KR900016754A - 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온농도 측정용 마이크로 프로브 - Google Patents
감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온농도 측정용 마이크로 프로브 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 사용된 감이온 전계효과 트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도,
제2도는 본 발명의 마이크로 프로브의 단면도,
제3도는 본 발명의 마이크로 프로브 팁부분의 일부절개 확대 사시도.
Claims (7)
- 일측단부(4a)를 모세관으로 세공한 유리관(4)안에 Ag/AgCl 박막(6)을 내장시키고 포화 KCI 용액(8)을 채워넣으며 이 Ag/AgCl 박막(6)의 리드선(9) 연결부위에 상기 용액(8)과의 절연을 위한 실리콘 고무(7)를 관통되게 설치한 상태에서 상기 유리관(4)의 타측단부와 결합시켜 모세관 기준전극을 구성하고, 일측단부에 ISFET칩(3)을 접착시킨 마이크로 해더(12)와 상기의 모세관 기준전극을 조합하여 주사바늘(5) 또는 가는 유리관 내에 함께 장착시켜서 구성한 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온농도 측정용 마이크로 프로브.
- 제1항에 있어서, 상기 마이크로 해더(12) 상에 알루미늄 패드를 증착 형성하고, 이 알루미늄 패드와 상기 ISFET 칩(3)의 드레인 소오스 및 접지단자를 각각 알루미늄선(13)(13′)(13″)으로 결선시킨 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브.
- 제1항에 있어서, 상기 ISFET 칩(3) 및 모세관 기준전극의 일측단부(4a)를 상기 주사바늘(5)의 일측단부에 배열시킨 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브.
- 제1항에 있어서, 상기 Ag/AgCl 박막(6)이 박판 유리의 기판(6a) 상에 Ag을 진공증착 시키고, 이 증착된 Ag위에 다시 AgCl을 증착, 형성시켜서 형성된 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브.
- 제1항에 있어서, 상기 마이크로 헤더(12)가 박판 유리를 기판으로 하고 그 위에 알루미늄을 진공증착시킨 후 사진식각을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도측정용 마이크로 프로브.
- 제1항에 있어서, 상기 모세관 기준전극의 일부가 외부케이스(9)안에 수납되고, 이 외부케이스(5)와 상기 주사바늘(5)이 나선 결합된 것을 특징으로 하는 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브.
- 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 마이크로 해더(12) 및 모세관 기준전극이 장착된 상기 외부케이스(9) 및 주사바늘(5)의 내부 잔여공간(11)에 에폭시 또는 실 리콘 고무를 흘려넣어서 다중층으로 캡슐화시킨 것을 특징으로 하는 이온 농도 측정용 마이크로 프로브.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890005448A KR910006275B1 (ko) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019890005448A KR910006275B1 (ko) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR900016754A true KR900016754A (ko) | 1990-11-14 |
KR910006275B1 KR910006275B1 (ko) | 1991-08-19 |
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ID=19285609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019890005448A KR910006275B1 (ko) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 이온 농도 측정용 마이크로 프로브 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR910006275B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20140140880A (ko) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 전자부품연구원 | 기준전극 |
-
1989
- 1989-04-25 KR KR1019890005448A patent/KR910006275B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR910006275B1 (ko) | 1991-08-19 |
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