KR900003905A - 우라늄 산화물을 부동화시켜 산화를 억제하는 방법 및 이 방법에 의한 내산화성 우라늄 제품 - Google Patents

우라늄 산화물을 부동화시켜 산화를 억제하는 방법 및 이 방법에 의한 내산화성 우라늄 제품 Download PDF

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Abstract

내용없음.

Description

우라늄 산화물을 부동화시켜 산화를 억제하는 방법 및 이 방법에 의한 내산화성 우라늄 제품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법을 실시하기 위한 공정 단계의 블럭선도이고,
제2도는 본 발명의 처리된 제품의 세부도이며,

Claims (25)

  1. 미립자형 우라늄 산화물을 약 0.03 내지 약 3.0%농도의 산소를 함유하는 분위기 내에서 약 40 내지 약 250℃의 온도하에 최소한 약 20분 내지 약 120분간 처리하는 것을 특징으로 하여, 미립자형 우라늄 산화물 표면위에 보호 수화물 표면층을 형성시켜 이 미립자 표면에 산소의 화학 흡착을 방지함으로써 미립자형 우라늄 산화물의 표면부를 부동화시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 미립형 우라늄 산화물은 산소 함유 분위기 내에서 약 20 내지 약 120분간 처리한 후, 최소한 약 25℃의 온도로 급냉시킴을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 40 내지 약 100℃의 온도에서 처리함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 100 내지 약 250℃의 온도에서 처리함을 특징으로 하는 방법.
  5. 미립자형 우라늄 산화물을 약 0.03 내지 약 3.0% 농도의 산소를 함유하는 분위기 내에서 약 40 내지 250℃의 온도하에 적어도 약 20분 내지 약 120분간 처리하고, 이와 같이 처리된 미립자형 우라늄 산화물을 적어도 약 25℃의 온도로 급냉시킴을 특징으로 하여, 미립자형 우라늄 산화물 표면위에 보호 수화물 표면층을 형성시켜 이 미립자 표면에 산소의 화학흡착을 방지함으로써 미립자형 우라늄 산화물의 표면부를 부동화시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 40 내지 약 100℃의 온도에서 처리하여 그 입자 표면상에 이수화물이 지배적인 보호수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법
  7. 제5항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 100 내지 약 250℃의 온도에서 처리하여 이 미립자 표면상에 일수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  8. 제5항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 100 내지 약 220℃의 온도에서 처리함을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 분위기 중의 산소함량이 약 0.5 내지 약 2.0%인 방법.
  10. 미립자형 우라늄 산화물은 약 0.5 내지 약 2.0% 농도의 산소를 함유하는 분위기 내에서 약 40 내지 약 250℃의 온도하에 적어도 약 20분 내에 약 120분간 처리하고, 이와같이 처리된 미립자형 산화물을 적어도 약 25℃까지의 온도로 급냉시킴을 특징으로 하는 미립자 우라늄 산화물 표면위에 보호수화물 표면층을 형성시켜, 이 미립자 표면에 산소의 화학 흡착을 방지함으로써 미립자 우라늄 산화물의 표면부를 부동화시키는 방법
  11. 제10항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 40 내지 약 100℃의 온도에서 처리하여 그 입자 표면위에 이수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 100 내지 약 250℃의 온도에서 처리하여 이 입자 표면위에 일수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 산소함유 분위기 내에서 약 30분 내지 약 60분간 처리함을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 분위기 중의 산소 함량이 약 2.0%인 방법.
  15. 미립자형 우라늄 산화물을 약 2부피% 농도의 산소를 함유하는 분위기 내에서 약 50 내지 약 200℃의 온도하에 적어도 약 30 내지 약 60분간 처리하고, 이 미립자형 산화물을 적어도 약 25℃의 온도로 급냉시킴을 특징으로 하여, 미립자형 우라늄 산화물 표면위에 보호수화물 표면층을 형성시켜 이 미립자 표면 위에서 산소의 화학 흡착을 방치함으로써 미립자형 우라늄 산화물의 표면부를 부동화시키는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 50 내지 약 100℃의 온도에서 처리하여 이 입자 표면위에 이수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 100 내지 약 200℃의 온도에서 처리하여 이 입자 표면위에 일수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  18. 제15항에 있어 2.0 용적% 산소를 함유하는 분위기를 연속 흐름 형태로 가함으로서 산화반응열을 그 산화반응과 동시에 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제15항에 있어서, 산소함유 분위기를 우라늄 산화물의 단위 그람 중량당 약 0.005 내지 약 0.010입방 피트의 유속으로 유입시킴을 특징으로 하는 방법.
  20. 미립자형 우라늄 산화물을 우라늄 산화물의 단위 그람 중량당 약 0.005 내지 약 0.010 입방 피트의 유속으로 유입되고 약 0.03 내지 3.0%농도의 산소를 함유하는 대기 내에서 약 40 내지 약 250℃의 온도하에 최소한 약 20분 내지 약 120분간 처리한 후, 이와 같이 처리한 미립자형 우라늄 산화물을 최소한 약 25℃의 온도로 급냉시킴을 특징으로 하여 미립자형 표면 위에 보호 수화물 표면층을 형성시켜 이 미립자 표면위에 산소의 화학 흡착을 방지함으로써, 미립자형 우라늄 산화물의 표면부를 부동화시키는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 40 내지 약 100℃의 온도에서 상기한 분위기내에서 처리하여 그 입자 표면위에 이수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 약 100 내지 250℃의 온도에서 상기 분위기 내에서 처리하여 그 입자 표면상에 일수화물이 지배적인 보호 수화물 표면층을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  23. 제20항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 상기 분위기 내에서 약 100 내지 약 220℃의 온도에서 처리함을 특징으로 하는 방법.
  24. 제20항에 있어서, 분위기 중의 산소 함량이 약 0.5 내지 약 2.0%임을 특징으로 하는 방법.
  25. 제20항에 있어서, 미립자형 우라늄 산화물을 상기 산소함유 분위기 내에서 약 30분 내지 약 60분간 처리함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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