KR870011142A - 비시클로환계 술폰아미드 유도체의 제조방법 - Google Patents
비시클로환계 술폰아미드 유도체의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 술폰아미드 유도체 또는 그의 염의 제조방법으로서, 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물을 Hal-SO2-R2(식중, R2는 치환 또는 비치환된 페닐이며 Hal은 할로겐을 나타낸다.)의 화합물과 반응시키고, 필요에 따라서, 탈보호 반응 및/또는 염 형성반응시킴을 특징으로 하는 술폰아미드 유도체 또는 그의 염의 제조방법.〔상기 식들중,R1은 수소, 저급알킬 또는 염 형성기를 나타내며 ;R1은 수소, 저급알킬을 나타내고 ;R2는 치환 또는 비치환된 페닐을 나타내며 : 및를 나타낸다.〕
- 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 술폰아미드 유도체 또는 그의 염의 제조방법으로서, 하기 일반식(Ⅲ)로 표시되는 화합물을 (Ar)3-HCH2CH2CH2C00R1′(식중, R1′는 수소, 저급알킬이며 Ar은 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)의 화합물과 반응시키고, 필요에 따라서, 에스테르화 반응 및/또는 염 형성반응시킴을 특징으로 하는 술폰아미드 유도체 또는 그의 염의 제조방법.〔상기 식들중,R1은 수소, 저급알킬 또는 염 형성기를 나타내며 ;R2는 치환 또는 비치환된 페닐을 나타내고 : 및은또는를 나타낸다.〕※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP115599/1986 | 1986-05-19 | ||
| JP11559986 | 1986-05-19 | ||
| JP115599 | 1999-01-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870011142A true KR870011142A (ko) | 1987-12-21 |
| KR950001024B1 KR950001024B1 (ko) | 1995-02-07 |
Family
ID=14666612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870004976A KR950001024B1 (ko) | 1986-05-19 | 1987-05-19 | 비시클로환계 술폰아미드 유도체의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950001024B1 (ko) |
-
1987
- 1987-05-19 KR KR1019870004976A patent/KR950001024B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950001024B1 (ko) | 1995-02-07 |
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