KR890006505Y1 - Moniter mode conversion circuits in graphic - Google Patents

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KR890006505Y1 KR2019860012963U KR860012963U KR890006505Y1 KR 890006505 Y1 KR890006505 Y1 KR 890006505Y1 KR 2019860012963 U KR2019860012963 U KR 2019860012963U KR 860012963 U KR860012963 U KR 860012963U KR 890006505 Y1 KR890006505 Y1 KR 890006505Y1
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김기섭
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삼성전자주식회사
한형수
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/003Details of a display terminal, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto

Abstract

내용 없음.No content.

Description

그래픽에 있어서 모니터 모드 변환회로Monitor mode conversion circuit in graphics

제1도는 일반 모드에서 메모리 맵.1 is a memory map in normal mode.

제2도는 고해상도 모드에서 메모리 맵.2 is a memory map in high resolution mode.

제3도는 본 고안에 따른 블럭도.3 is a block diagram according to the present invention.

제4도는 본 고안에 따른 제3도의 구체 회로도.4 is a detailed circuit diagram of FIG. 3 according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : CRT제어기 20 : 변환회로10: CRT controller 20: conversion circuit

30 : 비디오 램30: Video RAM

본 고안은 퍼스널 컴퓨터의 그래픽 문자처리에 있어서 모니터의 모드(Mode)변환회로에 관한 것으로, 특히 하나의 하드웨어(Hardware)로 400라인을 갖는 고해상도의 한글 모드와 200라인을 갖는 일반 모드를 자유자재로 선택하여 표시할 수 있는 모니터의 모드변환회로에 관한 것이다.The present invention relates to a mode conversion circuit of a monitor in graphic character processing of a personal computer, and in particular, a high resolution Hangul mode having 400 lines and a general mode having 200 lines are freely available as one hardware. A mode switching circuit of a monitor that can be selected and displayed.

일반적으로 모니터에 소정의 문자 및 이미지를 디스플레이 시키기 위해서는 모니터의 사이즈와 동일한 크기의 메모리를 1 : 1로 대응되도록 하드웨어적으로 설계하여야한다. 그러므로 문자처리시 모니터 상의 1도트(Dot)가 메모리상의 1비트(Bit)와 대응된다.In general, in order to display certain characters and images on the monitor, a memory having the same size as that of the monitor must be designed to correspond to 1: 1. Therefore, one dot on the monitor corresponds to one bit on the memory during character processing.

그리고 통상적으로 영문을 처리할 수 있는 일반 모드에서 1문자를 표시하는데 따른 데이타 구성은 8×8도트가 된다.In general, the data structure of displaying one character in a general mode that can process English is 8x8 dots.

그런데, 현재 사용되고 있는 업무용 컴퓨터는 한글을 나타내기 위해 고해상도의 화면를 필요로 하며, 대부분의 퍼스널 컴퓨터의 해상도는 640×200의 화소로 구성되어 있어서 한글처리가 부적합하다.However, currently used business computers require a high-resolution screen to display Korean characters, and most personal computers have a resolution of 640 × 200 pixels, which makes the Hangul process unsuitable.

상기와 같이 일반 모드 즉, 640×200라인을 제공하기 위한 도트수는 640×200=128000도트가 되는데, 상기한 바와 같이 1비트는 1도트와 대응되는 것으로 그래픽에 처리할 수 있는 1바이트의 단위는 8비트이므로 128000÷8=16000바이트(16K바이트)의 메모리 용량이 필요하다. 이를 위해 제1도와 같이 8K바이트씩 나누어서 저장할 수 있도록 비디오램을 2개의 세그멘트(SEGO,SEG1)으로 설계할수 있다. 즉 세그멘트(SEGO)는 0000H-1FFFH가 되도록 설계할수 있는데. 이에 대한 값을 구해보면 다음과 같다.As described above, the number of dots for providing a 640 × 200 line is 640 × 200 = 128000 dots. As described above, one bit corresponds to one dot, and a unit of one byte that can be processed in graphics. Since is 8 bits, memory capacity of 128000 ÷ 8 = 16000 bytes (16K bytes) is required. For this purpose, the video RAM can be designed into two segments (SEGO, SEG1) so that 8K bytes can be divided and stored as shown in FIG. In other words, the segment (SEGO) can be designed to be 0000H-1FFFH. The value for this is as follows.

상기 1FFFH의 값은 헥사(Hex)값으로 10진값으로 구해보면, [(1×163)+(15×162)+(15×16)+(15)]+8191가 되므로 충분한 8K바이트가 됨을 알수 있다. 그리고 세그멘트(SEG1)도 2000H-2FFFH까지의 값으로 세그멘트(SEG1)와 동일한 사이즈가 되므로 8K바이트가 되어 두개의 세그멘트(SEGO-SEG1)는 총 16K바이트가 된다. 그리고 모니터로 상기 세그멘트(SEGO-SEG1)상의 데이타를 읽어 디스플레이시는 모니터의 순차적인 주사순서에 따라 매번 첫째라인은 세그멘트(SEGO)의 값을 리드하게 되고, 매 두번째라인 세그멘트(SEG1)의 값을 읽어 모니터상에 주사시키게 된다. 이렇게 할 경우 25라인의 문자를 디스플레이 시킬 수 있는 모니터에서 한 문자가 수직 라인측에서 8비트를 소요하므로 8×25=200의 계산에서 필요한 200라인이 됨을 알 수 있다. 그러나 상기 동일 모니터에서 한글을 처리하는데 있어서 640×200모드를 사용할 수 있으나 한글의 기본 구조상 해상도가 떨어질뿐더러 25라인을 상기 동일 모니터에 디스플레이 시킬수 없다. 이로 인하여 한글에서는 640×400을 사용하여 한글 한 문자의 구성을 16×16도트로 사용함은 널리 공지된 사실이다.The value of 1FFFH is a hexadecimal value as a hexadecimal value, which is [(1 × 16 3 ) + (15 × 16 2 ) + (15 × 16) + (15)] + 8191, so that sufficient 8K bytes are obtained. It can be seen. The segment SEG1 also has a value up to 2000H-2FFFH, which is the same size as the segment SEG1, and thus becomes 8K bytes, and the two segments SEGO-SEG1 total 16K bytes. When the data on the segment SEGO-SEG1 is read and displayed by the monitor, the first line reads the value of the segment SEGO every time according to the sequential scanning order of the monitor, and the value of every second line segment SEG1 is read. Read and scan on the monitor. In this case, it can be seen that in a monitor capable of displaying 25 lines of characters, one character takes 8 bits on the vertical line side, thus becoming 200 lines required for the calculation of 8 × 25 = 200. However, the 640 × 200 mode can be used to process Hangul in the same monitor, but the resolution of the Hangul is not enough and 25 lines cannot be displayed on the same monitor. For this reason, it is well known that Hangul uses 640 × 400 to use 16 × 16 dots.

따라서 한 모니터 16비트×25라인을 계산하면 400라인이 제공됨을 알수 있다. 따라서 640×400=256,000가 된다.Thus, calculating one monitor 16 bits x 25 lines, we can see that 400 lines are provided. Thus, 640 × 400 = 256,000.

상기 도트는 비트와 1 : 1로 대응되므로 256,000비트가 되며, 한글을 처리할 수 있는 1바이트는 16비트이므로 640×200모드에 필요한 2배이상의 메모리 용량(32K바이트)이 필요하게 된다. 이를 제2도와 같이 도시할 수 있다.The dot corresponds to a bit and 1: 1, and thus 256,000 bits, and since 1 byte capable of processing Korean characters is 16 bits, more than twice as much memory capacity (32K bytes) required for the 640x200 mode is required. This can be illustrated as in FIG.

제2도는 제1도와 동일한 계산방법에 의해 각 세그멘트(SEGO-SEG3)가 8K바이트로 모두 합하면 32K(8×4=32)바이트가 됨을 알 수 있다. 그리고 일반적으로 모니터에서 한 화면을 디스플레이시킬수 있는 프레임 주파수는 50HZ 또는 60HZ을 사용하고 있는데, 50HZ는 미국등에서 이용되고, 60HZ는 한국에서 적용하고 있다. 예를들어 640×200모드의 200라인에서 여유분(α=110)을 충분히 두어서 200+110=310라인이라할 경우FIG. 2 shows that the sum of each segment (SEGO-SEG3) into 8K bytes results in 32K (8 × 4 = 32) bytes by the same calculation method as in FIG. In general, 50HZ or 60HZ is used as the frame frequency for displaying one screen on a monitor. 50HZ is used in the United States and 60HZ is applied in Korea. For example, 200 lines in 640 × 200 mode have enough margin (α = 110) and 200 + 110 = 310 lines.

그리고 640×400모드의 400라인에서 여유분(α=50)을 충분히 두어서 400+50=450라인이라할경우And 400 400 in 640 × 400 mode with enough spare (α = 50) to say 400 + 50 = 450 lines

상기한 바와 같이 모드에 따라 수평주파수는 달라짐을 알 수 있다.As described above, it can be seen that the horizontal frequency varies depending on the mode.

그러나 대부분의 모니터는 수평주파수가 고정되어 있개 때문에 모드에 따라 모니터를 교환하거나 또는 모드에 따라 수평 및 수직주파수가 변환된 해당 모니터를 사용하여야 한다.However, since most monitors have a fixed horizontal frequency, they need to be replaced depending on the mode or the corresponding monitor whose horizontal and vertical frequencies are converted according to the mode.

그러나 이런 경우 모니터 개발이 어렵고, 또한 모드에 따라 모니터를 수시로 교환해야 하는 번거러움이 있었다.In this case, however, it was difficult to develop a monitor, and there was a need to change the monitor frequently depending on the mode.

따라서 본 고안의 목적은 일반모드뿐만 아니라 한글모드에도 동일한 모니터를 정상적으로 사용할 수 있도록 하는 회로를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to provide a circuit that can normally use the same monitor in the Hangul mode as well as the normal mode.

본 고안의 다른 목적은 하나의 하드웨어로 기존의 소프트웨어 적용이 용이하고 모드변환을 수시로 할 수 있는 고기능의 시스템을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a high-performance system that is easy to apply the existing software to a single hardware and can perform mode conversion from time to time.

따라서 상기 목적을 수행하기 위한 본 고안은 케릭터 제너레이터(Character Generator)용 행 카운트 수평, 수직동기신호, 블랭킹신호, 버퍼용 14비트 리플레쉬 어드레스 및 로우 어드레스 신호를 출력하며, 또한 스크로우링과 페이징의 기능을 갖는 CRT제어기(CRTC)와, 상기 CRT제어기의 내부 로우 어드레스(Row Address)신호 발생용 카운터로부터 출력되는 신호에 의해 모드선택 신호에 따라 모드변환에 따른 어드레스 값이 발생되는 변환회로와, 각 픽설이 1비트의 메모리로 되어 있어 상기 변환회로의 출력 변환 어드레스 신호에 의해 일반 모드와 한글모드에 따라 해상도가 일치되도록 CRT의 사이즈와 1 : 1로 대응되는 용량을 갖는 비디오 램으로 구성된 것을 특징으로 한다.Therefore, the present invention for performing the above object outputs the row count horizontal, vertical synchronization signal, blanking signal, 14-bit refresh address and row address signal for the character generator, and also for scrolling and paging. A conversion circuit for generating an address value according to a mode conversion in accordance with a mode selection signal by a CRT controller CRTC having a function and a signal output from an internal row address signal generation counter of the CRT controller; It is composed of a video RAM having a capacity corresponding to the size of the CRT and 1: 1 so that the resolution is matched according to the normal mode and the Hangul mode by the output conversion address signal of the conversion circuit. do.

이하 본 고안을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제3도는 본 고안에 따른 블럭도로서, 문자 발생용 행카운터 수평, 수직 동기신호, 블랭킹신호, 비디오 데이타 버퍼용 14비트 리플레쉬 어드레스 및 로우 어드레스 신호를 출력하는 CRT제어기(10)와, 상기 CRT제어기(10)에서 출력되는 뱅크 선택용 로우 어드레스와 모드 선택단(21)을 통해 입력되는 모드 선택신호에 의해 고해상도 400라인의 한글과 200라인의 일반 모드 변환을 위한 변환 어드레스 값을 출력하는 변환회로(20)와, 각화소가 1비트 메모리로 되어 있어 상기 변환회로(20)에서 발생되는 변환 어드레스에 의해 일반 또는 고해상도 한글 모드에 맞도록 CRT와 1 : 1로 대응된 데이타가 저장되는 비디오 램(30)으로 구성된다.3 is a block diagram according to the present invention, a CRT controller 10 for outputting a row counter horizontal and vertical synchronization signal, a blanking signal, a 14-bit refresh address and a row address signal for a video data buffer, and the CRT. A conversion circuit for outputting a conversion address value for conversion of Korean mode of high resolution 400 lines and normal mode of 200 lines by a bank selection row address output from the controller 10 and a mode selection signal input through the mode selection stage 21. And a video RAM in which each pixel is stored in a 1-bit memory so that data corresponding to CRT and 1: 1 can be stored according to the normal or high-resolution Hangul mode by the conversion address generated by the conversion circuit 20. 30).

따라서 본 고안의 실시예를 상술한 제1도의 구성에 의거하여 간략히 설명하면, 제1도, 제2도와 같은 메모리 맵을 스캔하기 위해서 CRT제어기(10)에서 로우 어드레스 신호가 출력된다. 상기 어드레스 신호를 변환회로(20)에 입력시키고, 모드 선택단(21)을 통해 일반과 한글모드 선택 신호가 입력될시 변환회로(20)는 비디오램(30)의 뱅크를 선택하는 제1,2어드레스 라인으로 선택 논리신호가 발새오디어 제2도와 같이 구성된 비디오램(30)의 각 세그멘트(SEGO-SEG3)를 순차로 스캔하는데, 일반모드일때는 같은 세그멘트를 두번 스켄하게 된다.Therefore, when the embodiment of the present invention is briefly described based on the configuration of FIG. 1 described above, a row address signal is output from the CRT controller 10 to scan the memory maps of FIG. 1 and FIG. The address signal is input to the conversion circuit 20, and when the normal and Hangul mode selection signals are input through the mode selection stage 21, the conversion circuit 20 selects a bank of the video RAM 30; The selection logic signal scans each segment (SEGO-SEG3) of the video RAM 30 configured as shown in FIG. 2 as a second address line in sequence. In the normal mode, the same segment is scanned twice.

그리고, 고해상도 400라인 모드는 모드선택단(21)으로 "하이"가 인가되고, 상기 CRT제어기(10)로부터 출력되는 로우 어드레스 신호에 의해 변환회로(20)에서 변환 어드레스가 발생되어 상기 비디오 램(30)의 세그멘트(SEGO)로부터 주사선의 순서별로 세그멘트(SEGO-SEG3)를 차례로 스캔하여 16번을 스캔했을시 한 문자가 디스플레이 된다. 따라서 표시되는 하나의 하드웨어(모니터)로서 서로 다른 모드 즉, 고해상도의 한글모드와 일반모드를 정상적으로 처리할 수 있다. 그리고 동기신호 출력단(V/Hsync)으로 모드 선택에 해당하는 수평동기 및 수직동기 신호가 발생된다.In the high-resolution 400-line mode, " high " is applied to the mode selection stage 21, and a conversion address is generated in the conversion circuit 20 by the row address signal output from the CRT controller 10. From the segment SEGO of 30), one character is displayed by scanning the segment SEGO-SEG3 sequentially in the order of the scanning lines and scanning 16 times. Therefore, as one hardware (monitor) to be displayed, it is possible to normally process different modes, that is, a high resolution Hangul mode and a normal mode. The synchronization signal output terminal V / Hsync generates horizontal and vertical synchronization signals corresponding to mode selection.

CRT제어기(10)는 미국 반도체회사인 모터로라 제품의 "MC6845"에 해당하는 것으로 제3도와 동일 부호를 사용하였다.The CRT controller 10 corresponds to "MC6845" of Motorola, a US semiconductor company, and uses the same reference numerals as in FIG. 3.

상기 CRT제어기(10)의 출력 로우 어드레스신호(RA0,RA1)가 제1,2뱅크 선택단(SA0,SA1)라인을 통하여 출력된다. 상기 제1뱅크선택단(SA0)는 낸드게이트(NA2)에 입력되며, 상기 제2뱅크 선택단(SA1)은 낸드게이트(NA1)와 앤드게이트(AN1)에 입력되고, 모드선택단(21)의 입력신호가 반전게이트(N1)을 통해 반전되어 낸드게이트(NA1)에 입력되고 한편, 직접 낸드게이트(NA2)와 앤드게이트(AN1)입력되도록 구성되며, 상기 낸드게이트(NA1,NA2)의 출력이 낸드게이트(NA3)의 입력단으로 입력되어지도록 구성된 부분이 제3도의 변환회로(20)에 대응된다. 상기 변환회로(20)의 낸드게이트(NA3)의 출력단이 비디오 램(30)의 제1어드레스 라인(RA2)에 접속되고, 앤드게이트(AN1)의 출력단이 비디오램(30)의 제2어드레스 라인(EA13)을 통해 비디오 램(30)에 접속된다. 비디오 램(30)은 제3도와 동일 부호를 사용하였다.The output row address signals RA0 and RA1 of the CRT controller 10 are output through the first and second bank select terminals SA0 and SA1. The first bank select terminal SA0 is input to the NAND gate NA2, the second bank select terminal SA1 is input to the NAND gate NA1 and the AND gate AN1, and the mode select terminal 21 is input. The input signal of is inverted through the inversion gate (N1) is input to the NAND gate (NA1), while the NAND gate (NA2) and AND gate (AN1) is configured to be input directly, the output of the NAND gate (NA1, NA2) The portion configured to be input to the input terminal of the NAND gate NA3 corresponds to the conversion circuit 20 in FIG. The output terminal of the NAND gate NA3 of the conversion circuit 20 is connected to the first address line RA2 of the video RAM 30, and the output terminal of the AND gate AN1 is the second address line of the video RAM 30. It is connected to the video RAM 30 via EA13. The video RAM 30 uses the same reference numerals as in FIG. 3.

따라서 본 고안에 따른 구체적 일실시예를 제1도,제2도 및 제4도를 참조하여 상세히 설명하면, 제1도,제2도의 메모리맵을 스캔하가 위해 CRT제어기(10)의 로우어드레스(RA0RA1)신호가 바뀔때마다 제1,2뱅크 선택단(SA0,SA1)으로 하기 표 1와 같은 비디오램(30)의 뱅크 선택 어드레스 값이 출력된다.Therefore, a specific embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1, 2, and 4, and the low address of the CRT controller 10 for scanning the memory maps of FIGS. Whenever the (RA0RA1) signal is changed, the bank selection address values of the video RAM 30 as shown in Table 1 are output to the first and second bank selection stages SA0 and SA1.

이때 이 변환에 의해 순차적으로 제1도 및 제2도의 메모리 맵 세그멘트(SEGO-SEG3)를 셀렉터하는데, 예를 들어 CRT제어기(10)의 로우 어드레스(RA0)="로우", 로우 어드레스(RA1)="로우"를 출력할때 라인 제1뱅크 선택단(SA0,SA1)도 같은 상태이다.At this time, this conversion sequentially selects the memory map segments SEGO-SEG3 of FIGS. 1 and 2, for example, the row address RA0 = low of the CRT controller 10 and the row address RA1. The line first bank selection stages SA0 and SA1 are in the same state when outputting "low".

이때 한글 400라인 모드이면 모드선택단(21)이 "하이"가 되어 인버터(N1)를 통해 "로우"로 낸드게이트(NA1)로 입력된다. 그리고 제1뱅크 선택단(SA0)의 "로우"가 낸드게이트(NA2)로 입력되어 앤드게이트(NA1,NA2)출력은 "하이", 앤드게이트(AN1)출력은 "로우"가 된다. 그리고 낸드게이트(NA1,NA2)의 "하이"출력에 의해 낸드게이트(NA3)의 출력은 "로우"가 되므로 비디오 램(30)의 제1,2어드레스 라인(EA12,EA13)은 "로우"가 된다. 이때 제2도의 첫번째 세그멘트(SEG0)에서 상기 표1처럼 매 첫번째 라인(1st)이 스캔된다. 다음 제1뱅크선택단(SA0)=하이, 제2뱅크선택단(SA1)=로우일때 낸드게이트(NA1)는 "하이", 낸드게이트(NA2)는 "로우"이므로 낸드게이트(NA3)는 "하이"가되어 상기 표1과 같이 제1어드레스 라인(EA12)은 "하이"되고, 앤드게이트(NA1)은 "로우"가 되어 제2어드레스라인(EA13)은 "로우"가 된다.At this time, in the Korean 400-line mode, the mode selection stage 21 becomes “high” and is input to the NAND gate NA1 as “low” through the inverter N1. Then, "low" of the first bank selection stage SA0 is input to the NAND gate NA2 so that the AND gates NA1 and NA2 output are "high" and the AND gate AN1 output is "low". Since the output of the NAND gate NA3 is "low" by the "high" output of the NAND gates NA1 and NA2, the first and second address lines EA12 and EA13 of the video RAM 30 are "low". do. At this time, every first line 1st is scanned in Table 1 in the first segment SEG0 of FIG. When the first bank selection stage SA0 = high and the second bank selection stage SA1 = low, the NAND gate NA1 is "high" and the NAND gate NA2 is "low". As shown in Table 1, the first address line EA12 is "high", the AND gate NA1 is "low", and the second address line EA13 is "low".

제2도의 두번째 세그멘트(SEG1)에서 매 두번째 라인(2nd)을 스캔한다. CRT제어기(10)의 로우 어드레스(RA)가 "로우", 로우어드레스(RA1)가 "하이"일때 제1뱅크선택단(SA0)이 "로우", 제2뱅크 선택단(SA1)이 "하이"가 되며 낸드게이트(NA1), (NA2)의 출력은 "하이"가 되어 낸드게이트(NA3)출력은 "로우"가 되고, 앤드게이트(AN1)의 출력은 "하이"가 되어 비디오램(30)의 제1어드레스라인(EA12)은 "로우", 제2어드레스 라인(EA13)은 "하이"가 되므로 상기 표1과 같이 제2도의 세번째 세그멘트(SEG2)에서 매 세번째 (3th)라인을 스캔한다.Every second line 2nd is scanned in the second segment SEG1 of FIG. Row address RA of CRT controller 10 ) Is "low", and the low address RA1 is "high", the first bank selection stage SA0 is "low", and the second bank selection stage SA1 is "high", and the NAND gate NA1, ( The output of NA2) becomes "high", the NAND gate NA3 output becomes "low", and the output of the AND gate AN1 becomes "high" so that the first address line EA12 of the video RAM 30 is Since the "low" and second address lines EA13 become "high", every third (3th) line is scanned in the third segment SEG2 of FIG. 2 as shown in Table 1 above.

CRT제어기(10)의 로우어드레스(RA)가 "하이"이고, 로우어드레스(RA1)가 "로우"일때 제1뱅크선택단(SA0)="하이", 제2뱅크선택단(SA1)="하이"가 된다.Low address of the CRT controller 10 (RA ) Is " high ", and the low address RA1 is " low ", the first bank selection stage SA0 = high and the second bank selection stage SA1 = high.

이어서 낸드게이트(NA1)의 출력은 "하이", 낸드게이트(NA2)의 출력은 "로우"가 되어 낸드게이트(NA3)의 출력은 "하이"가 출력되고, 앤드게이트(AN1)출력 또한 "하이"가 되므로 비디오램(30)의 제1,2어드레스라인(EA12), (EA13)은 각각 "하이"가 된다. 이때 네번째 세그멘트(SEG3)에서 매 네번째(4th) 라인을 스켄한다.Subsequently, the output of the NAND gate NA1 is "high", the output of the NAND gate NA2 is "low", and the output of the NAND gate NA3 is "high", and the output of the AND gate AN1 is also "high". Since the first and second address lines EA12 and EA13 of the video RAM 30 become "high", respectively. At this time, scan every fourth (4th) line from the fourth segment (SEG3).

그리고 일반 200라인 모드일 경우 모드선택단(21)으로 "로우"가 입력되고 CRT제어기(10)의 로우 어드레스(RA0,RA1)에서 각각 "로우"로 출력할때 역시 제1뱅크선택단(SA0)="로우" 제2뱅크선택단(SA1)="로우"이므로 낸드게이트(NA1), (NA2)의 출력은 "하이"가 되어 낸드게이트(NA3)출력이 "로우"가 되며, 앤드게이트(AN1) 또한 "로우"가 되어 비디오램(30)의 제1,2어드레스라인(EA12,EA13)은 상기 표1과 같이 출력된다.In the normal 200-line mode, when "low" is input to the mode selection stage 21 and outputs as "low" at the row addresses RA0 and RA1 of the CRT controller 10, the first bank selection stage SA0 ) = "Low" Since the second bank select stage SA1 is "low", the outputs of the NAND gates NA1 and NA2 are "high" so that the NAND gate NA3 output becomes "low" and the AND gate. (AN1) It is also " low " so that the first and second address lines EA12 and EA13 of the video RAM 30 are output as shown in Table 1 above.

CRT제어기(10)의 RA0,RA1의 출력에 따라 제1,2뱅크선택단(SA0,SA1)의 출력이 "하이","로우"일때 낸드게이트(NA1,NA2)의 출력이 "하이"이므로 낸드게이트(NA3)의 출력은 "로우"가 된다. 한편, 앤드게이트(AN1)의 출력도 "로우"가 되므로 비디오램(30)의 제1,2어드레스라인(EA12,EA13)은 모두 "로우"가 되므로 제2도의 첫번째 세그멘트(SEGO)을 2번 스켄하는 것과 같다.When the outputs of the first and second bank selection terminals SA0 and SA1 are "high" and "low" according to the outputs of RA0 and RA1 of the CRT controller 10, the outputs of the NAND gates NA1 and NA2 are "high". The output of the NAND gate NA3 is " low ". On the other hand, since the output of the AND gate AN1 also becomes "low", the first and second address lines EA12 and EA13 of the video RAM 30 become "low", so that the first segment SEGO of FIG. It's like scanning.

제1,2뱅크 선택단(SA0,SA1)의 출력이 "로우","하이"또는 모두 "하이"일때 낸드게이트(NA1)의 출력은 "로우"이고, 낸드게이트(NA2)의 출력은 "하이"가 되어 낸드게이트(NA3)의 출력은 항상 "하이"가 된다. 그리고 앤드게이트(AN1)의 출력은 "로우"가 되므로 비디오램(30)의 제1어드레스라인(EA12)은 "하이", 제2어드레스라인(EA13)은 "로우"가 되므로 표1처럼 제2도의 두번째(2nd) 세그멘트(SEG1)을 2회스켄한다.When the outputs of the first and second bank selection stages SA0 and SA1 are "low", "high", or both "high", the output of the NAND gate NA1 is "low", and the output of the NAND gate NA2 is " High ", and the output of the NAND gate NA3 is always" high ". Since the output of the AND gate AN1 is "low", the first address line EA12 of the video RAM 30 is "high", and the second address line EA13 is "low". The second 2nd segment SEG1 of the figure is scanned twice.

따라서 제1,2뱅크 선택단 (SA0,SA1)4번 변화에 따라 비디오램(30)의 제1,2어드레스라인(EA12), (EA12)이 2번 변화되므로 비디오 램(30)에 들어가는 어드레스가 00,00,01,01처럼 반복되므로 제1도와 같은 세그멘트의 값을 제2도에서 두번씩 스켄하여 일반모드를 디스플레이를 처리하게 된다. 그리고 CRT제어기(10)의 로우 어드레스(RA,RA1)의 신호는 모니터를 제어하는 수직, 수평동기신호와 관계되므로 동기신호를 일정값으로 유지시키기 위해서는(하나의 모니터 사용시)모드가 변환하여도 상기 표1과 같이 일정한 순차로 유지된다.Accordingly, since the first and second address lines EA12 and EA12 of the video RAM 30 change twice according to the change of the first and second bank selection stages SA0 and SA1, the address entering the video RAM 30 is changed twice. Is repeated as 00,00,01,01, so that the value of the segment like FIG. 1 is scanned twice in FIG. 2 to process the display in the normal mode. Since the signals of the row addresses RA and RA1 of the CRT controller 10 are related to the vertical and horizontal synchronous signals for controlling the monitor, in order to maintain the synchronization signal at a constant value (when using one monitor), It is maintained in a constant sequence as shown in Table 1.

그리고 CRT제어기(10)의 수직/수평동기단(H/Vsyne)을 통해 640×200모드시 수직동기단(Vsyne)신호는 50HZ 이고, 수평동기단(Hsyne)신호는 15.5KHZ이다. 640×400모드시 Vsyne는 50HZ이고, 수평동기단(Hsyne)신호는 22.5KHZ가 발생한다.In the 640 × 200 mode, the Vsyne signal is 50 HZ and the HSyne signal is 15.5 KHZ in the 640 × 200 mode through the vertical / horizontal synchronization stage (H / Vsyne) of the CRT controller 10. In 640 × 400 mode, Vsyne is 50HZ and Hsyne signal is 22.5KHZ.

상술한 바와 같이 서로 다른 해상도를 갖는(메모리맵이 서로다른)모드를 동일한 하드웨어 조건에서 동작할 수 있도록 하므로서 고해상도 한글뿐만 아니라 일반 모드에서도 정상적인 표시기능이 가능하여 모드에 따라 모니터를 따라 교환할 필요가 없고 수직/수평동기가 일정하게 유지되므로 사용에서 업무의 능률을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.As described above, it is possible to operate modes with different resolutions (different memory maps) under the same hardware conditions, so that normal display function is possible in normal mode as well as high resolution Korean. And the vertical / horizontal synchronization is kept constant, which has the advantage of improving work efficiency in use.

Claims (2)

문자발생을 행카운터 수직, 수평동기신호, 블랭킹신호, 메모리 버퍼용 어드레스 및 로우 어드레스 신호를 출력하는 CRT제어기(10)와, 각 화소가 1비트 메모리 되어 있어 어드레스 변환에 따라 CRT와 1 : 1로 대응되어지는 이미지 버퍼용 비디오램(30)을 구비한 시스템에 있어서, 상기 CRT제어기(10)의 출력 로우 어드레스 신호와 모드선택단(21)의 입력신호에 의해 고해상도 400라인과 200라인 일반 모드 변환에 따른 어드레스 값이 상기 비디오 램(30)에 입력되어 스캔되도록 하는 변환회로(20)로 구성된 것을 특징으로 하는 그래픽에 있어서 모니터 모드 변환회로.The CRT controller 10 which outputs the character generation row counter, the vertical synchronization signal, the blanking signal, the memory buffer address and the row address signal, and each pixel are 1-bit memory. In the system having the corresponding video buffer video RAM 30, the high-resolution 400-line and 200-line general mode conversion is performed by the output row address signal of the CRT controller 10 and the input signal of the mode selection stage 21. And a conversion circuit (20) configured to scan an address value according to the input into the video RAM (30). 제1항에 있어서, 변환회로(20)가 상기 CRT제어기(10)의 로우 어드레스단(RA0,RA1)에 제1,2뱅크 선택단 (SA0,SA1)을 연결하여 낸드게이트(NA1,NA2)및 앤드게이트(AN1)의 입력단을 연결하고, 모드선택단(21)이 직접 상기 낸드게이트(NA2) 및 앤드게이트(AN1)의 입력단에 연결되며, 상기 모드 선택단(21)으로 부터 인버터(N1)를 연결하여 상기 낸드게이트(NA1)의 입력단에 연결하고, 상기 낸드게이트(NA1,NA2)의 출력단에 낸드게이트(NA3)의 입력단을 연결하고, 상기 낸드게이트(NA3)와 앤드게이트(AN1)의 출력단이 상기 비디오램(30)이 제1,2어드레스라인(EA12,EA13)에 연결되도록 함을 특징으로 하는 그래픽에 있어서 모니터 모드 변환회로.The NAND gate of claim 1, wherein the conversion circuit 20 connects the first and second bank selection terminals SA0 and SA1 to the row address terminals RA0 and RA1 of the CRT controller 10. And an input terminal of the AND gate AN1, and a mode selection terminal 21 is directly connected to the input terminals of the NAND gate NA2 and the AND gate AN1, and an inverter N1 from the mode selection terminal 21. ) Is connected to the input terminal of the NAND gate (NA1), the input terminal of the NAND gate (NA3) is connected to the output terminal of the NAND gate (NA1, NA2), and the NAND gate (NA3) and the AND gate (AN1) The output mode of the monitor mode conversion circuit for graphics, characterized in that the video RAM (30) is connected to the first and second address lines (EA12, EA13).
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