Claims (24)
제1도전형의 반도체 기판상에 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 게이트산화막, 필드산화막 및 채널스토퍼를 구비한 반도체장치에 있어서, 상기 기판과 게이트 산화막 사이에 기판과 동일한 제1도전형의 불순물이 도우프되어 형성된 제2에피층과, 상기 게이트 전극 중간의 제2에피층 하부에 위치하여 일측면이 상기 기판과 접촉되도록 형성되는 분리막과, 상기 기판과 접촉되지 않는 분리막의 타측면과 이웃하는 반도체장치의 기판과 접촉되지 않는 분리막의 타측면 사이에 반도체 장치의 기판과 접촉되지 않는 분리막의 타측면 사이에 제1도전형의 불순물이 도우프되어 형성된 제1에피층을 구비함을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.A semiconductor device comprising a gate electrode, a drain and source electrode, a gate oxide film, a field oxide film, and a channel stopper on a semiconductor substrate of a first conductivity type, wherein impurities of the same first conductivity type as the substrate are formed between the substrate and the gate oxide film. A doped second epitaxial layer, a separator positioned below the second epitaxial layer in the middle of the gate electrode, and formed to have one side contacting the substrate, and a semiconductor adjacent to the other side of the separator not contacted with the substrate And a first epitaxial layer formed by doping a first conductive type impurity between the other side of the separator not in contact with the substrate of the device and the other side of the separator not in contact with the substrate of the semiconductor device. Semiconductor device.
제1항에 있어서, 제1에피층의 두께가 분리막의 길이와 같은 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.The semiconductor device of claim 1, wherein the thickness of the first epitaxial layer is equal to the length of the separator.
제1항에 있어서, 제1에피층의 두께가 200-700Å 정도임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.2. The highly integrated semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the first epitaxial layer is about 200-700 GPa.
제2항 및 제3항에 있어서, 제1 및 제2에피층들의 불순물 농도는 기판의 불순물 농도와 동일함을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.The semiconductor device of claim 2, wherein the impurity concentrations of the first and second epitaxial layers are the same as the impurity concentration of the substrate.
제1항에 있어서, 분리막이 산화막임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.The semiconductor device of claim 1, wherein the separator is an oxide film.
제5항에 있어서, 분리막의 두께가 500-1000Å 정도임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.6. The highly integrated semiconductor device according to claim 5, wherein the separator has a thickness of about 500-1000 GPa.
반도체장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판의 소정 부분에 트렌치를 형성하고 트렌치의 내측면에 분리막을 형성하는 공정과, 상기 기판을 시드로 하여 기판과 동일한 제1도전형의 불순물이 도우프된 제1에피층을 형성하는 공정과, 상기 기판, 제1에피층 및 분리막의 표면상에 상기 기판과 동일한 제1도전형의 불순물이 도우프된 제2에피층을 형성하는 공정과, 상기 기판과 제1에피층의 소정 영역상에 필드산화막을 형성함과 동시에 채널스토퍼를 형성하는 공정과, 상기 필드산화막이 형성되지 않은 제2에피층의 표면상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 분리막이 중간에 위치하도록 상기 게이트 산화막의 표면상에 게이트 전극을 형성하고 상기 필드산화막과 인접하는 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 공정을 구비함을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a trench in a predetermined portion of a semiconductor substrate of a first conductivity type and forming a separator on an inner surface of the trench; and an impurity of a first conductivity type that is the same as the substrate using the substrate as a seed; Forming a doped first epitaxial layer, and forming a second epitaxial layer doped with impurities of the same first conductivity type as the substrate on the surfaces of the substrate, the first epitaxial layer and the separator; Forming a channel stopper on a predetermined region of the substrate and the first epitaxial layer and simultaneously forming a channel stopper; forming a gate oxide on the surface of the second epitaxial layer on which the field oxide layer is not formed; And forming a gate electrode on the surface of the gate oxide film so that the separator is located in the middle and forming source and drain regions adjacent to the field oxide film. Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device.
제7항에 있어서, 제1에피층이 분리막의 길이와 같은 두께로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 7, wherein the first epitaxial layer is formed to have the same thickness as that of the separator.
제7항에 있어서, 제2에피층의 두께가 200-700Å 정도의 두께로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.8. The highly integrated semiconductor device according to claim 7, wherein the thickness of the second epitaxial layer is about 200-700 GPa.
제8항 및 제9항에 있어서, 제1및 제2에피층들이의 기판과 동일한 불순물 농도를 가짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.10. A method for fabricating a highly integrated semiconductor device according to claim 8 or 9, wherein the first and second epitaxial layers have the same impurity concentration as the substrate of the substrate.
제7항에 있어서, 분리막이 산화막으로 형성되어짐을 특징으로 고집적 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 7, wherein the separator is formed of an oxide film.
제11항에 있어서, 분리막이 500-1000Å 정도의 두께로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 11, wherein the separator is formed to a thickness of about 500-1000 GPa.
제1도전형의 반도체 기판상에 게이트전극, 드레인 및 소오스전극, 게이트산화막, 필드산화막 및 채널스토퍼를 구비한 반도체장치에 있어서, 상기 게이트 전극의 중앙부분에 위치하도록 게이트 산화막의 하부 기판 표면에 상기 기판과 동일한 제1도전형의 불순물이 도우프되어 형성된 에피층과, 상기 에피층의 하부에 상기 동기한 폭으로 형성된 분리막을 구비함을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.A semiconductor device comprising a gate electrode, a drain and source electrode, a gate oxide film, a field oxide film, and a channel stopper on a semiconductor substrate of a first conductivity type, wherein the semiconductor substrate is disposed on the lower substrate surface of the gate oxide film so as to be positioned at a central portion of the gate electrode. And an epitaxial layer formed by doping a first conductive type impurity that is the same as a substrate, and a separator formed in the synchronous width under the epitaxial layer.
제13항에 있어서, 에피층의 불순물 농도가 기판의 불순물 농도와 동일함을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.The highly integrated semiconductor device according to claim 13, wherein the impurity concentration of the epi layer is equal to the impurity concentration of the substrate.
제14항에 있어서, 에피층의 두께가 200-700Å 임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.15. The highly integrated semiconductor device of claim 14, wherein the epi layer has a thickness of 200-700 GPa.
제15항에 있어서, 에피층의 폭이 500-1000Å 임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.The highly integrated semiconductor device according to claim 15, wherein the epi layer has a width of 500-1000 GPa.
제13항에 있어서, 분리막이 산화막임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.The semiconductor device according to claim 13, wherein the separator is an oxide film.
제17항에 있어서, 분리막의 두께가 2500-3000Å 정도임을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치.18. The highly integrated semiconductor device of claim 17, wherein the thickness of the separator is about 2500-3000 GPa.
반도체장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판의 소정 부분에 트렌치를 형성하고 트렌치 내부에 소정 두께의 분리막을 형성하는 공정과, 상기 분리막의 상부에 기판을 시드로 하여 에피층을 형성하는 공정과, 상기 기판의 소정 영역상에 필드 산화막을 형성함과 동시에 채널스토퍼를 형성하는 공정과, 상기 필드산화막이형성되지 않은 기판의 표면상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 분리막이 중간에 위치하도록 상기 게이트 산화막의 표면상에 게이트 전극을 형성하고 상기 필드산화막과 인접하는 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정을 구비함을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a trench in a predetermined portion of a first conductive semiconductor substrate and forming a separator having a predetermined thickness inside the trench; and forming an epitaxial layer as a seed on the separator. Forming a field oxide film on a predetermined region of the substrate and simultaneously forming a channel stopper; forming a gate oxide film on the surface of the substrate on which the field oxide film is not formed; And forming a gate electrode on the surface of the gate oxide film and forming a source and a drain region adjacent to the field oxide film so as to be located at the gate oxide film.
제19항에 있어서, 에피층의 불순물 농도가 기판과 동일한 불순물 농도로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.20. The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 19, wherein the impurity concentration of the epi layer is formed at the same impurity concentration as the substrate.
제20항에 있어서, 에피층이 500-70Å 정도의 두께로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 20, wherein the epitaxial layer is formed to a thickness of about 500-70 GPa.
제21항에 있어서, 에피층이 500-1000Å 정도의 폭으로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 21, wherein the epi layer is formed in a width of about 500-1000 GPa.
제19항에 있어서, 분리막이 산화막으로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법의 제조방법.20. The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 19, wherein the separator is formed of an oxide film.
제23항에 있어서, 분리막이 2500-3000Å 정도의 두께로 형성되어짐을 특징으로 하는 고집적 반도체 장치의 제조방법.24. The method of manufacturing a highly integrated semiconductor device according to claim 23, wherein the separator is formed to a thickness of about 2500-3000 mm 3.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.