KR890004545B1 - 혼합반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 - Google Patents
혼합반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890004545B1 KR890004545B1 KR1019860010242A KR860010242A KR890004545B1 KR 890004545 B1 KR890004545 B1 KR 890004545B1 KR 1019860010242 A KR1019860010242 A KR 1019860010242A KR 860010242 A KR860010242 A KR 860010242A KR 890004545 B1 KR890004545 B1 KR 890004545B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- opening
- slider
- groove
- boat
- slot
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/208—
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명에 따른 보우트의 분해도.
제2도는 본 발명에 따른 보우트의 사용설명도.
제3도는 보우트로 액상 결정성장을 하는 로의 설명도.
본 발명은 혼합반도체(Compound Semicondustor)의 액상성장을 위한 개량된 보우트에 관한 것이다.
광통신용 광소자로써 사용되는 레이저 다이오드 또는 발광다이오드 또는 마이크로파 반도체 소자의 제조하는 확산법, 기상성장법, 액상성장법등의 각종방법이 채용되고 있으나 액상성장법에 의해 제조하는 편이 고품질이며 값싸고 간단하게 성장층의 두께도 두꺼웁게 성장할 수 있어 많이 사용되고 있다. 보우트를 사용한 상기 혼합반도체 장치의 액상성장법으로는 미특허공보번호 3,565,702호에 기재된 낼슨법이 있다. 이 낼슨법에서 사용되는 보우트는 받침대와 이 받침대위에 이동가능한 슬라이더를 갖고 있고 이 슬라이더 상부의 한족 끝단에 반도체 기판을 보지않는 슬롯을 가지고 있으며 상기 슬라이더를 움직이면 상기 반도체 기판상부에 성장재료를 저장하는 웰의 하부가 위치하도록 다수의 웰을 설치한 장치이다. 에를들어 AIGaAs/GaAs의 레이저 다이오드를 제조한다 가정하면 상기 슬라이더의 슬롯에 n형의 GaAs반도체 기판을 놓고 상기 반도체 기판이 상기 웰 하부에 위치하지 않도록 한 후 상기 웰에는 가륨과 가륨비소(GaAs)와 알루미니움과 n형 도판트가 되는 텔루륨(Te)의 분말을 소정의 혼합비로 하여 제1웰에 놓고 제2웰에는 가륨과 가륨비소와 알루미니윰과 P형 도판트가 되는 아연(Zn)의 분말을 소정의 혼합비로 하여 넣고 상기 보우트를 로의 석영관에 밀어넣고 수소분위기에서 상기 로의 온도를 가해 상기 웰내의 분말이 용해될 때까지 온도를 놓이고 온도를 내려가면서 상기 슬라이더를 이동시켜 상기 웰하부에 상기 반도체 기판이 오도록 하므로서 차례로 액상성장을 시켜 레이저 다이오드를 제작한다.
그러나 상기와 같은 제조공정에 있어서 상기 보우트를 로에 밀어넣고 진공으로 하여 온도를 가한다 하더라도 가륨분말내의 산소를 완전하게 제거할 수 없어 고품질의 액상결정층의 성장에 문제를 갖게된다. 이런 문제점을 해결하기 위하여 상기 웰내에 가륨과, 가륨비소분말을 미리 놓고 프리베이크를 하여 분말내의 산소를 완전히 제거한 후 상온상태로 온도를 내려 상기 분말이외의 알루미니움과 기타 도우판트 분말을 상기 웰내에 투입한 후 온도를 올려 혼합물질 균질화를 해왔다. 그러나 이와같은 방법은 가륨의 프리베이크(Prebake)후 상기 혼합물질 균질화 공정까지의 공정시간이 길게되는 문제점이 있을 뿐만아니라 상기 혼합물질 투입시 상기 프리베이크된 가륨이 공기중에 노출이 되므로 혼합물질 균질화 과정중 상기 가륨에 의한 산소와 알루미니움에 의해 알루미나(AI2O3)가 생성되므로써 고품질의 결정에 피택셜층을 얻을 수 없게 되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 가열시 산소의 영향을 받지 않고 산화물이 생성되지 않으므로서 고품질의 액상결정성장층을 형성할 수 있는 보우트를 제공하는데 있다.
이하 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명에 따른 흑연 보우트의 조립상태를 보여주기 위한 도면으로서 흑연 보우트를 받쳐주며 표면상에 십자모양의 반원형의 요홈부(4)(5)가 파여져 있는 받침대(1)와, 이 받침대(1)의 상부에 도시하지 않는 모서리 또는 중앙부의 모서리에 홈을 통해 후술하는 혼합물 용기(9)와 함게 나사를 통해 고정되며 높이를 조정하여 경사지게도 할 수 있는 상부 표면에 리세스(3)가 형성된 높이조정대(2)와, 상기 높이조정대(2)의 리세스(3)의 깊이와 거의 같거나 약간 얇은 두께를 가지며 상기 리세스(3)에 놓여 자유자재하게 미끄러질 수 있고 한쪽 단부 부근에 반도체 기판의 크기와 같은 칫수이며 기판을 용이하게 꺼낼 수 있게 핀셋을 삽입할 수 있는 홈통로(30)를 갖는 슬롯(7)이 파여 반도체 기판을 설치할 수 있고 타단부에는 구멍(8)을 뚫어 후술하는 ㄱ자 모양의 석영로드를 걸 수 있게 형성한 슬라이더(6)와, 상기 슬라이더 상부에 위치하며 중앙부에 가로방향으로 긴홈(10)을 파고 상기 홈(10)내에 도우판트를 저장하기 위한 세로방향의 홈(11)이 형성되며 하부의 넓은 홈과 연결된 개구(12)를 상기 홈(11)과 인접하게 차례로 순차 형성된 혼합물용기(9)와, 이 혼합물용기(9)의 상기 가로홈(10)의 가로방향에 꼭 맞게 안치되어 구멍(14)에 ㄱ자의 석영로드를 걸어 가로방향으로 슬라이드 할 수 있으며 중앙부에는 가로방향으로 개구(16)가 형성되며 하부방향으로 갈수록 좁아지며 하부에 세로방향의 구멍이 뚫려진 웰(15)이 교대로 형성된 가륨용기(13)로 구성이 된다. 상기 받침대(1)의 요홈부(4)에는 십자모양의 석영로드가 설치되는데 상기 석영로드 끝단 또는 석영로드 자체가 온도를 측정할 수 있는 더모커플(Thermd Couple)이 될 수도 있다.
또한 상기 구성부품의 재료는 바람직하기로는 흑연이지만 흑연이외의 불활성 재질이 될 수도 있다. 따라서 전술한 바와같이 혼합물용기(9)와 높이조정대(2)와 받침대(1)는 전술한 더모커플을 갖는 석영로드를 상기 요홈부(4)(5)에 설치한 후 혼합물용기(9)의 4모서리 또는 피요하다면 소정 모서리에서 구멍을 뚫어 나사로 고정하므로서 슬라이더(6)를 움직이더라도 상기 혼합물용기(9)와 높이조정대(2)가 움직이지 않게 고정을 한다. 한편 제2(a)도, 제2(b)도, 제2(c)도는 본 발명에 따른 제1도의 흑연보우트를 사용수순에 따른 조립도를 나타낸 도면이다.
제2(a)도와 같이 더머커플을 갖는 제1석영로드(17)가 높이조정대(2)와 받침대(1) 사이에 설치되어 제1도의 십자모양의 요홈부(4)(5)에 고정된 제1석용로드(17)로 전체 흑연 보우트를 로의 석영관내로 자유자재로 이동시킬 수 있게 된다. 또한 슬라이더(6)를 ㄱ자의 제2석영로드(18)로 구멍(8)에 걸어 전술한 슬롯(7)이 흑연보우트 외부에 나타나도록 하며 가륨용기(13)를 혼합물용기(9)에 안치하기 전에 혼합동기의 세로홈(11)에 AI,Mg,TE,Zn,Ge등의 혼합물 또는 도우판트를 각각 성장순서에 따라 놓는다. 그후 상기 가륨용기(13)를 상기 혼합물용기(9)의 턱(21)에 붙여 화살표 방향으로 움직이지 않게 설치하고 웰(15)에는 각각 Ga과 GaAs의 분말을 필요에 따른 중량부로 혼합하여 분말가루(20)를 넣는다. 또한 상기 슬라이더(6)의 슬롯(7)에는 상기 슬롯(7)의 깊이보다 약 100μ의 얇은 원하는 소정 도전형의 GaAs기판을 설치한다. 상기와 같이 설치된 흑연 보우트를 제3도의 로(32)에 설치된 석영관(28)에 문(25)를 열고 설치한 후 ㄱ자의 석영로드(18)와 (19)를 각각 제2(a)도와 같이 구멍(8)과 (14)에 걸어놓고 문(25)을 밀폐시킨다.
그후 밸브(26)와 (29-31)를 열고 수소개스입구(33)와 (34)로 수소개스를 흘리면서 로(32)를 가열한다. 상기 수소개스의 유량은 상기 석영관(28)내의 산소의 양이 적어도 1ppm이하가 되도록 충분히 흘려야 하며 전술한 석영로드(17)에 설치된 더모커플에 의한 온도 측정으로 약 640℃가지 올려 상기 혼합물용기(13)에 놓인 혼합분말(20)중 가륨의 프리베이크를 하여 가륨내의 산소를 제거하는 공정을 하게 된다. 이때 유출되는 산소는 세로홈(11)이 상기 혼합물용기(13)의 하부에 의해 밀페되 있고 전술한 수소 캐리어 개스에 의해 출구(27)로 빠져나가 상기 세로홈(11)내에 있는 알루미니움 또는 마그네슘등과의 반응에 의해 산화물이 생기지 않게 된다. 소정시간의 프리베이크를 한 후 제2(b)도와 같이 석영로드(19)를 화살표 방향으로 움직여 상기 웰(15)의 하부개구가 혼합물용기(9)의 홈(11)와 일치하게 하여 산소가 완전히 제거된 Ga 및 GaAs와 AI 또는 Mg 또는 도파트와 혼합이 되게 한다. 그후 로(32)의 온도를 올려 상기 혼합물이 용해되게 한다. 따라서 이와같이 하여 용해된 용해상태의 성장재료들에는 AI 또는 Mg등의 산화물이 없는 성장재료들의 용해상태로 있게 된다.
그후 로(32)의 온도를 시간에 따라 소망의 온도로 낮추면서 전술한 더모커플에 의해 소망의 냉각온도에서 설영로드(19)를 제2(c)도와 같이 화살표방향으로 움직여 상기 웰(15)의 하부의 개구와 혼합물용기(9)의 개구(12)와 일치하도록 하면 상기 용액상태의 성장재료들은 상기 개구(12)를 통해 상기 슬라이더(6)의 슬롯(7)의 크기와 같은 칫수의 하부개구(40)로 흘려 들어가게 된다. 하부개구(40)에 흘러들어가지 못한 용액상태의 성장재료에 적당한 압력을 주게 됨과 동시에 석영로드(18)를 화살표 방향으로 움직여 슬라이더(6)상의 슬롯(7)에 놓인 반도체 기판이 상기 하부개구(40)의 바로 아래에 오게함으로서 상기 냉각온도에서 액상의 소망의 애피택셜층이 성장되고, 차례로 설정된 냉각온도에서 순차로 슬라이더(6)를 상기 석영로드(18)로 화살표 방향으로 움직임으로써 원하는 액상 성장층이 차례로 성장되게 된다. 상기에서 성장을 위한 시간에 따른 냉각온도율은 클수록 좋은 것은 잘 알려져 있는 사실이며 용액상태로 균질화하는 온도 및 상기 성장을 위한 냉각 온도는 혼합물의 혼합비에 따라 주어지는 것으로써 공지된 혼합물의 용융온도와 성장온도를 참조하여 제조자에 의해 설정될 수 있음은 이 분야의 통상의 지식을 가진자는 용이하게 이해할 수 있는 사실이다. 또한 전술한 웰내의 용액에 의한 압력으로 이 압력이 기판표면에 표면장력을 작게하므로서 에피택셜층의 두께가 균일하게 되는 이점이 생기게 된다. 그후 액상 에피택셜층의 성장이 완료되면 로(32)의 온도를 서서히 낮추고 수소개스도 중단시켜 밸브(31)과 (26)을 완전히 닫아버려 상온의 상태로 된 후 문(25)을 열고 흑연보우트를 꺼내면 된다.
전술한 바와같이 본 발명은 혼합반도체의 액상성장을 연속적으로 시간의 낭비없이 수행할 수 있으며 혼합물의 산화물이 생성되지 않아 양질의 액상성장을 시킬 수 있을 뿐만 아니라 균등두께의 액상 에피택셜층을 형성할 수 있는 이점이 있다.
Claims (1)
- 액상에피택시 성장을 위한 장치에 있어서, 흑연 보우트를 움직일 수 있고 더모커플이 장칙이 되는 받침대(1)와, 이 받침대(1)의 상부에서 경사 또는 높이를 조정할 수 있게 상기 받침대에 고정되며 가로방향으로 리세스(3)가 형성된 높이조정대(2)와, 상기 리세스(3)의 두께와 대략 같은 한 단부의 상부에 반도체 기판의 두께보다 약간 긴 길이의 슬롯(7)을 가지며 타단부에 구멍(8)을 갖고 이 구멍(8)에 석영로드(18)를 삽입하여 미끌어질 수 있게 한 슬라이더(6)와, 상기 슬라이더(6)의 상부에 놓으며 하부 높이조정대(2)와 일체로 고정이 되며 상기 슬라이더(6)의 상부에 가로방향으로 파인 홈(10)을 갖고 이 홈의 중앙에 도판트 또는 혼합물이 놓이는 세로홈(11)과 개구(12)가 교대로 연속하여 가로방향으로 설치되고, 상기 개구(12)의 하부에는 상기 슬롯(7)의 크기와 대략같은 크기의 하부 개구(40)을 갖는 혼합물용기(9)와, 상기 홈(10)에 안치된고 상기 홈의 가로길이보다 짧으며 개구(16)와 가륨 및 혼합반도체 분말이 놓이는 웰(15)이 교대로 가로방향으로 배열되고 상기 웰(15)의 하부개구가 상기 개구(12)의 크기와 같게 되며 끝단부에는 석영로드(19)를 걸수 있게 구멍(14)을 갖는 가륨용기(13)로 구성된 흑연 보우트.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860010242A KR890004545B1 (ko) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 혼합반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860010242A KR890004545B1 (ko) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 혼합반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880006757A KR880006757A (ko) | 1988-07-25 |
| KR890004545B1 true KR890004545B1 (ko) | 1989-11-13 |
Family
ID=19253759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860010242A KR890004545B1 (ko) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 혼합반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890004545B1 (ko) |
-
1986
- 1986-11-29 KR KR1019860010242A patent/KR890004545B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880006757A (ko) | 1988-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020164415A (ja) | 金属るつぼ内に含まれる金属からベータ相の酸化ガリウム（β−Ｇａ２Ｏ３）単結晶を成長させる方法 | |
| US7160388B2 (en) | Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride | |
| US3933538A (en) | Method and apparatus for production of liquid phase epitaxial layers of semiconductors | |
| US20110030611A1 (en) | METHOD FOR PREPARING POLYCRYSTALS AND SINGLE CRYSTALS OF ZINC OXIDE (ZnO) ON A SEED BY CHEMICALLY ACTIVATED SUBLIMATION AT HIGH TEMPERATURE AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD | |
| US4315796A (en) | Crystal growth of compound semiconductor mixed crystals under controlled vapor pressure | |
| US3715245A (en) | Selective liquid phase epitaxial growth process | |
| Mokhov et al. | Growth of AlN and GaN crystals by sublimation | |
| Woodall | Solution grown Ga1− xAlxAs superlattice structures | |
| Bockowski | Growth and doping of GaN and AlN single crystals under high nitrogen pressure | |
| KR890004545B1 (ko) | 혼합반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 | |
| US4365588A (en) | Fixture for VPE reactor | |
| Siche et al. | Growth of bulk ZnSe crystals—recent developments | |
| Pimputkar | Gallium nitride | |
| EP0102054A1 (en) | Method for growing GaAs single crystal by using floating zone | |
| US3785885A (en) | Epitaxial solution growth of ternary iii-v compounds | |
| CA1160762A (en) | Liquid phase epitaxy method and apparatus | |
| US3981764A (en) | III-V Compound semi-conductor crystal growth from a liquid phase on a substract including filtering liquid phase | |
| EP0090521B1 (en) | A method of performing solution growth of a group iii-v compound semiconductor crystal layer under control of the conductivity type thereof | |
| KR890004544B1 (ko) | 혼합 반도체의 액상 에피택시를 위한 보우트 | |
| US3762367A (en) | Growth apparatus for a liquid growth multi-layer film | |
| Dutta | Bulk crystal growth of ternary III–V semiconductors | |
| Miller et al. | Advances toward industrial compatible epitaxial growth of β-Ga2O3 and alloys for power electronics | |
| JP2533760B2 (ja) | 混晶の製造方法 | |
| KR900001060B1 (ko) | 복합 반도체의 액상 에피택시 성장을 위한 보우트 | |
| JPH03228897A (ja) | 液相エピタキシー用装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040331 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |