KR890006038Y1 - A inventor control circuit - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 인버어터 회로도.1 is an inverter circuit diagram.
제2도는 종래의 희생 방전용 인버어터 제어장치.2 is a conventional sacrificial discharge inverter control device.
제3도는 본 고안의 회로도.3 is a circuit diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
5 : 정류부 10 : 평활부5: rectifying part 10: smoothing part
15 : 희생 방전용 인버어터 제어장치 20 : 트랜지스터 인버어터15: inverter control device for sacrificial discharge 20: transistor inverter
IM : 유도 전동기 Q1-Q3,Qa,Qp: 트랜지스터IM: Induction motor Q 1 -Q 3 , Q a , Q p : Transistor
ZD1,ZD2: 제너다이오드 R1,R2: 저항ZD 1 , ZD 2 : Zener Diodes R 1 , R 2 : Resistance
본 고안은 유도 전동기에 의해 발생되는 희생기전력을 방전시켜 정류용 콘덴서를 보호하고 전원이 차단되었을 때에는 콘덴서의 방전을 빨리할 수 있도록한 인버어터 제어회로에 관한 것이다.The present invention relates to an inverter control circuit for discharging the sacrificial power generated by an induction motor to protect the capacitor for rectification and to quickly discharge the capacitor when the power is cut off.
종래에는 제2도 종래의 희생 방전용 인버어터 제어장치에서와 같이 저항(RA)(RB)의 분압에 의하여 트랜지스터(Qa)에 바이어스를 길게 되므로PVBE(SAT) Qa인 경우 트랜지스터(Qa)가 "턴온" 되어 저항(RC')과 트랜지스터(Qa)를 통하여 콘덴서 양단의 전압을 방전시키게 되나 이때에는 트랜지스터(Qa)가 포화상태(Saturation)로 동작하게 되므로써 트랜지스터(Qa)가 "턴온"하여 방전하게 되면 p점의 전압이 떨어지게 된다.In the related art, as in the conventional sacrificial discharge inverter control apparatus, the bias is increased in the transistor Q a by the partial pressure of the resistors R A and R B. P In the case of V BE (SAT) Q a , transistor Q a is "turned on" to discharge the voltage across the capacitor through resistor R C ′ and transistor Q a , but at this time transistor Q a is saturated. When the transistor Q a is "turned on" and discharged by operating in a saturation state, the voltage at the p point drops.
따라서 p점의 전압이 떨어지게 되면 트랜지스터(Qa)가 다시 "턴 오프"하게 되어 p점의 전압을 충분히 떨어뜨리지 못하게 되므로써 콘덴서의 양단에는 계속 무리한 전압이 걸리게 되는 문제점이 있는 것이었다.Therefore, when the voltage at the p-point drops, the transistor Q a is "turned off" again, so that the voltage at the p-point cannot be sufficiently lowered, so that an excessive voltage is applied to both ends of the capacitor.
본 고안은 이와 같은 점을 감안하여 방전용 트랜지스터가 "턴온"하면 일정시간 히스테리시스를 주어 방전시간을 길게 하여 콘덴서에 무리한 전압이 계속 인가되는 것을 막아주고 전원이 차단되었을 경우에는 콘덴서 양단에 걸린 전압을 빨리 방전시켜 주어 제반 위험을 방지해 주도록 한 인버어터 제어회로로써 이를 첨부 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In view of the above, the present invention provides a certain period of hysteresis when the discharging transistor "turns on" to prolong the discharging time, thereby preventing the excessive voltage from being applied to the capacitor. Inverter control circuit that is to discharge quickly to prevent all risks as described in detail by the accompanying drawings as follows.
제1도는 인버어터 회로도로써 3상 교류(AC)전원이 정류부(5)에서 정류되고 평활부(10)에서 평활된후 희생 방전용 인버어터 제어장치(15)를 통하여 트랜지스터 인버어터(20)에 인가되므로써 유도 전동기(IM)를 제어해주도록 구성한다.FIG. 1 is a circuit diagram of an inverter circuit, in which a three-phase alternating current (AC) power source is rectified in the rectifying unit 5 and smoothed in the smoothing unit 10, and then provided to the transistor inverter 20 through the inverter controller 15 for sacrificial discharge. It is configured to control the induction motor IM by being applied.
그리고 제2도는 종래의 희생 방전용 인버어터 제어장치로써 콜렉터측에 저항(Rc')이 연결된 트랜지스터(Qa)의 베이스측에는 p점의 전압이 저항(RA)(RB)으로 분배된 후 인가되도록 한다.FIG. 2 is a conventional sacrificial discharge inverter controller in which a voltage at point p is distributed to a resistor R A R B at a base side of a transistor Q a having a resistor R c ′ connected to a collector side. To be approved.
제3도는 본 고안의 회로도로써 p점이 저항(R1)(R2)과 제너다이오드(ZD1)를 통하여 트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되고 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 저항(R7)을 통하여 제너다이오드(ZD1)의 캐소드에 연결되며 트랜지스터(Q1)의 베이스측에는 저항(R3)이 연결되게 구성한 후 p점에 연결된 저항(R4)을 통하여 저항(R5)(R6)을 연결하고 저항(R5)에는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터를 연결함과 동시에 제너다이오드(ZD2)와 저항(R5)을 통하여 트랜지스터(Q2)의 베이스를 연결하며 저항(R6)에는 트랜지스터(Q2)의 콜렉터를 연결함과 동시에 저항(R9)을 통하여 트랜지스터(Q3)의 베이스를 연결 구성한다.3 is a circuit diagram of the present invention, wherein p is connected to the base of transistor Q 1 through resistor R 1 (R 2 ) and zener diode ZD 1 , and the collector of transistor Q 2 is connected to resistor R 7. Is connected to the cathode of zener diode ZD 1 and resistor R 3 is connected to the base side of transistor Q 1 and then resistor R 5 (R) through resistor R 4 connected to point p. 6 ), the resistor R 5 is connected to the collector of transistor Q 1 , the zener diode ZD 2 and the base of transistor Q 2 are connected via resistor R 5 , and resistor R is connected. 6 ) is connected to the collector of the transistor (Q 2 ) and at the same time connects the base of the transistor (Q 3 ) via a resistor (R 9 ).
그리고 트랜지스터(Q3)의 에미터는 트랜지스터(Qp)의 베이스에 연결함과 동시에 저항(R10)을 통하여 M점을 연결 구성하고 p점은 저항(RC)을 통하여 트랜지스터(Q3)(Qp)의 콜렉터를 연결함과 동시에 콘덴서(Cs)와 저항(Rs)을 통하여 트랜지스터(Qp)의 에미터를 연결 구성한 것이다.The emitter of the transistor Q 3 is connected to the base of the transistor Q p and at the same time connects the M point through the resistor R 10 , and the p point is the transistor Q 3 through the resistor R C ( connecting the collector of Q p) and at the same time is configured to connect the emitter of the transistor (Q p) via a capacitor (C s) and a resistor (R s).
이와 같이 구성된 본 고안에서 제1도는 인버어터 회로도로써 입력되는 3상 교류(AC)전원을 정류부(5)에서 정류시키고 평활부(10)에 평활시킨후 희생 방전용 인버어터 제어장치(15)를 통하여 트랜지스터 인버어터(20)에 인가시킴으로써 정류된 전원이 교류로 변환되어 유도 전동기(IM)를 구동시키게 되는 것이다.In the present invention configured as described above, FIG. 1 shows a three-phase alternating current (AC) power input as an inverter circuit diagram, rectified in the rectifying unit 5 and smoothed to the smoothing unit 10, and then the inverter control device 15 for sacrificial discharge is operated. The rectified power is converted into alternating current by being applied to the transistor inverter 20 to drive the induction motor IM.
그리고 제2도는 종래의 희생 방전용 인버어터 제어장치로써 저항(RA)(RB)의 분압에 의하여 트랜지스터(Qa)의 베이스에 바이어스를 걸게 되므로 저항(RAa)(RB)에 의한 분압(=·P)이 트랜지스터(Qa)의 포화 전압보다 클 경우 즉 ··PVBE(SAT) Qa인 경우에는 트랜지스터(Qa)가 "턴온"하여 저항(Rc')과 트랜지스터(Qa)를 통해서 콘덴서의 양단 전압을 방전시키게 된다.2 shows a conventional sacrificial discharge inverter control device which biases the base of the transistor Q a by the partial pressure of the resistors R A (R B ), and thus is caused by the resistors R Aa (R B ). Partial pressure (= When P) is greater than the saturation voltage of transistor Q a P In the case of V BE (SAT) Q a , the transistor Q a "turns on" to discharge the voltage across the capacitor through the resistor R c ′ and the transistor Q a .
그러나 콘덴서의 방전직후 p점의 전압이 떨어지게 되므로 트랜지스터(Qa)가 다시 "턴 오프"하게 되어 p점의 전압을 충분히 떨어뜨리지 못하게 되므로써 콘덴서에는 계속 무리한 전압이 걸리게 되는 문제점이 있는 것이다.However, since the voltage at the point p immediately after discharge of the capacitor drops, the transistor Q a is " turned off again "
이와 같은 점을 해결해준 것이 제3도와 같은 본 고안의 회로도로써 인버어터가 정상적인 동작을 할때 p점의 전압은 저항(R4)(R5)과 제너다이오드(ZD2)를 통하여 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q2)가 "턴온"하게 되어 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 전위가 낮아지게 되고 따라서 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 전위가 낮아지게 되고 따라서 트랜지스터(Q3)가 "턴 오프"되고 트랜지스터(Q3)의 "턴 오프"로 트랜지스터(Qp)도 "턴 오프"되게 된다.In the inverter as a circuit voltage of the p-point to the proper operation of that the subject innovation as help a third haejun address the same point transistor through a resistor (R 4) (R 5) and a Zener diode (ZD 2) (Q applied to the base of 2) since the transistor (Q 2) is the "turn-on" the collector potential of the transistor (Q 2) is lowered thus the collector potential of the transistor (Q 2) is lowered Therefore, the transistor (Q 3) "I turned off" and the transistor (Q 3) of the transistor (Q p) "turn-off" may also be "turned off".
이때 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 전압을 매우 낮으므로 무시하게 되면 제너다이오드(ZD1)의 캐소드측 전위는 저항(R1)과 저항(R2)(R7)의 병렬 저항으로 인하여 분압되게 되어 제너다이오드(ZD1)의 제너 전압보다 낮아지게 되므로써 트랜지스터(Q1)는 "턴 오프"하게 된다.At this time, since the collector voltage of the transistor Q 2 is very low, the cathode potential of the zener diode ZD 1 is divided due to the parallel resistance of the resistor R 1 and the resistor R 2 (R 7 ). The transistor Q 1 is " turned off " by being lower than the zener voltage of the zener diode ZD 1 .
그러나 유도 전동기에서의 희생기 전력이 발생하여 p점의 전압이 상승하게 되어 제너다이오드(ZD1)의 캐소드전압이 VZD1+VBE(SAT) Q1이상이 되면 즉 P점의 전압이 접점 상승하게 제너다이오드의 제너전압(VZD1)과 트랜지스터(Q1)의 바이어스 전압(VBE(SAT) Q1)보다 높아지게 되면 트랜지스터(Q1)는 "턴온"하게 되고 이에 따라 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전위가 낮아져 결과적으로 트랜지스터(Q2)의 베이스 전위가 낮아지게 되므로써 트랜지스터(Q2)는 "턴 오프"하게 된다.However, when the sacrificial power of the induction motor is generated, the voltage at point p is increased, and the cathode voltage of zener diode (ZD 1 ) is greater than V ZD1 + V BE (SAT) Q 1 , that is, the voltage at point P is increased. it when higher than the bias voltage (V bE (SAT) Q 1 ) of the Zener diode Zener voltage (V ZD1) and the transistor (Q 1) of the transistor (Q 1) is the "turn-on" Accordingly, the transistor (Q 1) the collector voltage becomes low as a result the base potential of the transistor (Q 2) lowered doemeurosseo transistor (Q 2) is the "off".
트랜지스터(Q2)의 턴 오프로 p점의 전압이 저항(R4)(R6)(R9)을 통하여 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되어 트랜지스터(Q3)가 "턴온"하게되고 트랜지스터(Q3)의 에미터측에 베이스가 연결된 트랜지스터(Qp)도 "턴온"하게 되므로 저항(Rc)과 트랜지스터(Qp)를 통하여 콘덴서의 충전 전압이 방전하게 되며 충전 전압의 방전으로 p점의 전압이 떨어져도 저항(R4)(R6)(R7)을 통하여 제너다이오드(ZD1)에 인가되는 전압과 저항(R1)(R2)으로 분배되는 전압이 계속 제너다이오드(ZD1)를 통하여 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되므로써 트랜지스터(Q)는 계속 "턴온"하게 되어 방전을 계속하게 되는 것이다.By turning off transistor Q 2 , a voltage at point p is applied to the base of transistor Q 3 through resistors R 4 , R 6 , and R 9 so that transistor Q 3 is “turned on”. Since the transistor Q p having a base connected to the emitter side of the transistor Q 3 is also "turned on", the charging voltage of the capacitor is discharged through the resistor R c and the transistor Q p . Even when the voltage of the point drops, the voltage applied to the zener diode ZD 1 through the resistors R 4 , R 6 , and R 7 and the voltage distributed to the resistor R 1 and R 2 continue to be applied to the zener diode ZD. 1) it applied to the base doemeurosseo transistor (Q) of the transistor (Q 1) through the still it is "turned on" would be to continue the discharge.
그리고 방전이 계속 진행되어 제너다이오드(ZD1)를 통하여 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되는 전압이 VZD1+ VBE(SAT) Q1보다 작게 되면 트랜지스터(Q1)는 "턴 오프"하게 되고 트랜지스터(Q2)는 "턴온"되어 트랜지스터(Q3)(Qp)를 "턴 오프"시켜주게 되므로써 방전 동작이 끝나게 되는 것이다.Then, when the discharge is still in progress a Zener diode voltage is applied to the base of the transistor (Q 1) through (ZD 1) V ZD1 + V BE (SAT) to be smaller than Q 1 transistor (Q 1) is the "off" The transistor Q 2 is " turned on " to turn the transistor Q 3 and Q p " turn off ", thereby ending the discharge operation.
한편 인가되는 전원이 차단되었을 경우 콘덴서의 전위가 제너다이오드(ZD2)를 턴온시키지 못하게 될 정도로 떨어지게 되면 트랜지스터(Q2)가 "턴 오프"하게 되므로 트랜지스터(Q3)(Qp)가 "턴온"하게 되어 p점의 전압 즉 콘덴서의 충전 전압을 급속히 방전시켜 주게 된다.On the other hand, when the applied power is cut off, when the potential of the capacitor drops to such a degree that the zener diode ZD 2 cannot be turned on, the transistor Q 2 is "turned off" and thus the transistor Q 3 (Q p ) is turned on. ", The voltage at point p, i.e., the charge voltage of the capacitor, is rapidly discharged.
이때 트랜지스터(Qp)에 연결된 콘덴서(Cs)와 저항(Rs)은 스너버(SNUBBER)회로이다.At this time, the capacitor C s and the resistor R s connected to the transistor Q p are a snubber circuit.
이상에서와 같이 본 고안은 방전용 트랜지스터 "턴온" 한후 일정시간 동안 히스테리 시스를 주어 방전 시간을 길게 하여 콘덴서에 무리한 전압이 계속해서 인가되는 것을 방지하여 콘덴서를 보호하고 전원이 차단되었을 경우 콘덴서 양단에 걸린 전압을 급속히 방전시켜 주므로써 감전의 위험 방지와 방전용 저항을 따라 접속함으로 인하여 발생되는 소비 전력을 절감시켜 주며 회로보수에 시간을 절약할 수 있도록 한 유용한 고안인 것이다.As described above, the present invention provides a hysteresis for a predetermined time after discharging the transistor "turns on" to prevent excessive voltage from being applied to the capacitor, thereby protecting the capacitor and, if the power supply is cut off at both ends of the capacitor. It is a useful design that saves time in circuit repair and prevents the risk of electric shock and reduces the power consumption caused by the connection along the discharge resistor by discharging the applied voltage rapidly.
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Priority Applications (1)
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| KR2019860020044U KR890006038Y1 (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | A inventor control circuit |
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| KR2019860020044U KR890006038Y1 (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | A inventor control circuit |
Publications (2)
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ID=19257934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019860020044U KR890006038Y1 (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | A inventor control circuit |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR890006038Y1 (en) |
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1986
- 1986-12-12 KR KR2019860020044U patent/KR890006038Y1/en not_active IP Right Cessation
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| KR880013808U (en) | 1988-08-30 |
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