KR890002338B1 - 마그네트론 양극구체 - Google Patents

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KR890002338B1
KR890002338B1 KR1019840007726A KR840007726A KR890002338B1 KR 890002338 B1 KR890002338 B1 KR 890002338B1 KR 1019840007726 A KR1019840007726 A KR 1019840007726A KR 840007726 A KR840007726 A KR 840007726A KR 890002338 B1 KR890002338 B1 KR 890002338B1
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마모루 우즈라하라
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가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
미따 가쯔시게
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18Resonators
    • H01J23/22Connections between resonators, e.g. strapping for connecting resonators of a magnetron
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    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
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Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론 양극구체
제 1 도는 종래의 마그네트론 양극구체를 표시하며, (a)는 평면도 (b)는 (a)의 A-A선 단면확대도.
제 2 도는 본 발명으로 된 마그네트론 양극구체의 일실시예를 표시한 평면도.
제 3 도는 스트랩링의 R치수와 수명피로시간의 관계를 표시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 양극원통 2 : 베인
2a : 홈 3,4 : 스트랩링
3a,4a : 링부 3b,4b : 돌출부
3d,4d : 교점부 3e,4e : R부
본 발명은 마그네트론 양극구체에 관한 것으로서, 특히 스트랩링의 개량에 관한 것이다.
종래 널리 보급되고 있는 마그네트론 양극구체는, 제 1 도에 표시한 바와같이, 공동(空洞)공진기를 구성하는 양극원통(1)과, 이 양극원통(1)의 내부에 방사형상으로 배열되어 원축방향 단면에 홈(2a)이 형성된 짝수매의 베인(2)과, 이 베인(2)의 홈(2a)내부에 착설되어 베인(2)을 1매 간격으로 전기적으로 접속하는 스트랩링(3)(4)을 갖추고 있다.
상기 양극원통(1)과 베인(2)의 제조는, 무산소구리의 빌릿을 호빙 가공해서 원통(1)과 베인(2)을 일체가 되게 형성한 후, 베인(2)사이에 수지등을 매립하고, 선반가공에 의해서 홈(2a)을 원통축방향의 상하단부에 형성한다. 이와 같은 마무리가공후, 수지를 제거한다. 한편, 스트랩링(3)(4)의 제조는, 무산소구리의 판재를 프레스 타발가공하고, 링(3a)(4a)과 돌출부(3b)(4b)를 가진 내부스트랩링(3), 외부스트랩링(4)을 동시에 형성한다. 그리고, 이들 스트랩링(3)(4)에 은도금을 처리한다.
그래서, 양극원통(1)에 착설된 베인(2)에 스트랩링(3)(4)을 조립한다. 이 조립은, 베인(2)의 홈(2a)의 중단(中段)까지 스트랩링(3)(4)의 돌출부(3b)(4b)를 약간 죄는 정도로 박아넣고, 약 800℃의 환원분위기로 속에 넣어서 스트랩링(3)(4)의 은도금층과 베인(2) 및 스트랩링(3)(4)의 구리재로써 은구리납땜을 형성시켜서 확실하게 납땜 고착한다. 이와 같이 구성된 마그네트론 양극구체는, 마그네트론 으로서 사용할 경우는, 양극원통(1)의 중심축상에 열원이되는 음극(도시하지 않음)이 착설되고, 양극원통(1)의 외부에 냉각핀(도시하지 않음)이 부착된다.
그런데, 이러한 구성으로 이루어지는 마그네트론 양극구체는, 동작시에, 베인(2)에는 관축중심에서 반경방향쪽으로 비교적 큰온도구배가 생기고, 베인(2)은 화살표(B)방향으로 열팽창하며, 한편 스트랩링(3)(4)은 화살표(C)방향으로 열팽창한다. 따라서, 마그네트론의 온, 오프동작이 반복되므로서 베인(2)과 스트랩링(3)(4)은 서로 역방향으로 신축을 반복하므로 스트랩링(3)(4)에는 스트레스의 사이클링이 가해지고, 치수, 재질에 따른 수명 피로강도가 되어, 응력이 큰부분에 균열등을 발생시키고, 파손에 이르는 일이있다.
수명피로에 의해서 스트랩링(3)(4)이 파손된 마그네트론을 조사하면, 대개는 제 1(a) 도에 표시한 링(3a)(4a)의 중앙부(3c)(4c) 및 링(3a)(4a)과 돌출부(3b)(4b)와의 교점부(3d)(4d)에 균열이 발생되어 있다. 이것은 중앙부(3c)(4c) 및 교점부(3d)(4d)가 최대응력의 발생부인 것을 가리키고 있다.
그래서 종래, 중앙부(3C)(4C)에 대해서는, 일본 실개소 54-56564호 공보에 표시된 바와 같이, 스트랩링의 링형상을 미리 반경방향 바깥쪽으로 팽출시킨 비원형으로 하기도 하고, 또 중앙부의 반경방향의 살두께를 프레스성을 손상하지 않는 범위로 얇게 하는등의 수단을 가해서 중앙부(3C)(4C)의 응력완화를 도모하여, 스트랩링의 장수 명화를 도모하고 있다.
그러나, 교점부(3d)(4d)에 대해서는 적당한 수단이 없기 때문에, 아무런 TN단도 가해지지 않고 있는 것이 실정이다.
본 발명의 목적은, 스트랩링의 돌출부와의 교점부의 응력집중을 완화할 수 있는 마그네이트를 양극구체를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 스트랩링에는, 베인의 홈으로 접속시키기 위한 베인의 방사형상 방향에 연재(延在)하는 돌출부와 스트랩링의 링부와의 교점부에 R부를 형성한 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 일실시예를 제 2도에 의해 설명한다. 그런데, 제 1 도와 마찬가지 부재 및 마찬가지 부분에는 동일부호를 붙여서 설명한다. 스트랩(3)(4)에는, 링부(3a)(4a)와 돌출부(3b)(4b)와의 교점부(3d)(4d)(제 1도 참조)에 R부(3e)(3e)가 형성되어 있다.
제 3 도는 스트랩링(3)의 R부(3e)의 R치수에 의해서 내부스트랩링(3)이 피로파괴에 이르는 시간(수명시간)을 조사한 도면이다. 여기서, 내부 스트랩링(3)은 베인(2)과의 접속부사이(링부(3a))를 구부러진 대들보로 간주하고, 재료역학적으로 반복응력이 가해지는 것으로 해서 수명시간을 계산하였다. 상기 수명시간은, 온-오프 주기를 2분으로하고, 온 시간을 구하였다. 또 베인(2)은 열입력 600W, 두께 1.6mm, 높이 10mm로 12매를 가지며, 내부 스트랩링(3)은 내경 14mm, 링부(3a)의 반경방향의 살두께 0.65mm로 베인(2)을 1개 간격으로 연락시킨 것에 대해서 구하였다.
그결과, R치수가 클수록 효과적이나, 0.4mm정도에서 거의 포화된 수명시간이 되는 것을 알았다.
이와 같이 스트랩링(3)(4)의 링부(3a)(4a)와 돌출부(3b)(4b)의 교점부(3d)(4d)에 R부(3e)(3e)를 R치수를 크게해서 형성하고, 현실적으로 R치수를 스트랩링(3)(4)의 반경방향의 살두께의 반분 이상으로 하므로서, 응력집중의 완화를 도모하고, 마그네트론 동작의 온-오프에 의해서 가해지는 열응력에 의해서 결정되는 수명피로시간을 대폭적으로 개선할 수 있다.
본 발명에 의하면, 스트랩링의 돌출부와 링부와의 교점부의 응력집중을 완화할 수 있고, 수명피로시간이 향상된다.

Claims (1)

  1. 공동공진기를 구성하는 양극원통과, 이 양극원통의 내부에 방사형상으로 배열되어 원통축방향 단면에 홈을 형성한 복수매의 베인과, 이 베인의 홈 내부에 착설되어 베인을 1매 간격으로 전기적으로 접속하는 스트랩링을 갖춘 마그네트론 양극구체에 있어서, 상기 스트랩링에는, 상기 베인의 홈에 접속하기 위한 상기 베인의 방사형상 방향에 연재하는 돌출부와 스트랩링의 링부와의 교점부에 R부를 형성한 것을 특징으로 하는 마그네트론 양극구체.
KR1019840007726A 1983-12-12 1984-12-06 마그네트론 양극구체 KR890002338B1 (ko)

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JP58232702A JPS60127637A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 マグネトロン陽極構体
JP232702 1983-12-12
JP58-232702 1983-12-12

Publications (2)

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KR850004338A KR850004338A (ko) 1985-07-11
KR890002338B1 true KR890002338B1 (ko) 1989-06-30

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KR100757087B1 (ko) * 2004-11-30 2007-09-10 김정일 마그네트론

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5749148A (en) * 1980-09-10 1982-03-20 Hitachi Ltd Magnetron anode frame

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