Claims (14)
축소투영토출광에서의 얼라인먼트 방법으로서, 피노출물에 요철로써 형성된 얼라인먼트마크의 위치검출을 비평행광선속으로 되는 조명광을 상기 얼라인먼트 마크에 조사하는 비쾰러조면을 사용해서 행하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.An alignment method in reduced projection discharge light, wherein the alignment detection of the alignment mark formed by the unevenness of the object to be exposed is performed using a non-coiler rough surface that irradiates the alignment mark with an illumination light that becomes a non-parallel beam.
특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 조명광이 동일한 점광원에서 방사되는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.The alignment method according to claim 1, wherein the illumination light is emitted from the same point light source.
특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 조명과은 축소투영렌즈를 통해서 상기 얼라인먼트마크에 조사됨과 동시에 상기 축소투영렌즈에 마련된 입사눈의 위치에서 환형상 또는 원호형상의 광선속으로 되도록 한것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.The method of claim 1, wherein the illumination unit is irradiated to the alignment mark through a reduction projection lens, and at the same time the position of the incident eye provided in the reduction projection lens, so as to be an annular or arc-shaped beam flux. Alignment method.
축소투영노출광에서의 얼라인먼트장치로서, 광원과 상기 광원에서 방사되는 조명광의 광축의 둘레에 배설되고, 상기 조명과을 상기 광축측에 반사하는 반사수단을 구비하고, 피노출물에 요철로써 형성된 얼라인먼트 마크에 비평행광선속으로 되는 상기 조명광을 조사하는 비쾰러조명에 의해서 상기 얼라인먼트 마크의 위치검축이 행해지는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.An alignment apparatus for reduced projection exposure light, comprising: a light source and reflecting means disposed around the optical axis of illumination light emitted from the light source, and reflecting the illumination light on the optical axis side, and on an alignment mark formed as an unevenness in the object to be exposed. An alignment device, characterized in that the alignment of the alignment mark is performed by non-coiler illumination that irradiates the illumination light that is a non-parallel beam.
특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 광원이 광섬유로 되는 다점광원이고, 상기 반사수단은 상기 광섬유에서 방사되는 상기 조명광의 광축에 동축으로 배설되고, 안쪽이 경면을 이루는 원통경인 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.The method according to claim 4, wherein the light source is a multi-point light source that is an optical fiber, and the reflecting means is a cylindrical mirror disposed coaxially with an optical axis of the illumination light emitted from the optical fiber, and having an inner mirror surface. Alignment device.
특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 원통경에는 여러개의 집광렌즈가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.The alignment apparatus according to claim 4, wherein the cylindrical mirror is provided with a plurality of condensing lenses.
특허 청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 조명광은 축소투영렌즈를 통해서 상기 얼라인먼트 마크에 조사됨과 동시에 상기 축소투영렌즈에 마련된 입사눈의 위치에서 환형상 또는 원호형상의 광선속으로 되도록 한것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.The method of claim 4, wherein the illumination light is irradiated to the alignment mark through the reduction projection lens and at the same time the position of the incident eye provided in the reduction projection lens to be an annular or arc-shaped beam flux. Alignment device.
(a) 다수의 칩 패턴과 다수의 개별위치맞춤 패턴이 그 제1주면에 형성된 반도체 제조용 웨이퍼의 상기 제1주면상에 노출용 파장광에 감응하고, 그것보다 긴파장의 위치맞춤용 파장광에 감응하지 않는 포토레지스트막을 전면에 형성하는 공정, (b) 상기 레지스타막이 형성된 웨이퍼를 그 제2의 주면에 의해 노출장치의 소정의 스테이지상에 탑재하는 공정, (c) 상기 스테이지상의 웨이퍼의 제1주면상의 상기 다수의 개별위치 맞춤마크중 적어도 1개의 위치를 상기 긴파장단색광에 의해 비쾰러조명해서 그 반사광을 ＴＴＬ 방식에 의해 밝은 시야에서 관찰하는 것에 의해서 검출하는 공정, (d) 상기 검출된 적어도 1개의 위치맞춤 패터의 우치정보에 따라서 각 쇼트에 대응하는 가장 적합한 좌표를 산출해서 ＸＹ 스테이지를 대응하는 좌표로 이동시키는 공정, (e) 상기의 이동한 장소에 대응하는 부분에 투영렌즈에 의해 레티클상의 패턴을 상기 짧은 파장광으로 되는 노출용 단색광에 의해 상축이 텔리센트릭으로 되도록 상기 웨이퍼의 제1주면상의 제지스트막상에 축소결상시키는 것에 의해 상기 제지스트막을 노출하는 공정, (f) 상기 (d) 및 (e)의 공정을 교대로 실행해서 웨이퍼전면의 바라는 노출광을 실행하는 공정으로 되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.(a) A plurality of chip patterns and a plurality of individual alignment patterns are sensitive to exposure wavelength light on the first main surface of the semiconductor manufacturing wafer formed on the first main surface thereof, and longer to the wavelength wavelength for alignment wavelengths longer than that. Forming a non-sensitized photoresist film on the entire surface; (b) mounting the wafer on which the resist film is formed on a predetermined stage of the exposure apparatus by the second main surface; and (c) removing the wafer on the stage. (B) detecting at least one position of the plurality of individual positioning alignment marks on one main surface by vico-coil illumination by the long wavelength monochromatic light and observing the reflected light in a bright field of view by a TTL method, (d) Calculating a most suitable coordinate corresponding to each shot according to the at least one positioning pattern's placement information, and moving the stage to the corresponding coordinates; (e) On the zest film on the first main surface of the wafer so that the image axis is telecentric by the exposure monochromatic light which becomes the short wavelength light by the projection lens in the portion corresponding to the moved place. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device comprising the steps of exposing the zest film by shrinking and imaging, and (f) performing steps (d) and (e) alternately to perform desired exposure light on the front surface of the wafer. .
특허 청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 긴 파장광은 상기 투영렌즈의 입사눈의 위치에 광축을 중심으로 하는 환형상의 광대역 또는 원호형상의 광대역을 이루는 광속인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.9. The semiconductor integrated circuit device according to claim 8, wherein the long wavelength light is a light beam forming an annular broadband or an arc-shaped broadband around the optical axis at the position of the incident eye of the projection lens. Manufacturing method.
특허 청구의범위 제9항에 있어서, 상긴 기파장광은 점형상의 광원에서 원통내면반사에 의해 상기 환형상 또는 원호형상의 영역으로 변화된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.The method according to claim 9, wherein the long-wavelength wavelength light is changed from the point light source to the annular or arc-shaped region by the cylindrical inner surface reflection.
노출용 광학계와 상기 노출용 광학계의 광축의 일부를 공유하는 위치맞춤용 광학계를 갖는 축소투영 노출장치에 있어서, 상기 위치맞춤용 광학계는 원통내면경을 갖는 것을 특징으로 하는 노출장치.A reduction projection exposure apparatus having a positioning optical system which shares an optical system for exposure and a part of an optical axis of the exposure optical system, wherein the positioning optical system has a cylindrical inner mirror.
특허 청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 원통 내면경은 점광원으로 되는 위치맞춤광을 그내면에서 축대칭으로 반사하는 것에 의해 상기 노출용 광학계이 입사눈의 위치에 위치맞춤광을 결상시키는 것을 특징으로 하는 노출장치.12. The cylindrical optical mirror according to claim 11, wherein the cylindrical inner mirror reflects the alignment light serving as a point light source on its inner surface axially symmetrically to form the alignment light at the position of the incident eye. Exposure device.
레티클상의 패턴을 단색광에 의해 웨이퍼상에 촉소결상시켜서 상기 웨이퍼상의 제지스크막을 노출감광하기 위한 노출장치로서, 상기 웨이퍼상의 위치맞춤 패턴과 상기 레티클상의 패턴을 웨이퍼상에 투영결상하기 위한 렌즈계의 일부를 공유하는 상기 또는 그외의 단색광을 사용하는 위치맞춤 광학계와, 상기 위치맞춤 광학계의 조명광의 간섭성을 저하시키는 수단으로 구성되는 노출장치.An exposure apparatus for exposure-sensitizing the paper-based film on the wafer by subjecting the pattern on the reticle to monochromatic light on a wafer, wherein a part of the lens system for projecting and imaging the alignment pattern on the wafer and the pattern on the reticle on the wafer An exposure apparatus, comprising: a positioning optical system using the monochromatic light sharing the above and other means; and a means for reducing the coherence of illumination light of the positioning optical system.
특허 청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 수단은 조명광의 공간 간섭성을 저하시키는 것을 특징으로 하는 노출장치.14. An exposure apparatus according to claim 13, wherein said means reduces spatial coherence of illumination light.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.