트와 리드 카운터의 출력 신호를 받아서 메모리 셀 어레이에 대하여 라이트 사이클과 리드 사이클을 발생하는 사이클 발생수단, 메모리 셀 어레이에 대한 라이트 및 리드 어드레스를 발생하는 어드레스 발생수단, 라이트 카운터와 리드 카운터를 각각 독립적으로 외부에서 리세트하는 리세트 수단, 라이트 카운터 또는 리드 카운터의 리세트에 동기하여 어드레스 발생기에 의해 발생된 라이트 어드레스 또는 리드 어드레스의 어드레스 값을 초기 설정하는 초기 설정 수단으로 구성하여, 라이트 사이클동안 제1의 유지 수단에 의해 유지되어 있는 2n비트 단위의 병렬 데이타가 어드레스 발생 수단에서 라이트 어드레스에 따라 메모리 셀 어레이로 라이트되고, 리드 사이클 동안 2n비트단위의 병렬 데이타가 어드레스 발생 수단에서 리드 어드레스에 따라 메모리 셀 어레이에서 리드되고 제2의 유지 수단에 입력하도록 하였다.According to still another embodiment of the present invention, the image memory includes serial / parallel conversion means (SP conversion means) for sequentially converting the closed input data into parallel data in units of 2 n bits (n is a natural number), in units of 2 n bits. a parallel / serial converting means (PS conversion means) for sequentially converting and outputting the serial data to parallel data to serial data, (K × 2 n) columns × m lines (where K, m is a natural number) of the memory cell array, SP SP converter converts the input data in the conversion means to count the pulse of the write clock used and outputs a predetermined signal at the time of (L × 2 n ) count (L is a natural number). The first holding means for holding the converted data at < RTI ID = 0.0 > < / RTI > and outputting the output data from the PS converting means to count the pulses of the read clock used and to generate a predetermined signal at the time (J x 2 n ) Lead count output Second storage means for temporarily holding parallel data input in units of 2 n bits and inducing parallel data to the PS conversion means in response to the output signal from the read counter, and receiving the output signal of the write and read counter. Cycle generating means for generating write cycles and read cycles for the cell array, address generating means for generating write and read addresses for the memory cell array, reset means for independently resetting the write counter and read counter from each other; 2, which is configured by initial setting means for initially setting the address value of the write address or read address generated by the address generator in synchronization with the reset of the write counter or read counter, and held by the first holding means during the write cycle. n bits of parallel data are addressed The data is written to the memory cell array in accordance with the write address in the generating means, and parallel data in units of 2 n bits are read from the memory cell array in accordance with the read address in the address generating means and input to the second holding means during the read cycle.
이하, 본 발명의 1실시예로서, 그 회로 동작예를 제1도와 제2도를 사용하여 설명한다.Hereinafter, as an embodiment of the present invention, an example of the circuit operation will be described using the first and second drawings.
제1도에서, 직렬/병렬 변환용 SP 변환기(3)은 고속 직렬 데이타 Din을 수신하는 입력 단자(1)과 접속되어 있고, 소정의 클럭 신호에서 폐치하고 직렬 데이타를 병렬 데이타로 변환하여 출력한다. 제1의 유지 수단(이하, 입력 레지스터라 한다)(4)는 SP변환기(3)의 출력측에 결합되고, SP변환기(3)에서 보내진 변환된 m 비트 병렬 데이타의 군을 후술하는 외부 코맨드 신호에 의해 폐치하고 출력한다.In FIG. 1, the
입력 레지스터(4)의 출력 신호는 데이타 저장수단(이하, 메모리 셀 어레이라 한다)(5)에 도입되어 m비트의 병렬 데이타의 각각은 메모리 셀 어레이(5)에 순차적으로 입력된다. 메모리 셀 어레이(5)의 출력에 결합된 제2의 유지수단(이하, 출력 레지스터라 한다)(6)은 메모리 셀 어레이(5)의 출력인 m비트 병렬 데이타를 저장한다. 출력 레지스터(6)의 출력에 결합된 PS 변환기(7)은 입력된 병렬 데이타를 직렬 데이타로 변환하여 출력한다. PS 변환기(7)은 후술하는 외부 코맨드 신호에 의해 m비트의 병렬 데이타를 출력 레지스터(6)에서 폐치하고 외부 클럭신호에 따라서 폐치된 병렬 데이타를 직렬 데이타로 변환하여 출력단자(2)에서 고속 직렬 데이타 Dout로서 출력한다.The output signal of the
또한, 메모리 셀 어레이(5)에는 입력 레지스터(4)에서 보내진 m비트의 병렬 데이타를 라이트 메모리내의 어드레스를 지정하는 라이트 어드레스 데이타 신호(이하 W 어드레스 신호라 한다), 출력 레지스터(6)에서의 리드 어드레스를 지정하는 비트 어드레스 데이타 신호(이하 R 어드레스 신호라 한다)와 메모리내의 리프레시(refresh)하는 어드레스를 지정하는 리프레시 데이타 신호(이하 REF 어드레스 신호라 한다)를 시분할로 메모리 셀 어레이(5)에 입력하는 어드레스 디코더(8)이 마련되어 있다. 어드레스 디코더(8)은 어드레스 제어기(26)에서의 출력 신호에 따라 동작하는 어드레스 발생기(9)로부터 인가된 시분할 어드레스가 입력된다.In addition, the
여기서, 어드레스 제어기(26)의 구성에 대하여 상세히 설명한다. 어드레스 제어기(26)은 단자(12)에서의 리드 게이트 신호 CGR과 단자(14)에서의 시스템 클럭 신호 CLK에 응답하는 리드 게이트 회로(이하 R 게이트 회로라 한다)(15)와, 라이트 게이트 신호 CGW와 CLK에 응답하는 라이트 게이트 회로(이하 W 게이트 회로라 한다)(16)을 포함한다. R 게이트 회로(15)의 출력인 리드 클럭신호 R.CLK와 W 게이트 회로(16)의 출력인 라이트 클럭신호 W.CLK는 리드 카운터(이하 R 카운터라 한다)(17)과 라이트 카운터(이하 W 카운터라 한다)(19)에 각각 입력된다.Here, the configuration of the
또, 게이트 되지 않은 시스템 클럭을 카운트하는 시스템 클럭 카운터(이하 CLK 카운터라 한다)(18)과 리프레시 카운터(이하 REF 카운터라 한다)(20)이 마련되어 있고, 단자(11)에서는 리세트 신호 RES가 입력된다.In addition, a system clock counter (hereinafter referred to as CLK counter) 18 and a refresh counter (hereinafter referred to as REF counter) 20 for counting the non-gateed system clock are provided, and the reset signal RES is provided at the terminal 11. Is entered.
리세트 신호와 R 카운터(17) 및 CLK 카운터(18)에서의 출력 신호는 OR 회로에서 OR 연산되어 리드 요구(R.Req)발생기(23)에 공급된다. 마찬가지로, W 카운터(19)와 REF 카운터(20)의 카운트 값은 라이트 요구(W.Req)발생기(24)와 리프레시 요구(REF.Req)발생기(25)에 공급된다. 이러한 R.Req, W.Req와 REF.Req 발생기(23),(24) 및 (25)가 OR 회로(22), W 카운터(19) 및 REF 카운터(20)에서의 출력 신호를 각각 수신할 때, 이들은 R.Req, W.Req 및 REF.Req 신호를 생성하여 사이클 발생기(10)으로 출력한다. 이 사이클 발생기(10)은 입력하는 R.Req, W.Req 및 REF.Req 신호를 받아서, 예를들면 리드, 라이트 및 리프레시의 순으로 우선도를 결정하여 리드 사이클(R 사이클)신호, 라이트 사이클(W 사이클), 리프레시 사이클(REF 사이클)이 서로 중복하지 않도록 어드레스 발생기(9)에 공급한다. 어드레스 발생기(9)는 이 사이클에 대응하여 각각의 어드레스 신호를 시분할로 발생하고, 어드레스 디코더(8)로 공급한다.The reset signal and the output signals from the
어드레스 제어기(26)은 또한 CLK를 주파수 분할한 ψ0~ψn의 신호를 출력하는 타이밍 발생기(21)을 포함한다.The
타이밍 발생기(21)은 어드레스 발생기(9)의 동작 사이클을 결정하는 제어 신호의 발생 타이밍을 결정하는 신호의 발생기이며, 예를들면 CLK를 1/K로 주파수 분할하고, 1/K로 주파수 분할된 신호를 CLK마다 위상시프트한 신호를 타이밍 신호로서 사용된다.The
상술한 단자(11)에서의 리세트 신호 RES는 OR 회로(22), R 카운터(17), CLK 카운터(18) 및 W 카운터(19)에 입력되고 각각의 카운터는 리세트 신호 RES에 의해 리세트 가능하게 된다.The reset signal RES at the terminal 11 described above is input to the
R 게이트 회로(15)와 W 게이트 회로(16)의 출력신호 R.CLK와 W.CLK는 각각 PS 변환기(7)과 SP 변환기(3)에 또한 공급되며, 이 클럭 신호와 동기하여 직렬 데이타의 출력과 입력을 각각 실행한다.The output signals R.CLK and W.CLK of the
또, R.Req 발생기(23)과 W.Req 발생기(24)는 R.Req 신호와 W.Req 신호의 출력과 동시에, R.로드신호와 W.로드신호를 각각 PS 변환기(7)과 입력 레지스터(4)에 출력한다. 따라서, R. 로드 신호를 수신할때, PS 변환기(7)은 출력 레지스터(6)에서의 m 비트 병렬 데이타를 폐치한다. 마찬가지로, W. 로드 신호를 수신할 때, 입력 레지스터(4)는 SP 변환기(3)에서 m 비트를 폐치하고, 출력한 m비트의 병렬 데이타는 메모리 셀 어레이(5)내에 저장된다.In addition, the
입력 단자(11)~(14)에서의 입력 신호를 각각 (2b),(2c),(2e) 및 (2a)로 나타내면, R. 게이트 회로(15)와 W. 게이트 회로(16)의 출력에서는 CLK(2a)가 각각 CGR과 CGW에서 별개로 게이트된 R.CLK(2d)와 W.CLK(2f)가 얻어진다. 이러한 R.CLK(2d)와 W.CLK(2f)는 PS 변환기(7)과 SP 변환기(3)을 시프트하는 클럭 신호로서 각각 사용되고, 또한 R 카운터(17)과 W 카운터(19)에 유도된다. 따라서, 예를들면 SP 변환기(3)에서 W.CLK(2f)에 의해 Din의 1비트가 폐치되고 데이타가 시프트될때, W.카운터(19)의 카운트 값도 1씩 증가된다. 마찬가지로, PS 변환기(7)내에 폐치된 병렬 데이타의 1비트가 출력단자(2)를 향해 R.CLK(2d)에 의해 직렬로 시프트될때, R.카운터(17)의 카운트 값도 1씩 증가된다. 여기서, R 카운터(17)과 W 카운터(19)의 카운트 값을 각각 PS 변환기(7) 및 SP 변환기(3)에서의 비트 변환의 값과 동일하게 선택되는 것에 의해, 각각의 게이트 회로(15)와 (16)에서 임의로 게이트된 R.CLK 및 W.CLK를 사용하여도, 각각의 PS 변환기(7)에서 병렬로 리드된 데이타가 전부 직렬로 변환되어 폐치된 타이밍 및 SP 변환기(3)에 직렬로 폐치된 데이타에서 SP 변환기가 가득차게 된 타이밍을 카운트 값으로서 검출할 수가 있다. 제2도의 예에서는, PS 변환기(7) 및 SP 변환기(3)의 비트 변환양을 12비트로 하고, R 카운터(17)과 W 카운터(19)의 카운트 값을 12로 선택한다. 이 경우에, 예를들면 R 카운터(17)의 카운트 출력 신호(2h)와 같이 R.CLK의 12사이클 주기에서 발생한다.When the input signals at the
제2도에 도시하지 않았지만, W. 카운터(19)의 카운트 출력 신호도 W.CLK의 12사이클 주기에서 발생한다. REF 카운터(20)의 카운트 값과 R 카운터(17) 및 W 카운터(19)의 카운트 값이 다르며, 메모리 셀 어레이(5)에 있어서 리프레시 사이클이 최적화되도록 카운트 값이 선택되고 제2도의 예에서는 15로 선택된다.Although not shown in FIG. 2, the count output signal of the W. counter 19 also occurs in the 12 cycle period of W. CLK. The count value of the
상기 각각의 카운터(17),(19) 및 (20)의 출력 신호를 받아서, 각각의 Req 발생기(23)~(25)에서 R.Req(2i), W.Req(2j) 및 REF.Req(2k)가 발생하고, 다음에 제8도 및 제9도에서 설명하는 사이클 발생기(10)에 의해 Ø0(2ℓ)로 동기하여 각 사이클이 (20)과 같이 지정된다. 이 사이클(20)을 받아서 어드레스 발생기(9)에서 (2p)로 표시한 바와 같이 시분할로 각각의 어드레스가 출력된다. 이 방법에서, 예를들면 R.로드(2q)에 의해 출력 버퍼 레지스터(6)에서 PS 변환기(7)에 들어온 병렬 데이타를 전부 직렬 변환한 후에, 다시 새롭게 R. 로드(2q)에 의해 병렬 데이타를 인도하므로 1사이클(제2도의 예에서는 R.CLK의 12비트가 1사이클) 기간중에, R.Req가 발생하고, R 사이클이 할당되어, R 어드레스에 따른 메모리 셀 어레이(5)에서 리드한 데이타가 출력 버퍼 레지스터에 전송되어, 다시 PS 변환기(7)에 새로운 데이타를 전송하는 준비가 실행된다. 이것에 의해 (2s)와 같이 고속 직렬 데이타의 출력 신호 Dout의 연속 리드가 가능하다. 또, SP 변환기(3)에 직렬 Din이 변환 비트 분만큼 폐치된 후에 데이타를 W. 로드(2r)에 따른 입력 버퍼 레지스터(4)에 병렬로 전송하고, 새로운 직렬 Din이 다시 변환 비트분만큼 폐치되므로, 1사이클(제2도의 예에서는 W.CLK의 12비트가 1사이클)기간중에 W.Req가 발생하고, W 사이클이 할당되어, W 어드레스에 따라 입력 버퍼 레지스터(4)에서 메모리 셀 어레이(5)로의 데이타 라이트가 실행되어, 다시 SP 변환기(3)에서 입력 버퍼(4)로 병렬 데이타를 전송하는 준비가 실행된다. 이것에 의해, (2t)와 같이 고속 직렬 데이타 Din의 연속 라이트가 가능하게 된다.Receiving the output signals of the
또, CLK 카운터(18)와 OR 회로(22)가 마련되어, R.CLK(2d)가 정지하여 있는 기간중에도 CLK를 카운트하는 카운터(18)의 카운트 값을 검출하고 R.Req 발생기(23)으로 출력하여, R.Req를 발생시킨다.In addition, the
또한, RES(2b)가 검출되고 OR 회로를 통하여 R.Req 발생기(23)에 유도되어 R.Req를 발생시킨다. 이 경우에, CLK 카운터(18)은 RES(2b)로 리세트하고 설정한 카운트 값(2g)를 출력한 후, 카운트를 정지한다. CLK 카운터(18)이 카운트하고 있는 기간동안은 R.카운터(17)의 카운트는 정지되어, R 카운터 출력신호는 (2h)와 같이 된다.In addition, RES (2b) is detected and guided to
CLK 카운터 출력 신호(2g), R 카운터 출력 신호(2h)와 RES(2b)가 R.Req 발생기(23)에 입력되는 것에 의해, (2i)로 나타낸 바와같이, RES(2b)후 즉시 R.Req가 발생되고, 다음에 CLK 카운터(18)에서의 카운터 출력 신호(2g)에 의한 R.Req가 발생하고, 그 후에 R 카운터(17)에서의 사이클 출력 신호(2h)에 의한 R.Req가 발생한다. 이 경과로, (2o)로 나타낸 바와 같이, RES(2b)후, 즉시 R 사이클이 할당되어, 이 R 사이클에서, 예를들면 (O)R의 어드레스 값의 데이타가 메모리 셀 어레이(5)에서 출력 버퍼 레지스터(6)으로 리드되어, R.로드(2q)에 의해, PS 변환기(7)에 전송되어 (2s)로 나타낸 바와같이 (O)R의 어드레스순의 데이타를 CLK 카운터(18)의 카운터 값(2g) 근처에서 출력할 수가 있다. 이것에 의해, 초기 설정 어드레스 값의 데이타를 보다 빠르게 취할 수가 있고, 보다 사용이 편리한 메모리로 된다.The CLK
제3도는 제1도의 영상 메모리의 다른 동작예를 도시한 타이밍 챠트이다. 제3도에서, (3a)~(3t)의 각각의 신호는 제2도의 (2a)~(2t)와 동일한 신호이다.3 is a timing chart showing another example of operation of the video memory of FIG. In FIG. 3, each signal of (3a) to (3t) is the same signal as (2a) to (2t) of FIG.
제3도의 동작예가 제2도의 동작예와 다른 것은 CGR(3c) 및 CGW(3e)에 의한 각 클럭의 정지 기간이 CGR(2c)와 CGW(2e) 보다 길고, 서로는 동일하다. 제3도에 도시한 바와같이, R.CLK(3d)와 W.CLK(3f)는 CLK 카운터 출력 신호(3g)가 발생한 후에 동시에 발생된다.The operation example of FIG. 3 differs from the operation example of FIG. 2 in that the stop periods of the clocks by the
이와 같이 CGR(3c) 및 CGW(3e)를 선택하는 것에 의해, Dout(3s)와 Din(3t)의 어드레스 타이밍이 도시한 바와 같이 되고, 예를들면 어드레스(1)R의 데이타가 Dout으로서 출력되어 있는 기간에 Din으로 입력된 데이타는 어드레스(1) W에 라이트된다. 따라서, 예를들면, 이 1실시예의 메모리 출력을 다음단의 메모리 입력으로서 사용하는 것에 의해 용이하게 지연량의 2배의 데이타를 얻을 수가 있다. 또, (3s)로 나타낸 바와 같이 R.CLK(3d)가 발생되고 초기 어드레스(O)R의 데이타에서 순차적으로 출력할 수가 있다. 이것은 영상 신호의 블랭킹 기간의 라이트 및 리드를 정지하고 메모리 용량의 사용 효율을 높이는 경우에, 다른 어드레스의 데이타가 출력되는 것을 방지하기 위해, 효율이 좋다.By selecting the
CGR(2c) 또는 CGW(2e)를 사용하는 것에 의해 CLK(3a)를 솎아낼때, R.Req(3i)나 W.Req(3j)의 발생 사이클은 증가되고 각 사이클 신호(3c)에 할당되어 있는 R 사이클이나 W 사이클의 할당 사이클도 크게 되어, Dout(3s)의 각각의 데이타가 연장되거나 Din(3t)의 각각의 데이타를 솎아내는 것이 용이하게 유추할 수 있으므로 설명은 생략한다. 본 발명의 기술에 따른 확대 화면의 메모리에서의 리드와 축소 화면의 메모리에서의 라이트로 용이하게 실시할 수 있는 것이 명확하게 될 것이다.When the CLK 3a is removed by using the CGR (2c) or the CGW (2e), the generation cycle of R.Req (3i) or W.Req (3j) is increased and assigned to each
제1도에서 점선 블럭으로 나타낸 R.Req 타이밍 발생부는 R 게이트 회로(15), R 카운터(17), CLK 카운터(18), OR 회로(22) 및 R.Req 발생기(23)으로 구성하며, W.Req 타이밍 발생부는 W 게이트 회로(16), W 카운터(19) 및 W.Req 발생기(24)로 구성하고 REF.Req 타이밍 발생부는 REF 카운터(20)과 REF.Req 발생기(25)로 구성되어 있다. 다음에 상기 Req 타이밍 발생부의 하드웨어 구성의 예를 설명한다.The R.Req timing generator shown by a dotted line block in FIG. 1 is composed of an
제4도 내지 제6도는 각각 상기의 Req 타이밍 발생부의 구체적인 일예로서, 제7또는 그 동작을 나타내는 타이밍 챠트이다.4 to 6 are specific examples of the Req timing generator, respectively, and are timing charts showing the seventh operation or the like.
제4도 내지 제6도에서, (50)~(53)은 CLK, CGR, RES 및 CGW의 입력단자, (54)~(56)은 R.Req, W.Req 및 REF.Req의 출력 단자, (60)~(75)는 카운터, (80)~(83)은 D형 플립플롭, (90)~(100)은 인버터, (110)~(118)은 NAND 회로, (120)~(124)는 AND 회로이다. R 카운터(17)과 CLK 카운터(18)은 제4도에서 점선 블럭으로 설명하며, W 카운터(19)는 제5도에서 점선 블러이르 노타내고, REF 카운터(20)은 제6도에서 점선 블럭으로 나타내었다. 제7도의 타이밍 챠트에서, (7a)~(7v)는 제4도 내지 제6도의 주요부에서의 파형을 나타낸 것이다. 제4도 회로의 동작을 먼저 설명한다. 제4도에서, 단자(50)에서의 CLK는 (7a)로 나타내며, 단자(52)에서의 RES는 (7b), 단자(51)에서의 CGR은 (7c)로 나타내며, AND 회로(12o)에서 CLK(7a)와 CGR(7c)를 게이트한 결과의 R.CLK는 (7d)로 나타내고, 카운터(60)~(63)의 출력 신호를 NAND하는 것에 의해 NAND 회로(112)의 출력에서 얻어지는 디코드 펄스는 (7e)로 나타낸다. 디코드 펄스(7e)가 “하이”로 되는 동안만, CLK 카운터(17)은 카운터 동작의 실행이 된다. 역으로, NAND 회로(112)의 출력신호(7e)와 RES(7b)의 양쪽이 “하이”인 동안은, R 카운터(18)의 카운트 동작이 정지된다. (7f)는 카운터(63)에서의 캐리어 출력 신호(Co), (7g)는 RES(7b)와 CLK 카운터(17)의 캐리어 출력 신호(7f)의 논리합을 D형 플립플롭(80)에서 래치하여 얻는 출력 신호 Q1, (7h)는 예를들면 Q1출력 신호(7g)와 CLK(7a)를 NAND하는 NAND 회로(111)의 출력 신호, (7i)는 R 카운터(18)의 캐리어 출력 신호, (7j)와 (7k)는 Q2출력과 NAND 회로(114)에서 얻어지는 비슷한 출력 신호, (7l)은 (7h)와 (7k)를 AND한 결과인 R.Req를 나타낸다.4 to 6, (50) to (53) are input terminals of CLK, CGR, RES and CGW, and (54) to (56) are output terminals of R.Req, W.Req and REF.Req. (60) to (75) are counters, (80) to (83) are D flip flops, (90) to (100) are inverters, (110) to (118) are NAND circuits, and (120) to ( 124 is an AND circuit. The
다음에 W.Req 발생의 동작에 대해서 설명한다. 제5도에서, CLK(7a) 및 RES(7b)는 제4도의 경우와 동일하며, (7o)는 단자(53)에서의 CGW, (7p)는 AND 회로(122)에서 CLK(7a)와 CGW(7o)를 게이트하 결과인 W.CLK, (7q)는 W 카운터(19)의 캐리어 출력 신호, (7r)은 캐리어 출력 신호(7q)를 D형 플립플롭(82)에서 래치하여 얻은 Q3출력 신호, (7s)는 예를들면 Q3출력 신호와 CLK(7a)의 반전된 신호를 논리 곱하여 얻은 W.Req이다.Next, the operation of generating W.Req will be described. In FIG. 5, CLK 7a and RES 7b are the same as in FIG. 4, where 7o is CGW at
다음에, REF.Req 발생의 동작에 대해서 설명한다. 제6도에서, CLK(7a) 및 RES(7b)는 제4도의 경우와 동일하며, (7t)는 카운터(75)의 캐리어 출력 신호, (7u)는 REF 카운터(20)에서 캐리어 출력 신호(7t)를 래치하여 얻어진 Q4출력 신호이고, (7v)는 상기와 마찬가지의 방법으로 캐리어 얻어진 REF.Req이다.Next, the operation of generating REF.Req will be described. In FIG. 6, CLK 7a and RES 7b are the same as in FIG. 4, where 7t is the carrier output signal of
다음에, 어드레스 발생기(26)을 구성하는 사이클 발생기(10)의 하드웨어적 구성예를 도면에 따라 설명한다. 제8도에 도시한 바와 같이, 사이클 발생기(10)의 제1실시예에서는 타이밍 발생기(21)에서 CLK를 주파수 분할하는 것에 의해 얻어진 Ø0위상 신호를 입력하는 입력 단자(150), R.Req의 입력 단자(151), W.Req의 입력 단자(152), REF.Req의 입력 단자(153), R 사이클 신호, W 사이클 신호 및 REF 사이클 신호를 각각 출력하는 출력 단자(154)~(156), (157)~(159)는 SR형 플립플롭, (160) 및 (161)은 인버터, (162) 및 (163)은 AND회로, (164)~(166)은 D형 플립플롭, (167)~(169)는 에지 검출기로서 구성되어 있다. 제9도는 제8도의 실시예의 동작을 나타내는 타임 챠트이고, 제9도에 도시한 파형에 따라 제8도의 주요부가 동작한다. 예를들면, R.Req(9a)가 SR형 플립플롭(157)에 입력될때, Q1출력 신호(9e)는 “하이”로 되고 다른 플립플롭(158),(159)의 Q2및 Q3출력 신호(9f),(9g)에 게이트가 걸리고, Q1출력 신호(9e)만이 D형 플립플롭(164)~(166)에 유도되어, Ø0(9d)에서 래치되어 R 사이클 신호(9h)로서 출력된다. 에지 검출기(169)는 이 R 사이클 신호(9h)의 전 에지(9o)를 검출하여 SR형 플립플롭의 R 입력에 유도되어 Q1출력 신호(9e)가 “로우”로 리세트된다. 다른 사이클 선호도 마찬가지로 동작하고 제9도에 도시한 바와 같이, 각각의 사이클 신호(9h)~(9j)는 서로 중복되지 않는다. 이러한 경우에, 각 사이클의 기간은 Ø0에 의해 설정된다.Next, a hardware configuration example of the
이와 같은 방법에서, R.Req는 출력 단자(2)에 접속된 PS 변환기(7)이 R.CLK에 의해 직렬 데이타로 폐치하여 사이클을 공급하며, W.Req는 입력 단자(1)에 접속된 SP 변환기(3)이 W.CLK에 의해 직렬로 데이타로 폐치하여 사이클을 공급하고, 메모리 셀 어레이(5)에 있어서 리프레시 사이클에 따라서 REF.Req를 공급하는 것에 의해, 고속 직렬 데이타가 메모리에서 동시에 연속하여 입력되고 출력되게 할 수 있다.In this way, R.Req feeds the cycle by the
상술한 바와 같이, 예를들면 제4도 내지 제6도의 각각의 Req 타이밍 발생부와 제8도의 어드레스 발생부를 사용하는 것에 의해, 제1도의 1실시예에서 설명한 동작을 무리없이 실현할 수가 있다.As described above, for example, by using each of the Req timing generators in Figs. 4 to 6 and the address generator in Fig. 8, the operation described in the first embodiment of Fig. 1 can be realized without difficulty.
제10도에서는 본 발명의 제2의 실시예를 설명한다.10 illustrates a second embodiment of the present invention.
제1도의 제1의 실시예에 비해, 제2의 실시예에서는 외부에서 임의로 지정하는 어드레스를 직렬로 연속한 어드레스 데이타 SAD로서 어드레스 발생기(9)에 폐치되는 것에 의해서, 예를들면 직렬 데이타 Din을 m 비트의 병렬 데이타로 변환한 경우에, m 비트를 1블럭으로 하는 블럭 단위에서의 랜덤 액세스 기능을 가능하게 한다. 이를 위해, 어드레스 발생기(9)와 어드레스 제어기(26)의 구성만이 다르고 그외의 블럭 구성은 제1도의 제1의 실시예의 경우와 동일하며, 어드레스 발생기(9)와 어드레스 제어기(26)의 부분만 설명하고 그외의 부분은 생략한다.Compared with the first embodiment of FIG. 1, in the second embodiment, an address arbitrarily designated externally is closed to the
제2의 실시예에 있어서, 어드레스 제어기(26)은 CGR과 CLK를 게이트하는 R 게이트 회로(15), R게이트 회로의 출력 신호를 카운트하는 R 카운터(17), R 카운터(17)의 카운트 값을 받아서 작동하여 리드 요구(R.Req) 신호를 출력하는 R.Req 발생기(23)을 포함한다. 마찬가지로, 시스템 클럭 CLK와 CGW를 게이트하는 W 게이트 회로(16), W 게이트 회로의 출력신호를 카운트하는 W 카운터(19), W 카운터(19)의 카운트 값을 받아서 작동하여 라이트 요구(W.Req)신호를 출력하는 W.Req발생기(24)가 포함되며, 또 게이트 하지 않는 시스템 클럭 CLK를 카운트하는 REF카운터(20), REF 카운터의 카운트 값을 받아서 작동하여 리프레시 요구(REF.Req)신호를 출력하는 R.Req 발생기(25)가 어드레스 제어기(26)에 마련되어 있다. 어드레스 제어기(26)은 또한 R.Req, W.Req, REF.Req신호를 입력하여 시분할 한 R.사이클, W.사이클, REF사이클의 제어신호를 발생하는 사이클 발생기(10)과 시스템 CLK를 Ø0~Øn으로 주파수 분할하는 타이밍 발생기(21)을 포함한다. R 사이클의 시점에서, 사이클 발생기(10)은 리드 어드레스 선택(이하, SEL.R로 한다)신호, 리드래치(이하 R.L로 한다)신호와 리드 레지스터 선택(이하 R.SEL로 한다)신호를 어드레스 발생기(9)에 출력한다. 마찬가지로 라이트 사이클 시점에서 사이클 발생기(10)은 라이트 어드레스 선택(이하 SEL.W로 한다)신호, 라이트 래치(이하 W.L로 한다)와 라이트 레지스터 선택(이하 W.SEL로 한다)신호를 출력하고 REF사이클의 시점에서 리프레시 래치(REF.L)신호와 리프레시 레지스터 선택(REF.SEL)신호를 출력한다.In the second embodiment, the
또한, 제1도의 실시예와 마찬가지로 R.CLK와 W.CLK신호는 PS변환기(7)과 SP변환기(3)에 각각 입력되고, R.Req발생기(20)에서의 R.로드 신호와 W.Req발생기(24)에서의 W.로드 신호는 각각 PS변환기(7)과 입력 레지스터(4)에 입력된다.In addition, the R.CLK and W.CLK signals are input to the
어드레스 발생기(9)에 대하여 설명한다. 어드레스 발생기(9)는 SAD의 입력단자(27), SAD를 페치하기 위해 사용된 SAD스트로브(이하 SAS라 한다)신호의 입력단자(28), 외부에서 SAD와 SAS를 병렬 어드레스로 변환하여 후술하는 다음단의 R 레지스터(34)나 W레지스터(35)에 전송되는 타이밍을 결정하는 트랜지스퍼/어드레스 스트로브(이하 TAS라 한다)신호의 입력단자(29)를 포함하고, 병렬 어드레스 데이타 레지스터(이하 SAD Reg라 한다)(30)에 SAD, SAS 및 TAS가 이력된다.The
또한 리드 어드레스 레지스터(R레지스터)(34), 라이트 어드레스 레지스터(W레지스터)(35), 리프레시 어드레스 레지스터(REF레지스터)(36)이 마련되어 있다. 이 레지스터(34),(35),(36)의 출력은 출력선택기(37)에 접속되어 있고, 상술한 어드레스 제어회로(26)에서 출력된 R.SEL, W.SEL, REF.SEL의 임의의 신호에 의해 3개의 레지스터(34),(35),(36)의 임의의 저장된 값을 선택하여 출력시킨다. 이 출력선택기(37)의 다음단에는 메모리 어드레스 레지스터(38)이 접속되어 있고 선택에 의해 출력된 어드레스를 저장함과 동시에 타이밍 발생기(21)에서의 타이밍 신호 Øm에 따라서 출력된다.A read address register (R register) 34, a write address register (W register) 35, and a refresh address register (REF register) 36 are provided. The outputs of the
메모리 어드레스 레지스터(38)의 출력신호는 어드레스 데코더(8)과 증가 레지스터(33)에 병렬로 공급된다. 증가 레지스터(33)에 입력된 어드레스 값은 증가되고 제1 및 제2의 선택기(31) 및 (32)에 공급된다. 또한 제1 및 제2의 입력 선택기에는 SAD레지스터에서의 리드 어드레스(R.Addr)와 라이트 어드레스(W.Addr)가 각각 입력된다. 어드레스 제어기(26)에서 입력된 SEL.R 또는 SEL.W가 “하이”일때는 SAD Reg(30)에서의 데이타를, 또 그 신호가 “로우”일때는 증가레지스터(33)의 출력값을 선택하여 각각의 R레지스터(34) 또는 W레지스터(35)에 입력시킨다. REF레지스터(36)에는 항상증가 레지스터(33)에서의 출력값이 입력된다. 또, 각각의 래치신호 R.L 및 W.L에 의해 제1 및 제2의 입력 선택기(31),(32)에서 선택된 어드레스가 R레지스터(34) 또는 W레지스터(35)에 페치된다.The output signal of the
제10도의 실시예의 동작을 제11도의 타임챠트에 따라 설명한다.The operation of the embodiment of FIG. 10 will be described according to the time chart of FIG.
제11도에서(11a)는 단자(14)에 인가된 CLK, (11b)는 단자(27)~(29)에 인가된 SAD,SAS 및 TAS에 따라서 유도된 세트신호 SET이다. 세트(116)에 의해, R.Reg 발생기(23)은 CLK(11a)와 동기하여 강제적으로 발생된다.In FIG. 11, 11a is a CLK applied to the terminal 14, and 11b is a set signal SET induced in accordance with SAD, SAS and TAS applied to the terminals 27-29. By the set 116, the
R카운터(17)과 W카운터(19)는 강제적으로 초기값으로 SET(11b)에 의해 세트한다. 제11도에 예에서, 두개의 카운터(17) 및 (19)와 REF카운터(20)은 18클럭 펄스의 카운트 펄스의 비율로 동작하고, SP변환기 및 PS변환기의 각각의 비트수도 또한 18로 선택된다.The
카운터(17) 및 (19)의 카운트 사이클에 동기하여 Req발생기(23)~(25)는 Req신호(11c)~(11e)를 발생한다. (11f)는 타이밍 발생기(21)에서 CLK를 1/K주파수 분할하여 얻어진 신호중의 하나이다. K=6일때, 기본적으로 위상이 다른 6개의 신호 Ø0~ØS가 발생되고 (11f)는 이중 하나의 신호 Ø0이다. (11g)는 사이클 신호로서, 예를들면 각각의 Req신호(11c)~(11e)가 발생하여서 Ø0(11f)의 1사이클의 제1의 발생으로 다른 사이클의 각각에 할당된다. 그러나, 예를들면 R사이클과 W사이클이 동시에 생기는 경우에는 R사이클을 우선하고, R사이클후에 W사이클이 생기도록 우선도를 마련하며, 각 사이클을 시분할로 할당하여서 서로의 사이클이 동시에 발생하지 않도록 사이클 발생기(10)내에서 조정된다. (11h)는 입력 선택기(37)에서 유도된 R.SEL 신호이고 R사이클의 Ø1위상의 타이밍에서 발생된다. R.SEL(11h)가 들어올때, 입력 선택기(37)은 레지스터(34)~(36)중에서 R레지스터(34)의 출력신호를 선택하고, 선택된 신호를 메모리 어드레스 레지스터(38)에 공급한다. 도시하지 않았지만, 마찬가지로 W사이클에서는 W.SEL신호가 발생되며 REF사이클에서는 REF.SEL 신호가 발생되고, 레지스터(34)~(36)중 하나의 출력신호는 SEL신호의 하나에 따라 선택되어 메모리 어드레스 레지스터(38)로 유도된다.In synchronization with the count cycles of the
메모리 어드레스 레지스터(38)내에서 레지스터(34)~(36)의 각각의 출력 데이타를 폐치하는 래치 펄스신호는 (11i)로 나타내고 래치펄스신호(11i)에 의해 메모리 어드레스 레지스터(38)내에 페치된 메모리 어드레스 데이타는 (11j)로 나타낸다. 메모리 어드레스 데이타 신호(11j)는 어드레스 데코더(8)과 증가회로(33)에 입력된다. 메모리 어드레스 데이타(11j)에 있어서, (K)R은 어드레스 값 K의 R어드레스(정확히, R어드레스 데이타), (K)W는 어드레스 값 K의 W어드레스(정확히, W어드레스 데이타), (K)REF는 어드레스 값 K의 REF어드레스(정확히, REF어드레스 데이타)를 나타낸다. (11k)와 (11l)은 제1 및 제2의 선택기(31)과 (32)에 각각 입력되는 SEL.R신호 및 SEL.W신호이다. 예를들면 SEL.R이 “하이”기간은 SAD레지스터(30)에서 임의 지정된 어드레스가 선택되어 R레지스터(34)에 입력되고, SEL.R이 “로우”기간은 증가회로(33)에서 증가된 어드레스 값이 선택되어 R레지스터(34)에 입력된다. 마찬가지로, SEL.W가 “하이”인 기간은 SAD레지스터(30)에서 임의 지정된 어드레스가 선택되어 W레지스터(35)에 입력되고, SEL.W가 “로우”기간은 증가회로(33)에서 증가된 어드레스 값이 선택되어 W레지스터(35)에 입력된다. (11o),(11p),(11q)는 각각 레지스터(34)~(36)의 래치펄스신호이고, 예를들면 각 사이클의 Ø4위상에서 발생하고, 각각의 레지스터(34)~(36)에 증가회로(33)에서 증가된 어드레스 또는 임의로 지정된 어드레스를 페치한다. (11r),(11s),(11t)는 R레지스터(34), W레지스터(35), REF레지스터(36)에 유도된 어드레스 데이타 신호이다. 예를들면, 신호(11r)에서, (N)R은 SAD레지스터(30)에서 R레지스터(34)에 유도되는 임의로 지정된 R어드레스이고 (N+1)R은 임의로 지정된 R어드레스 값을 증가회로(33)에서 1씩 증가한 R어드레스이다.The latch pulse signal for closing the respective output data of the
이상의 어드레스 발생기(9)의 동작에 의해, 예를들면 SP변환의 병렬 비트의 수 m을 18로 할때, R카운터(17)의 카운트 값도 18로 되어, SET(11b) 이후에 입력된 직렬 데이타 Din(11u)는 18비트를 1블럭 단위로서, 메모리 어드레스신호(11j)의 W어드레스 기간에 임의로 지정된 라이트 어드레스(N)W를 초기 어드레스로 하여 순차(N+1)W, (N+2)W,…로 메모리 셀 어레이(5)에 라이트된다. 또, W카운터(19)의 카운트 사이클로 18로 선택될때, 메모리 어드레스 신호(11j)의 R어드레스 기간동안 18비트의 블럭 단위로 메모리 셀 어레이(15)에서 출력 버퍼 레지스터(6)에 의해 데이타가 리드된다. 이를 위해, SET(11b)에 따른 직렬 데이타 Dout(11v)의 비트는 2블럭후에서 임의로 지정된 리드 어드레스(N)R을 초기 어드레스로하여 순차(N+1)R, (N+2)R…로 출력된다.By the operation of the above-described
이 경우에, (N)W로 지정된 직렬 데이타 Din과 (N)R를 지정된 직렬 데이타 Dout의 사이에 2블럭의 시간차가 있으므로, 예를들면 (N)W와 (N)R사이에 2블럭분의 어드레스 값의 오프 세트를 마련하는 것에 의해, Dout의 지연량을 RES신호에 의해 설정되어, 정확히 1필드 또는 1프레임에 따라 지연량 설정을 용이하게 할 수가 있다.In this case, since there are two blocks of time difference between the serial data Din designated by (N) W and (N) R between the designated serial data Dout, for example, two blocks are divided between (N) W and (N) R. By providing an offset of the address value, the delay amount of Dout is set by the RES signal, so that the delay amount can be easily set in exactly one field or one frame.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에서, 어드레스 발생기(9)에서 R사이클, W사이클, REF사이클의 각각의 클럭펄스 합이 SP변환의 비트 수 m 이하로 되도록, 예를들면 제11도와 같이 각각의 사이클을 6개의 클럭 펄스로 선택하여 영상 메모리에서 고속 직렬 데이타 Din의 라이트와 고속 직렬 데이타 Dout의 리드를 동시에 행할 수 있고 SAD의 지정에 의한 블럭 단위의 랜덤 액세스가 가능하게 되어, 다기능의 요구에 부합된다.As described above, in the embodiment of the present invention, the sum of the clock pulses of the R cycle, the W cycle, and the REF cycle in the
제10도의 실시예의 다른 동작예를 제12도에 나타내었다. 제12도의 예에서, 사이클 신호(12g)에서 각각의 사이클에 대한 선택기(31),(32) 및 (37)과 레지스터(34)~(36) 및 (38)을 래치하는 래치펄스신호의 위상은 제11도의 예에서의 래치펄스신호와 다르다. 따라서, 제11도의 예에서, 직렬데이타 Dout(11v)는 SET(11b)의 2블럭후에서 임의로 지정된 리드 어드레스(N)R의 데이타를 출력하는 것에 대해, 제12도의 예에서는 Dout(12v)는 SET(12b)의 1블럭 후에 임의로 지정된 리드 어드레스(N)R의 데이타를 출력하는 것이 가능하다. 다음에, 이것에 대해 상세히 설명한다.Another operation example of the embodiment of FIG. 10 is shown in FIG. In the example of FIG. 12, the phase of the latch pulse signal latching the
제12도에서, 신호(12a)~(12v)는 제11도의 신호(11a)~(11v)와 동일하지만 신호(12h)~(12v)는 신호(11h)~(11v)와 타이밍이 약간 다르다.In Fig. 12, the signals 12a through 12v are the same as the signals 11a through 11v in Fig. 11, but the signals 12h through 12v are slightly different in timing from the signals 11h through 11v. .
특히, R레지스터(34)와 W레지스터(35)는 신호(11k)~(11t)와 다른 타이밍에서 신호(12k)~(12t)에서 동작되므로, 먼저 이 부분에 대해 설명한다. 제13도는 SEL.R(12k)와 R레지스터(34)의 래치펄스신호(R.L)(12o)의 구체적인 발생회로인 사이클 발생기(10)의 일부이다. 제13도의 동작 타이밍 챠트는 제14도에 나타내었다. 제13도에서, (170),(171),(175)는 다른 위상 Ø5, Ø2, Ø1의 클럭 신호인 입력단자, (172)는 R.Req(14b)의 입력단자, (173)은 SET(14a)의 입력단자, (174)는 R사이클 신호(14e)의 입력단자, (176) 및 (177)은 R레지스터(34)의 래치펄스신호(14o)와 SEL.R(14h)의 출력단자, (178) 및 (179)는 플립플롭, (180)~(183)은 AND회로, (184)는 OR회로를 나타낸다.In particular, since the
제14도에서 SET(14a)가 입력되면, 플립플롭(178)의 Q1출력신호(14c)는 “하이”로 세트되고, 그후 입력된 R.Req(14b)에 의해 “로우”로 되어, 다음단의 플립플롭(179)의 Q2출력신호(14d)와 같이 된다. Q2출력신호(14d)와 사이클 R신호(14e)는 논리곱되어 신호 N1(R)(14f)를 마련하고, N1(R)(14f)와 Ø1신호(14g)가 논리곱되어 신호 SEL.R(12h)를 마련하여 SET후에 임의로 지정된 R어드레스를 선택하는데 사용된다. R.Req(14b)와 Ø5신호(14k)는 논리곱되어 일반적으로 데이타가 증가회로(33)에서 R레지스터(34)로 페치하는 래치펄스 신호로서 사용되는 신호 N3(R)(14l)를 마련한다. 래치 펄스신호 N1(R)(14f)와 Ø2신호(14i)는 논리곱되어 R레지스터(34) 내에서 임의로 지정된 R어드레스 데이타를 페치하는 래치펄스신호로서 사용되는 신호 N2(R)(14j)를 마련한다. 2개의 신호 N2(R)(14j)와 N3(R)(14l)이 논리합되어 R레지스터(34)에 래치펄스 신호로서 공급된다. 한편, 제12도의 SEL.W(12l)과 W레지스터(35)의 래치펄스신호(12p)는 제13도 회로와 비슷한 발생기에 의해 발생된다. 그러나, SEL.W(12l)과 래치펄스신호(12p)를 발생하기 위해, R.Req(14b)와 R사이클 신호(14e) 대신에 W.Req(14p)와 W사이클(14s)를 사용하여, 2개의 플립플롭(178)과 (179)는 Q1(W)신호(14q)와 Q2(W)신호(14r)을 각각 출력한다. Q2(W)신호(14r)과 W사이클신호(14s)는 논리곱하여 신호 N1(W)(14t)를 마련한다. 신호 N1(W)(14t)와 신호 Ø1(14g)가 논리곱되어 제2의 입력 선택기(32)에 공급되는 신호 SEL.W(14u)를 마련한다. W레지스터(35)의 래치펄스신호(14v)는 R레지스터(34)의 래치펄스신호(14o)과 마찬가지로 신호 N1(W)(14t), W.Req(14p), Ø2(14i) 및 Ø5(14k)에서 얻어진다.In FIG. 14, when the SET 14a is input, the Q 1 output signal 14c of the flip-
상술한 동작에 의해, 각각의 레지스터(34)~(36)에 저장된 어드레스 데이타 신호는 각각(12r)~(12t)와 같이 나타내고, 특히 SET(12b) 후의 최초의 R사이클 기간에 있어서, 임의로 지정된 어드레스(N)R은 R레지스터(34)내에 페치되고, 페치된(N)R을 R.SEL(12h)에서 선택하여 래치펄스신호(12i)에서 메모리 어드레스 레지스터(38)로 어드레스 신호(12j)로서 입력되며, R어드레스 데이타로서 어드레스 디코더(8)에 유도됨과 동시에 증가회로(33)에서 어드레스 값을 증가하여 다시 R레지스터(34)에 마지막으로 페치될 수가 있다. 이러한 방법에서, 메모리 셀 어레이에서 임의로 지정된 어드레스의 데이타를 제11도의 예에 비해서 1블럭 빨리 리드할 수가 있고 직렬 데이타 Dout도 제12도에 도시한 바와 같이 1블럭 빨리 임의로 지정된 어드레스의 데이타를 출력할 수가 있다.By the above-described operation, the address data signals stored in the
이 경우에, (N)W와 (N)R의 사이의 어드레스 값에 1블럭 오프 세트를 마련하는 것에 의해, 동시 점에서 Din과 Dout의 어드레스 값을 서로 같게할 수가 있으며, RES(12b)에 의한 Dout의 지연량 설정이 용이하게 된다.In this case, by providing one block off set in the address value between (N) W and (N) R, the address values of Din and Dout can be made equal at the same point, and the RES 12b is provided. This makes it easy to set the delay amount of Dout.
제10도의 실시예에서 W.CLK가 CGW와 게이트될때의 동작을, 제15도를 사용하여 설명한다. 제15도에서, (15a)는 CLK, (15b)는 CGW, (15c)는 제10도의 W게이트 회로(16)에서 예를들면 CGW(15b)와 CLK(15a)를 논리곱하여 얻어진 W.CLK, (15d)는 RES, (15e)는 R.Req, (15f)는 W.Req, (15g)는 REF.Req이다.In the embodiment of FIG. 10, the operation when W. CLK is gated with the CGW will be described using FIG. In FIG. 15, (15a) is CLK, (15b) is CGW, and (15c) is W.CLK obtained by logically multiplying CGW 15b and CLK 15a in the
이 예에서, CLK는 CGR과 게이트 되지 않고, R.CLK는 CLK(15a)와 동일하다. 따라서, R.Req(15e)와 REF.Req(15g)는 제12도의 예에서 동일하고 W.Req신호(15f)는 예를들면 RES(15d) 다음의 W.CLK(15c)의 18클럭펄스의 비율로 얻어진다. 다음에, W.Req(15f)의 발생기간은 제12도의 예에 비해 지연된다. 이 경우에, 위상신호 Ø0(15h)를 받아서, 각각의 어드레스 사이클의 어드레스 사이클 신호(15i)가 발생된다. 어드레스 사이클신호(15i)의 발생기는 제16도에 나타내고 그 동작에는 제17도에 나타내었다. 제16도에서, (185)~(188)은 제17도에 도시한 신호 Ø0(17d), R.Req(17a), W.Req(17b), REF.Req(17c)의 입력단자, (189)~(191)은 R사이클 신호(17h), W사이클신호(17I), REF사이클 신호(17j)의 출력단자(191)~(193)은 세트/리세트 플립플롭(이하 SRFF라 한다), (194) 및 (195)는 인버터, (196) 및 (197)은 AND 회로, (198)~(200)은 D형 플립플롭(이하 DFF라 한다), (201)~(203)은 에지검출기이다. SRFF(191)~(193)의 출력은 Q1, Q2, Q3에는 각각의 Req신호(17a)~(17c)에 의해 (17e)~(17g)로 표시한 신호가 얻어진다. 인버터(194) 및 (195)와 AND 회로(196) 및 (197)에서 Q1, Q2, Q3의 순으로 우선도를 마련하여, 각각의 DFF(198)(200)의 D입력에 유도된다.In this example, CLK is not gated with CGR and R. CLK is equal to CLK 15a. Thus, R.Req 15e and REF.Req 15g are the same in the example of FIG. 12 and the W.Req signal 15f is for example 18 clock pulses of W.CLK 15c following RES 15d, for example. It is obtained at the ratio of. Next, the generation period of the W. Req 15f is delayed compared with the example of FIG. In this case, the phase signal Ø 0 (15h) is received, and an address cycle signal 15i of each address cycle is generated. The generator of the address cycle signal 15i is shown in FIG. 16 and its operation is shown in FIG. In FIG. 16,
각각의 D입력 신호는 DFF의 (198)~(200)에선 Ø0신호(17d)에 의해 래치되고 R사이클 신호(17h), W사이클 신호(17i), REF사이클 신호(17j)를 Q출력에서 마련된다. 에지 검출기(201)~(203)은 사이클 신호(17h)~(17j)의, 예를들면 상승에지를 검출하고, 검출한 에지신호(17k)~(17o)를 각각 SRFF(191)~(193)의 리세트 입력에 유도되어, SRFF의 ㅂ출력을 리세트하고 새로운 Req신호를 페치한다. 상술한 바와 같이 구성된 사이클 발생기(10)를 마련하는 것에 의해, 각각의 사이클 신호는 서로 시간적으로 간섭하지 않고 시분할로 할당된다.Each D input signal is latched by the Ø 0 signal 17d at (198) to (200) of the DFF, and the
이와 같이, 각각의 어드레스의 사이클을 시분할로 할당하는 것에 의해, W.SEL(15j), 메모리 어드레스레지스터(38)의 래치 펄스신호(15k), SEL.R(15o), SEL.W(15p), R레지스터(34) 및 W레지스터(35)의 래치펄스신호(15g) 및 (15r)은 제15도와 같이하여 얻어지고, 이와 같은 제어신호에 의해, (15l),(15s),(15t)로 나타내는 메모리 어드레스 레지스터(38), R레지스터(34), W레지스터(35)의 어드레스 값이 얻어진다. 이 경우에, RES(15d) 후에 직렬로 입력되니 데이타 Din(15u)는 예를들면 W.CLK(15c)에 동기하여 18비트 단위로 메모리 어드레스 레지스터(38)의 어드레스 값(15l)의 N(W)가 있는 곳에서 메모리 셀 어레이(5)의 임의로 지정된 어드레스 N(W)에 라이트되고, 직렬 출력 Dout(15v)로 1블럭 후에 임의로 지정된 어드레스(N)R의 데이타가 유도된다.By allocating the cycles of the respective addresses in time division, the latch pulse signal 15k of the W.SEL 15j, the
이와 같이, CGW신호(15b)와 CGR신호에서 임의로 게이트된 W.CLK(15c)나 R.CLK를 사용하며, Din(15u)의 연속 라이트와 Dout의 연속리드가 가능하고, 페치된 Din이 라이트로 되지 않거나 출력된 Dout가 리드되지 않는 등의 불편함이 생기지 않는다.In this manner, W.CLK 15c or R.CLK arbitrarily gated in the CGW signal 15b and the CGR signal is used, and continuous writing of Din 15u and continuous reading of Dout are possible, and the fetched Din is written. There is no inconvenience such as not being turned on or the output Dout not being read.
제18도는 제10도의 실시예의 변경예이다. 제18도의 변형예의 특징은 SAD레지스터(30)에서의 임의로 지정된 어드레스를 레지스터(34)~(36)에서의 어드레스와 함께 선택기(80)의 수단에 의해 한번에 선택할 수 있는 것이다. 제18도 변형예의 동작은 제19도의 타임챠트를 참조하여 상세히 설명한다.18 is a modification of the embodiment of FIG. A feature of the modification of FIG. 18 is that the arbitrarily designated address in the
제18도의 구성은 선택기(80)을 제외하고 제10도의 실시예와 비슷하다. 제19도에서, (19a)는 CLK, (19b)는 SET, (19c)는 R.Req, (19d)는 Ø0신호, (19e)는 사이클을 할당하는 사이클 신호이며, 제12도의 타임챠트와 동일하다. (19f)~(19j)는 타이밍 발생기(26)에서 선택기(80)으로 유도되는 선택제어신호이다. 예를들면, SAD레지스터(30)에서 임의로 지정된 R어드레스는 SEL.R(19f)가 “하이”일때 선택되며, SAD레지스터(30)에서 임의로 지정된 W어드레스는 SEL.W(19g)가 “하이”일때 선택되며, R레지스터(34)에서의 R어드레스는 R.SEL(19h)가 “하이”일때 선택되고, REF레지스터(36)에서의 REF어드레스는 REF.SEL(19j)가 “하이”일때 선택되어, 상기와 같이 선택된 각각의 신호는 래치펄스 신호(19k)의 타이밍에서 메모리 어드레스 레지스터(38)내에 배치된다.The configuration of FIG. 18 is similar to the embodiment of FIG. 10 except for the
메모리 어드레스 레지스터(38)내에 페치된 어드레스 값은 어드레스 신호(19l)로 표시한다. (19o)~(19q)는 증가회로(33)에서 증가된 어드레스 값을 각각의 레지스터(34)~(36)에 페치하는 래치펄스신호이다. (19r)~(19t)의 어드레스 데이타 신호는 레지스터(34)~(36)내에 페치된다.The address value fetched in the
상술한 동작은 제12도에 도시한 동작과 마찬가지로 직렬 데이타 Din(19u)의 페치와 직렬 데이타 Dout(19v)의 출력이 임의로 지정된 어드레스에 의해 행할 수가 있다. 제20도에 도시한 제3의 실시예에 대하여 설명한다.The operation described above can be performed by an address arbitrarily designated by the fetch of the
제3의 실시예가 제1도에 도시한 제1의 실시예와 다른 점은 2n(n은 자연수)비트단위의 병렬 데이타 처리를 목적으로 하는 것이다. 따라서, SP변환기(3)과 PS변환기(7)은 2n비트의 데이타를 각각 직렬/병렬 변환 및 병렬/직렬 변환하는 것으로 구성되어, 메모리 셀 어레이(5)는 (K×2n)열×m행(K,m은 자연수)의 배열을 갖는다. 어드레스 발생기(9), 어드레스 디코더(8), 입력 버퍼 레지스터(4)와 출력 버퍼 레지스터(6)은 제1도의 실시예와 동일하며, 그 상세한 설명은 생략한다. 제3의 실시예의 어드레스 제어기(26′)는 제1의 실시예의 어드레스 제어기(26)에 W어드레스와 R어드레스의 초기 설정 기능을 첨가하고, 그 상세한 설명을 한다.The third embodiment differs from the first embodiment shown in FIG. 1 by the purpose of parallel data processing in units of 2 n (n is a natural number) bits. Therefore, the
어드레스 제어기(26′)에는 라이트 리세트(W.RES)신호의 입력단자(11′), 라이트 클럭(W.CLK)신호의 입력 단자(16), 시스템 클럭(CLK)신호의 입력 단자(14), 리드 클럭(R.CLK)신호의 입력단자(15)가 마련되어 있다. W카운터(19)는 단자(11′) 및 (16)에 접속되어 있어, W.RES 및 CLK신호가 공급된다. W카운터(19)의 출력에는 W.Req 발생기(24)와 W.로드 발생기(24′)가 접속되어 W 카운터(19)의 카운트 값을 받아서 W.Req신호와 W.로드 신호를 발생한다.The address controller 26 'includes an input terminal 11' of a write reset (W.RES) signal, an
REF카운터(20)은 시스템 클럭 신호 CLK를 카운트하고 REF 카운터(20)의 출력에 접속된 REF.Req 발생기(25)는 REF카운터(20)의 카운트 값을 받아서 REF.Req신호를 발생한다.The REF counter 20 counts the system clock signal CLK and the
단자(11) 및 (15)에 접속된 R 카운터(17)은 R.RES 및 R.CLK신호가 입력된다. R 카운터(17)의 출력은 R.Req 발생기(23) 및 R.로드 발생기(23′)에 접속되어, R카운터의 카운트 값의 입력으로 각각의 R.로드 신호와 R.Req신호를 출력한다.R.RES and R.CLK signals are input to the
W.Req, REF.Req 및 R.Req신호는 사이클 발생기(10)에 입력되고 사이클 발생기(10)는 W사이클, REF 사이클, R사이클 신호를 생성하여 어드레스 발생기(9)에 시분할로 출력한다.The W.Req, REF.Req and R.Req signals are input to the
또, 시스템 클럭 신호 CLK를 주파수 분할하여 Ø0~Øn위상 클럭 신호를 발생하는 타이밍 발생기(21)이 마련되어 있다.In addition, a
어드레스 발생기(26′)에서, W카운터(19)는 W.RES신호를 리세트할 수 있고 R카운터(17)은 R.RES신호를 리세트하며, 이러한 리세트 신호는 어드레스 발생기(9)에 공급된다.In the address generator 26 ', the
제1도의 실시예와 마찬가지로, W.CLK 신호는 또한 SP 변환기(3)에 공급되고, R.CLK신호도 PS변환기(7)에 공급되며, W.로드 신호는 입력 버퍼 레지스터(4)에, R.로드신호는 PS변환기(7)에 공급된다.As with the embodiment of FIG. 1, the W. CLK signal is also supplied to the
특히, 제3의 실시예에서, W카운터(19)와 R카운터(17)의 각각의 카운트 값은 SP변환기(3)과 PS변환기(7)에서 비트 변환량 2n과 일치하여 선택된다.In particular, in the third embodiment, the count values of each of the
제20도의 실시예의 동작에 대하여 제21도의 타임 챠트를 참조하여 설명한다.The operation of the embodiment of FIG. 20 will be described with reference to the time chart of FIG.
제21도의 타임 챠트에서는 n=4의 경우와 단자(11′) 및 (11)에서 입력된 W.RES신호 및 R.RES로서 제21도에서 (21b),(22j)로 도시한 바와 같이 리세트 신호가 입력되지 않은 경우의 일반적인 동작을 나타내었다.In the time chart of FIG. 21, the case of n = 4 and the W.RES signal and R.RES input from the
제21도에서, 어드레스신호(21p)에서 REF,W,R은 각각 리프레식 어드레스(REF어드레스), 라이트 어드레스(W어드레스), 리드 어드레스(R어드레스)를 나타내고, M,K,L은 각각의 어드레스 값을 표시하는 자연수이다. 즉, (M) REF는 리프레시 어드레스가 M의 값으로 주어지고, (K)W는 라이트 어드레스가 K의 값으로, (L)R은 리드 어드레스가 L의 값으로 주어진 것이다. 또, 제21도의 데이타 신호(21q)에서*W는 데이타 신호(21q)에서 입력 데이타의 0~15까지 16비트가 라이트된 라이트 어드레스(W어드레스)를 나타내고 데이타 신호(21r)에서*R은 출력 데이타의 0~15까지 비트가 리드된 리드 에드레스 (R 어드레스)이며,*와 W사이 및*와 R사이에 삽입된 괄호안의 값은 어드레스의 값을 나타낸다.In Fig. 21, in the address signal 21p, REF, W and R represent the refresh address (REF address), the write address (W address), and the read address (R address), respectively, and M, K, and L respectively. Natural number representing the address value. That is, (M) REF is given a refresh address as a value of M, (K) W is a write address as a value of K, and (L) R is a read address as a value of L. In the data signal 21q of FIG. 21, * W denotes a write address (W address) in which 16 bits are written from 0 to 15 of the input data in the data signal 21q, and * R is output in the data signal 21r. The read address (R address) where bits from 0 to 15 of the data are read, and the value in parentheses inserted between * and W and between * and R represents the value of the address.
제21도에서, (21a)로 나타낸 W.CLK가 단자(16)에서 입력될 때, 카운트값 24을 갖는 W카운터(19)는 W.CLK(21a)의 카운트 16의 주기에서 출력 펄스 신호(21c)를 발생한다. 마찬가지로, W. 로드 발생기(24′)는 16카운트의 주기에서 출력신호 W.로드(21d)를 발생하고 W.Req발생기(24)는 16카운트의 주기에서 출력신호 W.Req(21e)를 발생한다. 따라서, W.로드(21d)를 받아서 SP변환기(3)은 설명한 바와 같이 0~15의 16비트 단위로 입력 버퍼 레지스터(4)에 입력 데이타 신호 Din(21q)를 전송한다. 또, W.Req(21e)에 의해 사이클 발생기(10)에서 사이클 신호(21o)에 도시한 바와 같은 W사이클이 할당되고, W사이클 신호에 의해 어드레스 발생기(9)에서 어드레스 신호(21p)에 도시한 바와 같이 (K)W, (K+1)W, …인 W어드레스가 발생하여 어드레스 디코더(8)을 거쳐 메모리 셀 어레이(5)에 유도된다. 이 W어드레스에 대해서, 병렬 데이타는 입력 버퍼 레지스터(4)에서 16비트의 단위로 메모리 셀 어레이(5)로 전송된다. 따라서, 단자(1)에서의 입력 데이타(21q)는 16비트의 단위로 예를들면*(K)W,*(K+1)W,*(K+2)W…로 하는 W어드레스에서 지정된 메모리 셀 어레이(5)의 메모리 셀 부에 전송된다.In FIG. 21, when W. CLK indicated by 21a is input at the terminal 16, the
한편, 단자(15)에서 입력된 R.CLK(21i)를 받아서 카운트값 24을 갖는 R카운터(17)은 R.CLK(21i)의 16카운트의 주기에서 출력 펄스 신호(21k)를 발생한다. 마찬가지로, R.로드 발생기(23′)는 16카운트의 주기에서 R.로드(21ℓ)을 발생하고 R.Req발생기는 16카운트의 주기에서 R.Req(21m)을 발생한다. 이 경우, R.Req(21m)에 의해 사이클 발생기(10)에서 (21o)로 표시한 R사이클이 할당되고 이 R사이클에 의해 어드레스 발생기(9)에서 (21p)로 표시한 R어드레스, 예를들면 L(R), (L+1)R, …에 발생하며, 어드레스 디코더(8)을 통하여 메모리 셀 어레이(5)에 유도되어, 이것에 의해 R어드레스에 해당하는 병렬 데이타의 16비트가 메모리 셀 어레이(5)에서 출력 버퍼 레지스터(6)으로 전송된다. PS변환기(7)은 R.로드(21ℓ)을 받아서 출력 버퍼 레지스터(6)에 전송된 병렬 데이타의 16비트를 페치한다. 이 경우에, 데이타는 PS변환기(7)에 전송되며, 출력 데이타 신호(21r)로 표시한 16비트의 단위로 예를들면*(L-1)R,*(L)R…인 R어드레스에서 지정된 메모리 셀 어레이(5)의 메모리 셀에서 리드하고, R.CLK를 받아서 PS변화기(7)에 의해 직렬 데이타로 변환되어, Dout로서 단자(2)에 출력된다.On the other hand, the
사이클 발생기(10)에 의한 사이클 할당 동작을 보다 상세하게 설명한다. 입력된 W.Req(21e), R.Req(21m) 및 REF.Req(21h)와 사이클 신호(21o)로 할당된 사이클의 비교는 명확한 바와 같이, 사이클이 동일 기간에 입력된 요구신호의 순차 발생에 따라 할당된다. 따라서, 예를들면, W.Req, R.Req, REF.Req신호의 순으로 입력되면, W사이클, R사이클, REF사이클 순으로 동시에 할당된다. R.Req신호가 W사이클 처리기간에 입력되면, R사이클의 개시는 W사이클이 종료될때까지 지연된다. 또, W사이클 처리 기간에 REF Req가 입력되면, REF사이클은 W사이클후에 개시한 R사이클이 종료될때까지 지연된다. 이러한 방법에서, 사이클 발생기(10)은 각각의 사이클의 할당이 실행된다.The cycle assignment operation by the
제3의 실시예에서는 상술한 바와 같이, 메모리 셀 어레이(5)의 입력측에 SP변환기(3)을, 출력측에 PS변환기(7)을 각각 마련하고, SP변환기(3) 및 PS변환기(7)의 변환 비트량에 해당하는 W카운터(19) 및 R카운터(17)을 별도로 마련하여, 각각 W.CLK(21a)와 R.CLK(21i)을 카운트하고, 각각의 카운터 출력 신호(21c),(21k)를 사용하여 변환 비트량에 해당하는 각각의 클럭 주기의 W.Req(21e)와 R.Req(21m)에 의해 시분할로 할당된 각각의 사이클에 대응하여 메모리 셀 어레이(5)와 각각의 입출력 버퍼 레지스터(4),(6)사이의 데이타 전송과, W.로드(21d)와 R.로드(21ℓ)에 의한 입출력 버퍼 레지스터(4),(6)과 SP변환기(3) 및 PS변환기(7)사이의 데이타 전송을 행하도록 하는 것에 의해, 영상 메모리에 관하여 직렬 데이타 Din(21q)와 Dout(21r)의 동시 라이트/리드가 가능하게 된다.In the third embodiment, as described above, the
SP변환기(3)과 PS변환기(7)의 변환 비트량을 1~2n(n은 자연수)으로 선택하는 것에 의해, 각각의 카운터(15)와 (17)의 회로 구성이 간단하게 된다.By selecting the conversion bit amounts of the
또, 제20도의 실시예에서는 REF카운터(20)의 입력 신호로서, W.CLK(21a) 및 R.CLK(21i)와는 다른 CLK(21f)를 사용하여, 이 CLK(21f)의 카운트 출력(21g)에 의해, 상기와 마찬가지로 REF.Req 및 REF사이클을 발생시켜(21p)로 표시한 시분할로 REF어드레스를 메모리 셀 어레이(5)에 유도되어, 메모리 셀 어레이를 위한 리프레시 동작을 실행한다.In the embodiment of Fig. 20, as the input signal of the
타이밍 발생기(21)은 CLK(21f)를 예를들면 1/5로 주파수 분할하여 CLK(21f)의 1주기마다 위상이 다른 신호 Ø0~Ø4를 발생하며, 제21도에서(21n)로 나타낸 신호 Ø0는 이러한 출력 신호의 하나이다.The
제20도 실시예의 다른예를 제22도의 타임 챠트를 참조하여 설명한다.Another example of the FIG. 20 embodiment will be described with reference to the time chart of FIG.
제22도에서, n은 제21도의 예와 동일값이며 제21도에서의 신호(21a)~(21r)에 대응한 신호(22a)~(22r)이다. 제22도의 예가 제21도의 예와 다른 것은 제21도의 예에서는 W.RES(21a)와 R.RES(21j)도 발생하지 않는 것에 대해서, 제22도의 예에서는 R.RES(22j)가 발생하는 점이다. 이 R.RES(22j)에 의해, 어드레스 발생기(9)에서 R카운터 및 R어드레스는 리스테한다. 결과로, R카운터 출력 신호(22k)와 R.로드(22ℓ)은 도시한 바와같이 R.CLK의 16카운트 주기의 위상이 초기 설정된다. 또, R.Req(22m)도 마찬가지로 초기 설정되지만, 제20도에 도시한 바와 같이 R.RES(22j)를 R.Req발생기(23)에 유도되는 것에 의해 R.Req(22m)은 R.RES(22j)에 동기하여 발생한다. 어드레스 발생기(9)에서 R어드레스의 값도 또한 초기 설정된다. R.RES(22j)에 의해, 각각의 사이클 신호는(22o)와 같이 할당되어, 각 사이클도(22p)와 같이 시분할에 할당된다.In FIG. 22, n is the same value as the example of FIG. 21 and is the signals 22a to 22r corresponding to the signals 21a to 21r in FIG. The example of FIG. 22 differs from the example of FIG. 21 in that W.RES (21a) and R.RES (21j) do not occur in the example of FIG. 21, whereas R.RES (22j) occurs in the example of FIG. Is the point. This
특히, 제3의 실시예에서, R.RES(22j)와 동기한 R.Req(22m)에 의해 할당된 어드레스 값은 상술한 바와 같이 (O)R에 초기 설정되고, 이후 (1)R, (2)R…인 R어드레스가 순차적으로 주어진다. R어드레스 값에 따라서, 데이타 신호 Dout가 (22r)로 표시한 바와 같이 출력된다. 예를들면, 초기 어드레스*(O)R의 데이타는 R.RES(22j)입력후에 R.CLK(22i)의 17카운트 후에서 출력된다. 초기 어드레스*(O)R의 데이타가 유도되기전의 데이타는, 도시한 바와 같이 앞의 어드레스*(L-1)R의 데이타가 연속하여 16비트와 순차적으로 출력되고 최후의 16비트째는 데이타를 홀드한 상태로 유지된다.In particular, in the third embodiment, the address value assigned by R.Req 22m in synchronization with
이러한 방법에서, R.RES(22j)를 외부에서 지정하는 수단(도시하지 않음)을 마련하고 R.RES(22j)에 의해 R카운터(17)을 리세트하여, 어드레스를 초기 설정하는 것에 의해 R.RES(22j)의 입력후에 몇번째의 R.CLK에서 초기 설정 어드레스(예를들면,*(O)R)의 데이타를 출력하는 것을 지정할 수가 있다. 또, R.RES(22j)에 의해 카운터(17)을 리세트하고 R.로드(22ℓ) 및 R.Req(22m)의 발생 주기의 위상을 초기 설정하는 것에 의해, R.RES(22j)입력후에서 초기 설정 R어드레스(*(O)R)의 데이타가 출력으로 유도될때까지의 사이에, 새로운 출력 버퍼 레지스터(6)에서 PS변환기(7)로의 병렬 데이타의 전송은 방지되며, 예를들면(22r)로 표시한 바와 같이,*(L-1)R의 16비트의 데이타가 직렬로 출력된 후에*(O)R의 데이타가 출력될 때까지의 사이에*(L-1)R의 최후의 데이타를 홀드하는 것이 가능하다. 이 경우, 영상신호의 진폭 변화가 없는, 예를들면, 블랭킹기간에서 R.RES(22j)를 입력하는 것에 의해, 블랭킹기간이 홀드되어 출력 데이타 Dout의 비트의 손실에 의한 불편을 방지할 수가 있다.In this method, by providing means (not shown) for specifying the
일반적으로 1~2n비트 변환량을 갖는 SP 변환의 입력단과 PS변환의 출력단을 포함하는 영상 메모리를 사용하여 1프레임 지연으로서 262 또는 263라인 분의 지연을 얻는 경우나, 525라인의 1프레임 지연을 얻도록 한 경우, 색부 반송파 주파수 fsc의 4배를 클럭 주파수로 선택할 때 1라인은 910클럭으로 되고, 262, 263 또는 525라인의 지연에서는 일반적으로 2n에 의해 나누어지지 않으며, 끝수에 의한 데이타의 손실이 생긴다. 그러나, 본 실시예에 의하면, 상기와 같이 하는 것에 의해서 이 손실에 의한 불편을 제거할 수가 있다.In general, a delay of 262 or 263 lines as one frame delay is obtained by using a video memory including an input stage of an SP transform and an output stage of a PS transform having a 1 to 2 n bit conversion amount, or one frame delay of 525 lines. When four times the color carrier frequency fsc is selected as the clock frequency, one line becomes 910 clocks, and at a delay of 262, 263, or 525 lines, it is generally not divided by 2 n . Loss occurs. However, according to this embodiment, the inconvenience caused by this loss can be eliminated by doing the above.
제20도의 실시예의 동작의 다른예를 제23도의 타임 챠트를 참조하여 설명한다.Another example of the operation of the embodiment of FIG. 20 will be described with reference to the time chart of FIG.
제23도에서, n은 제21도의 예와 같이 동일 값이고 (23a)~(23r)신호는 제21도에서의 신호(21a)~(21r)에 해당한다. 제21도의 예 또는 제22도의 예에 비해서, R.RES(23k)와 W.RES(23b)는 제23도의 예에서 양쪽다 발생한다. R.RES(23j)에 의한 R카운터 출력(23k), R.로드(23ℓ) 및 R.Req(23m)은 R어드레스를 할당하고 제22도의 예와 같이 동일 방법으로 Dout(23r)을 마련한다. 한편, W.RES(23b)에 의해 W카운터(19)가 리세트될 때, W카운터 출력 신호(23c), W로드 신호(23d), W.Req신호(23e)가 발생되는 기간이 제23도에 도시한 바와 같이 W.RES(23b)에 의해 초기 설정된다. W.Req(23e)는 예를들면 W.RES(23b)가 입력된 후에 W.CLK(23a)의 17카운트째에 발생된다. 어드레스 발생기(9)에서 W어드레스의 값은 또한 W.RES(23b)를 초기 설정한다. 따라서, 각각의 W사이클 신호는 (23o)로 나타낸 바와 같이 할당되고 각각의 W어드레스는 (23p)로 나타낸 바와 같이 할당된다. 이 결과로, 예를들면 W.RES(23b)의 입력후에 직렬 데이타 Din이 16비트 단위로 초기 설정된 W어드레스 *(O)W에서 순차적으로*(1)W,*(2)W…로 메모리 셀 어레이(5)내에 라이트된다. 따라서, W.RES(23b)를 사용하는 것에 의해, 메모리 셀 어레이(5)의 초기 설정된 어드레스에서 Din을 라이트하는 지정할 수가 있다. 또, W.RES(23b)와 R.RES(23j)를 사용하는 것에 의해, 메모리의 외부에서 데이타의 지연 시간을 임의로 결정할 수가 있다.In FIG. 23, n is the same value as in the example of FIG. 21, and the signals 23a to 23r correspond to the signals 21a to 21r in FIG. Compared to the example of FIG. 21 or the example of FIG. 22, R.RES (23k) and W.RES (23b) both occur in the example of FIG. The
제20도의 실시예에서 사용된 W카운터(19), W.로드 발생기(24′) 및 W.Req발생기(24)는 제24도에 도시한 바와 같이 구체적으로 구성되었고 제20도의 실시예에서 사용된 R카운터(17), R.로드 발생기(23′) 및 R.Req발생기(23)은 제25도에 구체적으로 도시하였다.The
제24도 및 제25도에서, (204)~(210)은 인버터, (211)~(218)은 카운터, (219) 및 (220)은 래치하기 위한 플립플롭, (221) 및 (222)는 AND 회로, (223)은 NAND회로이며, 다른 소자는 제20도와 동일하다.In Figures 24 and 25, 204-210 are inverters, 211-218 are counters, 219 and 220 are flip-flops for latching, 221 and 222 Is an AND circuit, and 223 is a NAND circuit, and the other elements are the same as in FIG.
제24도에서, 단자(16)에서의 W.CLK는 4비트 카운터(211)~(214)에 의해 카운트되고, W.CLK의 16펄스의 주기에서 발생된 카운터 출력 펄스 신호를 예를들면 플립플롭(219)에 의해 래치되어 제21도 내지 제23도의 타임 챠트에 도시한 W.Req신호를 얻을 수 있다. 카운트 출력 펄스 신호는 AND게이트(221)에서 W.CLK와 논리곱되어 제21도 내지 제23도의 타임 챠트에 도시한 W.로드 신호를 생성한다. 제24도의 구성에서, W카운터(19)는 단자(11′)에서 입력된 W.RES를 용이하게 리세트할 수 있다.In FIG. 24, W. CLK at
상술한 설명에서, 제25도의 구성에 의해 제21도 내지 제23도에 도시한 R.Req 및 R.로드가 얻어지는 것도 용이하게 유추될 수 있다.In the above description, it can be easily inferred that the R. Req and R. rods shown in FIGS. 21 to 23 are obtained by the configuration of FIG.
제26도는 제20도의 실시예의 변형예를 나타낸다.FIG. 26 shows a modification of the embodiment of FIG.
이 변형예가 제20도의 실시예와 다른 점은 메모리 셀 어레이(5)의 입력단이 마련된 SP변환기(3)의 구성으로서, 제20도의 실시예에서는 통상 시프트 레지스터가 사용되었지만, 본 실시예에서는 2개의 입력 버퍼레지스터(104) 및 (105)를 사용하여 입력 데이타 신호 Din의 SP변환을 사용하는 것이다. 또, 마찬가지로 출력단의 PS변화도 2개의 출력 버퍼레지스터(106) 및 (107)에서 실행된다.This modification differs from the embodiment of FIG. 20 in that the
제26도의 변형예의 동작을 설명한다.The operation of the modification of FIG. 26 will be described.
변형예에서 입력 레지스터(104) 및 (105)와 출력 레지스터(106) 및 (107)은 2n비트 레지스터이다. 단자(1)에서의 직렬 데이타 Din은 먼저 2n비트에 의해 예를들면 제1의 입력 레지스터(104)내에 연속하여 라이트된 후에 제2의 입력 레지스터(105)내에 라이트된다. 제2의 입력 레지스터(105)에 라이트를 실행하는 기간에, 제1의 입력 레지스터(104)의 데이타를 2n비트의 병렬 데이타로서 메모리 셀 어레이(5)에 전송한다. 그후에, 제2의 입력 레지스터(105)내의 2n비트의 라이트를 종료하면 다시 제1입력 레지스터(104)내의 라이트가 개시되어 그 기간내에 제2의 입력 레지스터(105)의 데이타를 2n비트의 병렬 데이타로서 메모리 셀 어레이(5)내에 전송한다.In a variant, the input registers 104 and 105 and the output registers 106 and 107 are 2 n bit registers. The serial data Din at the
이것에 의해, 단자(1)에서의 입력 데이타 신호 Din의 비트 2개 세트는 각각 2개의 입력 레지스터(104) 및 (105)내에 연속하여 페치되고, 한쪽의 입력 레지스터의 데이타가 메모리 셀 어레이(5)에 전송되기 전에 그 입력 레지스터에 새로운 Din이 페치되는 것을 방지하며 입력 레지스터에서 메모리 셀 어레이(5)로 전부 전송된다.As a result, two sets of bits of the input data signal Din at the
이상의 동작은 제20도의 실시예와 마찬가지로 2n의 W카운터(19)에서의 어드레스 데이타를 입력 레지스터 어드레스디코더(102)에서 디코드하고, 단자(1)에서의 Din을 레지스터내의 어느 어드레스부에 라이트하는가를 순차적으로 지정하고, W카운터(19)의 카운트 출력을 1/2주파수 분주기(100)에서 1/2주파수 분할한 신호에 의해, 단자(1)에서의 Din을 제1 및 제2의 입력 레지스터 어느 곳에 유도되는가를 지정하고 어느 레지스터의 데이타를 메모리 셀 어레이(5)에 전송하는가를 지정한다.In the above operation, similarly to the embodiment of FIG. 20, the address data of the 2 n
2개의 출력 레지스터(106) 및 (107)과 출력 레지스터 어드레스 디코더(103)은 출력단에 마련되어 입력 레지스터(104) 및 (105)와 입력 레지스터 어드레스 디코더(102)와 동일하게 순차적으로 동작한다. 따라서 제1의 출력 레지스터(106)의 데이타가 단자(2)에 직렬 데이타 Dout으로서 유도되어 있는 기간내에 메모리 셀 어레이(5)에서 제2의 레지스터(107)로 2n비트의 병렬 데이타가 전송된다. 제1의 출력 레지스터(106)의 데이타의 2n비트의 직렬 변환이 종료할 때, 제2의 출력 레지스터(107)의 데이타의 직렬 변환이 개시되어, 새롭게 메모리 셀 어레이(5)에서 제1의 출력 레지스터(106)으로 2n비트의 병렬 데이타가 전송된다.Two
제1 및 제2의 출력 레지스터(106) 및 (107)의 스위치를 사용하여, 2n을 카운트하는 R카운터(17)의 출력신호를 1/2주파수 분주기(103)에 의해 1/2주파수 분할된 신호에 의해 실행한다.By using the switches of the first and second output registers 106 and 107, the output signal of the
그 이외의 동작은 제20도의 실시예와 동일하고 출력 데이타는 제20도의 경우와 같이 얻을 수 있다.The other operations are the same as those in FIG. 20, and output data can be obtained as in the case of FIG.
제20도 내지 제26도의 실시예에서는 1~2n의 비트 변환량으로서 1~16의 경우에서 설명하였지만, 본 발명은 1~16에 한정되는 것은 아니고 1~8 또는 1~32이어도 좋다.In the embodiment of Figs. 20 to 26, the bit conversion amount of 1 to 2 n has been described in the case of 1 to 16, but the present invention is not limited to 1 to 16 but may be 1 to 8 or 1 to 32.
제3의 실시예에서는 2n비트의 단위로 데이타를 취급하고 팩시밀리등의 디지탈 메모리로서 사용하여 된다.In the third embodiment, data is handled in units of 2 n bits and used as a digital memory such as a facsimile.
또, 상술한 실시예에 있어서, 메모리 셀은 DRAM을 사용하기 때문에 리프레시 신호 발생 기구가 필요하지만 스테이틱메모리를 사용하면 제거할 수도 있다.In the above-described embodiment, since the memory cells use DRAMs, a refresh signal generation mechanism is required, but can be eliminated by using a static memory.
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-
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Also Published As
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KR890008805A (en) | 1989-07-12 |
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