KR900007886Y1 - 샷틀직기의 위사잔량 감지장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

샷틀직기의 위사잔량 감지장치

제1도는 본 고안의 전체적인 예시도.

제2도는 본 고안의 감지장치 단면예시도.

제3도는 본 고안의 회로도.

제4도는 본 고안의 파장예시도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 목관 2 : 투광공

3 : 원사 PG : 펄스신호 발생지

L : 반도체 발광램 C(C₁, C₂, C₃, C₄) : 콘덴서

R(R₁, R₂, R₃, R₄, R₅) : 저항기 A(A_l, A₂) : 고주파 증폭기

G : 검파기 D_l, D₂: 다이오드

F : 여과기 P : 신호처리기

Ry : 릴레이 스위치

본 고안은 샷틀직기의 북실에 남아있는 위사잔량을 정밀하게 감지하는 잔량감지장치에 관한 것이다.

종래의 북실 잔량감지장치는 투광부에 교류 6V에 연결된 백열전구를 두고 수광부로 투광하여 신호를 보내는 장치이므로 백열전등의 소비전류가 25W나 되어 직기가 많을경우 상당한 전기가 소모되는 불편이있었고 백열전구는 발열이 심하고 파손율이 높아 작업중에 손상을 입는 일이 잦았을 뿐아니라 위험성도 있었고 감지작용도 정밀하지 못해 오동작의 범위가 큰 결점이 있었다.

본 고안은 위와같은 종래의 결점을 시정하기 위하여 펄스신호 발생기와 반도체 발광램프에 의하여 펄스광을 발생시켜 이를 수광센서에 보내면 수신하는 부위에서 변조광을 전기신호를 바꾸어 이 신호를 증폭검파 여과하여 만들어지는 신호를 얻고 이를 송출하여 릴레이를 동작시키게 하므로써 극소량의 전류로서 감지기를 동작시킬수 있고 강지작용도 정확하며, 위험성도 없는 감지장치가 되도록한 것인데 이를 보다 상세히 도면에 의거 설명하면 다음과 같다.

본 고안의 투광기는 펄스신호 발생기(PG)와 반도체 발광랭프(L)로 구성하여 변조광을 송출하게 하고, 수광부는 변조된 광신호를 수광센서(S)에서 수신하여 전기신호로 바꾸고, 이 신호의 세기를 가변저항기(VR)를 통해 적절히 가변하여 콘덴서(C₁)에의 결합으로 증폭기에 입력하면 고주파증폭기(A_l)가 증폭하고 콘덴서(C₂)로 증폭된 신호를 검파기(G)에 전달하여 두개의 다이오드(D_l) (D₂)에 의하여 검파하게되며, 검파된 신호는 여과기(F)C₃, R₃, C₄를 통하여 저주파전기 신호로 되어나오게 되는데 이 신호를 고주파증폭기(A₂)에서 한번더 증폭하고 신호처리기(P)로 처리하여 릴레이 스위치(Ry)를 동작시키토록한 장치이다.

이와같이된 본 고안은 펄스신호 발생기(PG)에서 발생된 전기적 신호가 반도체 발광랭프가(다이오드) (L)에 흘리므로 램프의 밝기는 회로에 의하여 전류 변화에 따라 1초당 약3000-5000회의 빠른속도로 광변도가 일어나고 이 광변화가 수광센서(S)에 수광되면 수광센서(S)는 변조광을 수광하여 전기신호로 바꾸어서 신호의 세기를 가변저항기(VR)로 가변하여 증폭기(A₁)에 보내고 적절히 증폭된 것을 검파기(C)로 보내어 검파하고 검파된 신호는 여과기로 여과하여 소정신호 출력으로 바꾸어 다시 한변 증폭(A₂)하는 등의 과정을 거쳐 소정신호 출력으로 처리하여 송출하므로서 릴레이를 작동시키게되어 잔사를 감지하게 되는데 전자회로는 다소 복잡하지만 램프에 소요되는 전류소모가 약 10mA정도로 극소화되어 램프수명이 오래가는 실용성이 있고, 부가 이용된 회로전류는 L부분, 약10mmA, A₂부분, 5mA정도이므로 전체가 약 25mA정도가 되어 사용전원 약0.3W가 소요되므로 종래 25W에 비한다면 무시할 정도의 작은 전류가 되어 직기의 대수가 많으면 많을수륵 이득을 볼수 있을뿐 아니라 위험성도 없고 고장율도 적으며, 감지기능의 오차도 거의없는 실용적인 장치를 얻을수 있는 이점이 있게 되는 것이다.

Claims (1)

1. 펄스신호발생기(PG)와 반도체 발광램프(L)에 의하여 만들플어지는 변조된 광신호를 투광부에 두고 수광센서(S)에서는 수광된 변조광신호를 전기신호로 바꾸고 이를 증폭하고 검파하여 여과시키므로서 소정신호 출력으로 만들어 이를 통해 릴레이 스위치(Ry)를 작동시키게한 샷틀직기의 위사잔량 감지장치.