KR880003180A - 이동 웨브 측정용 시스템 및 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

이동 웨브 측정용 시스템 및 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본발명에 따라 작동하는 기계의 하우징 외부의 투시도로서, 기계의 몇몇 내부부품은 점선으로 표시되며,

제2도는 본발명에 따라 작동하는 기계의 개략도이며, 제1도의 기계를 통하여 길이방향으로 취해진 수직 횡단면도로서 배열된 것이고,

제3도는 제1도의 기계의 일정 부품을 설명하기 위해 확대된 크기로 그려진 투시도이며,

Claims (18)

1. a)웨브의 대략 전폭을 가로질러 동시에 이동웨브의 한 표면상에 실제 수직하게 광의 대략 평행선을 유도하기 위한 조명기구, b)두개 별개의 파장에서 웨브를 통하여 전도된 상기 광선을 수신하기 위한 다수의 광탐지기구, c)조명기구와 탐지기구를 환경적으로 격리시키는 폐쇄기구와, d)탐지된 광선양을 표시하는 신호를 발생시키기 위한 광탐지기구에 연결된 신호처리기구와, 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시이트물질의 이동웨브의 건조기본중량과 같은 측정을 제공하기 위한 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 폐쇄기구가 하우스에 대해 각각 이동웨브의 양표면을 가로질러 연장하는 제1및 제2덕트, 조명기구 및 광탐지기구를 포함하며, 상기 각각의 제1및 제2덕트가 이동웨브의 폭을 가로질러 덕트 내부사이에 광소통 라인을 제공하도록 적어도 하나의 투명한 벽을 각기 지니는것을 특징으로 하는 시스템.
3. 제2항에 있어서, 제1및 제2덕트로 압축공기를 끌어들이는 기구와 상기 투명벽의 외부표면으로부터 입자들을 일소하도록 압축공기를 유도하는 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
4. a)웨브의 한 표면을 가로질러 연장하도록 설치된 제1덕트, b)웨브의 맞은편을 가로질러 제1덕트에 평행하여 연장하도록 설치된 제2덕트, c)이동웨브의 폭을 가로질러 대략 상기 제1및 제2덕트의 내부사이의 광소통 라인을 제공하도록 서로 일반적으로 마주하여 위치되는, 제1덕트의 벽을 형성하는 제1투명부재와 제2덕트의 벽을 형성하는 제2 투명부재, d)제1투명부재를 통하여 웨브상에 수직으로 광의 평행선을 일반적으로 전도하고 제2투명부재를 거쳐 웨브를 통하여 전도된 광의 세기를 탐지함으로써 제1및 제2덕트사이에 이동하는 웨브성질의 광학측정을 실시하기 위한 기구와, 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시이트물질의 이동웨브 성질의 광학측정을 제공하기위한 기계.
5. 제4항에 있어서, 덕트내에서 공기를 가열시키기 위한 가열기구와 가열기구를 조절하기 위한 온도식제어기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기계.
6. 제4항에 있어서, 이동웨브의 광학측정을 실행하기 위한 기구를 운반하기 위해 제1및 제2 덕트내에서 길이방향으로 활주가능하게 연장하는 메카니즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기계.
7. 제4항에 있어서, 그위의 입자축적을 방지하기 위해서 제1 및 제2투명부재를 가로질러 스쳐지나가도록 압축공기를 유도하는 기구를 더포함하는 것을 특징으로 하는 기계.
8. a)이동웨브의 한표면을 횡단하여 연장하도록 설치되며 웨브를 마주하는 투명벽을 지니는 제1 덕트기구, b)제1덕트기구의 내부를 따라 길이방향으로 조준광을 유도하도록 배열된 광원기구, c)웨브의 대략 전폭을 조명하기 위하여 웨브의 표면에 대체로 수직인 상기 투명벽을 통하여 유도된 평행선으로서 상기 비임을 반사시키기 위한 제1 덕트기구내에 설치된 반사기 기구, d)웨브의 맞은편 표면에 인접한 제1 덕트기구에 대체로 평행하여 연장하도록 설치되며 시이트를 마주하는 투명벽을 지니는 제2 덕트기구와, e)적어도 다른 범위의 파장에서 웨브를 통하여 전도된 광선의 세기를 탐지하기 위하여 제2 덕트기구내에 설치된 광탐지기구와, 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스캔닝없이 제조동안 시이트물질의 이동웨브의 광학적으로 민감한 성질을 측정하기 위한 시스템.
9. 제8항에 있어서, 반사기 기구가 측면으로 보아 대체로 톱니구조를 지니는 반사표면의 어레이로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 시스템.
10. 제9항에 있어서, 상기 어레이가 점차적으로 높아지는 상기 표면들로 설치되는 것을 특징으로 하는 시스템.
11. 제8항에 있어서, 탐지기구와 적어도 두 광전트랜스듀서와 광파장의 선택대역을 차별적으로 통과하도록 선정되는 상기 각각의 필터와 연관된 광필터와의 셋트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시스템.
12. 제11항에 있어서, 탐지기구가 상기 셋트 바로 아래의 그 표면에 대체로 수직하여 웨브를 통하여 전도된 광선의 평행선들을 모우기 위하여 상기 각각의 셋트와 연관된 수집기구를 더 포함하는것을 특징으로 하는 시스템.
13. 제12항에 있어서, 각 수집기구가 간격을 두고 떨어진 수집렌즈셋트와 상기 수집렌즈의 촛점길이에 대략 해당하는 거리 사이에 설치된 노출개구판을 포함하는것을 특징으로 하는 시스템.
14. a)비임으로부터의 선이 웨브의 대략 전폭을 동시에 조명하도록 대략 평행하2며 이동웨브의 표면에 수직으로 입사 되도록 광의 적어도 한 비임으로부터 선을 유도하고, b)파장의 적어도 두 선택대역에서 웨를 통하여 전도된 선의 세기를 탐지하고, c)상기 다른 파장에서 탐지된 광세기의 비례하는 전기전 출력신호를 제공하는 단계들로 이루어지는것을 특징으로 하는 스캔닝없이 시이트 물질의 이동웨브의 기본중량, 수분함량 및 건조 기본 중량을 포함한 파라미터를 광학적으로 측정하기 위한 방법.
15. 제14항에 있어서, 웨브를 통해 전도된 선의 세기를 탐지하는 단계가 파장의 적어도 4개 선정대역에서 광의 세기가 동시에 일치하게 탐지되도록 다수의 인접탐지기에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
16. 제14항에 있어서, 다음 방정식에 대한 값을 산정함으로써 이동웨브의 건조 기본중량, 기본중량 및 수분함량을 포함한 파라미터를 산정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.

    DBW=AO+Al^＊ln(MES1)-A2^*ln(REF1)+A3^*ln(MES2)-A4^*ln(REF2),

    BW=BO+Bl^*ln(MES1)-B2^*ln(REF1)+B3^*ln(MES2)-B4^*ln(REF2),

    MC=CO+Cl^*ln(MES1)-C2^*ln(REF1)+C3^*ln(MES2)-C4^*ln(REF2).

    여기서, DBW은 시이트물질 웨브의 검사구역의 건조기본 중량이고, BW은 시이트물질의 검사구역의 기본중량이며, MC은 시이트물질의 검사구역의 수분함량이고, ln은 자연로그함수이며, MES1은 제1파장대역에서의 탐지된 세기이고, REF1은 제2파장대역에서의 탐지세기이며, MEAS2는 제3파장대역에서의 탐지세기이고, REF2는 제4파장대역에서의 탐지세기이며, AO~A4, BO~B4, CO~C4는 상수이다.
17. 제14항에 있어서, MES1은 웨브가 없을때 신호 수준에 의해 분리된 웨브가 내재할때 제1 파장대역에서의 신호수준이고, REF1은 웨브가 없을때 신호 수준에 의해 분리된 웨브가 내재할때의 제2 파장대역에서의 신호수준이며, MES2은 웨브가 없을때 신호 수준으로 분리된 웨브가 내재할때의 제3파장대역에서의 신호 수준이고, MEF2은 웨브가 없을때 신호 수준에 의해 분리된 웨브가 내재할때의 제4파장대역에서의 신호수준인것을 특징으로 하는 방법.
18. 제14항에 있어서, 다음 방정식에 따른 웨브상의 소정의 검사된 위치에서 건조기본중량을 산정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.

    여기서, DBW 은 시이트물질 웨브의 검사구역의 건조기본 중량이고, A,B,C은 상수이며, ln은 자연로그 함수이고, REF은 시이트는 시이트물질이 내재할때 제1파장대역에서 탐지된 세기이며, REF노 시이트는 시이트물질의 부재시 제1파장대역에서 탐지된 세기이고, MEAS온 시이트는 시이트물질이 내재할때 제2파장 대역에서의 탐지된 세기이며, MEAS노 시이트는 시이트물질의 부재시 제2파장대역에서의 탐지된 세기이다.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.