KR900002293Y1 - Secam방식의 vtr에서의 pal방식 처리회로 - Google Patents

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KR900002293Y1 KR2019870011284U KR870011284U KR900002293Y1 KR 900002293 Y1 KR900002293 Y1 KR 900002293Y1 KR 2019870011284 U KR2019870011284 U KR 2019870011284U KR 870011284 U KR870011284 U KR 870011284U KR 900002293 Y1 KR900002293 Y1 KR 900002293Y1
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Abstract

내용 없음.

Description

SECAM방식의 VTR에서의 PAL방식 처리회로
본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 믹서용 집적소자 2 : 녹화앰프 집적소자
3 : 칼라처리용 집적소자 D1, D2: 다이오드
Q1: 트랜지스터 R1-R6: 저항
L1: 인덕턴스코일 SW : 절환스위치
본 고안은 SECAM방식의 VTR에서의 PAL방식 처리회로에 관한 것이다.
텔레비젼 방송방식과 같이 비데오 테이프 레코어도 (VTR)에는 미주 지역의 NTSC방식, 독일의 PAL방식 및 프랑스의 SEM 방식등이 있기 때문에 각기 다른 방식으로 녹화된 경우에 있어서는 테이프의 호환성이 없는 단점이 있는 것이다.
본 고안은 PAL방식 및 SECAM 방식의 처리 방식에 있어서 칼라신호 처리시에만 생기는 차이점이 있는 점을 착안하여 PAL 방식인 경우에 칼라 신호가 처리되지 못하게 하여 흑백으로 PAL 방식의 녹화 및 재생을 행할 수 있게 하고 SECAM방식은 그대로 칼라로 처리할 수 있는 VTR을 제공하고자 하는 것으로 절환스위치가 트랜지스터의 구동을 제어하여 칼라 처리용 집적소자에 공급되는 전원을 제어할 수 있게 구성시킨 것이다.
이를 첨부 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
PAL 및 SECAM 방식을 선택하는 절환스위치(SW)가 인덕턴스코일(L1) 및 저항(R3)(R2)을 통하여 트랜지스터(Q1)의 베이스측과 연결되게 구성하고 콜렉터측에 공급되던 전원단자(B+)가 다이오드(D1)(D2) 및 저항(R1)(R5)(R6)을 통하여 일측으로 칼라처리용 집적소자(3)의 재생단자(PB) 및 녹화단자(REC)와 접속되게 구성하고 타측으로 저항(R5)(R6) 및 콘덴서(C1)(C2)를 통하여 믹서용 집적소자(1)와 녹음앰프 집적소자(2)가 연결되게 구성시킨 것이다.
여기서 믹서용 집적소자(1)는 재생시 칼라신호 및 휘도신호를 혼합시키는 역활을 하며 녹음앰프 집적소자(2)는 녹화시 증폭시키는 역활을 하고 콘덴서(C1)(C2)는 직류차단용 콘덴서이며 콘덴서(C3)는 리플제거용이다.
이와 같이 구성된 본 고안에서 PAL 모우드를 선택하기 위하여 절환스위치(SW)를 단자(P)에 접속시키면 전원(5V)이 절환스위치(SW)를 통하여 인덕턴스코일(L1) 및 저항(R3)(R2)에 인가되어 트랜지스터(Q1)의 베이스측에 바이어스 전원을 공급하므로 트랜지스터(Q1)도통되어 전원(B+)이 트랜지스터(Q1)이 콜렉터측으로 흐르게 된다.
따라서 칼라처리용 집적소자(3)에 공급되던 전원을 차단시키므로 재생시 칼라처리용 집적소자(3)의 재생단자(PB)가 접지와 연결된 상태가 되어 칼라 신호를 차단하고 녹화시에는 녹화단자(REC)가 접지와 연결된 상태가 되어 칼라 신호를 차단시키므로써 흑백 신호만 녹음 및 재생 할수가 있는 것이다.
또한 절환스위치(SW)를 SECAM 모우드로 절환시키는 경우에는 절환스위치(SW)가 단자(S)와 연결되므로 트랜지스터(Q1)의 베이스측은 전원(B+)이 재생단자(PB)에 공급되어 칼라 신호를 처리하게 되고 녹화시에는 전원(B+)이 녹화단자(REC)에 공급되어 녹화시 칼라 신호를 처리할 수 있게 된다.
이상에서와 같이 본 고안은 SECAM 방식의 재생 및 녹화시에는 칼라처리를 정상적으로 행할 수 있게 하고 PAL 방식에 따른 재생 및 녹화시에는 칼라 성분을 완전히 차단시켜 흑백으로 재생 및 녹화가 되게 함으로써 각기 다른 방식에서의 비데오 테이프를 호환성 있게 사용할 수가 있는 이점이 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 절환스위치(SW)를 통하여 인덕턴스코일(L1) 및 저항(R3)(R2)이 연결되어 트랜지스터(Q1)의 베이스측과 연결되게 구성하고 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에 전원(B+)공급단자가 다이오드(D1)(D2)를 통하여 일측으로 칼라처리용 집적소자(3)의 재생단자(PB) 및 녹화단자(REC)와 연결되게 구성시키며 타측으로 콘덴서(C1)(C2) 및 저항(R5)(R6)을 통하여 믹서용 집적소자(1)와 녹음앰프 집적소자(2)와 연결되게 구성시킨 SECAM 방식의 VTR에서의 PAL 방식 처리회로.
KR2019870011284U 1987-07-10 1987-07-10 Secam방식의 vtr에서의 pal방식 처리회로 KR900002293Y1 (ko)

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