Claims (7)
광전 변환 소자의 배열을 구비하며, 각각의 광전 변환 소자는 콜렉터 영역, 에미터 영역과 베이스 영역을 가진 영상 감지기에 있어서, 다수의 스위치 수단은 각각의 베이스 영역에 접속되며, 각각의 스위치 수단은 입사광에 대한 노출이 대응 광전 변환 소자를 리셋트하여 주어진 일정한 값에 대해 베이스 영역의 전위 레벨을 셋트하는 동안에 대응 광전 변환 소자가 그점에서 충전된 광전하를 방전한 후 동작하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.An image sensor having an array of photoelectric conversion elements, each photoelectric conversion element having a collector region, an emitter region and a base region, the plurality of switch means connected to each base region, each switch means being incident light And wherein the corresponding photoelectric conversion element operates after discharging the charged photocharge at that point while the exposure to the photoelectric conversion element resets the corresponding photoelectric conversion element to set the potential level of the base region for a given constant value.
제1항에 있어서, 주어진 제1전위 레벨로 취하고 각각의 콜렉터 영역에 접속된 공통전압 라인과, 주어진 제2전위 레벨에 리셋테이블 하고 각각의 에미터 영역에 접속된 공통 신호라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.2. The device of claim 1, comprising a common voltage line taken at a given first potential level and connected to each collector region, and a reset signal table at a given second potential level and connected to each emitter region. Video sensor made with.
제2항에 있어서, 또 다른 다수의 스위치 수단을 구비하며, 각 스위치 수단은 제2전위 레벨 보다도 제1전위 레벨에 보다 밀접하에 주어진 값으로 에미터 영역의 전위 레벨을 리셋팅하기 위해 대응 에미터 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.3. The apparatus of claim 2, further comprising a plurality of switch means, each switch means having a corresponding emitter for resetting the potential level of the emitter region to a given value closer to the first potential level than the second potential level. And an image sensor connected to the area.
제2항에 있어서, 각각의 스위치 수단은 제2전위 레벨 보다도 제1전위 레벨에 보다 밀접하게 주어진 일정한 값으로 베이스 영역의 전위 레벨을 리셋트하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.3. An image sensor according to claim 2, wherein each switch means is operative to reset the potential level of the base region to a constant value given closer to the first potential level than to the second potential level.
제1항에 있어서, 베이스 영역의 일부 표면에 걸쳐 배치된 베이스 전극을 구비하며, 상기 베이스 전극은 스위치 수단에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.An image sensor according to claim 1, comprising a base electrode disposed over a portion of the surface of the base area, the base electrode being connected to a switch means.
제5항에 있어서, 상기 스위치 수단은 드레인, 소스, 채널 및 게이트 영역을 구비하는 MOS 스위칭 트랜지스터로 이루어지며, 상기 베이스 전극은 MOS 스위칭 트랜지스터의 드레인 영역에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.6. The image sensor according to claim 5, wherein the switch means is composed of a MOS switching transistor having a drain, a source, a channel and a gate region, and the base electrode is connected to the drain region of the MOS switching transistor.
제1항에 있어서, 상기 스위치 수단은 드레인, 소스, 채널 및 게이트 영역을 구비하는 MOS 스위칭 트랜지스터로 이루어지며, 상기 드레인 영역은 광전 변환 소자의 베이스 영역으로서 또한 사용되어 있는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.2. An image sensor according to claim 1, wherein said switch means consists of a MOS switching transistor having a drain, a source, a channel and a gate region, said drain region also being used as a base region of a photoelectric conversion element.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.