Claims (5)
접속창(7)에 금속배선막(6)을 도포시키는 방법에 있어서, 실리콘기판(1)에 불순물 주입영역(2)을 형성시키고 그 위에 절연막(3)을 도포시킨후 접속창(7)을 형성시키는 공정과, 상기 절연막(3)의에 질화티타늄막(4)을 스퍼터링 공정으로 도포시키는 공정과, 질소분위기에서 열처리시켜 질화티타늄막(4)과 불순물 주입영역(2)사이에 티타늄 실리사이드 막(5)이 형성되는 공정과, 상기 질화티타늄막(4)상부에 금속배선막(6)을 도포시키는 공정과, 로 되는 금속 배선막의 형성방법.In the method of applying the metal wiring film 6 to the connection window 7, the impurity injection region 2 is formed on the silicon substrate 1, the insulating film 3 is applied thereon, and then the connection window 7 is closed. Forming a film, applying a titanium nitride film 4 to the insulating film 3 by a sputtering process, and heat treating in a nitrogen atmosphere to form a titanium silicide film between the titanium nitride film 4 and the impurity implantation region 2. (5) is formed, a step of applying a metal wiring film (6) on the titanium nitride film (4), and a method of forming a metal wiring film.
제1항에 있어서, 절연막(3)위에 질화티타늄막(4)이 도포되게 하는 공정은 티타늄을 이온주입시키는 방법과 질화티타늄막(4)을 화학증착시키는 방법이 포함되는 금속배선막의 형성방법.The method for forming a metal wiring film according to claim 1, wherein the step of applying the titanium nitride film (4) onto the insulating film (3) includes a method of ion implanting titanium and a method of chemically depositing the titanium nitride film (4).
제1항에 있어서, 실리사이드막은 텅스턴 실리사이드, 티타늄 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드, 코발트 실리사이드중 어느하나를 사용하는 금속배선막의 형성방법.The method of claim 1, wherein the silicide film is one of tungsten silicide, titanium silicide, molybdenum silicide, and cobalt silicide.
제1항에 있어서, 고융점 금속배선막은 텅스텐, 티타늄, 몰리브덴, 코발트 중 어느하나를 사용하는 금속배선막의 형성방법.The method for forming a metal wiring film according to claim 1, wherein the high melting point metal wiring film uses any one of tungsten, titanium, molybdenum, and cobalt.
제1항에 있어서, 질화티타늄막(4)은 Ti-rich가 과잉 함유된 조성비를 가지는 금속배선막의 형성방법.The method for forming a metal wiring film according to claim 1, wherein the titanium nitride film (4) has a composition ratio in which Ti-rich is excessively contained.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.