KR870001585B1

KR870001585B1 - Safety apparatus of temperature control circuit

Info

Publication number: KR870001585B1
Application number: KR1019830003218A
Authority: KR
Inventors: 카쓰하루 마쓰오
Original assignee: 가부시기가이샤 도시바; 사바 쇼오이찌
Priority date: 1982-07-14
Filing date: 1983-07-14
Publication date: 1987-09-04
Also published as: KR840005567A; JPS5914001A; JPH053118B2

Abstract

A temperature control apparatus for electric heating equipment, comprising; thermal information output means for detecting the temperaature of electric heating equipment supplied with power from an ac power source through switching means, and for providing thermal data representing the temperature detected; first reference data sampling means for sampling one of first reference data and the thermal data in synchronisom with the zero crossing of said ac power source, first comparing means for comparing the sampled data of said first sampling means with the other of the first reference data.

Description

Safety device of temperature control circuit

제1도는 본 발명에 따른 온도제어회로의 안전장치의 전기회로도.1 is an electrical circuit diagram of a safety device of a temperature control circuit according to the present invention.

제2도는 과열감지 발열체의 사시도.2 is a perspective view of the overheat detecting heating element.

제3도는 감열체의 사시도.3 is a perspective view of a thermal element.

제4도는 요부의 블록도.4 is a block diagram of a main part.

제5도 및 제6도는 전기회로 중의 전압 또는 전류파형을 나타낸 도면.5 and 6 show voltage or current waveforms in an electric circuit.

제7도는 본 발명의 게이트 회로의 다른 실시예를 도시하는 전기회로도.7 is an electric circuit diagram showing another embodiment of the gate circuit of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 전기모포본체 2 : 과열감지발열선1: electric blanket main body 2: overheating detection heating wire

2b : 발열선 3 : 감열체(온도센서)2b: heating wire 3: heating element (temperature sensor)

3b, 3d : 도체(검지전극) 6 : 사이리스터(스위칭소자)3b, 3d: conductor (detection electrode) 6: thyristor (switching element)

8, 9 : 가변저항 및 저항(직렬분압소자) A : 온도검출회로8, 9: variable resistor and resistance (series voltage divider) A: temperature detection circuit

14 : 분압회로 16 : 직류전원회로14: voltage divider circuit 16: DC power circuit

23 : 동기회로 32 : 절대치회로23: synchronization circuit 32: absolute value circuit

39 : 게이트회로 41 : 제1의 기준전압발생회로39: gate circuit 41: first reference voltage generating circuit

46 : 연산증폭기(제1의 비교제어회로) 48 : 제2의 기준전압발생회로46: operational amplifier (first comparison control circuit) 48: second reference voltage generating circuit

51 : 연산증폭기(제2의 비교제어회로) 56 : 콘덴서51: operational amplifier (second comparison control circuit) 56: capacitor

60 : 검지회로 74 : 고장검지회로60: detection circuit 74: fault detection circuit

96 : 가변저항96: variable resistor

본 발명은 전기모포 또는 전기양탄자의 온도를 온도센서로 검치하여 교류전원에 동기한 제어신호에 의하여 제어되는 스위칭 소자로 발열체를 통·단전 제어하도록 구성한 것에 있어서, 온도센서를 포함하는 회로고장에 대한 안정성 향상을 도모한 온도제어회로의 안전장치에 관한 것이다.The present invention is configured to detect the temperature of the electric blanket or the electric carpet with a temperature sensor and to control the heating and disconnection of the heating element by a switching element controlled by a control signal synchronized with an AC power source, the circuit failure including a temperature sensor It relates to a safety device of a temperature control circuit aimed at improving stability.

종래 이와같은 종류의 히이터 등의 발열체를 통·단전 제어함에 있어, 제어대상인 예를들면 전기모포본체의 온도를 부(負)의 온도특성을 가지는 온도센서에 의하여 검지하고 있으므로 온도센서로서는 온도가 낮을 때 검출전압이 높아지고, 온도가 높을 때에 검출전압이 낮아진다. 그러므로 온도센서 자신의 고장이나 단선 또는 단자가 떨어졌을 때, 모포본체와 온도제어기의 코넥터의 접촉불량, 그 외에 배선과의 단락등의 여러가지 고장중, 검출전압이 낮아지는 경우에는 스위칭 소자가 오프상태로 되어서 전기모포본체의 온도가 상승하지 않을 뿐 위험은 없으나 검출전압이 높아지는 고장에 대해서는 제어회로가 전기모포본체의 온도가 낮은 것으로 알고 스위칭 소자를 계속 통전함으로써 전기모포본체가 과열상태가 되어 화제등의 발생위험이 있었다. 그러므로 검출전압이 높아지는 고장의 태반의 원인인 검지선의 단선 및 코넥터의 접촉불량을 검출하기 위해 온도센서의 검출측 단자와 반대측 단자의 전압을 검출하는 안전회로를 설치하여 상기한 위험에 대처하도록 했었다.Conventionally, in controlling the heating and disconnection of heating elements such as heaters of this kind, for example, the temperature of the electric blanket main body to be controlled is detected by a temperature sensor having negative temperature characteristics. When the detection voltage is high and the temperature is high, the detection voltage is low. Therefore, the switching element is turned off when the detection voltage decreases during various failures such as failure of the temperature sensor itself, disconnection of the temperature sensor, poor contact between the blanket body and the connector of the temperature controller, and short circuit between the wirings. There is no danger of the temperature of the electric blanket main body, but there is no danger, but the control circuit knows that the temperature of the electric blanket main body is low for the fault that the detection voltage is high. There was a risk of occurrence. Therefore, in order to detect the disconnection of the detection line and the contact failure of the connector, which are the causes of the placenta of the failure of increasing the detection voltage, a safety circuit that detects the voltage of the detection side terminal and the opposite terminal of the temperature sensor was installed to cope with the above-mentioned danger.

그러나 종래의 것은 온도센서의 검출전압을 받는 회로와는 별도로 안전회로를 설치하고 있으므로 전체회로가 복잡화되는 결점이 있고, 또 온도센서는 통상적으로 낮은 전압만이 작용하지만 단선이나 단자가 떨어졌을 경우 전원전압이 직접 작용할 수 있으므로 양회로가 다같이 높은 전압에 견딜 수 있도록 구성하지 않으면 안된다. 또 상기한 양회로가 다같이 일반적으로 높은 임피던스가 되므로 외부잡음을 방지하는 저역통과필터도 필요하게 된다.However, in the related art, since the safety circuit is installed separately from the circuit which receives the detection voltage of the temperature sensor, the entire circuit is complicated. In addition, the temperature sensor usually has only a low voltage, but the power supply voltage in the case of disconnection or terminal loss. This can work directly, so both circuits must be configured to withstand high voltages. In addition, since both circuits are generally high impedance, a low pass filter for preventing external noise is also required.

본 발명은 상기 사정을 고려하여 연구된 것으로, 그 목적은 온도센서의 검출전압을 받는 회로자체에 온도센서의 이상을 동시에 검출하는 기능을 부여해서 별도의 안전회로를 없애고 전체회로를 간단히 할 수 있고, 온도센서로부터의 검출전압의 이상 상승시에도 간단한 회로구성을 대처할 수 있고, 또 온도센서의 고장에 대하여 절대적으로 안전하게 작용할 수 있게 해주는 온도제어회로의 안전장치를 제공하는 것이다.The present invention has been studied in view of the above circumstances, and its object is to provide a function of simultaneously detecting an abnormality of the temperature sensor to the circuit itself receiving the detection voltage of the temperature sensor, thereby eliminating a separate safety circuit and simplifying the entire circuit. It is to provide a safety device of a temperature control circuit that can cope with a simple circuit configuration even in the event of an abnormal rise in the detected voltage from the temperature sensor, and can absolutely work against a failure of the temperature sensor.

본 발명은 2개의 검지전극간에 감은 저항체를 삽입한 온도센서의 상기 양 검지전극간에 분압소자를 직렬접속하여 구성되는 분압회로를 삽입하는 동시에 직렬분압소자, 한쪽의 검지전극, 분압회로, 다른쪽의 검지전극을 차례로 직렬로 접속해서 교류전원 단자간에 접속하여 구성되는 온도검출회로를 설치하고, 이 온도검출회로의 분압회로로부터의 검출전압이 정상 범위내에 있는지의 여부를 검지하는 제1의 비교검출회로와, 상기 분압회로로부터의 검출전압과 온도설정용 기준전압을 비교하는 제2의 비교제어회로를 설치하고, 양 비교기의 비교결과로 스위칭 소자를 도통제어하고, 고장시에 안전성 향상을 도모하도록 한 것이다.The present invention inserts a voltage divider circuit formed by connecting a voltage divider element in series between the two detection electrodes of a temperature sensor in which a resistor wound between two detection electrodes is inserted, and simultaneously a series voltage divider element, one detection electrode, a voltage divider circuit, and the other. A first detection circuit for detecting whether or not the detection voltage from the voltage dividing circuit of the temperature detection circuit is within a normal range is provided by connecting a detection electrode in series and connecting between AC power terminals. And a second comparison control circuit for comparing the detected voltage from the voltage dividing circuit with the reference voltage for temperature setting, and conducting control of the switching element as a result of the comparison between the two comparators, so as to improve safety in the event of a failure. will be.

이하 본 발명의 한 실시예에 대하여 제1도 내지 제6도를 참조하면서 설명한다. (1)은 전기모포본체이고, 이 내부에 과열감지선(2) 및 온도센서로서의 감열체(3)가 배치된다. 즉 제2도는 과열감지발열선(2)을 도시하는 도면이고, 심사(芯사)(2a)에 발열체로서의 발열선(2b)을 감고, 그 위에서 소정 온도로 용융하는 나일론층(2c)을 피복하여 다시 과열감지선(2d)을 감아서 그 바깥쪽에 전기절연피복(2e)을 피복한 것이다. 또, 제3도는 감열체(3)를 도시하는 도면이고, 심사(3a)에 한쪽의 검지전극으로서의 도체(3b)를 감고, 그 위에 부의 온도계수의 임피던스 특성을 가지는 감열층(3c)을 설치하고, 다시 다른쪽의 검지전극으로서 도체(3d)를 그 위에 감아서 그 바깥쪽에 전기절연피복(3e)을 피복한 것이다. 한편 (4), (5)는 한쌍의 교류전원단자이고, 이들의 사이에 발열선(2b)과 스위칭 소자로서의 사이리스터(6)와 안전기로서의 온도 퓨즈(7)와의 직렬회로가 접속된다. (8)은 직렬분압소자로서 작용하는 온도설정용의 가변저항이고, (9)는 동일한 직렬 분압소자로서의 작용을 하는 고정저항이고, 이들은 감열체(3)의 감열층(3c)의 임피던스, 감지선(2d), 온도퓨즈(7)를 가열하는 히이터(10) 및 온도퓨즈(7)를 통하여 교류전원단자(4), (5) 사이에 접속되고, 도체(3b), (3d) 사이에는 저항들(11, 12, 13)로 구성되는 분압회로(14) 및 잡음흡수용 콘덴서(15)를 접속하고, 온도검출회로 A를 구성한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. (1) is an electric blanket body, in which the overheat detection wire 2 and the heat sensing body 3 as a temperature sensor are arrange | positioned. That is, FIG. 2 is a figure which shows the overheating detection heating wire 2, The heating wire 2b as a heating element is wound around the screen 2a, and the nylon layer 2c which melt | dissolves at predetermined temperature on it is covered, and is again The overheat detection wire 2d is wound and the outer surface thereof is covered with an electrical insulation coating 2e. 3 is a diagram showing the heat-sensitive body 3, the conductor 3b serving as one detection electrode is wound around the screen 3a, and a heat-sensitive layer 3c having a negative impedance characteristic of negative temperature coefficient is provided thereon. Then, the conductor 3d is wound thereon as the other detection electrode and the electrical insulation coating 3e is coated on the outside thereof. On the other hand, (4) and (5) are a pair of AC power supply terminals, between which a series circuit of the heating line 2b, the thyristor 6 as a switching element, and the thermal fuse 7 as a safety device is connected. (8) is a variable resistor for temperature setting acting as a series voltage divider element, (9) is a fixed resistor acting as a same series voltage divider element, and these are the impedance and sensing of the heat-sensitive layer 3c of the heat-sensitive body 3 It is connected between the AC power supply terminals 4 and 5 through the line 2d, the heater 10 for heating the temperature fuse 7 and the temperature fuse 7, and between the conductors 3b and 3d. The voltage dividing circuit 14 composed of the resistors 11, 12, 13 and the noise absorbing capacitor 15 are connected, and a temperature detection circuit A is formed.

이 분압회로(14)의 저항들(11, 12)은 도체(3b), (3d)를 각각 직렬로 삽입하여 고정저항(9)과 감지선(2d)과의 사이에 직렬로 제1도의 도시와 같이 접속된다. 한편, (16)은 직류 전원회로이고 저항(17), 제너다이오드(18), 다이오드들(19, 20) 및 콘덴서들(21, 22)로 구성된다. (23)은 동기회로이고, 4개의 다이오드들(24a 내지 24d)로 구성되는 전파정류기(24), 저항들(25 내지 29) 및 트랜지스터들(30, 31)로 구성된다. (32)는 온도검출회로 A로부터의 검출전압을 직류화하는 절대치 회로이고, 제너 다이오드들(33, 34), 연산증폭기(35), 다이오드(36), 저항(37), 콘덴서(38)로 구성된다. (39)는 샘플링용의 게이트회로이고, 제너다이오드(40)로 구성되는 제1의 기준전압발생회로(41)와 저항들(42 내지 44), 트랜지스터(45)로 구성된다. (46)은 제1의 비교제어회로로서 개방 콜렉터형의 연산증폭기이다. (47)은 샘플링용의 게이트회로이고, 제너다이오드(48a)로 구성되는 제2의 기준전압발생회로(48)와 저항들(49, 50)로 구성된다. (51)은 제2의 비교제어회로로서의 연산증폭기이다. (52)는 점호(點弧)제어용 트랜지스터, (53) 내지 (55)는 저항이다. (56)은 점호용의 콘덴서이고, (57)은 저항이다. (58) 및 (59)는 잡음방지용의 저항 및 콘덴서이고, (60)은 사이리스터(6)의 온·오프를 검지하는 검지회로이다. 4개의 다이오드들(61a 내지 61d)로 구성되는 전파정류회로(61)와, 저항들(62 내지 68), 트랜지스터들(69 내지 73) 및 다이오드들(74, 75)로 구성된다. (76)은 사이리스터(6)의 고장을 검지하는 고장검지회로이고, 저항들(77 내지 83), 콘덴서(84), 2개의 다이오드들(85a, 85b), 연산증폭기(86), 트랜지스터들(87, 88)로 구성된다. (89)는 온도퓨즈(7)를 가열하는 히이터, (90)은 다이오드, (91)은 히이터(89)의 통·단전을 제어하는 사이리스터, (92)는 점호용 콘덴서 (93)은 저항이다.The resistors 11 and 12 of this voltage dividing circuit 14 are inserted in series with the conductors 3b and 3d, respectively, in series between the fixed resistor 9 and the sensing line 2d. Is connected as follows. On the other hand, 16 is a DC power supply circuit and is composed of a resistor 17, a zener diode 18, diodes 19 and 20, and capacitors 21 and 22. Reference numeral 23 is a synchronous circuit, and is composed of a full-wave rectifier 24 composed of four diodes 24a to 24d, resistors 25 to 29, and transistors 30 and 31. Numeral 32 denotes an absolute value circuit for directing the detected voltage from the temperature detection circuit A, and includes the zener diodes 33 and 34, the operational amplifier 35, the diode 36, the resistor 37, and the capacitor 38. It is composed. Reference numeral 39 is a gate circuit for sampling, and is composed of a first reference voltage generating circuit 41 composed of a zener diode 40, resistors 42 to 44, and a transistor 45. Reference numeral 46 denotes an operational collector of the open collector type as the first comparison control circuit. Reference numeral 47 is a gate circuit for sampling, and is composed of a second reference voltage generation circuit 48 composed of a zener diode 48a and resistors 49 and 50. Numeral 51 denotes an operational amplifier as the second comparison control circuit. Reference numeral 52 is a firing control transistor, and 53 to 55 are resistors. Reference numeral 56 is a condenser for firing, and 57 is a resistor. Reference numerals 58 and 59 denote noise suppressors and capacitors, and reference numeral 60 denotes a detection circuit for detecting the on / off of the thyristor 6. It is composed of a full-wave rectification circuit 61 composed of four diodes 61a to 61d, resistors 62 to 68, transistors 69 to 73, and diodes 74 and 75. 76 is a fault detection circuit for detecting a failure of the thyristor 6, and includes resistors 77 to 83, a capacitor 84, two diodes 85a and 85b, an operational amplifier 86, and transistors ( 87, 88). Numeral 89 denotes a heater for heating the temperature fuse 7, numeral 90 denotes a diode, numeral 91 denotes a thyristor which controls the flow and disconnection of the heater 89, and reference numeral 92 denotes a firing capacitor 93. .

또, 제1도에서 점선 P내에 위치된 직류전원회로(16), 절대치회로(32), 게이트회로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47), 연산증폭기(51), 검출회로(60), 고장검출회로(76) 등의 구성부품은 집적회로화 되어 1개의 IC 패키지내에 수용되고, 점선 P와의 각 부품은 바깥쪽에 설치된다.In addition, in Fig. 1, the DC power supply circuit 16, the absolute value circuit 32, the gate circuit 39, the operational amplifier 46, the gate circuit 47, the operational amplifier 51, and the detection circuit located in the dotted line P are shown in FIG. Component parts such as the 60 and the fault detection circuit 76 are integrated circuits and accommodated in one IC package, and each component with the dotted line P is provided outside.

다음에 상기한 구성의 작용을 설명한다. 교류전원단자(4), (5)간에 교류전원 V_AC가 인가되면 가변저항(8), 고정저항(9), 감열층(3c)의 임피던스, 과열감지선(2d) 및 히이터(10)의 직렬회로에 전류가 흘러서 도체(3b), (3d) 사이에 감열층(3c)으로 분압된 교류검출전압(V_s)이 생성되고, 이것이 저항등(11 내지 13)과 콘덴서(15)에서 다시 분압되어 분압회로(14)의 출력단자에 검출전압(V_i)이 출력되고, 연산증폭기(35)의 비반전 입력단자에 입력된다(제5(a)도, 제5(c)도 참조).Next, the operation of the above configuration will be described. When AC power V _AC is applied between the AC power terminals 4 and 5, the impedance of the variable resistor 8, the fixed resistor 9, the heat-sensitive layer 3c, the overheat sensing line 2d and the heater 10 An electric current flows through the series circuit to generate an AC detection voltage (V _s ) divided by the heat-sensitive layer 3c between the conductors 3b and 3d, which is again generated by the resistance lamps 11 to 13 and the capacitor 15. The voltage is divided and the detection voltage _Vi is output to the output terminal of the voltage dividing circuit 14, and is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 35 (see also fifth (a) and fifth (c)). .

그리고 감열층(3c)의 임피던스는 전기모포본체(1)의 온도에 따라서 변화하므로 도체(3b), (3d) 사이에 발생하는 교류 검출전압(V_s) 및 온도검출회로 A의 분압회로(14)에서 출력되는 검출전압(V_i)은 전기모포본체91)의 온도에 따른 것이 된다. 그리고 분압회로(14)를 거쳐 절대치회로(32)에 입력된 검출전압(V_i)은 연산증폭기(35)에서 완충 증폭되고, 이것이 다이오드(36)에서 정류되고, 또 콘덴서(38)에서 평활되고 직류로 되어 직류 검출전압(V_d)가 된다(제5(c)도 참조).Since the impedance of the heat-sensitive layer 3c changes according to the temperature of the electric blanket body 1, the AC detection voltage V _s generated between the conductors 3b and 3d and the voltage dividing circuit 14 of the temperature detection circuit A The detection voltage V _i output from) is in accordance with the temperature of the electric blanket body 91. The detection voltage V _i input to the absolute value circuit 32 via the voltage dividing circuit 14 is buffered and amplified by the operational amplifier 35, which is rectified by the diode 36, and smoothed by the capacitor 38. It is a direct current is a direct-current detection voltage (V _d) (see Figure No. 5 (c)).

따라서 직류검출전압(V_d)은 전기모포본체(1)의 온도에 따른 전압이 된다. 한편 제너 다이오드(18)의 양단에는 최대값이 예를들면 12V로 일정화된 교류전압이 발생하여 도선(94) 및 (95)간에는 다이오드(20)에서 정류되고, 또 전해콘덴서(21)에서 평활된 저압(12V)의 직류전압(V_cc-V_ee)이 인가된다.Therefore, the DC detection voltage V _d becomes a voltage according to the temperature of the electric blanket body 1. On the other hand, an AC voltage with a maximum value constant, for example, 12V is generated at both ends of the zener diode 18 so as to be rectified by the diode 20 between the conductors 94 and 95, and smoothed by the electrolytic capacitor 21. DC voltage (V _cc -V _ee ) of the low voltage (12V) is applied.

그리고 동기회로(23)의 트랜지스터(30)의 베이스, 에미터간에는 전파정류기(24)에서 직류화된 제5(b)도에 도시하는 전압(V_a)이 인가되므로 이 트랜지스터(30)는 교류전원단자(4), (5) 사이에 인가된 교류전원의 "0"전압근방에서 그 교류전원에 동기해서 차단되고, 트랜지스터(31)는 트랜지스터(30)의 도통시에 도통해서 콜렉터가 LO레벨(V_ee)이 되고, 또 트랜지스터(30)의 차단시에 차단되어 HI 레벨(V_cc)이 되고, 제6(c)도에 도시하는 파형(V_p)이 출력된다. 한편, 트랜지스터(45)는 베이스에 HI 레벨이 부여되었을때에 도통해서 콜렉터가 LO 레벨이 되고, 이때에 제1의 기준전압발생회로(41)가 유효화되어서 게이트회로(39)의 출력단자인 제너다이오드(40)와 저항(43)의 공통접속점은 그 제너다이오드(40)의 제너전압에 의하여 도선(94)의 전압(V_cc)에 대하여 약 4.9V 낮은 제1의 기준전압(-V_r1)이 된다. 또, 이 트랜지스터(45)는 베이스에 LO 레벨이 부여되었을 때에 차단되어 게이트회로(39)의 출력단자가 HI 레벨(V_cc)이 된다. 그리고, 트랜지스터(45)의 베이스에는 동기회로(23)의 출력이 가해지므로 제1의 기준전압(-V_r1)이 동기회로(23)에 의하여 샘플링되고, 게이트회로(39)의 출력단자에 제5(c)도에 도시하는 샘플링결과신호(V_r1)가 출력된다. 그리고 절대치회로(32)에서 출력되는 직류 검출전압(V_d)이 연산증폭기(46)의 비반전입력단자에 입력되고, 또 게이트회로(39)의 샘플링결과신호(V₁)가 연산증폭기(46)의 반전입력단자에 입력되어서 양자가 이 연산증폭기(46)에서 비교된다.In addition, since the voltage V _a shown in FIG. 5 (b), which is direct-flowed from the full-wave rectifier 24, is applied between the base and the emitter of the transistor 30 of the synchronous circuit 23, the transistor 30 is alternating current. In the vicinity of the " 0 " voltage of the AC power applied between the power supply terminals 4 and 5, the AC power is cut off in synchronization with the AC power. The transistor 31 is turned on when the transistor 30 is turned on, and the collector is at the LO level. (V _ee ), the transistor 30 is cut off when the transistor 30 is shut off, and the HI level is V _cc , and the waveform V _p shown in FIG. 6 (c) is output. On the other hand, the transistor 45 is turned on when the HI level is applied to the base, and the collector is at the LO level. At this time, the first reference voltage generating circuit 41 is activated and the zener serving as the output terminal of the gate circuit 39 is activated. The common connection point of the diode 40 and the resistor 43 is the first reference voltage (-V _r1 ) that is about 4.9 V lower than the voltage V _cc of the conductive wire 94 by the zener voltage of the zener diode 40. Becomes This transistor 45 is cut off when the LO level is applied to the base, and the output terminal of the gate circuit 39 is at the HI level (V _cc ). Since the output of the synchronization circuit 23 is applied to the base of the transistor 45, the first reference voltage -V _r1 is sampled by the synchronization circuit 23, and the output terminal of the gate circuit 39 is applied to the output terminal of the gate circuit 39. The sampling result signal V _r1 shown in Fig. 5 (c) is output. The DC detection voltage V _d output from the absolute value circuit 32 is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 46, and the sampling result signal V ₁ of the gate circuit 39 is supplied to the operational amplifier 46. Are inputted to the inverting input terminal of < RTI ID = 0.0 >)< / RTI >

그리고 감열체(3)의 감열층(3c)의 임피던스를 거쳐서 도체(3b), (3d)간에 부압되는 전압(V_s)이 50V일 때에 전기모포본체(1)가 설정온도가 되도록 하고, 전기모포본체(1)가 설정온도보다 낮은 때에는 전압(V_s)이 50V 이상이 되도록 설정되고, 전기모포본체(1)가 설정온도일 때 검출전압(V_i)이 1.5V(AC)가 되고, 직류검출전압(V_d)은 -2.1V(DC)가 되도록 분압회로(14)의 저항들(11 내지 13) 저항값 및 콘덴서(15)의 용량이 정해져 있다. 그리고 회로가 정상으로 작도하고 있을 때는 전기모포본체(1)의 온도가 실온에 따라서 상당히 낮은 온도일 때도 검지전극(3b), (3d)간의 전압이 100V(AC)를 넘는 일은 없고, 직류 검출전압(V_d)의 최대값은 회로가 정상으로 작동할 때도 -4.2로서 제1의 기준전압(-V_r1)(=-4.9V)보다 낮아지는 일은 없다. 따라서, V₁=-V_r1이 되어 V_d가 -V_r1보다 높을 때에 연산증폭기(46)는 오프가 되고, 그것에 의하여 V_d가 -V_r1보다 낮을 때에 연산증폭기(46)는 온된다. 그리고 게이트회로(47)의 제너다이오드(48a)와 저항(49)의 공통접속점은 이 제너다이오드(48a)의 제너전압에 의하여 도선(94)의 전압(V_cc)에 대하여 약 2.1V 낮은 제2의 기준전압(-V_r2)으로 되고, 연산증폭기(46)가 온·오프되는 정상작동시에는 게이트회로(47)의 출력단자 즉 저항(50)과 연산증폭기(51)의 반전입력단자와의 공통접속점이 연산증폭기(46)의 출력에 의하여 샘플링되고, 제5(d)도에 도시하는 샘플링결과신호(V₂)가 출력된다. 이 신호(V₂)는 교류전원의 "0" 전압 근방에서 -V_r2가 되고, 그 이외일 때는 V_ee가 된다. 그리고, 연산증폭기(51)의 반전입력단자에 신호(V₂)가 입력되고, 연산증폭기(51)의 비반전입력단자에 직류 검출전압(V_d)이 입력되어서 양자가 연산증폭기(51)에서 비교된다.Then, when the voltage V _{s of the} negative pressure between the conductors 3b and 3d through the impedance of the heat-sensitive layer 3c of the heat-sensitive body 3 is 50V, the electric blanket body 1 is brought to a set temperature. When the blanket body 1 is lower than the set temperature, the voltage V _s is set to be 50 V or more, and when the electric blanket body 1 is at the set temperature, the detection voltage V _i becomes 1.5V (AC), The resistance value of the resistors 11 to 13 of the voltage dividing circuit 14 and the capacitance of the capacitor 15 are determined so that the DC detection voltage V _d becomes -2.1V (DC). When the circuit is normally constructed, the voltage between the detection electrodes 3b and 3d does not exceed 100 V (AC) even when the temperature of the electric blanket body 1 is considerably lower depending on the room temperature. The maximum value of (V _d ) is -4.2 even when the circuit is operating normally, and does not lower than the first reference voltage (-V _r1 ) (= -4.9V). Therefore, when V ₁ = -V _r1 and V _d is higher than -V _r1 , the operational amplifier 46 is turned off, whereby the operational amplifier 46 is turned on when V _d is lower than -V _r1 . And the gate of about 2.1V with respect to the Zener diode (48a) and a voltage (V _cc) of the resistor 49, conductor 94 by the zener voltage of the common connection point is a Zener diode (48a) of the circuit 47, the second low In the normal operation in which the operational amplifier 46 is turned on and off at the reference voltage (-V _r2 ), the output terminal of the gate circuit 47, that is, the resistance 50 and the inverting input terminal of the operational amplifier 51 The common connection point is sampled by the output of the operational amplifier 46, and the sampling result signal V ₂ shown in FIG. 5 (d) is output. This signal V ₂ becomes -V _r2 near the "0" voltage of the AC power supply, and V _ee in other cases. Then, the signal V ₂ is input to the inverting input terminal of the operational amplifier 51, and the DC detection voltage V _d is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 51, so that both are supplied from the operational amplifier 51. Are compared.

그리고 전기모포본체(1)의 온도가 설정온도보다 낮고, 전압(V_d)이 신호(V₂)의 피이크 전압(전압 -V_r2)보다도 낮은 기간(T₁)에서는 연산증폭기(51)의 출력전압(V_o1)이 교류전압의 "0" 전압 근방에서 전압(V_ee)까지 하강되는 파형이 되고, 또 전기모포본체(1)의 온도가 설정온도보다 높고 전압(V_d)이 전압(-V_r2)보다도 높은 기간(T₂)에서는 연산증폭기(37)의 출력전압(V_o1)이 전압(V_cc)과 같은 일정전압 파형이 된다(제5(e)도 참조). 이 출력전압(V_o1)이 트랜지스터(52)의 베이스에 저항(53)을 통하여 입력되므로 기간(T₁)에서는 전압(V_o1)이 LO 레벨일 때(전압 V_ee와 같을 때)에 트랜지스터(52)가 도통하여 콜렉터 전압(V_c)이 상승하고(제5(f)도 참조), 사이리스터(6)의 게이트에 제5(g)도의 도시와 같이 교류전원의 "0" 전압 근방에서 콘덴서(56)에 저장된 전하가 게이트전류(I_g)로서 흘러 이 사이리스터(6)가 교류전원의 정의 반사이클 기간동안 도통하므로써 발열선(2b)의 양단에 제5(h)도의 도시와 같이 교류전압(V_h)이 인가되고, 발열선(2b)이 발열하게 되고, 또 기간(T₂)에서는 사이리스터(6)가 차단된다.And lower than the temperature at the set temperature of the electric blanket body (1), the voltage (V _d), the output of operational amplifier 51, the peak voltage (voltage -V _r2) lower than the period (T ₁₎ of the signal (V ₂₎ The voltage (V _o1 ) becomes a waveform falling to the voltage (V _ee ) near the "0" voltage of the alternating voltage, and the temperature of the electric blanket body 1 is higher than the set temperature and the voltage (V _d ) is the voltage (- In the period T ₂ higher than V _r2 ), the output voltage V _o1 of the operational amplifier 37 becomes a constant voltage waveform equal to the voltage V _cc (see also fifth (e)). Since the output voltage V _o1 is input to the base of the transistor 52 through the resistor 53, in the period T ₁ , when the voltage V _o1 is at the LO level (when the voltage V _ee is equal), the transistor ( 52, the collector voltage V _c rises (see also the fifth (f)), and the capacitor is located near the zero voltage of the AC power supply as shown in the fifth (g) of the thyristor 6 as shown in FIG. The electric charge stored in the 56 flows as the gate current I _g so that the thyristor 6 conducts for a positive half cycle period of the AC power supply, so that both ends of the heating line 2b as shown in FIG. V _h ) is applied, and the heating wire 2b generates heat, and the thyristor 6 is blocked in the period T ₂ .

그리하여, 상기 구성에 있어서 사이리스터(6)가 정상의 차단상태를 나타내고 있을 때는 이 사이리스터(6)의 음극·양극간에 저항(62)를 삽입하여 병렬로 접속된 전파정류기(61)에 제6(a)도의 기간(T_a)에 표시하는 바와같은 교류전원이 인가되므로 검지회로(60)의 트랜지스터(69)의 베이스·에미터 사이에는 전파정류기(61)로 직류화된 전압이 인가되고, 이 트랜지스터(69)는 트랜지스터(30)와 같은 타이밍으로 교류전원에 동기해서 도통 및 차단되고, 트랜지스터(71)의 콜렉터전압(V_t)은 제6(b)도의 도시와 같아지고, 다이오드들(74, 75) 및 트랜지스터(72)로 구성되는 OR 게이트회로를 거쳐서 동기회로(23)의 출력(V_p)과 전압(V_t)이 합성된 트랜지스터(73)의 콜렉터에 검지전압(V_a)이 출력되고, 검지전압(V_a)이 LO 레벨일 때 콘덴서(84)가 충전되고, 전압(V_o1)이 LO 레벨일 때 트랜지스터(78)는 온되어 콘덴서(84)에 저장된 전하가 방전되고, 기간(T_a)에서는 연산증폭기(86)의 비반전입력단자의 전압(V_ca)이 제6(f)도의 도시와 같이 된다. 한편, 연산증폭기(86)의 반전입력 단자에는 샘플링 결과신호(V₂)와 동기되어 상승하는 전압(V₃)이 입력되고, 전압(V_ca)과 전압(V₃)이 연산증폭기(86)에서 비교된다. 그리고, 기간(T_a)에 있어서는 콘덴서(84)의 충·방전이 주기적으로 실시되고 있으므로, 전압(V_ca)은 전압(V₂)보다 높고, 연산증폭기(86)의 출력단자의 전압(V_o2)이 제6(g)도의 도시와 같이 HI 레벨에서 트랜지스터(88)가 차단되고, 또 사이리스터(91)가 차단된다.Therefore, when the thyristor 6 shows the normal cut-off state in the above structure, the sixth (a) is connected to the full-wave rectifier 61 connected in parallel by inserting a resistor 62 between the cathode and the anode of the thyristor 6. Since the AC power as shown in the period (T _a ) of FIG. 2 is applied, a voltage DC-directed by the full-wave rectifier 61 is applied between the base and the emitter of the transistor 69 of the detection circuit 60. 69 is turned on and off in synchronism with the AC power supply at the same timing as the transistor 30, and the collector voltage V _t of the transistor 71 is as shown in FIG. 6 (b), and the diodes 74, 75) and a transistor (72) OR gate circuit via the output (V _p) and voltage (V _t), the detection voltage (V _a), the output to the collector of the composite transistor 73 to the synchronization circuit (23) consisting of and, sensing a voltage (V _a), a LO level one when the capacitor 84 is being charged, the voltage (V _o1) the LO level one When transistor 78 is turned on is, and the charge stored in the capacitor 84 is discharged, the period (T _a) in the voltage of the noninverting input terminal of the operational amplifier (86) (V _ca) the first 6 (f) a separate city and Become together. On the other hand, the voltage V ₃ rising in synchronization with the sampling result signal V ₂ is input to the inverting input terminal of the operational amplifier 86, and the voltage V _ca and the voltage V ₃ are input to the operational amplifier 86. Are compared. In the period T _a , since charge and discharge of the capacitor 84 are periodically performed, the voltage V _ca is higher than the voltage V ₂ , and the voltage V of the output terminal of the operational amplifier 86 is increased. _As shown in Fig. 6 (g), the transistor 88 is cut off at the HI level, and the thyristor 91 is cut off.

그러나 사이리스터(6)가 고장이 나서, 예를들면 순방향으로의 내압이 낮아졌을 때에는 제6도에서 기간(T_b)으로 도시하는 바와같이 연산증폭기(51)의 출력전압(V_o1)이 HI 레벨에서 사이리스터(6)의 게이트에 점호신호가 부여되지 않고 있는데도 이 사이리스터(6)의 음극·양극간의 전압(V_scr)이 내압을 초과한 시점에서 도통상태가 된다(제6(a)도 참조).However, when the thyristor 6 breaks down, for example, when the internal voltage in the forward direction decreases, the output voltage V _o1 of the operational amplifier 51 is HI level, as shown by the period T _b in FIG. 6. Although the firing signal is not applied to the gate of the thyristor 6 in the above state, the voltage V _scr between the cathode and the anode of the thyristor 6 becomes a conducting state when the breakdown voltage is exceeded (see also 6 (a)). .

그리고 이와같이 하여 사이리스터(6)가 고장상태에서 도통하면 발열선(2b)이 도통상태가 되나, 검지회로(60)의 전파정류기(61)는 출력을 발생하지 않게 되고, 트랜지스터(69)는 사이리스터(6)가 도통했을 때에 차단되고, 또 트랜지스터(71)가 도통되고, 전압(V_t)이 LO 레벨(V_ee)이 되고 전압(V_a)이 사이리스터(6)의 도통시에 LO 레벨(V_ee)이 되고, 콘덴서(84)를 충전하므로 전압(V_ca)이 저하되고, 곧 전압(V₃)의 피이크 값을 밑돌게 된다.In this way, when the thyristor 6 conducts in a fault state, the heating line 2b becomes a conduction state, but the full-wave rectifier 61 of the detection circuit 60 does not generate an output, and the transistor 69 causes the thyristor 6 ) Is cut off when conducting, the transistor 71 conducts, the voltage V _t becomes the LO level V _ee , and the voltage V _a becomes the LO level V _ee when the thyristor 6 conducts. ), And because the capacitor 84 is charged, the voltage V _ca is lowered, and immediately below the peak value of the voltage V ₃ .

그러면 전압(V₃)이 피이크 값에 동기해서 연산증폭기(87)의 출력단자의 전압(V_o2)이 교류전원의 "0" 전압 근방에서 제6(g)도의 도시와 같이 LO 레벨이 되고, 사이리스터(91)가 도통되어서 히이터(89)가 통전되고, 온도퓨즈(7)가 열을 받아 끊어지므로 발열선(2b)으로의 통전이 단절된다. 또 사이리스터(6)의 역방향의 내압이 낮아졌을 때는 다이오드(90)를 지나서 히이터(89)가 통전되고, 온도퓨즈(7)가 가열 용융되어서 발열선(2b)으로의 통전이 단절된다.Then, the voltage V ₃ is synchronized with the peak value, and the voltage V _o2 of the output terminal of the operational amplifier 87 becomes the LO level as shown in FIG. 6 (g) near the "0" voltage of the AC power supply. Since the thyristor 91 is turned on, the heater 89 is energized, and the heat fuse 7 is cut off by heat, so that the energization to the heating line 2b is cut off. When the internal pressure in the reverse direction of the thyristor 6 is lowered, the heater 89 is energized through the diode 90, the heat fuse 7 is heated and melted, and the energization to the heating line 2b is cut off.

상기 구성에 의하면 감지기(2d), 도체(3d), 저항(10), 저항(12), 콘덴서(15)등이 단선되거나, 도체(3b)와 저항(12) 사이에 설치된 접속단자 또는 히이터(10)와 감지선(2d)과의 사이에 설치된 접속단자가 떨어지거나 또는 다른 열원 등 어떤 원인으로 과열감지 발열선(2)의 온도가 비정상으로 상승해서 나일론층(2c)이 용융하여 과열감지선(2d)이 발열선(2b)에 접촉하여 도체(3d)에 100V의 전원전압이 작용했을 경우에는 각각 전압(V_s)이 100V의 전원전압과 같아진다. 이때 저항(13)과 제너다이오드들(33, 34)의 작용으로 전압(V_i)의 절대치는 약 12V로 하강되는데 이와같이 전압(V_i)의 절대치가 정상시(최대 3V(AC))에 비해서 비정상으로 커졌을 때는 직류 검출전압(V_d)이 제1의 기준전압(-V_r1)보다 낮아져서 연산증폭기(46)는 온이되어 샘플링 결과신호(V₂)가 V_ee와 같아지므로 연산증폭기(51)의 출력(V_o1)은 항상 HI 레벨, 트랜지스터(52)의 콜렉터는 LO 레벨이 되고, 사이리스터(6)는 차단된다. 또, 전압(V_i)이 비정상으로 낮아졌을 때는 전압(V_d)이 높아져서 V_cc와의 차가 전압(V_r2) 이하가 되고, 전기모포본체(1)의 온도상태가 높을 때와 같은 상태가 되므로 사이리스터(6)는 차단된다.According to the above configuration, the detector 2d, the conductor 3d, the resistor 10, the resistor 12, the capacitor 15, and the like are disconnected or a connection terminal or heater provided between the conductor 3b and the resistor 12 ( 10) the connection terminal provided between the sensing line 2d falls or the temperature of the overheat detection heating line 2 rises abnormally due to some reason such as another heat source, and the nylon layer 2c melts to cause the overheating sensing line ( 2d) if the power supply voltage of 100V to the conductor (3d) and the contact with the heating line (2b), the action is each voltage (V _s) equal to the supply voltage of 100V. At this time, the absolute value of the voltage (V _i ) is lowered to about 12 V by the action of the resistor 13 and the zener diodes (33, 34). Thus, the absolute value of the voltage (V _i ) is normal (up to 3V (AC)) When abnormally large, the DC detection voltage (V _d ) is lower than the first reference voltage (-V _r1 ) so that the operational amplifier 46 is turned on so that the sampling result signal V ₂ becomes equal to V _ee. Output V _o1 is always at HI level, the collector of transistor 52 is at LO level, and thyristor 6 is cut off. In addition, when the voltage V _i is abnormally lowered, the voltage V _d is increased so that the difference from V _cc is equal to or lower than the voltage V _r2 , and the same state as when the temperature of the electric blanket body 1 is high. Thyristor 6 is cut off.

그런데, 예를들면 분압회로(14)의 저항들(11, 12)을 도체(3b), (3d)에 직렬로 개재시키지 않고 저항(9)과 감지선(2d)과의 사이에 직렬 접속해서 분압회로(14)가 감열층(3c)의 임피던스에 대하여 병렬되도록 해도 각 단자가 떨어지거나 접촉불량 또는 도체들(3b, 3d)이 단선되지 않는 정상시에는 아무런 지장없이 온도조절이 가능하다. 그러나, 이와같은 구성으로 도체들(3b, 3d)이 저항(9) 및 감지선(2d)과의 접속부에서 전체 길이의 1/2이 되는 위치에서 단선될시에는 온도센서(3)의 임피던스가 2배가 되고, 접속부에서 전체길이의 1/3이 되는 위치에서 단선될시에는 온도센서의 임피던스가 3배가 되어 온도 검출전압이 어느 것이나 높아져서 온도센서는 전기모포본체의 온도가 낮을 때와 동일한 신호를 출력하고, 전기모포본체의 온도를 비정상으로 높이게 된다. 또, 상기와 같은 구성에서는 도체들(3b, 3d)끼리의 단락은 임피던스가 낮아져서 전기모포본체의 온도가 높을 경우에도 같은 신호를 출력하여 일단 안전하지만 단락과 동시에 단선되었을때 경우에는 온도센서의 임피던스가 높아질 때가 있으므로 위험한 상태가 발생한다. 즉, 상기 구성에 있어서 온도센서의 단선은 어느 경우에도 전기모포본체의 온도가 낮을 경우와 같은 온도검출신호를 출력하여 위험한 상태가 발생되지만 본 실시예에서는 가변저항(8), 저항(9), 도체(3b), 분압회로(14)의 저항들(11, 12), 감지선(2d)을 직렬로 접속하여 단선의 검지를 시행하는 동시에 단선의 발생위치가 어느 위치이건간에 전압(V_i)이 비정상적으로 높아지거나 또는 비정상적으로 낮아지는 어느 한쪽의 상태가 되므로 사이리스터(6)는 차단되고, 전기모포본체(1)는 과열에 의하여 위험한 상태를 나타내는 일이 없게 된다.By the way, for example, the resistors 11 and 12 of the voltage dividing circuit 14 are connected in series between the resistor 9 and the sensing line 2d without interposing the conductors 3b and 3d in series. Even if the voltage dividing circuit 14 is paralleled to the impedance of the heat-sensitive layer 3c, the temperature can be adjusted without any problem in the normal state in which each terminal is dropped or the contact failure or the conductors 3b and 3d are not disconnected. However, in this configuration, when the conductors 3b and 3d are disconnected at a position that is 1/2 of the total length at the connection portion between the resistor 9 and the sensing line 2d, the impedance of the temperature sensor 3 is reduced. When the cable is doubled and disconnected at a position 1/3 of the total length at the connection part, the impedance of the temperature sensor is tripled and any temperature detection voltage is increased so that the temperature sensor displays the same signal as when the temperature of the electric blanket body is low. Output, and the temperature of the electric blanket body rises abnormally. In addition, the short circuit between the conductors 3b and 3d has the same impedance and outputs the same signal even when the temperature of the electric blanket body is high, but it is safe once the impedance of the temperature sensor is disconnected at the same time as the short circuit. Can sometimes be dangerous, causing a dangerous condition. That is, in the above configuration, disconnection of the temperature sensor generates a dangerous state by outputting a temperature detection signal as in the case where the temperature of the electric blanket body is low, but in this embodiment, the variable resistor 8, the resistor 9, The conductor 3b, the resistors 11 and 12 of the voltage dividing circuit 14, and the sensing line 2d are connected in series to detect disconnection and at the same time the voltage V _i is at any position where the disconnection occurs. The thyristor 6 is cut off because the state becomes either abnormally high or abnormally low, and the electric blanket body 1 does not exhibit a dangerous state due to overheating.

한편, 동기회로(23), 게이트회로(39), 연산증폭기(46), 게이트회로(47) 및 연산증폭기(51)가 차례로 직렬로 가지런히 설치되고, 연산증폭기(51)의 출력이 이른바 펄스 파형일 때에만 사이리스터(6)가 도통하게 되어 있다. 따라서 예를들면 펄스 파형의 근본이 되는 동기회로(23)나 게이트회로(39)가 고장났을 때에는 연산증폭기(46) 이후의 출력은 HI 또는 LO의 일정레벨이 되어 사이리스터(6)가 계속적으로 차단되어, 연산증폭기(46) 및 게이트회로(47)가 고장났을 때도 연산증폭기(51)의 입력단자에 펄스 파형이 입력되지 않고 연산증폭기(51)의 입력단자에 펄스 파형이 입력되지 않고 연산증폭기(51)의 출력은 HI 또는 LO 레벨로 일정해지고, 또 연산증폭기(51)나 트랜지스터(52) 자체가 고장날 때도 각각의 출력은 통상 HI 또는 LO 레벨의 일정전압이 되어, 시간이 경과하여도 HI·LO가 변화되는 일이 없으르몰 사이리스터(6)가 계속적으로 차단되는 것이다.On the other hand, the synchronous circuit 23, the gate circuit 39, the operational amplifier 46, the gate circuit 47 and the operational amplifier 51 are arranged in series in order, and the output of the operational amplifier 51 is a so-called pulse. Thyristor 6 is made to conduct only when it is a waveform. Therefore, for example, when the synchronous circuit 23 or the gate circuit 39, which is the basis of the pulse waveform, has failed, the output after the operational amplifier 46 becomes a constant level of HI or LO, and the thyristor 6 is continuously blocked. Thus, even when the operational amplifier 46 and the gate circuit 47 fail, the pulse waveform is not input to the input terminal of the operational amplifier 51 and the pulse waveform is not input to the input terminal of the operational amplifier 51. The output of 51) becomes constant at the HI or LO level, and even when the operational amplifier 51 or the transistor 52 itself fails, the respective outputs usually become a constant voltage at the HI or LO level. The LO does not change and the thyristor 6 is continuously blocked.

상기 구성에 의하면 온도센서로서의 감열체(3)의 고장으로 전압(V_i)이 비정상적으로 상승했을 때, 제2의 비교제어기로서의 연산증폭기(51)만으로는 전기모포본체(1)의 온도가 낮다고 판단하게 되나, 제1의 비교기로서의 연산증폭기(46)로 검출전압(V_d)이 정상 범위내에 존재하는지의 여부를 판단해서 비정상시에 사이리스터(6)를 차단하도록 구성했으므로 전기모포본체(1)가 과열되어 화재가 발생되는 위험을 미연에 방지할 수 있다. 그리고, 상기한 고장상태의 검지가 온도검출회로 A의 분압회로(14)로부터 출력되고 또 절대치회로(32)에서 직류화된 직류 검출전압(V_d)을 제1의 기준전압(-V_r1)과 비교하는 것에 의해 실시되고 있으므로, 종래의 것과 같이 단선검지전용의 입력단자 및 회로가 필요없고, 전체회로 구성의 간략화를 도모할 수 있다.When a failure in the voltage (V _i) of the heat-sensitive element 3, as according to the temperature sensor in the configuration have abnormally rises, only the operational amplifier 51 as second comparison controller for determining the temperature of the electric blanket body 1 is low However, since the operational amplifier 46 serving as the first comparator determines whether the detected voltage V _d is within the normal range, the electric blanket main body 1 is configured to shut off the thyristor 6 in case of abnormality. The risk of overheating and fire can be prevented. Then, the above-described detection of the fault condition is output from the voltage dividing circuit 14 of the temperature detection circuit A and the DC detection voltage V _d which is DC-directed in the absolute value circuit 32 is converted into the first reference voltage (-V _r1 ). As compared with the conventional method, the input terminal and circuit dedicated to disconnection detection are not required as in the prior art, and the overall circuit configuration can be simplified.

또한 전압(V_s)이 고장에 의하여 비정상으로 상승되면 직류 검출전압(V_d)이 정상시에 비해서 약 6배의 전압이 되므로 쉽게 고장판별이 가능하고, 이와같은 고장시에도 분압회로(14)의 저항(13)과 제너 다이오드들(33, 34)에 의하여 전압(V_i)의 최대값이 12V(AC)로 제한되므로 연산증폭기(35) 등의 회로소자가 고장나는 일은 없고, 또 이와같이 연산증폭기(35)에 비정상의 고전압이 인가되지 않도록 하는 분압회로(14)를 구성하고 있는 저항들(11 내지 13)은 어느 것이나 고내압의 콘덴서에 비해서 소형이고 값이 싸다. 또, 사이리스터(6) 대신에 스위칭 소자로서 트라이액(triac)을 사용해도 좋고, 또 사이리스터(6)로 릴레이 구동하고 그 릴레이 접점으로 발열선(2b)을 통·단전하도록 구성해도 된다.In addition, when the voltage V _s rises abnormally due to a fault, the DC detection voltage V _d becomes about 6 times higher than that of the normal state, so that the fault can be easily identified. Since the maximum value of the voltage V _i is limited to 12 V (AC) by the resistance 13 and the zener diodes 33 and 34, the circuit elements such as the operational amplifier 35 do not fail, and the calculation is performed in this manner. All of the resistors 11 to 13 constituting the voltage divider circuit 14 to prevent an abnormal high voltage from being applied to the amplifier 35 are small and inexpensive as compared with a high breakdown voltage capacitor. In addition, a triac may be used as a switching element instead of the thyristor 6, and the relay may be driven by the thyristor 6, and the heat generating line 2b may be energized and disconnected through the relay contact.

또, 게이트회로(47)(제1도)의 제너다이오드(48a)를 제7도의 도시와 같이 가변저항(96) 및 저항(97)으로 치환하여 제2의 기준전압 발생회로(48)의 제2의 기준전압(-V_r2)을 가변할 수 있고, 동시에 가변저항(8)을 고정저항으로 대치하므로써 전기모포본체(1)의 설정온도를 가변시킬 수도 있다.In addition, the zener diode 48a of the gate circuit 47 (FIG. 1) is replaced with the variable resistor 96 and the resistor 97 as shown in FIG. The reference voltage (-V _r2 ) of 2 can be varied, and at the same time, the set temperature of the electric blanket body 1 can be varied by replacing the variable resistor 8 with a fixed resistor.

본 발명은 이상의 설명과 같이 온도센서의 검출전압을 받는 회로 자신에 온도센서의 이상을 동시에 검출하는 기능을 갖게 하여 별도의 안전회로의 필요를 없애고, 전체회로를 간단히 구성할 수 있고, 온도센서로부터의 검출전압의 비정상 상승에도 간단한 회로구성으로써 대처할 수 있고, 온도센서의 고장에 대하여 절대 안전하게 작용할 수 있도록 한 온도제어회로의 안전장치를 제공할 수 있게 된다.The present invention has the function of simultaneously detecting the abnormality of the temperature sensor in the circuit itself receiving the detection voltage of the temperature sensor as described above, eliminating the need for a separate safety circuit, and can easily configure the entire circuit, from the temperature sensor It is possible to provide a safety device of a temperature control circuit that can cope with an abnormal rise in the detection voltage by a simple circuit configuration and to be able to safely operate against a failure of a temperature sensor.

Claims

In a switching element controlled by a control signal synchronized with an AC power source, in a load-disconnecting control of a load such as a heater, a voltage divider is connected in series between the two detection electrodes of a temperature sensor with a resistor wound between two detection electrodes. And a temperature detecting circuit (A) formed by inserting a voltage dividing circuit (14) configured to be connected to each other and simultaneously connecting a series voltage dividing element, one detection electrode, a voltage dividing circuit, and the other detection electrode in series and connecting between AC power terminals. The first comparison control circuit 46 which detects whether or not the detected voltage from the voltage dividing circuit of the temperature detecting circuit is within the normal range is compared with the detection voltage from the voltage dividing circuit and the reference voltage for temperature setting. The second comparison control circuit 51 for detecting whether the detected temperature of the temperature sensor is lower than or equal to a set temperature, and the detection by the first comparison control circuit. When the pressure is determined to be a normal value and the detection temperature of the temperature sensor is judged to be less than or equal to the second comparison control circuit, the control element is provided with a control circuit for giving a control signal synchronized with an AC power source. Safety device for temperature control circuit.

2. The control circuit according to claim 1, wherein the control circuit has a synchronization circuit (23) that synchronizes with a power source and the first comparison control circuit (46) and the second comparison control circuit (51) by a synchronization pulse from the synchronization circuit. A safety device of a temperature control circuit, characterized in that the control signal is synchronized with a power supply by sampling at least one of the input signals provided to each input terminal.