KR900001779B1

KR900001779B1 - The dispenser type cathode and this manufacturing methode

Info

Publication number: KR900001779B1
Application number: KR1019860004914A
Authority: KR
Inventors: 가쯔오 유하라; 마사하루 구마다; 마사아키 야마우찌
Original assignee: 가부시기가이샤 히마찌세이사구쇼; 미따 가쯔시게; 히다찌데바이스엔지니어링 가부시기가이샤; 다께이 유끼오
Priority date: 1985-06-24
Filing date: 1986-06-20
Publication date: 1990-03-24
Also published as: KR870000732A; JPS61294731A

Abstract

An infiltration type cathode has a poroustbody member made of high melting point metal. in. The said porous body has impregnated electron emitting material. The supporting member has high density body on some part or hole part except the electron emitting face of the said porous body member. The porous body member and the high density body are joined to one another by welding.

Description

Impregnated cathode and its manufacturing method

제1도는 본 발명에 의한 함침형 음극의 일실시예를 표시하는 요부단면 평면도.1 is a cross-sectional plan view of the main portion showing an embodiment of the impregnated cathode according to the present invention.

제2도 내지 제4도는 본 발명에 의한 함침형 음극의 다른 실시예를 표시하는 요부단면 평면도.2 to 4 are main cross-sectional plan views showing another embodiment of the impregnated cathode according to the present invention.

제5도 및 제6도는 본 발명에 의한 함침형 음극의 제조방법을 설명하기 위한 요부단면 평면도.5 and 6 are main cross-sectional plan views for explaining a method of manufacturing an impregnated cathode according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 다공성기체 1a : 전자방사면1: porous gas 1a: electron radiation surface

1b : 바닥면 1c : 외주면1b: Bottom surface 1c: Outer peripheral surface

2 : 고밀도기체 3 : 컵2: high density gas 3: cup

3a : 컵의 바닥면 4 : 히이터3a: bottom side of cup 4: heater

5 : 슬리이브 6 : 디스크5: sleeve 6: disk

8 : 링누름 10 : 빈구멍8: ring pressing 10: empty hole

11 : 다공성기체 11a : 전자방사면11 porous gas 11a electron radiation surface

11b : 바닥면 12 : 고밀도기체11b: Floor 12: High Density Gas

21 : 다공성기체 21a : 전자방사면21: porous gas 21a: electron radiation surface

22 : 고밀도기체 31 : 다공성기체22: high density gas 31: porous gas

31a : 전바방사면 32 : 고밀도기체31a: front radiation surface 32: high density gas

본 발명은 전자관, 예를 들면 음극선관등에 사용되는 함침형 음극 및 그 제조방법에 관한 것이다. 함침형 음극은 높은 전류밀도를 얻을 수 있기 때문에, 최근 각종 전자관에 채용되어가고 있다. 이 함침형 음극은, 고융점금속, 예들들면 텅스텐(W), 텅스텐-아리듐합금등의 금속으로된 다공성기체(多孔性基體)에 BaO, CaO, Al₂O₃등으로 이루어진 전자방사물질을 용융함침시킨 것을 기본구성으로 하고, 이것에 상기 다공성기체를 유지하는 예를들면 W, Mo, Ta, Re등으로 이루어진 컵 및/또는 슬리이브를 구비하는 구성으로 되어 있다.The present invention relates to an impregnated cathode used in an electron tube, such as a cathode ray tube, and a method of manufacturing the same. Since the impregnated cathode can obtain a high current density, it has recently been adopted in various electron tubes. The impregnated cathode is formed of a porous substrate made of a high melting point metal such as tungsten (W) or a tungsten-aridium alloy such as BaO, CaO, Al ₂ O _3, or the like. The melt-impregnated element is a basic configuration, and is configured to include a cup and / or a sleeve made of, for example, W, Mo, Ta, Re, etc. to hold the porous gas therein.

이와 같은 구성의 함침음극은, 그 각 구성부품, 즉 다공성기체, 컵, 슬리이브가 고융점 금속으로 구성되어 있기 때문에, 부품상호의 조립결합에 문제가 있었다. 즉, 다공성기체가 융전 3370℃의 W으로 이루어지고, 또 컵 및/또는 슬리이브가 융점 2940℃의 Ta로 형성되어 있는 것에 있어서, 이것은 용접하는데도 적어도 한쪽 금속의 융점이상으로 피용접부를 가열할 필요가 있다. 그러나, 다공성기체에는 융점이 1700℃ 정도의 전자방사 물질이 함침되어 있기 때문에, 용접시에 이 전자방사물질이 용융, 증발하여 피용접부에 구멍이 뚫리고, 조립결합의 기계적 강도도 확보할 수 없다고 하는 문제가 있었다.The impregnated cathode having such a configuration has a problem in assembling and joining the components, because each component, that is, the porous gas, the cup, and the sleeve, is made of a high melting point metal. That is, in the case where the porous gas is made of W of 3370 ° C. and the cup and / or sleeve are formed of Ta having a melting point of 2940 ° C., this requires heating the welded portion above the melting point of at least one metal even when welding. There is. However, since the porous gas is impregnated with an electron-spinning material having a melting point of about 1700 ° C., the electron-spinning material melts and evaporates during welding, causing a hole to be welded to the welded portion, and it is impossible to secure the mechanical strength of the assembling bond. There was a problem.

본 발명자등의 실험, 연구에 의하면, 상술한 바와같은 용접에 의한 조립결합을 행한 함침용 음극을 음극선관에 실장(實裝)하여 수명시험을 실시한 결과, 커트오프전압의 변동이 현재 주류로 되어 있는 산화물 음극의 것에 비하여 2배를 초과하는 것도 발생하고, 또한 이 음극선관을 분해조사한바, 다공성기체가 약간의 힘으로 컵으로부터 탈락해버린다는 것이 확인되어 있다.According to the experiments and studies of the present inventors, as a result of the life test performed by mounting the impregnating cathode, which has been assembled and bonded by welding as described above, in the cathode ray tube, the variation of the cut-off voltage is now mainstream. More than twice as much as that of the oxide cathode present, and the cathode ray tube was decomposed and irradiated, and it was confirmed that the porous gas dropped out of the cup with a slight force.

이러한 문제점에 대처하기 위하여, 예를들면 일본국 특개소 59-108233호 공보에 표시된 바와같이, 음극기체와 컵의 사이에 용접재를 개재시키거나, 또 일본국 특개소 59-111222호 공보에 표시된 바와같이, 음극기체의 측벽부에 오목부를 형성하고, 이 오목부에 대응하는 컵과 음극슬리이브의 부분에 레이저광을 조사하여 용융시켜 얻어지는 컵과 음극슬리이브의 돌출부와 오목부의 고착에 의하여 음극기체를 고정하는 방법등이 제안되어 있다.In order to cope with this problem, for example, as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 59-108233, a welding material is interposed between the cathode gas and the cup, or shown in Japanese Patent Laid-Open No. 59-111222. As described above, the cathode is formed by forming a recess in the side wall of the cathode gas, and fixing the projection and the recess of the cup and the cathode sleeve obtained by irradiating and melting a laser beam to the cup and the cathode sleeve corresponding to the recess. The method of fixing a gas is proposed.

이들 두 가지의 방법은, 어느것에 있어서도, 전자방사물질이 함침된 다공성기체와 컵 및/또는 슬리이브를 직접용접하는 것은 곤란함으로, 그 개선안을 제공하는 것이나, 이들 방법에 의해서 강고하게 고착하는 것은 곤란하였다.In both of these methods, it is difficult to directly weld a porous gas impregnated with an electromagnetic radiation material and a cup and / or a sleeve, and therefore, to provide an improvement, or to firmly fix by these methods. It was difficult.

본 발명은 상술한 바와같은 사정에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 다공성기체와 이 다공성기체를 윗부분에 유지하는 유지부재를 강고하게 용접고착할 수 있는 함침형음극 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an impregnated cathode and a method of manufacturing the same, which can firmly weld-fix a porous gas and a holding member holding the porous gas on an upper portion thereof.

이와같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 전자방사물질이 함짐된 고융점 금속의 다공성기체와, 이 다공성기체의 적어도 전자방사면의 일부를 제외한 일부 혹은 전체외주부에 고착배치된 고융점 금속의 고밀도기체(高密度基體)와, 상기 다공성기체를 윗부분에 유지하는 유지부재를 가지고, 이 유지부재와 상기 고밀도기체를 용접고착하여 이루어지는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a porous gas of a high melting point metal containing an electron radiating material, and a high melting point metal fixedly disposed on a part or the entire outer circumference except at least a part of the electron emitting surface of the porous gas. It has a high density gas and the holding member which hold | maintains the said porous gas in the upper part, and this holding member and the said high density gas are welded and fixed.

또 본 발명의 제조방법은, 고융도 금속으로된 링형상의 고밀도기체를 형성하고, 이 고밀도기체의 안쪽에 고융점금속분말을 충전한 후 압축성형하여, 이 상태로 소결해서 고밀도기체의 안쪽에, 고착하여 다공성기체를 형성하고, 그후 이 다공성기체에 전자방사물질을 함침시키는 것이다.In the manufacturing method of the present invention, a ring-shaped high density gas made of a high melting metal is formed, and a high melting point metal powder is filled in the inside of the high density gas, followed by compression molding. In order to form a porous gas, the porous gas is then impregnated with an electron emitting material.

또한 본 발명의 다른 제조방법은, 고융점금속분말을 성형금형내에 충전한후 압축성형하여, 그후 소결해서 다공성기체를 형성하고, 다음에 상기 소결온도보다 낮은 온도로 또한 금속의 증기를 함유한 분위기속에서 가열하여 다공성기체의 외주부에 고밀도층을 형성한후, 이 고밀도층의 일부를 제거하여 고밀도기체를 형성하고, 그후 상기 다공성기체에 전자방사물질을 함침시키는 것이다.According to another method of the present invention, the high-melting-point metal powder is filled into a molding die and then compression molded, followed by sintering to form a porous gas, and then an atmosphere containing a vapor of metal at a temperature lower than the sintering temperature. After heating in to form a high density layer on the outer periphery of the porous gas, a portion of the high density layer is removed to form a high density gas, and then the porous gas is impregnated with an electron emitting material.

다음에 도면을 사용하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

제1도는 본 발명에 의한 함침형 음극의 일실시예를 표시하는 요부단면도이다. 동도면에 있어서, (1)은 예를들면 W, W-Ir 합금등의 고융점금속으로된 판형상의 다공성기체이며, 빈구멍률(空孔率) 20~25%를 나타내는 그 내부에는 전자방사물질(도시하지 않음)이 함침되어 있다. (2)는 상기 다공성기체(1)와 동일재질의 고융점금속으로된 고밀도기체로서, 상기 다공성기체(1)의 전자 방사면(1a) 및 바닥면(b)을 제외한 옆외주면(1c)을 둘러싸고, 또한 이것과 강고하게 고착되어 있다. 그리하여 상기 다공성기체(1), 고밀도기체(2) 및 전자방사물질로 음극기체를 구성하고 있다. (3)은 컵으로서, 이 컵(3)은 W, Mo, Ta, Re, Mo-Re 합금등의 고융점 금속으로 구성되어 있으며, 상기 고밀도기체(2)와 둘레위의 복수점(A)에서 강고하게 융접고착되어 있다.1 is a sectional view showing the main parts of an embodiment of an impregnated cathode according to the present invention. In the same figure, (1) is a plate-like porous gas made of a high melting point metal such as, for example, W or W-Ir alloy, and has electrospinning therein showing a void ratio of 20 to 25%. The material (not shown) is impregnated. (2) is a high-density gas made of a high melting point metal of the same material as the porous gas (1), the side outer peripheral surface (1c) excluding the electron emitting surface (1a) and the bottom surface (b) of the porous gas (1) It surrounds and adheres firmly to this. Thus, the cathode gas is composed of the porous gas 1, the high density gas 2, and the electron emitting material. (3) is a cup, which is composed of high melting point metals such as W, Mo, Ta, Re, and Mo-Re alloys, and has a plurality of points (A) on the high density gas (2) and its circumference. Is firmly glued in

그리하여, 이 컵(3)의 바닥면(3a)이 다공성기체(1)의 바닥면(1b)에서 증발하는 전자방사물질을 차단하여 히이터(4)에 상기 전자방사물질이 부착하는 것을 방지하고 있다. (5)는 슬리이브로서, 상기 컵(3)과 마찬가지의 고융점금속으로 구성되어 있으며, 상기 컵(3)과 둘레위의 복수점(B)에서 용접고착되고, 또 타단부는 디스크(6)와 둘레위의 복수점(C)에서 용접고착되어 있다. 또한, 상기 디스크(6)로서는 Ni재(Ni材)등이 사용된다.Thus, the bottom surface 3a of the cup 3 blocks the e-radioactive material evaporating from the bottom surface 1b of the porous gas 1 to prevent the electron-radiating material from adhering to the heater 4. . (5) is a sleeve and is made of the same high melting point metal as the cup 3, and welded and fixed at the plurality of points B on the cup 3 and its circumference, and the other end of the disk 6 ) And plural points C on the circumference. As the disk 6, a Ni material (Ni 등) or the like is used.

이와 같은 구성에 있어서, 상기 고밀도기체(2)는 그 두께(T₁)가 20㎛이상의 두께를 가지며, 이 예에서는 80㎛로 형성하고 있다. 이 두께(T₁)은 그 목적에 비추어 용접강도가 확보될 수 있는 것이면 좋으나, 극단적으로 너무 두꺼우면 가열을 위한 히이터 전력의 소비가 커져서 좋지 않으며, 또 20㎛ 미만으로되면 효과를 기대할 수 없다.In such a configuration, the high density gas 2 has a thickness T ₁ of 20 µm or more, and in this example, 80 µm. The thickness T ₁ is preferably one in which welding strength can be secured in view of the purpose. However, if the thickness T ₁ is extremely too thick, the consumption of heater power for heating is not good, and if the thickness is less than 20 μm, no effect can be expected.

제1도와 같은 구성에서는 50~150㎛정도가 바람직하다. 이 제1도의 예에서 각부품의 치수는 다음과 같다. 다공성기체(1)의 직경 : 1.3㎜, 두께 : 0.50㎜, 컵(3)의 두께 : 90㎛, 외경 : 1.64㎜ 이와 같은 구성이면, 다공성기체와 고밀도기체를 포함한 음극기체가 유지부재인 컵 및/또는 슬리이브와 강고하게 고착될 수 있으며, 특히 고밀도기체가 피용접부로 되기 때문에, 전자방사물질의 증발에 이르는 것과 같은 영향을 완전히 제거하는 것이 가능하게 되고, 또한 용접의 신뢰성을 확보할 수 있다. 상술한 실시예로 되는 함침형 음극을 음극선관에 실장하여 수명시험을 실시한 결과, 종래의 함침형 음극에서 문제가 된 커트오프전압의 변동은 산화물 음극을 사용한 음극선관과 거의 동일하게 되고, 또 분해조사한 결과에서도 음극기체는 강고하게 유지부재에 용접고착되어 있으며, 기계적인 문제도 전연 생기지 않았다.In the structure like FIG. 1, about 50-150 micrometers is preferable. In the example of FIG. 1, the dimensions of each part are as follows. The diameter of the porous gas 1 is 1.3 mm, the thickness is 0.50 mm, the thickness of the cup 3 is 90 μm, and the outer diameter is 1.64 mm. In such a configuration, a cup in which the cathode gas containing the porous gas and the high density gas is a holding member; And / or firmly adhere to the sleeve, and especially since the high density gas becomes a welded portion, it is possible to completely eliminate the effects such as evaporation of the electron-emitting material and to ensure the reliability of welding. . As a result of the life test performed by mounting the impregnated cathode according to the above-described embodiment on the cathode ray tube, the variation in the cut-off voltage which is a problem in the conventional impregnated cathode becomes almost the same as that of the cathode ray tube using the oxide cathode, As a result of the investigation, the cathode gas was firmly welded to the holding member, and no mechanical problem occurred.

다음에 제2도 내지 제4도는, 본 발명의 함침형 음극의 다른 실시예를 표시하는 요부단면평면도로서, 제1도와 같은 부분에는 동일기호를 붙이고 있다.Next, FIGS. 2 to 4 are main cross-sectional plan views showing another embodiment of the impregnated cathode of the present invention, with the same symbols as in FIG.

제2도에서는, 다공성기체(11)의 전자방사면(11a)과는 반대쪽의 바닥면(11b)에 고밀도기체(12)를 배치하고, 양자를 강고하게 고착하는 동시에 슬리이브(5)와 고밀도기체(12)를 둘레위의 복수점(D)에서 용접고착하고 있다. 이 구조에서는 상기 고밀도기체(12)가 제1도에서의 컵(3)과 마찬가지의 역하를 겸하고 있으며, 두께(T₂)는 용접강도를 확보하는 의미에서도 이 예에서는 250㎛로 하고 있다. 이 두께(T₂)는 용접에 사용하는 레이저비임과의 관계도 있으나, 100~400㎛정도가 바람직하다.In FIG. 2, the high density gas 12 is disposed on the bottom surface 11b on the opposite side of the electron emitting surface 11a of the porous gas 11 to firmly adhere both to the sleeve 5 and the high density. The base 12 is welded and fixed at a plurality of points D on the circumference. In this structure, the high-density gas 12 serves the same reverse role as the cup 3 in FIG. 1, and the thickness T ₂ is set to 250 mu m in this example in the sense of securing welding strength. The thickness T ₂ is also related to the laser beam used for welding, but is preferably about 100 to 400 μm.

제3도는 다공성기체(21)의 전자방사면(21a)을 제외한 전체면을 고밀도기체(22)로 덮는 구조로 하고 있다. 이구조에서의 고밀도기체(2)의 두께는 전술한 제1도와 동일한 정도이다.3 shows a structure in which the entire surface of the porous gas 21 except for the electron emission surface 21a is covered with the high density gas 22. The thickness of the high density gas 2 in this structure is about the same as that of FIG.

제4도는 다공성기체(31)의 전자방사면(31a)의 중앙부를 제외한 전체면을 고밀도기체(32)로 덮는 구조로 하고 있다. 이 구조에서의 고밀도기체(32)의 두께는 상기한 제1도 및 제3도와 동일한 정도이다.4 shows a structure in which the entire surface except for the central portion of the electron emission surface 31a of the porous gas 31 is covered with the high density gas 32. The thickness of the high density gas 32 in this structure is about the same as that of FIG. 1 and FIG.

이와 같은 제2도 내지 제4도의 구성에서, 먼저 제2도는 유지부재의 컵을 필요로하지 않아, 부품점수의 감소와 고착의 신뢰성 확보가 용이하게 된다.In such a configuration of FIGS. 2 to 4, first, FIG. 2 does not require a cup of the holding member, so that it is easy to reduce the number of parts and to secure the reliability of fixation.

또 제3도의 구성에서는 전자방사면을 제외한 전체면을 고밀도기체로 덮고 있기 때문에, 다공성 기체와 고밀도기체와의 고착이 일층 강고하게 되어 있다.In addition, in the structure of FIG. 3, since the entire surface except the electron emission surface is covered with a high density gas, the adhesion between the porous gas and the high density gas is further strengthened.

또한 제4도의 구성에서는 다공성기체와 고밀도기체와의 고착이 강고할 뿐만 아니라, 전자방사면으로부터의 불필요한 증발을 방지하는 효과가 있다. 또한, 전술한 다공성기체의 빈구멍률은 일반적으로는 20~25% 정도이다.In addition, in the configuration of FIG. 4, not only the adhesion between the porous gas and the high density gas is strong, but also there is an effect of preventing unnecessary evaporation from the electron emitting surface. In addition, the porosity of the above-mentioned porous gas is generally about 20 to 25%.

다음에 제5도는 본 발명의 힘침용 음극의 제조방법을 설명하기 위한 요부단면도이며, 먼저 동도면(a)에 표시한 바와같이 링형상의 고밀도기체(2)를 형성한다. 이것은 W 분말을 소정의 치수로 압축성형한 후에, 환원성 또는 진공분위기 속에서 충분히 긴시간, 예를들면 2000℃ 6시간 소결하여 형성한다. 이 고밀도기체(2)를 동도면(b)에 표시한 바와같이 프레스기(機)의 금형(7)에 삽입하여, 링누름(8)으로 누르고, 내부에 소정의 중량의 입자직경 3~8㎛의 W 분말을 충전한후, 소정의 압력으로 압축한다. 다음에 이 W 분말이 충전된 고밀도기체(2)를 환원성 또는 진공분위기 속에서, 소정의 온도로 소정의 시간, 예를들면 1900℃ 2시간 소결하여, 동도면(C)에 표시한 바와 같이 내부에 빈구멍률 20~25%의 빈구멍(10)을 가진 다공질기체(1)을 형성한다. 이때, 소결에 의하여 표면이 수축하여 오목부를 형성하므로, 샌드페이퍼등으로 연마하여 동도면(d)에 표시한 바와 같이 평탄하게 한다. 이때 연마부스러기가 빈구멍(10)에 들어가기 때문에, 예를들면 알코올에 의한 세정을 반복하여 연마부스러기를 충분히 제거해둔다. 마지막으로 다공질기체(1)의 빈구멍(10)에 Ba-Ca 알루미나이트등의 전자방사물질을 함침시킨다. 이것에 의하여 음극기체가 얻어진다.Next, Fig. 5 is a sectional view of the main portion for explaining the manufacturing method of the force needle cathode of the present invention. First, as shown in the same drawing (a), a ring-shaped high density gas 2 is formed. This is formed by compression molding the W powder to a predetermined dimension, followed by sintering in a reducing or vacuum atmosphere for a long time, for example, 6 hours at 2000 ° C. This high-density gas 2 is inserted into the mold 7 of the press machine as shown in the same drawing (b), pressed by a ring press 8, and has a particle diameter of 3 to 8 mu m of a predetermined weight therein. After filling the W powder, it is compressed to a predetermined pressure. Next, the high density gas 2 filled with the W powder is sintered at a predetermined temperature for a predetermined time, for example, 1900 ° C. for 2 hours in a reducing or vacuum atmosphere, and as shown in the same drawing (C). A porous gas 1 having a hollow hole 10 having a porosity of 20 to 25% is formed in the hole. At this time, the surface is contracted by sintering to form a recess, so that it is polished with sandpaper or the like to make it flat as shown in the same drawing (d). At this time, since the abrasive grains enter the hollow holes 10, for example, washing with alcohol is repeated to sufficiently remove the abrasive grains. Finally, the empty hole 10 of the porous substrate 1 is impregnated with an electron emitting material such as Ba-Ca aluminite. As a result, a cathode gas is obtained.

이와같은 제조방법에 의하면, 미리 고밀도기체를 형성하고, 이것을 이용하여 다공성기체를 형성하기 때문에, 고정밀도의 치수관리가 가능해진다. 또, 고밀도기체와 다공성기체를 이종(異種)재료로 형성하는 것도 가능하다.According to such a manufacturing method, since a high density gas is formed in advance and a porous gas is formed using this, high-precision dimension management is attained. It is also possible to form a high density gas and a porous gas from different materials.

다음에 제6도는 본 발명의 힘침형 음극의 제조방법을 설명하기 위한 요부단면이며, 먼저 동도면(a)에 표시한 바와 같이 W 분말을 원주(圓柱) 형상의 소정의 치수, 예를들면 제1도에서의 다공성기체(1)와 고밀도기체(2)를 합체(合體)한 치수정도로 합축성형한다. 다음에 환원성분위기속 혹은 진공속에서, 소정의 온도로 소정의 시간, 예를들면 1900℃ 2시간 소결하여, 동도면(b)에 표시한 바와 같이 빈구멍률 20~25%의 빈구멍(10)을 가진 다공성기체(1)를 형성한다.Next, FIG. 6 is a main sectional view for explaining the manufacturing method of the force needle-type negative electrode of the present invention. First, as shown in the same drawing (a), W powder is formed in a predetermined dimension of a circumferential shape, for example, The porous gas 1 and the high-density gas 2 in 1 degree are co-molded to the extent of the dimension which united. Next, in a reducing component atmosphere or in a vacuum, sintering is carried out at a predetermined temperature for a predetermined time, for example, 1900 ° C. for 2 hours, and as shown in FIG. To form a porous gas (1) having

다음에 이것을 상기 소결온도보다 낮은 온도로, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd)등의 증기를 함유한 환원분위기속 혹은 진공속에서 재차 가열하면, 동도면(C)에 표시한 바와 같이, 다공성기체(1)의 표면부분은 두께 80㎛ 정도의 고밀도층(4A)으로 된다. 다음에 동도면(d)에 표시한 바와 같이 상하평면부를 연마하여 상하부분의 고밀도층(4A)을 제거하고 고밀도기체(2)를 형성한다. 그후 예를 들면 알코올 세정을 행하여 연마부스러기를 충분히 제거하고, 최후에 다공질기체(1)의 빈구멍(10)에 Ba-Ca 알루미나이트등의 전자방사물질을 함침시킨다. 이것에 의하여 음극기체가 얻어진다. 또한, 상기 실시예에 있어서는, 고밀도기체(2)에 W를 사용한 경우에 대하여 설명하였으나, 다른 고융점금속인 Mo, Ta를 사용하여도 좋다.This is then heated again at a temperature lower than the sintering temperature in a reducing atmosphere or a vacuum containing steam such as iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co), chromium (Cr) and palladium (Pd). On the lower surface, as shown in the same drawing C, the surface portion of the porous gas 1 is made of a high density layer 4A having a thickness of about 80 m. Next, as shown in the drawing (d), the upper and lower plane portions are polished to remove the high density layer 4A at the upper and lower portions, and the high density gas 2 is formed. Thereafter, for example, alcohol washing is performed to sufficiently remove the abrasive chips, and finally, the empty hole 10 of the porous substrate 1 is impregnated with an electron-spinning material such as Ba-Ca aluminite. As a result, a cathode gas is obtained. In the above embodiment, the case where W is used for the high density gas 2 has been described, but other high melting point metals, such as Mo and Ta, may be used.

이와같은 제조방법에 의하면 양산성이 높으며, 또한 고밀도기체의 다공성기체와의 고착이 일층강고하게 된다.According to such a manufacturing method, the mass productivity is high, and the adhesion of the high-density gas to the porous gas is further strengthened.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 음극기체가 다공성기체와 고밀도기체를 포함하고, 또한 고밀도기체가 컵 및/또는 슬리이브등의 유지부재와 용접고착하는 구성으로 하였기 때문에, 음극기체가 이들유지부재에 강고하게 고착되고, 이들을 전자관에 실장한 결과에서도 종래와 같은 예를 들면 커트오프 전압의 변동과 같은 특성의 열화도 없어서, 고품위의 함침형 음극을 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, since the negative electrode gas comprises a porous gas and a high density gas, and the high density gas is welded and fixed to a holding member such as a cup and / or a sleeve, the negative electrode gas is such a holding member. It is firmly adhered to, and even when these are mounted on an electron tube, there is no deterioration of characteristics such as fluctuations in cut-off voltage as in the prior art, and a high quality impregnated cathode can be obtained.

또, 본 발명의 제조방법에 의하면 고밀도기체와 다공성기체의 형성이 용이할 뿐만 아니라, 양자의 고착도 강고하고, 또한 양산성이 높은 등 뛰어난 것이다.In addition, according to the production method of the present invention, not only the high density gas and the porous gas can be easily formed, but also the adhesion between the two is strong and the mass productivity is high.

Claims

A porous gas made of a high melting point metal, an electron radiating material impregnated in the porous gas, and a high melting point metal, and are fixedly attached to a part or all around the outer circumference except for a part of the electron emitting surface of the porous gas. An impregnated cathode having a high density gas and a holding member made of a high melting point metal for holding the porous gas on an upper portion thereof, wherein the holding member and the high density gas are welded to each other.

The impregnated cathode according to claim 1, wherein the porous gas and the high density gas are made of the same material.

The impregnated cathode of claim 1, wherein the high density gas has a thickness of 20 μm or more.

Forming a high density gas of a ring-shaped high melting point metal, contacting the high density gas and the high melting point metal powder to compression molding into a predetermined shape, and sintering in a reducing or vacuum atmosphere to sinter the inside of the high density gas. A method of manufacturing an impregnated cathode comprising the steps of forming a porous gas adhered to the substrate, a step of impregnating the electron emitting material in the porous gas, and fixing the porous gas to the holding member via a high density gas.

Compressing the high-melting-point metal powder to a predetermined dimension and then sintering it in a reducing or vacuum atmosphere to form a porous gas, and heating it again in a reducing or vacuum atmosphere at a temperature lower than the sintering temperature to Forming a high density layer on the surface, and grinding the upper and lower planar portions of the high density layer to remove the upper and lower parts of the high density layer to form a high density gas on a part or the entire circumferential surface of the porous gas except for the electron emitting surface; And impregnating the porous material with an electron-emitting material, and fixing the porous gas to the holding member through a high density gas.