Claims (2)
전원(VCC)측에 연결된 저항(R1) 및 제어다이오드(10)로 구성된 과전압 보호수단(1)과 상기 과전압 보호수단(1)에 연결되어 입력전압(VCC)을 제한하는 과전압 및 전류보호수단(3)과, 입력전압(VCC)에 의하여 출력전압을 발생시키는 달링톤회로(2)와, 과전압 및 전류보호수단(3) 및 달링톤회로(2)사이에 연결된 과전류 보호수단(4)으로 구성되어 출력전압(Vo)이 발생되는 회로에 있어서, 상기한 가전압 보호수단(1)대신에 입력전압의 증가시에 변화폭이 적은 전류원(Is)이 사용되게 한 과전압 보호회로.Overvoltage protection means (1) consisting of a resistor (R1) and a control diode (10) connected to the power supply (VCC) side and overvoltage and current protection means connected to the overvoltage protection means (1) to limit the input voltage (VCC) ( 3) a Darlington circuit 2 for generating an output voltage by the input voltage VCC, and an overcurrent protection means 4 connected between the overvoltage and current protection means 3 and the Darlington circuit 2; A circuit in which an output voltage Vo is generated so that a current source Is with a small change width is used when the input voltage is increased instead of the provisional voltage protection means (1).
제1항에 있어서, 전류원(Is)은, 전류(I)를 공급하는 PNP트랜지스터(Q11)와, PNP트랜지스터(Q11)와 대칭적으로 연결된 PNP트랜지스터(Q10)와, 저항(R7)을 통하여 연결된 전류제한용트랜지스터(Q9)와, 상기 전류 제한용트랜지스터(Q9)의 제어를 받아 동작하는 트랜지스터(Q7)(Q8)로 구성되고, 트랜지스터(Q8)의 콜렉터측에 PNP트랜지스터(Q10)의 콜렉터측이 연결되게 구성시킨 과전압 보호회로.The current source Is of claim 1, wherein the current source Is is connected to the PNP transistor Q11, which supplies the current I, the PNP transistor Q10 symmetrically connected to the PNP transistor Q11, and via a resistor R7. It consists of a current limiting transistor Q9 and transistors Q7 and Q8 operated under the control of the current limiting transistor Q9, and on the collector side of the transistor Q8, the collector side of the PNP transistor Q10. Overvoltage protection circuit configured to be connected.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.